【課題】ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】加速された水素イオンを半導体基板に照射し、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層にレーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再結晶化することでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化させる。レーザビームの照射後、単結晶半導体層を溶融させない温度で加熱し、そのライフタイムを向上させる。 （もっと読む）

【課題】大型のガラス基板を用いても、タイル状に貼り付けた単結晶シリコン層の大きさが適切でないとパネルの取り数を最大化することができず、コストミニマムを図ることができないといった問題がある。
【解決手段】直径が３００ｍｍ乃至４５０ｍｍの略円形の単結晶半導体ウエハから略四辺形の単結晶半導体基板を形成し、クラスターイオンイオンビームを単結晶半導体基板の一面から注入して損傷層を形成する。該単結晶半導体基板を支持基板の一面に複数互いに離間して配列させる。熱処理を行い、損傷層に亀裂を生じさせて支持基板上に単結晶半導体層を残存させたまま単結晶半導体基板を剥離して除去する。単結晶半導体層に窒素雰囲気中でレーザビームを照射して、単結晶半導体層の表面を平坦化し、しかる後支持基板に接着された単結晶半導体層から、一又は複数の表示パネルを作製する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の過大な増加を招くことなく、使用状況によらずに簡易な構成で確実に物体の検出を行うことが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】非可視光ＬIRを表示面１０から出射すると共に、検出対象物体１２で反射された非可視光ＬIRを表示面１０上で検出光として検出し、この非可視光ＬIRの検出光に基づいて検出対象物体１２を検出する。表示面１０の表示状態、すなわち画像データに応じた輝度変化の影響や、さらに例えば周囲の状況（明るい場合や暗い場合など）など、そのときの使用状況の影響を受けることなく、確実に検出対象物体１２が検出される。また、例えばタッチパネルなどの部品を別途設ける必要もないので、簡易な構成で実現される。さらに、光源１００からの非可視光ＬIRが表示面１０を透過して出射するため、光源１００から発せられる非可視光ＬIRの利用効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】画素において、スイッチング素子のスイッチング特性が低下した場合においても輝度のムラが少ない表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】信号線１００と、画素と、を有し、画素は、第１のスイッチング素子１０３と、第１の電極が第１のスイッチング素子１０３を介して信号線１００に電気的に接続された容量素子１０１と、容量素子１０１の第１の電極に電気的に接続された表示素子１０２と、第２のスイッチング素子１０４と、第２のスイッチング素子１０４を介して容量素子１０１の第２の電極に電気的に接続された電荷供給端子１０５と、を備えた構成とすることにより容量素子１０１に保持される電圧が第１のスイッチング素子１０３のスイッチング特性の低下により、所望の値より低くなることを低減し、表示素子１０２に印加される所望の電圧を維持する。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を有するとともに、開口率を向上させることができるアクティブマトリクス装置、電気光学表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス装置１０は、基板５０の一方の面側に設けられた複数の画素電極８と、各画素電極８に対応して設けられ、画素電極８に接続された固定電極３と、固定電極３に対向して設けられ、固定電極３側へ変位可能な可動電極５と、可動電極５に静電ギャップを介して対向して設けられた駆動電極２とを備えるスイッチング素子１と、各可動電極５に接続された第１の配線１１と、各駆動電極２に接続された第２の配線１２とを有し、各スイッチング素子１は、可動電極５と駆動電極２との固着を防止する固着防止手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性が高い単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】半導体基板に水素をドープして、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の分離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付けながら、レーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、単結晶半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつ再単結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を有するとともに、開口率を向上させることができるアクティブマトリクス装置、電気光学表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス装置１０は、基板５０の一方の面側に設けられた複数の画素電極８と、各画素電極８に対応して設けられ、画素電極８に接続された固定電極３と、固定電極３に対向して設けられ、固定電極３側へ変位可能な可動電極５と、可動電極５に静電ギャップを介して対向して設けられた駆動電極２とを備えるスイッチング素子１と、各可動電極５に接続された第１の配線１１と、各駆動電極２に接続された第２の配線１２とを有し、可動電極５は、シリコンを主材料として構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板（ＳＯＩ基板）の大面積化を課題とする。