【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に一元系酸化物半導体層を形成し、５００℃以上１０００℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】表示装置において、表示素子に電流を供給するトランジスタの特性が画素ごとに
ばらつくことによって生ずる輝度ムラが、表示装置の画質向上の足かせとなっていた。
【解決手段】ソース信号線より画素に入力される映像信号は、表示素子に電流を供給する
ためのトランジスタをダイオード接続とし、当該ダイオード接続されたトランジスタのゲ
ートに所望の電位が印加される。ここで、ダイオード接続したトランジスタにおいて、そ
のソース・ドレイン間には、トランジスタのしきい値電圧に応じた電位差を取得する。そ
の結果、駆動用トランジスタのゲート電極には、映像信号にしきい値電圧に応じた電位差
のオフセットをかけた電位を印加することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサによる撮像機能を有する半導体装置において、各画素に設けられたフォトセンサの特性ばらつきに起因するノイズを低減し、高精度の撮像を行うことを目的とする。
【解決手段】フォトセンサが配置された入力部と、画像処理回路とを有し、前記フォトセンサは、黒画像、及び被検出物の画像を撮像し、前記画像処理回路は、前記黒画像の画像データＸ、及び前記被検出物の画像の画像データＹを用いて、画像データ（Ｙ−Ｘ）を有する画像を生成する半導体装置である。また、上記入力部が表示パネルとして機能する表示装置である。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的する。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化を行い、金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに配置されたフォトセンサにおいて、対象物からの反射光を正確に検出し、画像取り込みの精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】フォトセンサが配置された表示パネルでは、対象物の画像を取り込む際、光源から対象物に光が照射され、反射された光がフォトセンサに入射される。その際、フォトセンサの感度に対して入射光が強すぎる場合には光源の輝度を小さくし、逆にフォトセンサの感度に対して入射光が弱すぎる場合には光源の輝度を大きくする。 （もっと読む）

【課題】微結晶半導体層を量産性良く作製する技術を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内に、互いに向かい合って概略平行に配置された上部電極と下部電極が備えられ、上部電極は中空部が形成され、かつ、下部電極と向かい合う面に複数の孔を有するシャワー板を有し、下部電極上には基板が配置され、堆積性気体と水素を含むガスを上部電極の中空部を通ってシャワー板から反応室内に供給し、希ガスを上部電極と異なる部位から反応室内に供給し、上部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、基板上に微結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することができ、かつ、歩留まりの高い薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】本発明の実施の形態１に係る薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板１０の上に少なくともゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体層１３、ソース電極１４、ドレイン電極１５及び保護層１６を具備する薄膜トランジスタの製造方法であって、保護層１６が真空紫外光ＣＶＤ法により形成されるものであり、ゲート絶縁層１２の上の全面に保護層１６となる膜を成膜する工程と、保護層と１６なる膜をパターニングなしにエッチングしソース電極１４とドレイン電極１５の表面を露出させ保護層１６のパターンを形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ソース領域及びドレイン領域と、チャネル層との間で、良好な電気的接合を確保でき、かつオン電流の低下を防ぐことのできるトランジスタ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ基板１は、基板１００上に配置されたゲート電極２００と、前ゲート電極２００上に配置されたゲート絶縁膜３１０と、ゲート絶縁膜３１０上の、互いにゲート電極２００を挟んで対向する位置に形成されたソース電極７１０及びドレイン電極７２０と、ソース電極７１０上に形成されたソース領域と、ドレイン電極７２０上に形成されたドレイン領域と、ソース領域上、ドレイン領域上、及びソース領域と前記ドレイン領域との間のゲート絶縁膜３１０上に配置され結晶性シリコンを含む半導体膜４２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】透光性基板下のバックライトからの迷光が光電変換素子へ入射するのを防止しながら、光電変換素子へ入射する光の光量を増加させる。
【解決手段】透光性基板上の光電変換素子上を覆うカラーフィルターと、隣接する画素の光電変換素子上を覆うカラーフィルターが、側面で光の進行方向に対して重なることにより遮光膜を形成する。また、カラーフィルター上にマイクロレンズを設けることで、本来、感知されない光を光電変換素子上に集光させることにより、光変換素子へ入射する光量を増加させる。 （もっと読む）

【課題】画像の表示を明るくするとともに、表示品位の良好な電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置は、一対の基板３２，５０と、一対の基板３２，５０間に挟持された電気光学層４６と、を有し、一方の基板３２に、トランジスター３８と、トランジスター３８に対応して設けられた反射電極４０ａと、隣り合う反射電極４０ａ間に、一対の基板３２，５０間のギャップを規定し、誘電体多層膜からなるスペーサー７２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フリッカ現象や焼き付き現象を抑制できる液晶装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置２は、第１基板１６に設けられた第１配向膜６０と、第２基板１８に設けられた第２配向膜４８と、第１配向膜６０と第２配向膜４８との間に挟持された液晶層４０と、第１基板１６に設けられ、液晶層４０に電界を印加して液晶層４０を調光駆動するための第１電極３６及び第２電極３８と、電界が発生する第１電極３６及び第２電極３８の各界面に設けられた第１絶縁膜９２と、第１基板１６に設けられ、画素スイッチング素子３４の表面を被覆する第２絶縁膜５８と、を含み、第１電極３６は、第２電極３８と同一の材料で構成され、第２配向膜４８は、第１配向膜６０よりも比抵抗が高い材料で構成され、第１配向膜６０は、第１絶縁膜９２よりも比抵抗が高い材料で構成され、第１絶縁膜９２は、第２絶縁膜５８よりも比抵抗が低い材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶素子を従来よりも高速に交流駆動する構成とした場合に、画素小型化と極性切り替え用ドライバの削減と消費電力の低減ができ、１ライン毎の上下輝度差も解消する。
【解決手段】液晶表示装置は、上下２画素（隣接する２ラインの垂直方向に隣接する２つの画素）を反転して形成し、極性切り替え配線Ｓ+とＳ-とをこれら２画素で共用する構成である。上側の一画素内のスイッチングトランジスタＱ５１と下側の一画素内のスイッチングトランジスタＱ５２をスイッチングするための第１のゲート制御信号を伝送する極性切り替え配線Ｓ+と、上側の一画素内のスイッチングトランジスタＱ６１と下側の一画素内のスイッチングトランジスタＱ６２をスイッチングするための第２のゲート制御信号を伝送する極性切り替え配線Ｓ-とが、それぞれ上下２画素で共用されている。 （もっと読む）

