【課題】駆動回路素子を同一基板上に一体的に有する液晶表示装置において、表示コントラストの劣化を抑えつつ駆動回路の安定動作を図る。
【解決手段】透明基板１２上に、画素電極４４を駆動する第１薄膜トランジスタ２０と、前記第１薄膜トランジスタ２０に駆動信号を供給する第２薄膜トランジスタ５０と、を備えた表示装置１において、前記第１薄膜トランジスタ２０及び第２薄膜トランジスタ５０は、チャネル領域２８，５８とドレイン領域３４，６４及びソース領域３２，６２との間に配された低濃度不純物領域３０，３１，６０，６１とを備える半導体層２２，５２をそれぞれ有し、前記第２薄膜トランジスタ５０の前記チャネル領域５８と前記ドレイン領域６４の相対向する端部の間隔Ｌｄが、前記第１薄膜トランジスタ２０の前記チャネル領域２８と前記ドレイン領域３４の相対向する端部の間隔Ｌｐより短いことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】従来の液晶表示素子では、垂直方向に並ぶ２つの金属遮光膜のオーバーラップ面積が大きく、かつ、２つの金属遮光膜の間の遮光絶縁膜の膜厚が薄いために、２つの金属遮光膜との間でショートする確率が多くなり、歩留りが低下しやすい。
【解決手段】金属配線４０は、反射電極１３と画素トランジスタ１０のソース１０ｃとを電気的に接続するために、第２層間膜２７上に第１金属遮光膜２８と所定の間隙を有して形成されている。また、第１金属遮光膜２８と金属配線４０との間隙に第２金属遮光膜４１を形成することで、反射電極１３の間隙を通過して画素トランジスタ方向に侵入する光リークを防止するという機能を保ちつつ、垂直方向に２つの金属遮光膜をオーバーラップさせる従来の液晶表示素子に比べて、第１金属遮光膜２８と第２金属遮光膜４１を水平方向に隣接させているので、それらの間のオーバーラップ面積を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板に不均一な反りが発生するのを抑制するとともに、シール領域の幅を制御する。
【解決手段】二次元に配列された複数の画素電極が配置された表示領域２を有するアクティブマトリクス基板１１と、画素電極７と対向するように設けられた光透過性電極１３を有する対向基板１０と、アクティブマトリクス基板の表示領域の周囲を囲うように配置され、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせるシール材１２と、アクティブマトリクス基板と対向基板との間でシール材に囲まれた領域に配された液晶と、を有し、アクティブマトリクス基板のシール材が配置されるシール領域４に、画素電極と同一又は類似した形状の複数のダミー電極６_２が配置され、シール領域の内縁の複数のダミー電極は、ダミー電極の幅より細い連結部材８_１によって、シール領域の内縁の周方向に沿って連結されている。 （もっと読む）

【課題】 薄型軽量画像表示装置の、衝撃や曲げに対する耐久性を向上し、湾曲させた利用や曲面実装を可能にし、さらに製造工程数の削減による製造コストを低減し、大型化を容易にすること。
【解決手段】 複数の画素により構成された表示部と、表示部の制御を行う周辺集積回路を有する画像表示装置において、表示装置を衝撃や曲げに対する耐久性の高い支持基板上に設け、画素回路を有機半導体ＴＦＴで構成し、周辺集積回路を低温多結晶Ｓｉ−ＴＦＴで構成し、この周辺集積回路を製造した時の支持基板を除去して表示装置の支持基板上に設け、画素回路と周辺集積回路を同一配線層で接続する。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法を提案する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に第１の層を形成し、第１の層上に剥離層を形成し、剥離層側から剥離層に選択的にレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去し、残存した剥離層をマスクとして第１の層を選択的にエッチングする。また、基板上に剥離層を形成し、少なくとも剥離層に選択的に第１のレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去する。次に、残存した剥離層上に第１の層を形成し、残存した剥離層に第２のレーザビームを照射して残存した剥離層の付着力を低減させ、残存した剥離層及び当該剥離層に接する第１の層を除去する。 （もっと読む）

【課題】例えば、ＳＯＱ基板を用いてＴＦＴ等の半導体素子を形成することによってデジタル駆動方式の利点を生かし、高品位の画像を表示する。
【解決手段】液晶装置１によれば、１フレームを分割する複数のサブフレーム毎にＨｉｇｈおよびＬｏｗの一方の電位を有するデジタル信号である画像信号Ｓｎの電位Ｖｓｉｇに応じて、理想波形に近い波形を有する駆動電圧Ｖｉを各画素部の液晶に印加できる。したがって、画像信号に応じた駆動電圧で液晶を駆動でき、画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子における光リーク電流の影響を低減し、画像信号に含まれる階調データに応じて高品位で画像を表示できる。このようなデジタル駆動方式は、単結晶シリコン基板を用いて高速駆動が可能な半導体素子によって可能になる。 （もっと読む）

