表示装置
【課題】画像品質、位置検出精度の向上を実現する。
【解決手段】液晶パネル200の正面の側から入射する光を受光し光電変換することによって受光データを生成する半導体層47が、液晶パネル200の面の法線方向zにおいて電流が流れる縦型構造になるように、フォトセンサ素子32aを形成する。
【解決手段】液晶パネル200の正面の側から入射する光を受光し光電変換することによって受光データを生成する半導体層47が、液晶パネル200の面の法線方向zにおいて電流が流れる縦型構造になるように、フォトセンサ素子32aを形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置に関する。特に、本発明は、画素が複数配置された表示領域において、一方の面の側から入射する光を受光して受光データを生成するフォトセンサ素子が複数配置されている表示パネルを含み、その表示パネルの一方の面の側において表示領域に移動した被検知体の位置を、そのフォトセンサ素子によって生成された受光データに基づいて検知する表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置,有機EL表示装置などの表示装置は、薄型、軽量、低消費電力といった利点を有する。
【0003】
このような表示装置において、液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶層が封入された液晶パネルを、表示パネルとして有している。液晶パネルは、たとえば、透過型であって、液晶パネルの背面に設けられたバックライトなどの照明装置が出射した照明光を、その液晶パネルが変調して透過させる。そして、その変調した照明光によって画像の表示が、液晶パネルの正面にて実施される。
【0004】
この液晶パネルは、たとえば、アクティブマトリクス方式であり、画素スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)が複数形成されているTFTアレイ基板と、そのTFTアレイ基板に対面するように対向する対向基板と、TFTアレイ基板および対向基板の間に設けられた液晶層とを有する。このアクティブマトリクス方式の液晶パネルにおいては、画素スイッチング素子が画素電極に電位を入力することによって、液晶層に印加する電圧を可変し、その画素を透過する光の透過率を制御して、その光を変調させる。
【0005】
上記のような液晶パネルにおいては、上記の画素スイッチング素子として機能するTFTの他に、光を受光して受光データを得るフォトセンサ素子が位置センサ素子として表示領域に内蔵されたものが提案されている。
【0006】
上記のようにフォトセンサ素子が位置センサ素子として内蔵された液晶パネルは、ユーザーインターフェイスとしての機能が実現できるため、I/Oタッチパネル(Integrate−Optical touch panel)と呼ばれている。このタイプの液晶パネルにおいては、液晶パネルの前面に、別途、抵抗膜方式や静電容量方式のタッチパネルを設置する必要がなくなる。このため、装置の小型化を、容易に実現できる。また、さらに、抵抗膜方式や静電容量方式のタッチパネルを設置した場合には、そのタッチパネルによって表示領域において透過する光が減少する場合や、その光が干渉される場合があるため、表示画像の品質が低下する場合があるが、上記のように位置センサ素子として液晶パネルにフォトセンサ素子を内蔵することによって、この不具合の発生を防止できる。
【0007】
このような液晶パネルにおいては、たとえば、液晶パネルの前面に触れられたユーザーの指やタッチペンなどの被検知体からの可視光線を、そのフォトセンサ素子が受光する。その後、そのフォトセンサ素子によって得られた受光データに基づいて、その被検知体が接触した位置を特定し、その特定された位置に対応する操作が、液晶表示装置自身や、その液晶表示装置に接続された他の電子機器において実施される。
【0008】
上記のように、位置センサ素子として内蔵されたフォトセンサ素子を用いて、被検知体の位置を検出する場合には、そのフォトセンサ素子によって得られる受光データは、外光に含まれる可視光線の影響によって、多くのノイズを含む場合がある。また、表示領域において黒表示を実施する場合には、TFTアレイ基板に設けられたフォトセンサ素子は、被検知体から出射される可視光線を受光することが困難である。このため、正確に、被検知体の位置を検出をすることが困難な場合がある。
【0009】
このような不具合を改善するために、赤外線など、可視光線以外の不可視光線を用いる技術が提案されている。ここでは、被検知体から反射される赤外線を、位置センサ素子として内蔵されたフォトセンサ素子が受光することによって、受光データを取得し、その取得したデータに基づいて、被検知体の位置を特定している(たとえば、特許文献1,特許文献2,特許文献3参照)。
【0010】
【特許文献1】特開2005−275644号公報
【特許文献2】特開2004−318819号公報
【特許文献3】特開2006−3081864号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
図17は、液晶パネルの表示領域に設けられた画素の概略を模式的に示す断面図である。
【0012】
図17に示すように、液晶パネル200は、TFTアレイ基板201と、対向基板202と、液晶層203とを有している。液晶パネル200は、TFTアレイ基板201と対向基板202とが対面して貼り合わされており、そのTFTアレイ基板201と対向基板202との間の間隔に液晶層203が設けられている。そして、液晶パネル200は、たとえば、バックライト(図示無し)が照射する照明光を、第1の偏光板206を介して背面から受け、その背面から受けた光を、その表示領域PAにおいて変調する。そして、その変調された照明光が、第2の偏光板207を介して、正面側に出射し、表示領域PAにおいて画像が表示される。
【0013】
上記において、TFTアレイ基板201は、光を透過する絶縁体の基板であり、たとえば、ガラスにより形成されている。このTFTアレイ基板201においては、図17に示すように、対向基板202に対面する側の面に、画素スイッチング素子31とフォトセンサ素子32aが形成されている。
【0014】
TFTアレイ基板201の画素スイッチング素子31は、図17に示すように、たとえば、ボトムゲート型のTFTであって、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する側の面に形成されている。たとえば、画素スイッチング素子31は、ポリシリコンの半導体層48を用いるように形成されている。
【0015】
TFTアレイ基板201のフォトセンサ素子32aは、図17に示すように、平面構造のPIN型フォトダイオードであって、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する側の面に形成されている。たとえば、フォトセンサ素子32aは、ポリシリコンの半導体層47を光電変化層として用いており、TFTアレイ基板201の面に沿った横方向に延在するように形成されている。
【0016】
対向基板202は、TFTアレイ基板201の場合と同様に、光を透過する絶縁体の基板であり、ガラスにより形成されている。そして、対向基板202は、図17に示すように、TFTアレイ基板201に対して間隔を隔てるよう対面している。
【0017】
液晶層203は、図17に示すように、TFTアレイ基板201と対向基板202との間にて挟持されており、配向処理されている。たとえば、液晶層203は、液晶分子が垂直配向するように形成されている。
【0018】