また、効率のよい半導体基板の作製方法を提案することを課題とする。また、上記の半導体基板の特性を向上することを課題とする。また、上記の半導体基板を用いた半導体装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板（ＳＯＩ基板）の大面積化及び作製効率の向上を図るために、複数の単結晶半導体基板を同時に処理して、半導体基板を作製する。具体的には、複数の単結晶半導体基板の処理を同時に可能とするトレイを用いて、一連の工程を行う。また、ベース基板に形成した単結晶半導体層に対してエッチング処理又はエッチバック処理を施すことにより、単結晶半導体層に存在する損傷領域を除去すると共に、隣接する単結晶半導体層の間隙におけるベース基板の表面の一部を除去して、ベース基板に凹部を形成する。 （もっと読む）

【課題】応答速度が高く、かつ、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に、接合層と、前記接合層上に、絶縁膜と、保持容量部の下部電極と、前記絶縁膜上に、単結晶シリコン層と、前記保持容量部の下部電極上に、保持容量部の絶縁膜と、前記保持容量部の絶縁膜上に、配線と、前記単結晶シリコン層に、チャネル形成領域と、低濃度不純物領域と、前記単結晶シリコン層上に、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、前記保持容量部の絶縁膜として、ＹＳＺ膜を、単結晶シリコン層を下地として成膜することでより誘電率を高く形成することで、前記保持容量からのリーク電流が抑制される半導体装置及びその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素を構成する電界効果トランジスタの高性能化を実現し、且つ電界効果トランジスタの微細加工技術に依拠することなく、画素内の電界効果トランジスタ数を増やしても電界効果トランジスタ数の増加に伴い低下した画素の開口率を向上及び画素に占める電界効果トランジスタの面積の削減を図ることのできる表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層を有する電界効果トランジスタが、平坦化層を層間に設けて複数積層された画素を複数具備する表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板を用いて高性能な半導体装置を提供することを課題とする。また、機械的な研磨を行わずに高性能な半導体装置を提供することを課題とする。また、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上の絶縁層と、絶縁層上の接合層と、接合層上の単結晶半導体層と有し、単結晶半導体層は、その上部表面における凹凸形状の算術平均粗さが１ｎｍ以上７ｎｍ以下とする。または、凹凸形状の二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であっても良い。または、凹凸形状の最大高低差が５ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であっても良い。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有し、且つ、信頼性および量産性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、互いに対向する第１および第２主面を有する可撓性基板１２と、可撓性基板の第１主面上に形成された島状の第１無機絶縁膜１３と、第１無機絶縁膜上に形成された島状の積層体であって、無機半導体材料からなる半導体層１４と半導体層と接する絶縁層１５とを含む積層体と、積層体を覆う第２無機絶縁膜１６と、半導体層に電気的に接続されたソース電極３４ａおよびドレイン電極３４ｂと、半導体層の少なくとも一部の導電性を制御するゲート電極１８とを有し、半導体層の法線方向からみたとき、半導体層および半導体層と絶縁層との界面の外周は、第１無機絶縁膜および第２無機絶縁膜によって包囲されており、且つ、第２無機絶縁膜は少なくとも１つ方向において可撓性基板上に端を有していることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層の剥離の発生率を抑えた半導体装置を作製することを課題とする。また、トランジスタの不良発生率を低減した半導体装置を提供することを課題とする。また、回路配置を最適化した小型の半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】（１１０）面を主表面に有する単結晶半導体基板において、主表面にイオンを照射して単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、単結晶半導体基板の主表面に絶縁層を形成し、絶縁層と、絶縁表面を有する基板とを接合させ、単結晶半導体基板を、脆化層において分離させることにより、絶縁表面を有する基板上に、（１１０）面を主表面とする単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の＜１１０＞軸方向がチャネル長方向となるように、ｎチャネル型のトランジスタとｐチャネル型のトランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】アモルファス半導体層を薄く形成することなくソース・ドレイン電流の増大を図った薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。