【課題】基板浮遊効果に起因する半導体層の電気的特性の劣化を抑制し、優れた電気的特性を示す、半導体基板の製造方法、半導体基板、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板２００の一方面側に非単結晶半導体層２１０を形成し、非単結晶半導体層２１０の上面に絶縁層２１１を設ける。そして、絶縁層２１１側から単結晶半導体基板２００中にイオン注入を行い、イオン注入層２０５を形成する。イオン注入後、単結晶半導体基板２００の絶縁層２１１側に支持基板５００を貼り合せ、単結晶半導体基板２００における、非単結晶半導体層２１０とは反対の表層部をイオン注入層２０５にて分離し、支持基板５００上に単結晶半導体層２２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板浮遊効果を防止できる信頼性の高いものを簡便な工程で得ることができ、ひいては製造コストの低減を実現した、半導体基板の製造方法、半導体基板、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板２００の一方面側に絶縁膜２１１を設け、絶縁膜２１１側から単結晶半導体層２００中に水素イオンを注入し、内部に剥離層２１２を形成し、絶縁膜２１１側から単結晶半導体基板２００中に水素イオンを注入し、絶縁膜２１１との界面に欠陥層２１３を形成する。剥離層２１２及び欠陥層２１３を形成した後、単結晶半導体基板２００の絶縁膜２１１側に支持基板５００を貼り合わせる。貼り合わせ工程の後、単結晶半導体基板２００を剥離層２１２で分離し、支持基板５００上に単結晶半導体層２２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の低消費電力化および高精細化を可能とする回路技術を提供することを課題とする。
【解決手段】ブートストラップ用トランジスタのゲート電極に接続される、トランジスタのゲート電極にスタート信号によって制御されるスイッチを設ける。スタート信号が入力されると、スイッチを介して当該トランジスタのゲート電極に電位が供給され、当該トランジスタをオフする。当該トランジスタがオフすると、ブートストラップ用トランジスタのゲート電極からの電荷の漏れを防止することができる。したがって、ブートストラップ用トランジスタのゲート電極に電荷を充電するための時間を早くすることができるので、高速に動作することができる。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の所定領域を選択的にかつ効率的に高結晶化する。
【解決手段】レーザアニール装置１００は、単数又は複数のレーザ光発振源を備えてなり、非晶質半導体膜２０の所定領域Ａ１の近傍領域Ａｓｃに対して、第１のレーザ光Ｘを照射して該領域を結晶化させる第１のレーザ光源１２０と、第１のレーザ光源１２０のレーザ光発振源を兼ねていない単数又は複数のレーザ光発振源を備えてなり、非晶質半導体膜２０の第１のレーザ光Ｘが照射された領域Ａｓｃの少なくとも一部及び所定領域Ａ１に対して第２のレーザ光Ｙを照射し、第１のレーザ光Ｘの照射により生成された結晶ｓｃの少なくとも一部は融解させることなく、該結晶を起点として所定領域Ａ１に結晶を成長させる第２のレーザ光源１３０と、非晶質半導体膜２０に対して、第１のレーザ光Ｘ及び第２のレーザ光Ｙを同時に又は独立に相対走査する相対走査手段１５０とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】画素分離領域の直下に存在する遮光層からの反射光を反射率向上に寄与させることで、輝度の向上や、シームレス(隙間の少ない)画像が得られるようにする。
【解決手段】半導体基板に配置された複数のスイッチ素子５と、複数のスイッチ素子５の上方に配置された複数の反射電極１１３と、複数のスイッチ素子５と複数の反射電極１１３との間で、且つ少なくとも複数の反射電極１１３の間の空隙に応じて配置された遮光層１１０と、を含むアクティブマトリクス基板の製造方法において、遮光層１１０は、ダマシン法によって形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダミー電極が設けられた周辺回路領域にシール接着剤が侵入してスペーサ粒子がダミー電極を押し潰してもショート欠陥の発生を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素電極５００を含む表示画素Ｐｘが配列された画素領域５０１、この外側に設けられた周辺回路領域５０４及びこの外側に設けられてスペーサ粒子５１１入りのシール接着剤５０６を塗布するシール領域を有する第１の基板１１と、対向電極１３を有す第２の基板１２とを、周辺回路領域側にシール接着剤が侵入した状態で接合して両基板間に液晶ＬＣを封入してなる液晶表示装置において、周辺回路領域及びシール領域の表面上に画素電極と同一の形状のダミー電極５１９を形成すると共に、周辺回路領域に形成された駆動回路部に接続される配線に対応する位置におけるダミー電極を、異なる電位を有する２つの配線５３０ａ、５３０ｂ間に跨がらないように分割する。 （もっと読む）