この液晶パネル200は、バックライト300から液晶パネル200の背面に出射した照明光が、TFTアレイ基板201の側から対向基板202の側へ向かい、液晶層203を介して透過するように構成されており、この透過する光によって、対向基板202の側の面において、画像表示が実施される。具体的には、TFTアレイ基板201に形成された画素電極62と、対向基板202に形成された対向電極23との間に挟まれている液晶層203に印加する電圧を、画素スイッチング素子31が制御し、画像表示が実施される。
【0019】
そして、TFTアレイ基板201に設けられたフォトセンサ素子32aは、液晶パネル200の正面から入射する光を受光し、受光データを生成する。そして、この生成された受光データに基づいて、液晶パネル200の表示領域において、ユーザーの指やタッチペンなどの被検知体が接触または近接した位置を検出する。
【0020】
しかしながら、上記においては、位置センサ素子として内蔵されたフォトセンサ素子が、高感度に受光データを生成することが困難な場合がある。特に、画素スイッチング素子と同様に半導体シリコン薄膜を用いて位置センサ素子を形成する場合には、その半導体シリコン薄膜が赤外線を吸収する吸収率が可視光線の吸収率と比較して低いために、この不具合の発生が顕在化する場合があり、位置検出精度の低下が生ずる場合がある。
【0021】
図18と図19と図20とは、半導体層の組成と、その半導体層の吸収係数とを示す図である。図18と図19と図20とおいて、横軸は、光の波長(Wavelength)λ(nm)であり、縦軸は、その光の吸収係数(adsorption coefficient)α(cm−1)である。ここでは、図18がアモルファスシリコンの場合を示し、図19が微結晶シリコンを示し、図20が多結晶シリコンの場合について示している。
【0022】
図18と図19と図20とに示すように、波長が700nm以上となる赤外線の場合には、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコンのいずれにおいては、吸収係数が減少しており、高感度に受光データを生成することが困難な場合になる。
【0023】
そして、この不具合を解消するために、光を受光する受光面積を大きくするように、上記のような平面構造のPIN型フォトダイオードの半導体層の面積を大きくした場合には、光が透過する開口率が低下することになるので、表示画像の品質が低下する場合がある。
【0024】
このように、画像品質の低下や、位置検出精度の低下が生ずる場合がある。
【0025】
したがって、本発明は、画像品質、位置検出精度の向上を実現可能な表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0026】
本発明は、画素が複数配置された表示領域において、一方の面の側から入射する光を受光して受光データを生成するフォトセンサ素子が複数配置されている表示パネルを含み、前記表示パネルの一方の面の側において前記表示領域に移動した被検知体の位置を、前記フォトセンサ素子によって生成された受光データに基づいて検知する表示装置であって、前記フォトセンサ素子は、前記表示パネルの一方の面の側から入射する光を受光し光電変換することによって前記受光データが生成される半導体層を含み、当該半導体層が前記表示パネルの面の法線方向において電流が流れるように構成されている縦型構造である。
【0027】
好適には、前記表示パネルの他方の面の側に照明光を出射する照明部を含み、前記照明部は、可視光線と不可視光線とを前記照明光として出射するように構成されており、前記フォトセンサ素子は、前記表示パネルの一方の面の側において前記表示領域に移動した被検知体において前記照明光が反射された反射光を受光するように構成されている。
【0028】
好適には、前記表示パネルは、第1基板と、前記第1基板から間隔を隔てて対面している第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間にて挟持されており、液晶分子が配向されている液晶層とを含む液晶パネルであって、前記第1基板が前記他方の面の側に位置し、前記第2基板が前記一方の面の側に位置しており、前記フォトセンサ素子は、前記第1基板に設けられている。
【0029】
好適には、前記フォトセンサ素子は、フォトダイオードであって、当該フォトセンサ素子の半導体層がp層とi層とn層とを含み、前記p層と前記n層とが前記i層を挟んでいるPIN構造であり、前記p層と前記i層と前記n層とのそれぞれは、前記表示パネルの法線方向に沿って並ぶように設けられている。
【0030】
好適には、前記フォトセンサ素子の半導体層は、微結晶シリコンであり、前記i層は、前記表示パネルの法線方向において50nm以上の厚さになるように形成されている。
【0031】
好適には、前記フォトセンサ素子の半導体層は、アモルファスシリコンであり、前記i層は、前記表示パネルの法線方向において50nm以上の厚さになるように形成されている。
【0032】
好適には、前記フォトセンサ素子の半導体層は、多結晶シリコンであり、前記i層は、前記表示パネルの法線方向において30nm以上の厚さになるように形成されている。
【0033】
好適には、前記第1基板は、前記他方の面の側から前記フォトセンサ素子の半導体層へ入射する光を遮光する遮光部を有する。
【0034】
好適には、前記遮光部は、導電材料によって形成されており、前記p層と前記n層とのいずれか一方に接続された配線である。
【0035】
好適には、前記第1基板は、前記フォトセンサ素子を駆動する駆動素子を含み、前記遮光部は、前記駆動素子に接続された配線である。
【0036】
好適には、前記フォトセンサ素子は、フォトトランジスタであって、当該フォトセンサ素子の半導体層は、チャネル領域と、前記チャネル領域を挟むように形成された第1および第2のソース・ドレイン領域とを含み、前記チャネル領域と、前記第1および第2のソース・ドレイン領域とのそれぞれは、前記表示パネルの法線方向に沿って並ぶように設けられており、ゲート電極が前記表示パネルの法線方向に延在するように設けられている。
【0037】
好適には、前記フォトセンサ素子のゲート電極は、光を遮光する遮光材料によって形成されている。
【0038】
好適には、前記フォトセンサ素子のゲート電極は、前記半導体層が前記表示パネルの法線方向に延在する面の周囲を囲うように形成されている。
【0039】
本発明においては、表示パネルの一方の面の側から入射する光を受光し光電変換することによって受光データを生成する半導体層が、表示パネルの法線方向において電流が流れる縦型構造になるように、フォトセンサ素子を形成する。
【発明の効果】
【0040】
本発明によれば、画像品質、位置検出精度の向上を実現可能な表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0041】
本発明にかかる実施形態の一例について説明する。
【0042】
<実施形態1>
(液晶表示装置の構成)
図1は、本発明にかかる実施形態1において、液晶表示装置100の構成を示す断面図である。
【0043】
本実施形態の液晶表示装置100は、図1に示すように、液晶パネル200と、バックライト300と、データ処理部400とを有する。各部について順次説明する。
【0044】
液晶パネル200は、アクティブマトリクス方式であり、図1に示すように、TFTアレイ基板201と対向基板202と液晶層203とを有する。
【0045】
この液晶パネル200においては、TFTアレイ基板201と対向基板202とが、互いに間隔を隔てるよう対面している。そして、そのTFTアレイ基板201と対向基板202との間に挟まれるように、液晶層203が設けられている。
【0046】