【課題】光センサ素子を画素と同一の絶縁性基板上にマトリクス状に配置した画像表示装置であって、低照度光の検出精度を落とすことなく、高照度光の検出を可能にし、光センサ素子が検出できる光の照度レンジを拡大できる光センサ内蔵画像表示装置の提供。
【解決手段】画像表示装置と光センサ装置とが同一絶縁性基板上に形成され、前記光センサ装置は、前記絶縁性基板上にマトリクス状に配置された光センサ素子群と、前記光センサ素子群を２次元撮像装置として機能させる付加回路とで構成されている光センサ内蔵画像表示装置であって、
２次元撮像装置を構成している１ピクセル分の中に、少なくとも１個の光センサ素子と、前記光センサ素子で生成された電荷を蓄積する少なくとも２個の容量値が異なる蓄積容量を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層をゲート電極によって遮光したボトムゲート型薄膜トランジスタのオフ電流を低減する。
【解決手段】ゲート電極層と、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に接して設けられた前記第１の半導体層よりもキャリア移動度が低い第２の半導体層と、前記ゲート電極層と前記第１の半導体層との間に接して設けられたゲート絶縁層と、前記第２の半導体層に接して設けられた不純物半導体層と、前記不純物半導体層及び前記第１及び第２の半導体層に一部が接して設けられたソース電極及びドレイン電極層と、を有し、前記第１の半導体層のゲート電極層側は全面が前記ゲート電極層によって覆われており、前記第１の半導体層と前記ソース電極及びドレイン電極層が接する部分のポテンシャル障壁は０．５ｅＶ以上である薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板よりも大面積な基板に、均一な質を有する複数の単結晶半導体層を貼り付けたＳＯＩ基板の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】熱処理において、ベース基板支持及び単結晶半導体基板保持のトレイとして、凹部の底が深く、ベース基板に貼り付けられた単結晶半導体基板と接触しないトレイを用いて、単結晶半導体基板の熱分布の均一化を図る。また、該トレイの各々の凹部の間にベース基板支持部を設けることによって、該トレイとベース基板との接触面積を低減する。以上より、単結晶半導体基板から単結晶半導体層を分離する熱処理の際、単結晶半導体基板及びベース基板の熱分布が均一になるようにする。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御にチャネルドープ法を用いて行う場合、活性層に不純物を導入するため、必然的にこの不純物起因のバルク結晶欠陥や、半導体層と絶縁層の界面凖位を生じさせてしまう。この結果、ＴＦＴ特性、特に電界効果型移動度を悪化させる原因となる。
【解決手段】基板上に形成された電極上に設けられた第１の絶縁層の応力と膜厚の積と、第１の絶縁層上に設けられた引張り応力を有する結晶質半導体膜からなる活性層の応力と膜厚の積と、活性層上に設けられた第２の絶縁層の応力と膜厚の積を適当な大きさに設定することでしきい値電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】高開口率な表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、保持容量とが設けられた画素と、走査線と、走査線に直交して設けられた信号線と、を有し、走査線の上方には、薄膜トランジスタのソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域が形成される部分と保持容量の下部電極となる部分とを有する半導体膜が設けられ、半導体膜上には絶縁膜が設けられ、半導体膜のチャネル形成領域となる部分の上方には、絶縁膜を介して走査線と電気的に接続されたゲート電極が設けられ、半導体膜の下部電極となる部分の上方には、絶縁膜を介して保持容量の上部電極が設けられ、半導体膜は、基板に平行であり、ゲート電極は、保持容量の上部電極より半導体膜を基準に高い場所に設けられ、ゲート電極及び上部電極の上方には、信号線が設けられている表示装置。 （もっと読む）

【課題】大面積な半導体装置を低コストに提供することを目的の一とする。または、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタに最適な結晶面をチャネル形成領域とすることにより、性能向上を図ることを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に（２１１）面から±１０°以内の面を上面とする島状の単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の上面及び側面に接して形成し、且つ絶縁表面上に非単結晶半導体層を形成し、非単結晶半導体層にレーザー光を照射して非単結晶半導体層を溶融し、且つ、単結晶半導体層を種結晶として絶縁表面上に形成された非単結晶半導体層を結晶化して結晶性半導体層を形成し、結晶性半導体層を用いて、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成する。 （もっと読む）