【課題】表示ムラを抑制しつつ生産性を向上し低コスト化したディスプレイ基板およびディスプレイ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本実施例のディスプレイ基板１０によれば、上側絶縁層３０が画素配線１８上に積層され、その上側絶縁層３０上に画素電極２０が形成される。また、下側絶縁層２８がゲート線１２およびデータ線１４上に積層され、その下側絶縁層２８上に画素配線１８が形成される。したがって、ゲート線１２、データ線１４、および画素電極２０の配置に拘わらず、下側絶縁層２８と上側絶縁層３０との間において画素配線１８を自由に配線できる。よって、多数の画素配線１８を配設できるので、１つのチップ１６で制御できる画素電極２０の数が増加する。その結果、チップ１６の使用数が低減し、生産性が向上し低コスト化することができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルと同一基板上に音源素子を駆動回路も内蔵可能に搭載した画像表示装置を置提供する。
【解決手段】ポリシリコンの薄膜トランジスタＰＴＦＴが形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板５００に画素を構成する薄膜トランジスタＰＴＦＴと、発熱層７００と断熱層７０１および放熱層７０２の積層構造からなる音波発生デバイスＳＰ０１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成で、チャネル活性層として結晶性シリコン層を有する薄膜トランジスタの特性のバラツキを抑制した表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る表示装置は、絶縁基板１上に形成されたポリシリコン層２と、絶縁基板１上に、ソース線を含み、ポリシリコン層２のソース領域２ａ及びドレイン領域２ｃの上に形成された配線層３と、ポリシリコン層２及び配線層３上に形成されたゲート絶縁層４と、ゲート絶縁層４上に形成され、ゲート線と、ポリシリコン層２のチャネル領域２ｂに対応して形成されたゲート電極５と、配線層３の一部に対応して形成されたキャパシタ電極６とを含むゲート電極層１１と、ゲート電極層１１上に形成された層間絶縁層７と、層間絶縁層７上に形成され、ゲート絶縁層４及び層間絶縁層７に設けられたコンタクトホール９を介してドレイン領域２ｃに接続された画素電極を含む画素電極層８とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタなどに用いられる新規な回路を提供する。
【解決手段】基本構成は、第１のトランジスタ〜第４のトランジスタと、第１の配線〜第４の配線を有する。第１の配線には電源電位ＶＤＤが供給され、第２の配線には電源電位ＶＳＳが供給されている。第３の配線、第４の配線には２値の値を持つデジタル信号が供給される。このデジタル信号は、高レベルのときには電源電位ＶＤＤと同電位となり、低レベルのときには電源電位ＶＳＳと同電位である。第３の配線と第４の配線の電位の組み合わせは４とおりあるが、第１のトランジスタ〜第４トランジスタは、いずれかの電位の組み合わせによりオフさせることができる。つまり、定常的にオン状態となるトランジスタがないため、トランジスタの特性劣化が抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】絶縁層３７が除去されて露出したガラス基板２２の表面に対し、ドライバ部を確実に貼り合わせる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ドライバ部を貼り合わせる貼合領域Ａの少なくとも一部を含むように犠牲膜３１を形成する犠牲膜形成工程と、上記犠牲膜を覆うように絶縁層３７を形成する絶縁層形成工程と、ガラス基板２２から絶縁層３７をエッチングして貼合領域の犠牲膜３１を露出させる第１エッチング工程と、露出した犠牲膜３１をエッチングしてガラス基板２２の貼合領域Ａを露出させる第２エッチング工程と、露出したガラス基板２２の貼合領域Ａに対し、ドライバ部を貼り合わせる貼り合わせ工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー工程数を低減することで製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し得るカラー表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板７１０上にソース線７０５、ドレイン電極７０８となる線状遮光体７０１、７０１ｋを形成した後、開口部７１１に色素材７０２を定着させてカラーフィルターとする。次に、色素材を覆う透明保護膜７２３を成膜し、その上に多結晶シリコン薄膜７１７を形成する。そして、画素マトリックス外のソース線端子を覆うポリイミド膜を形成した後、ゲート絶縁膜７１９を成膜し、ポリイミド膜を除去する。次に、ゲート絶縁膜上にゲート線７０７を形成する。本方法におけるフォトリソグラフィー工程は、線状遮光体形成、多結晶シリコン薄膜形成、ゲート電極形成、の３工程のみとなる。 （もっと読む）

【課題】従来は液晶表示素子の反射電極をスパッタによるアルミニウムで構成すると、ショートが発生しないよう、反射電極の間隙はアルミニウムの成膜で発生するグレイン以下の間隙に作成することができず、また、微細な反射電極間隙を制御するのは難しい。
【解決手段】反射電極５１は、第３層間膜２９上に形成されたチタン膜による反射電極チタン５１１と、反射電極チタン５１１上に形成されたアルミニウム膜である反射電極アルミ５１２とで構成されている。反射電極アルミ５１２の側壁は反射電極チタン５１１の側壁よりも水平方向に後退している。また、反射電極アルミ５１２の間隙ｂ内の側壁のみに、間隙形成用酸化膜５１３によるサイドウォールが形成されており、反射電極チタン５１１の側壁にはサイドウォールは形成されていない。これにより、反射電極面積が大きくなるため反射率が向上し、プロジェクタとしての明るさやコントラストが向上する。 （もっと読む）