そして、液晶パネル200は、透過型であって、図1に示すように、TFTアレイ基板201の側に位置するようにバックライト300が配置されており、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面している面とは反対側の面に、バックライト300から出射された照明光が照射される。そして、液晶パネル200は、複数の画素(図示無し)が配置され画像を表示する表示領域PAを含み、その液晶パネル200の背面側に設置されたバックライト300が出射した照明光を、第1の偏光板206を介して背面から受け、その背面から受けた光を、その表示領域PAにおいて変調する。ここでは、TFTアレイ基板201において画素に対応するように、複数のTFTが画素スイッチング素子(図示無し)として設けられており、その画素スイッチング素子であるTFTがスイッチング制御されることによって、背面から受けた照明光を変調する。そして、その変調された照明光が、第2の偏光板207を介して、正面側に出射し、表示領域PAにおいて画像が表示される。
【0047】
また、本実施形態においては、この液晶パネル200は、いわゆるI/Oタッチパネルであり、詳細については後述するが、液晶パネル200においてバックライト300が設置された背面に対して反対側となる正面に、ユーザーの指やタッチペンなどの被検知体が接触または近接した際に、その被検知体によって反射される反射光を受光するフォトセンサ素子(図示無し)が、位置センサ素子として形成されている。たとえば、フォトダイオードが、このフォトセンサ素子として形成されており、液晶パネル200の正面側において、被検知体が反射する反射光を受光する。すなわち、対向基板202の側からTFTアレイ基板201の側へ向かう反射光を受光する。そして、フォトセンサ素子は、光電変換することによって、受光データを生成する。
【0048】
バックライト300は、図1に示すように、液晶パネル200の背面に対面しており、その液晶パネル200の表示領域PAに照明光を出射する。ここでは、バックライト300は、図1に示すように、光源301と、その光源301から照射された光を拡散することよって面状の光に変換する導光板302とを有しており、液晶パネル200の表示領域PAの全面に平面光を照射する。
【0049】
具体的には、バックライト300は、液晶パネル200を構成するTFTアレイ基板201と対向基板202とにおいて、TFTアレイ基板201の側に位置するように配置されている。そして、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面している面に対して反対側の面に、その平面光を照射する。つまり、バックライト300は、TFTアレイ基板201の側から対向基板202の側へ向かうように平面光を照明する。
【0050】
本実施形態においては、バックライト300の光源301は、図1に示すように、たとえば、可視光源301aと、赤外光源301bとを有する。可視光源301aと赤外光源301bとのそれぞれは、互いに導光板302の一方の端部に設けられ、可視光線と非可視光線とのそれぞれを出射する。具体的には、可視光源301aは、白色LEDであり、白色の可視光線を照射面から照射する。また、赤外光源301bは、赤外LEDであり、赤外線を照射面から照射する。たとえば、中心波長が850nmである赤外線を照射する。そして、可視光源301aから照射された白色の可視光線と、赤外光源301bから照射された赤外線とが、導光板302において拡散され、平面光として、導光板302の一方の面から液晶パネル200の背面に照射される。
【0051】
データ処理部400は、図1に示すように、制御部401と、位置検出部402とを有する。データ処理部400は、コンピュータを含み、プログラムによってコンピュータが各部として動作するように構成されている。
【0052】
データ処理部400の制御部401は、液晶パネル200とバックライト300との動作を制御するように構成されている。制御部401は、液晶パネル200に制御信号を供給することによって、液晶パネル200に複数設けられた画素スイッチング素子(図示無し)の動作を制御する。たとえば、線順次駆動を実行させる。また、制御部401は、バックライト300に制御信号を供給することによって、バックライト300の動作を制御し、バックライト300から照明光を照射する。このように、制御部401は、液晶パネル200とバックライト300との動作を制御することによって、液晶パネル200の表示領域PAに画像を表示する。
【0053】
このほかに、制御部401は、液晶パネル200に制御信号を供給することによって、液晶パネル200に位置センサ素子として複数設けられたフォトセンサ素子(図示無し)の動作を制御し、そのフォトセンサ素子から受光データを収集する。たとえば、線順次駆動を実行させて、受光データを収集する。
【0054】
データ処理部400の位置検出部402は、液晶パネル200に複数設けられたフォトセンサ素子(図示無し)から収集した受光データに基づいて、液晶パネル200の表示領域において、ユーザーの指やタッチペンなどの被検知体が接触または近接した位置を検出する。たとえば、受光データの信号強度が基準値よりも大きい座標位置を、被検知体Fが表示領域PAにおいて接触した座標位置として検出する。
【0055】
(液晶パネルの全体構成)
液晶パネル200の全体構成について詳細に説明する。
【0056】
図2は、本発明にかかる実施形態1において、液晶パネル200を示す平面図である。
【0057】
図2に示すように、液晶パネル200は、表示領域PAと、周辺領域CAとを有する。
【0058】
液晶パネル200において表示領域PAには、図2に示すように、複数の画素Pが水平方向xと垂直方向yとのそれぞれにマトリクス状に並ぶように配置されており、画像を表示する。詳細については後述するが、画素Pは、画素スイッチング素子として機能するTFT(図示無し)を含む。そして、この複数の画素Pに対応するように、位置センサ素子として機能するフォトセンサ素子(図示無し)が、複数、形成されている。
【0059】
液晶パネル200において周辺領域CAは、図2に示すように、表示領域PAの周辺を囲うように設けられている。この周辺領域CAにおいては、図2に示すように、表示用垂直駆動回路11と、表示用水平駆動回路12と、センサ用垂直駆動回路13と、センサ用水平駆動回路14とが形成されている。たとえば、上記の画素スイッチング素子として機能するTFT(図示無し)と、位置センサ素子として機能するフォトセンサ素子(図示無し)と同様にして形成された半導体素子によって、この各回路が構成されている。そして、表示領域PAにおいて画素Pに対応するように画素スイッチング素子として設けられたTFTを、表示用垂直駆動回路11および表示用水平駆動回路12が駆動し、画像表示を実行する。そして、これと共に、表示領域PAにおいて画素Pに対応するように位置センサ素子として設けられたフォトセンサ素子(図示無し)を、センサ用垂直駆動回路13とセンサ用水平駆動回路14とが駆動し、受光データを収集する。
【0060】
具体的には、表示用垂直駆動回路11は、図2に示すように、垂直方向yに延在している。そして、表示用垂直駆動回路11は、垂直方向yにおいて複数の画素Pに対応するように画素スイッチング素子として形成された各TFT(図示無し)のゲート電極に、接続されている。そして、表示用垂直駆動回路11は、供給される制御信号に基づいて、その垂直方向yに並ぶ複数のTFTに、走査信号を、順次、供給する。ここでは、水平方向xに並ぶ複数の画素Pに対応して形成された複数のTFTのそれぞれにゲート線(図示無し)が接続され、そのゲート線が垂直方向yに並ぶ複数の画素Pに対応するように複数形成されており、表示用垂直駆動回路11は、その複数のゲート線に、順次、走査信号を供給する。
【0061】