【解決手段】表示装置の基板に形成される薄膜トランジスタであって、前記薄膜トランジスタは、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を被って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極と交差する方向に少なくとも前記ゲート電極の中央部分で断続されて並設される一対の第１導電型の擬似単結晶層あるいは多結晶層と、前記一対の第１導電型の擬似単結晶層あるいは多結晶層と前記ゲート絶縁膜上に連続的に形成された第２導電型の擬似単結晶層あるいは多結晶層と、更に、その上に形成されたｉ型のアモルファス半導体層と、コンタクト層を介して、下層に位置づけて前記ゲート絶縁膜上にまで延在して形成されるドレイン電極とソース電極と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に異物の侵入あるいは汚染を回避させた薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。スルーホールを通した電気的接続に信頼性を向上させた表示装置の提供。
【解決手段】基板に薄膜トランジスタが形成された表示装置であって、
前記薄膜トランジスタとして、前記基板上にゲート電極を被って形成されるシリコン窒化膜に選択的に形成されたシリコン酸化膜を備え、
少なくとも前記シリコン酸化膜の上面に形成された擬似単結晶層あるいは多結晶層を含む半導体層を備え、
該半導体層の上面にコンタクト層を介してドレイン電極およびソース電極が形成されて構成され、
前記擬似単結晶層あるいは多結晶層はアモルファスシリコン層の結晶化によって形成されているとともに、その周側壁面はその下層の前記シリコン酸化膜の周側壁面と段差を有することなく連続した構成からなるものを含む。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体装置を低価格で提供する。
【解決手段】
歪点７５０℃以上のガラス基板と水素打ち込み層を有する単結晶シリコンでなるボンドウェハとを、ガラス基板に形成された絶縁性シリコン膜とボンドウェハに形成された酸化膜とを挟むように、室温で貼り合わせた後、第１の加熱処理を行い、第１の加熱処理後、ボンドウェハの水素打ち込み層の部分で、ボンドウェハの一部を剥離することにより、ガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成し、ガラス基板と単結晶シリコン薄膜とに第２の加熱処理を行い、第２の加熱処理後、単結晶シリコン薄膜をパターニングして活性層を形成し、活性層上にゲイト絶縁膜を形成し、ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】しきい値制御された、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜にしきい値制御のための不純物元素をイオン注入法により添加し、その後、レーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。そして、微結晶半導体膜上にバッファ層を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】スループット良くＳＯＩ基板を製造できる方法を提供する。
【解決手段】支持基板に半導体基板から分離させた半導体層を転置して、ＳＯＩ基板を製造する。まず、半導体層の基となる半導体基板を準備する。該半導体基板には所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ、一表面上に絶縁層を形成する。半導体基板と支持基板とを、絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合した後、半導体基板にレーザビームを選択的に照射して脆化層の脆化を進行させる。そして、物理的手段又は加熱処理により、脆化層の脆化を進行させた領域を始点として、半導体基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を使用した画像の明るい透過型液晶表示素子を得る。
【解決手段】少なくとも、ＳＯＩ基板のシリコン基板１表面に透過型液晶表示素子の各画素電極を制御するためのトランジスタ等の回路素子を形成する工程と、支持基板であるシリコン基板２を薄くする工程と、シリコン基板２に水素イオンによるインプランテーションをして分割する工程と、分割したシリコン基板２を剥離する工程と、剥離したシリコン基板２の表面を研磨する工程と、前記研磨したシリコン基板２側を透明基板１に接着する工程と、前記画素電極に対応するシリコン基板１、シリコン基板２を除去する工程と、
該除去した部分と前記回路素子上部に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜を平坦化処理する工程と、前記回路素子と画素電極の導通をとるためのコンタクトホールを形成する工程と、前記画素電極を形成する工程を具備する透過型液晶表示素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性の高い薄膜トランジスタを有する液晶表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、逆スタガの薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出するようにソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 （もっと読む）