液晶表示装置及び電子機器
【課題】シフトレジスタなどに用いられる新規な回路を提供する。
【解決手段】基本構成は、第1のトランジスタ〜第4のトランジスタと、第1の配線〜第4の配線を有する。第1の配線には電源電位VDDが供給され、第2の配線には電源電位VSSが供給されている。第3の配線、第4の配線には2値の値を持つデジタル信号が供給される。このデジタル信号は、高レベルのときには電源電位VDDと同電位となり、低レベルのときには電源電位VSSと同電位である。第3の配線と第4の配線の電位の組み合わせは4とおりあるが、第1のトランジスタ〜第4トランジスタは、いずれかの電位の組み合わせによりオフさせることができる。つまり、定常的にオン状態となるトランジスタがないため、トランジスタの特性劣化が抑制することができる。
【解決手段】基本構成は、第1のトランジスタ〜第4のトランジスタと、第1の配線〜第4の配線を有する。第1の配線には電源電位VDDが供給され、第2の配線には電源電位VSSが供給されている。第3の配線、第4の配線には2値の値を持つデジタル信号が供給される。このデジタル信号は、高レベルのときには電源電位VDDと同電位となり、低レベルのときには電源電位VSSと同電位である。第3の配線と第4の配線の電位の組み合わせは4とおりあるが、第1のトランジスタ〜第4トランジスタは、いずれかの電位の組み合わせによりオフさせることができる。つまり、定常的にオン状態となるトランジスタがないため、トランジスタの特性劣化が抑制することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
液晶素子を有する画素と、駆動回路とを有し、
前記駆動回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタとを有し、
前記第1のトランジスタのゲート及び第1端子が第1の配線に電気的に接続され、前記第1のトランジスタの第2端子が前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートが第2の配線に電気的に接続され、前記第2のトランジスタの第1端子が第4の配線に電気的に接続され、前記第2のトランジスタの第2端子が前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートが第3の配線に電気的に接続され、前記第3のトランジスタの第1端子が前記第4の配線に電気的に接続され、第3のトランジスタの第2端子が前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続され
前記第4のトランジスタの第1端子が前記第4の配線に電気的に接続され、前記第4のトランジスタの第2端子が第5の配線に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項2】
請求項1において、
前記第1のトランジスタ乃至前記第4のトランジスタは同じ導電型のトランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項3】
請求項1または請求項2において、
前記第1のトランジスタ乃至前記第4のトランジスタの半導体層に非結晶半導体が用いられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lは、前記第2のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項5】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lは、前記第3のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項6】
液晶素子を有する画素と、駆動回路とを有し、
前記駆動回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、第7のトランジスタと、第8のトランジスタとを有し、
前記第1のトランジスタのゲートが第1の配線に電気的に接続され、前記第1のトランジスタの第1端子が第2の配線に電気的に接続され、前記第1のトランジスタの第2端子が第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第8のトランジスタのゲートが第4の配線に電気的に接続され、前記第8のトランジスタの第1端子が第5の配線に電気的に接続され、前記第8のトランジスタの第2端子が前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートが前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第6のトランジスタの第1端子が前記第5の配線に電気的に接続され、前記第6のトランジスタの第2端子が前記第3のトランジスタのゲートおよび前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲート及び第1端子が前記第2の配線に電気的に接続され、前記第5のトランジスタの第2端子が前記第3のトランジスタのゲートおよび前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲートが第3の配線に電気的に接続され、前記第7のトランジスタの第1端子が前記第5の配線に電気的に接続され、前記第7のトランジスタの第2端子が前記第3のトランジスタのゲートおよび前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第4のトランジスタの第1端子が前記第5の配線に電気的に接続され、前記第4のトランジスタの第2端子が前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第1端子が前記第5の配線に電気的に接続され、前記第3のトランジスタの第2端子が第6の配線に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第1端子が前記第3の配線に電気的に接続され、前記第2のトランジスタの第2端子が前記第6の配線に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項7】
請求項6において、
前記第1のトランジスタ乃至前記第8のトランジスタは同じ導電型のトランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項8】
請求項6及び請求項7のうちいずれか一項において、
前記第1のトランジスタ乃至前記第8のトランジスタの半導体層に非結晶半導体が用いられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項9】
請求項6乃至請求項8のいずれか一項において、
前記第5のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lは、前記第6のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項10】
請求項6乃至請求項9のいずれか一項において、
前記第5のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lは、前記第7のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項11】