表示用水平駆動回路12は、図2に示すように、水平方向xに延在している。そして、表示用水平駆動回路12は、水平方向xにおいて複数の画素Pに対応するように画素スイッチング素子として形成された各TFT(図示無し)のソース電極に接続されている。そして、表示用水平駆動回路12は、供給される制御信号に基づいて、その垂直方向yに並ぶ複数のTFTに、データ信号を、順次、供給する。ここでは、垂直方向yに並ぶ複数の画素Pに対応して形成された複数のTFTのそれぞれに信号線(図示無し)が接続され、その信号線が水平方向xに並ぶ複数の画素Pに対応するように複数形成されており、表示用水平駆動回路12は、その複数の信号線に、順次、映像データ信号を供給する。
【0062】
センサ用垂直駆動回路13は、図2に示すように、垂直方向yに延在している。そして、センサ用垂直駆動回路13は、垂直方向yにおいて複数の画素Pに対応するように位置センサ素子として形成された各フォトセンサ素子(図示無し)に接続されている。そして、センサ用垂直駆動回路13は、供給される制御信号に基づいて、その垂直方向yに並ぶ複数のフォトセンサ素子において、受光データを読み出すフォトセンサ素子を選択する。ここでは、水平方向xに並ぶ複数の画素Pに対応して形成された複数のフォトセンサ素子のそれぞれに、ゲート線(図示無し)が接続され、そのゲート線が垂直方向yに並ぶ複数の画素Pに対応するように複数形成されており、センサ用垂直駆動回路13は、その複数のゲート線を順次選択するように走査信号を供給する。
【0063】
センサ用水平駆動回路14は、図2に示すように、水平方向xに延在している。そして、センサ用水平駆動回路14は、水平方向xにおいて複数の画素Pに対応するように位置センサ素子として形成された各フォトセンサ素子(図示無し)に接続されている。そして、センサ用水平駆動回路14は、供給される制御信号に基づいて、その垂直方向yに並ぶ複数のフォトセンサ素子から受光データを、順次、読み出す。ここでは、垂直方向yに並ぶ複数の画素Pに対応して形成された複数のフォトセンサ素子のそれぞれに、信号読み出し線(図示無し)が接続され、その信号読み出し線が水平方向xに並ぶ複数の画素Pに対応するように複数形成されており、センサ用水平駆動回路14は、その複数の信号読み出し線を介してフォトセンサ素子から、順次、受光データを読み出した後、位置検出部402へ出力する。そして、液晶パネル200の表示領域PAにユーザーの指やタッチペンなどの被検知体が接触または近接した位置を、そのフォトセンサ素子から出力される受光データに基づいて、位置検出部402が検出する。
【0064】
(液晶パネルの表示領域の構成)
図3は、本発明の実施形態1において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられた画素Pの概略を模式的に示す断面図である。
【0065】
図3に示すように、液晶パネル200は、TFTアレイ基板201と、対向基板202と、液晶層203とを有している。液晶パネル200は、TFTアレイ基板201と対向基板202とがスペーサ(図示無し)によって間隔を隔てられ、シール材(図示無し)で貼り合わされており、そのTFTアレイ基板201と対向基板202との間の間隔に液晶層203が設けられている。
【0066】
液晶パネル200の各部について説明する。
【0067】
TFTアレイ基板201について下記に示す。
【0068】
TFTアレイ基板201は、光を透過する絶縁体の基板であり、たとえば、ガラスにより形成されている。このTFTアレイ基板201においては、図3に示すように、対向基板202に対面する側の面に、画素スイッチング素子31と、フォトセンサ素子32aと、画素電極62とが形成されている。
【0069】
TFTアレイ基板201において、画素スイッチング素子31は、図3に示すように、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する側の面に形成されている。この画素スイッチング素子31は、ゲート電極45と、ゲート絶縁膜46gと、半導体層48とを含み、LDD(Lightly Doped Drain)構造のボトムゲート型TFTとして形成されている。
【0070】
具体的には、画素スイッチング素子31において、ゲート電極45は、たとえば、モリブデンなどの金属材料を用いて形成されている。
【0071】
また、画素スイッチング素子31において、ゲート絶縁膜46gは、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁材料を用いて形成されている。
【0072】
また、画素スイッチング素子31において、半導体層48は、たとえば、多結晶シリコンであって、ゲート電極45に対応するようにチャネル領域48Cが形成されると共に、そのチャネル領域48Cを挟むように一対のソース・ドレイン領域48A,48Bが形成されている。ここでは、LDD構造になるように、この一対のソース・ドレイン領域48A,48Bは、チャネル領域48Cを挟むように一対の低濃度不純物領域48Ab,48Bbが形成され、さらに、その一対の低濃度不純物領域48Ab,48Bbを挟むように、一対の高濃度不純物領域48Aa,48Baが形成されている。具体的には、n型不純物をドープすることで、低濃度不純物領域48Ab,48Bbを形成し、その低濃度不純物領域48Ab,48Bbよりも多くのn型不純物をドープすることで、一対の高濃度不純物領域48Aa,48Baを形成する。
【0073】
そして、画素スイッチング素子31において、ドレイン電極53とソース電極54とのそれぞれは、半導体層48を被覆する層間絶縁膜49に設けられた開口に、アルミニウムなどの導電材料を埋め込み、パターン加工することによって形成されている。
【0074】
TFTアレイ基板201においてフォトセンサ素子32aは、図3に示すように、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する側の面に形成されている。ここでは、フォトセンサ素子32aは、図3に示すように、液晶パネル200の正面側において、指などの被検知体によって反射され、対向基板202の側からTFTアレイ基板201の側へ向う反射光を、液晶層203を介して受光する。
【0075】
このフォトセンサ素子32aは、たとえば、フォトダイオードであって、図3に示すように、遮光層43と、半導体層47とを含む。そして、フォトセンサ素子32aは、入射する光を受光し、光電変換することによって、受光データを生成し、読み出される。たとえば、逆方向バイアスが印加されることによって、光電流が受光データとして読み出されるように構成されている。
【0076】
具体的には、フォトセンサ素子32aにおいて、遮光層43は、たとえば、モリブデンなどの金属材料を用いて形成されている。遮光層43は、図3に示すように、TFTアレイ基板201の面と半導体層47との間に介在しており、液晶パネル200の背面側から半導体層47に入射する照明光を遮光する。
【0077】
また、フォトセンサ素子32aにおいて、半導体層47は、図3に示すように、TFTアレイ基板201の面において絶縁膜46sを介して遮光層43に対面するように設けられている。半導体層47は、p層47pとn層47nとi層47iとを含み、PIN構造になるように構成されており、光電変換を行う。ここでは、p層47pは、p型不純物が高濃度にドープされることによって形成され、n層47nは、n型不純物が高濃度にドープされることによって形成され、i層47iは、高抵抗であって、p層47pとn層47nとの間に介在している。
【0078】
本実施形態においては、フォトセンサ素子32aの半導体層47は、p層47pとi層47iとn層47nとのそれぞれが、順次、TFTアレイ基板201の面の法線方向zに沿って並ぶように設けられている。ここでは、層間絶縁膜49において遮光層43に対応するように開口を形成後、p層47pとi層47iとn層47nとを、順次その開口を埋めるように積層することで、半導体層47が形成されている。つまり、光電変換が行われる半導体層47が、液晶パネル200の面の法線方向zにおいて電流が流れる縦型構造になるように、フォトセンサ素子32aが構成されている。
【0079】
この半導体層47は、たとえば、多結晶シリコンで形成されている。詳細については後述するが、この場合には、i層47iが、TFTアレイ基板201の面の法線方向zにおいて、たとえば、30nm以上であって、1μmの厚さになるように形成されることが好ましい。
【0080】
なお、この半導体層47が微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンになるように形成した場合には、i層47iが、TFTアレイ基板201の面の法線方向zにおいて、たとえば、50nm以上であって、1μmの厚さになるように形成されることが好ましい。
【0081】
そして、フォトセンサ素子32aにおいては、第1電極51が半導体層47のp層47pに接続するように設けられている。ここでは、第1電極51は、図3に示すように、半導体層47のp層47pからTFTアレイ基板201の面の一方の方向へ引き出された引出し配線HHを介して、p層47pに接続されている。そして、第1電極51は、引出し配線HHに接続された部分から、TFTアレイ基板201の面の法線方向zへ立つように設けられている。具体的には、絶縁膜46上にp層47pと一体になるように引出し配線HHが設けた後に、その引出し配線HHを被覆する層間絶縁膜49に設けられた開口を埋めるように、この第1電極51が形成されている。たとえば、この第1電極51は、アルミニウムなどの金属材料を用いて形成されている。
【0082】
そして、フォトセンサ素子32aにおいては、第2電極52が半導体層47のn層47nに接続するように設けられている。ここでは、第2電極52は、図3に示すように、半導体層47のn層47nの上方に設けられ、n層47nに接続されている。ここでは、平坦化膜60に設けられた開口を埋めるように、この第2電極52が形成されている。たとえば、この第2電極52は、ITOなどの透明な導電材料を用いて形成されている。
【0083】
TFTアレイ基板201において画素電極62は、図3に示すように、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する面を被覆するように設けられている。ここでは、図3に示すように、画素電極62は、絶縁材料で形成された平坦化膜60上において、光透過領域TAに対応するように形成されている。画素電極62は、いわゆる透明電極であって、たとえば、ITOを用いて形成されている。そして、画素電極62は、バックライト300によって照明された光を変調するために、対向電極23と共に、液晶層203に電圧を印加する。なお、この画素電極62は、表示領域PAにおいて、複数の画素Pのそれぞれに対応するように複数がマトリクス状になるように配置されており、画素スイッチング素子31のドレイン電極54に接続されている。
【0084】
対向基板202について示す。
【0085】
対向基板202は、TFTアレイ基板201の場合と同様に、光を透過する絶縁体の基板であり、ガラスにより形成されている。そして、対向基板202は、図3に示すように、TFTアレイ基板201に対して間隔を隔てるよう対面している。そして、対向基板202には、図3に示すように、対向電極23が形成されている。
【0086】
そして、対向基板202において対向電極23は、図3に示すように、対向基板202にてTFTアレイ基板201に対面する側の面に形成されている。対向電極23は、いわゆる透明電極であって、たとえば、ITOを用いて形成されている。
【0087】
液晶層203について示す。
【0088】
液晶層203は、図3に示すように、TFTアレイ基板201と対向基板202との間にて挟持され、配向処理される。たとえば、液晶層203は、TFTアレイ基板201と対向基板202との間において、スペーサ(図示なし)により所定の距離が保持された間隔に、封入されている。そして、液晶層203は、TFTアレイ基板201および対向基板202に形成された液晶配向膜(図示なし)によって配向されている。たとえば、液晶層203は、液晶分子が垂直配向するように形成される。
【0089】
(動作)
以下より、上記の液晶表示装置100において、ユーザーの指などの被検知体が液晶パネル200の表示領域PAに接触もしくは移動された位置を検出する際の動作について説明する。
【0090】
図4は、本発明に係る実施形態1において、被検知体が液晶パネル200の表示領域PAに接触もしくは移動された位置を検出する際の様子を模式的に示す断面図である。図4においては、要部を記載し、その他の部分については、記載を省略している。
【0091】
ユーザーの指などの被検知体Fが表示領域PAに接触もしくは移動された場合には、図4に示すように、バックライト300から照明された照明光Rが、その被検知体Fによって反射された反射光Hを、液晶パネル200に形成されたフォトセンサ素子32aが受光する。
【0092】
ここでは、バックライト300が可視光線VRと赤外線IRとを含む照明光Rを、平面光として、液晶パネル200の背面に照射する。そして、その照明光Rは、液晶パネル200を介して、被検知体Fに照射され、被検知体Fによって反射される。そして、その被検知体Fによって反射された反射光Hを、フォトセンサ素子32aが受光する。
【0093】
このとき、照明光Rにおいて可視光線VRは、液晶パネル200の各部において吸収され、その強度が低下した状態で、フォトセンサ素子32aによって受光される。これに対して、照明光Rにおいて赤外線IRは、液晶パネル200の各部において吸収される割合が可視光線VRよりも小さいため、可視光線VRよりも大きな強度で、フォトセンサ素子32aによって受光される。
【0094】
そして、その受光した光の強度に応じた信号強度の受光データをフォトセンサ素子32aが生成する。その後、周辺回路によって受光データが読み出され、その受光データが読み出されたフォトセンサ素子32aの位置と、そのフォトセンサ素子32aから読み出された受光データの信号強度とのそれぞれに基づいて、被検知体Fが表示領域PAにおいて接触した位置が、位置検出部402によって検出される。
【0095】
以上のように、本実施形態においては、フォトセンサ素子32aにおいて、液晶パネル200の正面の側から入射する光を受光し光電変換することによって受光データを生成する半導体層47が、液晶パネル200の面の法線方向zにおいて電流が流れる縦型構造になるように形成されている。ここでは、フォトセンサ素子32aは、半導体層47がp層47pとi層47iとn層47nとを含み、そのp層47pとn層47nとがi層47iを挟んでいるPIN構造のフォトダイオードであって、そのp層47pとi層47iとn層47nとのそれぞれが液晶パネル200の面の法線方向zに沿って並ぶように積層されている。つまり、フォトセンサ素子32aは、液晶パネル200の面の法線方向zに沿って延在するように半導体層47を形成され、フォトセンサ素子32aにおいて光を吸収する媒質の長さが長くなるように形成されている。
【0096】
下記の数式(1)は、媒質が通過する光量Iを示す式である。数式(1)において、I0は、媒質へ入射する入射光量であり、αは、入射光の吸収率であり、dは、媒質の長さである。
【0097】
I=I0[1−exp(−αd)] ・・・(1)
【0098】