請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の液晶表示装置を具備する電子機器。
【請求項1】
液晶素子を有する画素と、駆動回路とを有し、
前記駆動回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタとを有し、
前記第1のトランジスタのゲート及び第1端子が第1の配線に電気的に接続され、前記第1のトランジスタの第2端子が前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートが第2の配線に電気的に接続され、前記第2のトランジスタの第1端子が第4の配線に電気的に接続され、前記第2のトランジスタの第2端子が前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートが第3の配線に電気的に接続され、前記第3のトランジスタの第1端子が前記第4の配線に電気的に接続され、第3のトランジスタの第2端子が前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続され
前記第4のトランジスタの第1端子が前記第4の配線に電気的に接続され、前記第4のトランジスタの第2端子が第5の配線に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項2】
請求項1において、
前記第1のトランジスタ乃至前記第4のトランジスタは同じ導電型のトランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項3】
請求項1または請求項2において、
前記第1のトランジスタ乃至前記第4のトランジスタの半導体層に非結晶半導体が用いられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lは、前記第2のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項5】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lは、前記第3のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項6】
液晶素子を有する画素と、駆動回路とを有し、
前記駆動回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、第7のトランジスタと、第8のトランジスタとを有し、
前記第1のトランジスタのゲートが第1の配線に電気的に接続され、前記第1のトランジスタの第1端子が第2の配線に電気的に接続され、前記第1のトランジスタの第2端子が第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第8のトランジスタのゲートが第4の配線に電気的に接続され、前記第8のトランジスタの第1端子が第5の配線に電気的に接続され、前記第8のトランジスタの第2端子が前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートが前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第6のトランジスタの第1端子が前記第5の配線に電気的に接続され、前記第6のトランジスタの第2端子が前記第3のトランジスタのゲートおよび前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲート及び第1端子が前記第2の配線に電気的に接続され、前記第5のトランジスタの第2端子が前記第3のトランジスタのゲートおよび前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲートが第3の配線に電気的に接続され、前記第7のトランジスタの第1端子が前記第5の配線に電気的に接続され、前記第7のトランジスタの第2端子が前記第3のトランジスタのゲートおよび前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第4のトランジスタの第1端子が前記第5の配線に電気的に接続され、前記第4のトランジスタの第2端子が前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第1端子が前記第5の配線に電気的に接続され、前記第3のトランジスタの第2端子が第6の配線に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第1端子が前記第3の配線に電気的に接続され、前記第2のトランジスタの第2端子が前記第6の配線に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項7】
請求項6において、
前記第1のトランジスタ乃至前記第8のトランジスタは同じ導電型のトランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項8】
請求項6及び請求項7のうちいずれか一項において、
前記第1のトランジスタ乃至前記第8のトランジスタの半導体層に非結晶半導体が用いられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項9】
請求項6乃至請求項8のいずれか一項において、
前記第5のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lは、前記第6のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項10】
請求項6乃至請求項9のいずれか一項において、
前記第5のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lは、前記第7のトランジスタのチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項11】
請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の液晶表示装置を具備する電子機器。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
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【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
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【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【公開番号】特開2008−9393(P2008−9393A)
【公開日】平成20年1月17日(2008.1.17)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−136385(P2007−136385)
【出願日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成20年1月17日(2008.1.17)
【国際特許分類】
【出願日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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