この数式(1)から判るように、媒質の長さdが大きくなるに伴い、媒質の吸収量を増加させることができる。よって、本実施形態は、フォトセンサ素子32aにおいて光を吸収する媒質である半導体層47を、光の入射方向において厚くすることが容易にできるので、光の吸収効率を向上させることができる。
【0099】
図5と図6は、本発明にかかる実施形態1において、フォトセンサ素子32aの半導体層47のi層47iの厚さと、フォトセンサ素子32aにおいて受光データとして得られる光電流との関係を示す図である。図5と図6とにおいては、横軸が半導体層47のi層47iの厚さ(膜厚[nm])を示し、縦軸が、光電流(Iphoto[A])の値を示している。ここで、図5は、波長λが770nmの光に関する結果を示しており、図6は、波長λが850nmの光に関する結果を示している。そして、図5と図6とにおいては、アモルファスシリコン(a−Si)と微結晶シリコン(微結晶Si)と多結晶シリコン(Si)とのそれぞれを、半導体層47として用いた場合の結果を示している。
【0100】
図5と図6とに示すように、フォトセンサ素子32aの半導体層47のi層47iの厚さが厚くなるに伴って、フォトセンサ素子32aにおいて受光データとして得られる光電流の値が大きくなる。
【0101】
したがって、本実施形態は、位置センサ素子として内蔵されたフォトセンサ素子32aが、高感度に受光データを生成することができるので、位置検出精度を向上させることができる。特に、本実施形態のように、フォトセンサ素子32aが赤外線を受光して受光データを生成する場合には、効果的である。
【0102】
また、本実施形態において、フォトセンサ素子32aの半導体層47を、微結晶シリコンで形成する場合には、図5と図6とに示すように、i層47iを液晶パネル200の法線方向zにおいて50nm以上の厚さになるように形成する。
【0103】
また、フォトセンサ素子32aの半導体層47を、アモルファスシリコンで形成する場合には、i層47iを液晶パネル200の法線方向zにおいて50nm以上の厚さになるように形成する。また、フォトセンサ素子32aの半導体層47を、多結晶シリコンで形成する場合には、i層47iを液晶パネル200の法線方向zにおいて30nm以上の厚さになるように形成する。このようにフォトセンサ素子32aを縦型構造のフォトダイオードに形成することによって、平面構造のフォトダイオードに形成した場合と比較して、有利な効果を得ることができる。
【0104】
さらに、本実施形態は、液晶パネル200の面の法線方向zに沿って延在するように半導体層47を形成しているために、半導体層47の面積が大きくならず、光が透過する開口率を低下させないので、表示画像の品質を向上させることができる。
【0105】
また、本実施形態においては、フォトセンサ素子32aは、TFTアレイ基板201において裏面の側からフォトセンサ素子32aの半導体層48へ入射する光を遮光するように、遮光層43が設けられている。このため、フォトセンサ素子32aは、TFTアレイ基板201において裏面の側から入射する光を受光せずに、TFTアレイ基板201において正面の側から入射する光を受光して受光データを生成するため、位置検出精度を向上させることができる。
【0106】
<実施形態2>
以下より、本発明にかかる実施形態2について説明する。
【0107】
(液晶パネルの表示領域の構成)
図7は、本発明の実施形態2において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられた画素Pの概略を模式的に示す断面図である。
【0108】
本実施形態においては、図7に示すように、駆動素子33を有する点が実施形態1と異なる。また、図7に示すように、フォトセンサ素子32aの構成が実施形態1と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する個所については、説明を省略する。
【0109】
駆動素子33は、たとえば、フォトセンサ素子32aを駆動する際に用いられる素子であり、図7に示すように、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する側の面に形成されている。この駆動素子33は、ゲート電極45kと、ゲート絶縁膜46gkと、半導体層48kとを含み、LDD(Lightly Doped Drain)構造のボトムゲート型TFTとして形成されている。
【0110】
具体的には、駆動素子33において、ゲート電極45kは、たとえば、モリブデンなどの金属材料を用いて形成されている。
【0111】
また、駆動素子33において、ゲート絶縁膜46gkは、シリコン酸化膜などの絶縁材料を用いて形成されている。
【0112】
また、駆動素子33において、半導体層48kは、たとえば、多結晶シリコンであって、ゲート電極45kに対応するようにチャネル領域48Ckが形成されると共に、そのチャネル領域48Ckを挟むように一対のソース・ドレイン領域48Ak,48Bkが形成されている。ここでは、LDD構造になるように、この一対のソース・ドレイン領域48Ak,48Bkは、チャネル領域48Ckを挟むように一対の低濃度不純物領域48Akb,48Bkbが形成され、さらに、その一対の低濃度不純物領域48Akb,48Bkbを挟むように、一対の高濃度不純物領域48Aka,48Bkaが形成されている。具体的には、n型不純物をドープすることで、低濃度不純物領域48Akb,48Bkbを形成し、その低濃度不純物領域48Akb,48Bkbよりも多くのn型不純物をドープすることで、一対の高濃度不純物領域48Aka,48Bkaを形成する。
【0113】
そして、駆動素子33において、ソース電極53kとドレイン電極54kとのそれぞれは、半導体層48kを被覆する層間絶縁膜49に設けられた開口に、アルミニウムなどの導電材料を埋め込み、パターン加工することによって形成されている。
【0114】
フォトセンサ素子32aは、図7に示すように、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する側の面に形成されている。このフォトセンサ素子32aは、フォトダイオードであって、図7に示すように、半導体層47を含み、入射する光を受光し、光電変換することによって、受光データを生成し、読み出される。
【0115】
本実施形態においては、フォトセンサ素子32aにおいて半導体層47は、図7に示すように、TFTアレイ基板201の面において、駆動素子33のドレイン電極54k上に設けられている。ドレイン電極54kは、前述したように、アルミニウムなどの金属材料であって光を遮光する遮光材料を用いて形成されており、ドレイン電極54kが液晶パネル200の背面側から半導体層47に入射する照明光を遮光する遮光層として機能する。また、フォトセンサ素子32aの半導体層47は、実施形態1と同様に、p層47pとi層47iとn層47nとのそれぞれが、順次、TFTアレイ基板201の面の法線方向zに沿って並ぶように積層している。つまり、本実施形態のフォトセンサ素子32aは、実施形態1と同様に、縦型構造である。
【0116】
そして、フォトセンサ素子32aにおいて、第1電極51は、半導体層47のp層47pに接続するように設けられている。ここでは、第1電極51は、図7に示すように、半導体層47のp層47pからTFTアレイ基板201の面の一方の方向へ引き出された引出し配線HHを含み、平坦化膜60上に露出するように設けられている。たとえば、この第1電極51は、ITOなどの透明な導電材料を用いて形成されている。
【0117】
そして、フォトセンサ素子32aにおいては、第2電極52が半導体層47のn層47nに接続するように設けられている。ここでは、第2電極52は、図3に示すように、半導体層47のn層47nの上方に設けられており、n層47nに接続されている。たとえば、この第2電極52は、ITOなどの透明な導電材料を用いて形成されている。
【0118】
以上のように、本実施形態においては、前述したように、導電性を有し、かつ、光を遮光する金属材料を用いて形成されたドレイン電極54kを、液晶パネル200の背面側から半導体層47に入射する照明光を遮光する遮光層として利用している。このため、本実施形態は、表示領域PAにおいて光が透過する開口率が低下することを防止できるので、表示画像の品質を向上させることができる。
【0119】
<実施形態3>
以下より、本発明にかかる実施形態3について説明する。
【0120】
(液晶パネルの表示領域の構成)
図8は、本発明の実施形態3において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられた画素Pの概略を模式的に示す断面図である。
【0121】
本実施形態においては、図8に示すように、フォトセンサ素子32aの構成が実施形態1と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する個所については、説明を省略する。
【0122】
本実施形態においては、フォトセンサ素子32aは、フォトトランジスタであり、図8に示すように、半導体層47と、ゲート絶縁膜47oxと、ゲート電極47Gとを含む。
【0123】
フォトセンサ素子32aにおいて、半導体層47は、図8に示すように、TFTアレイ基板201の面において絶縁膜46sを介して遮光層43に対面するように設けられている。この半導体層47は、図8に示すように、チャネル領域47Cと、チャネル領域47Cを挟むように形成された第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bとを含む。たとえば、n型不純物を半導体層にドープすることによって、第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bのそれぞれを設ける。なお、トランジスタの下部に設置されている遮光層43は、金属で形成されており、遮光層43は、固定電位、あるいは、ゲート電極47Gと同じ電位のいずれかが印加されている。
【0124】
ここでは、図8に示すように、チャネル領域47Cと、第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bとのそれぞれは、液晶パネル200の面の法線方向zに沿って並ぶように設けられている。
【0125】
そして、ゲート電極47Gは、導電材料であると共に、光を遮光する遮光材料でもある金属材料によって形成されている。たとえば、アルミニウムを用いて形成されている。また、ゲート電極47Gは、液晶パネル200の面の法線方向zに延在するように設けられている。
【0126】
図9は、本発明の実施形態3において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられたフォトセンサ素子32aの上面図である。
【0127】
図9に示すように、本実施形態においては、ゲート電極47Gは、上面を見た際に、半導体層47の周囲を、ゲート絶縁膜47oxを介して囲うように設けられている。つまり、フォトセンサ素子のゲート電極47Gは、半導体層47が液晶パネル200の法線方向zに延在する面の周囲を囲うように形成されている。このようにすることによって、半導体層47へ入射する迷光を遮光する遮光層としてゲート電極47Gを機能させている。
【0128】
そして、フォトセンサ素子32aにおいては、電極52が半導体層47の第1ソース・ドレイン領域47Aに接続するように設けられている。ここでは、電極52は、図3に示すように、半導体層47のソース・ドレイン領域47Aの上方に設けられ、ソース・ドレイン領域47Aに接続されている。ここでは、平坦化膜60に設けられた開口を埋めるように、この電極52が形成されている。たとえば、この電極52は、ITOなどの透明な導電材料を用いて形成されている。
【0129】
図10は、本発明の実施形態3において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられたフォトセンサ素子32aの光リーク電流特性を示す図である。図10において、横軸は、ゲート電圧Vg(V)を示し、縦軸は、光リーク電流Ids(A)を示している。図10においては、入射する光の光強度が、0cd、2000cd、4000cd、6000cdのそれぞれの場合の結果について示している。
【0130】
図10に示すように、本実施形態においては、ゲート電極47GをOgg側に設定し、入射する光強度によって光リーク電流Idsが変化することを利用する。ここでは、基本的には、pnジャンクションの逆バイアス電流を利用して、受光データを出力する。なお、Ogg側とは、MOSトランジスタのゲート・オフ(Gate off)の電位を意味し、N−チャネルトランジスタを用いた場合に、ソース(Source)電位を、グランド(GND)とすると、ゲート(Gate)電位は、負の電位とすることを意味する。また、P−チャネルトランジスタを用いた場合には、ソース(Source)電位をグランド(GND)とすると、ゲート(Gate)電位は、正の電位とすることを意味する。
【0131】
以上のように、本実施形態においては、実施形態1と同様に、液晶パネル200の正面の側から入射する光を受光し光電変換することによって受光データを生成する半導体層47が、液晶パネル200の面の法線方向zにおいて電流が流れる縦型構造になるように、フォトセンサ素子32aが形成されている。ここでは、半導体層47が、チャネル領域47Cと、第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bとを含み、第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bのそれぞれがチャネル領域47Cを挟むように設けられてフォトトランジスタであって、チャネル領域47Cと、第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bとのそれぞれが液晶パネル200の面の法線方向zに沿って並ぶように、フォトセンサ素子32aを設けている。このため、実施形態1と同様に、液晶パネル200の面の法線方向zに沿って延在するように半導体層47を形成し、フォトセンサ素子32aにおいて光を吸収する媒質の長さを長くしている。
【0132】
したがって、本実施形態は、実施形態1と同様に、位置センサ素子として内蔵されたフォトセンサ素子32aが、高感度に受光データを生成することができるので、位置検出精度を向上させることができる。
【0133】
なお、本発明の実施に際しては、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
【0134】
たとえば、本実施形態においては、画素スイッチング素子31を、ボトムゲート型の薄膜トランジスタとして構成する場合について説明したが、これに限定されない。
【0135】
図11は、本発明にかかる実施形態において、画素スイッチング素子31の構成の変形形態を示す断面図である。
【0136】
図11に示すように、たとえば、トップゲート型のTFTを、画素スイッチング素子31として形成してもよい。また、この他に、デュアルゲート構造になるように、このフォトセンサ素子32aを形成してもよい。
【0137】
また、本実施形態においては、複数の画素Pに対応するように複数のフォトセンサ素子32aを設ける場合について示したが、これに限定されない。たとえば、複数の画素Pに対して1つのフォトセンサ素子32aを設けてもよく、逆に、1つの画素Pに対して複数のフォトセンサ素子32aを設けてもよい。
【0138】
また、本実施形態の液晶表示装置100は、さまざまな電子機器の部品として適用することができる。
【0139】
図12から図16は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置100を適用した電子機器を示す図である。
【0140】
図12に示すように、テレビジョン放送を受信し表示するテレビにおいて、その受信した画像を表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
【0141】
また、図13に示すように、デジタルスチルカメラにおいて、その撮像画像などの画像を表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
【0142】
また、図14に示すように、ノート型パーソナルコンピュータにおいて、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
【0143】
また、図15に示すように、携帯電話端末において、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
【0144】
また、図16に示すように、ビデオカメラにおいて、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
【0145】
この他に、本実施形態においては、フォトセンサ素子32aについて、PIN型のフォトダイオードと、フォトトランジスタを設けた場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、PDN構造のフォトダイオードを、フォトセンサ素子32aとして形成しても同様な効果を奏することができる。
【0146】
また、IPS(In−Plane−Swiching)、FFS(Field Fringe Switching)方式など、さまざまな方式の液晶パネルに適用可能である。さらに、有機EL表示素子、電子ペーパーなどの他の表示装置においても、適用可能である。
【0147】
なお、上記の実施形態において、液晶表示装置100は、本発明の表示装置に相当する。また、上記の実施形態において、液晶パネル200は、本発明の表示パネルに相当する。また、上記の実施形態において、バックライト300は、本発明の照明部に相当する。また、上記の実施形態において、TFTアレイ基板201は、本発明の第1基板に相当する。また、上記の実施形態において、対向基板202は、本発明の第2基板に相当する。また、上記の実施形態において、液晶層203は、本発明の液晶層に相当する。また、上記の実施形態において、表示領域PAは、本発明の表示領域に相当する。また、上記の実施形態において、画素Pは、本発明の画素に相当する。また、上記の実施形態において、フォトセンサ素子32aは、本発明のフォトセンサ素子に相当する。また、上記の実施形態において、遮光層43は、本発明の遮光部に相当する。また、上記の実施形態において、半導体層47は、本発明の半導体層に相当する。また、上記の実施形態において、p層47pは、本発明のp層に相当する。また、上記の実施形態において、n層47nは、本発明のi層に相当する。また、上記の実施形態において、i層47iは、本発明のn層に相当する。また、上記の実施形態において、駆動素子33は、本発明の駆動素子に相当する。また、上記の実施形態において、ドレイン電極54kは、本発明の遮光部に相当する。また、上記の実施形態において、ゲート電極47Gは、本発明のゲート電極に相当する。また、上記の実施形態において、チャネル領域47Cは、本発明のチャネル領域に相当する。また、上記の実施形態において、第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bは、本発明の第1および第2のソース・ドレイン領域に相当する。
【図面の簡単な説明】
【0148】
【図1】図1は、本発明にかかる実施形態1において、液晶表示装置100の構成を示す断面図である。
【図2】図2は、本発明にかかる実施形態1において、液晶パネル200を示す平面図である。
【図3】図3は、本発明の実施形態1において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられた画素Pの概略を模式的に示す断面図である。
【図4】図4は、本発明に係る実施形態1において、被検知体が液晶パネル200の表示領域PAに接触もしくは移動された位置を検出する際の様子を模式的に示す断面図である。
【図5】図5は、本発明にかかる実施形態1において、フォトセンサ素子32aの半導体層47のi層47iの厚さと、フォトセンサ素子32aにおいて受光データとして得られる光電流との関係を示す図である。
【図6】図6は、本発明にかかる実施形態1において、フォトセンサ素子32aの半導体層47のi層47iの厚さと、フォトセンサ素子32aにおいて受光データとして得られる光電流との関係を示す図である。
【図7】図7は、本発明の実施形態2において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられた画素Pの概略を模式的に示す断面図である。
【図8】図8は、本発明の実施形態3において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられた画素Pの概略を模式的に示す断面図である。
【図9】図9は、本発明の実施形態3において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられたフォトセンサ素子32aの上面図である。
【図10】図10は、本発明の実施形態3において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられたフォトセンサ素子32aの光リーク電流特性を示す図である。
【図11】図11は、本発明にかかる実施形態において、画素スイッチング素子31の構成の変形形態を示す断面図である。
【図12】図12は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置100を適用した電子機器を示す図である。
【図13】図13は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置100を適用した電子機器を示す図である。
【図14】図14は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置100を適用した電子機器を示す図である。
【図15】図15は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置100を適用した電子機器を示す図である。
【図16】図16は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置100を適用した電子機器を示す図である。
【図17】図17は、液晶パネルの表示領域に設けられた画素の概略を模式的に示す断面図である。
【図18】図18は、半導体層の組成と、その半導体層の吸収係数とを示す図である。
【図19】図19は、半導体層の組成と、その半導体層の吸収係数とを示す図である。
【図20】図20は、半導体層の組成と、その半導体層の吸収係数とを示す図である。
【符号の説明】
【0149】
100:液晶表示装置(表示装置)、200:液晶パネル(表示パネル)、300:バックライト(照明部)、400:データ処理部、201:TFTアレイ基板(第1基板)、202:対向基板(第2基板)、203:液晶層(液晶層)、301a:可視光源、301b:赤外光源、11:表示用垂直駆動回路、12:表示用水平駆動回路、13:センサ用垂直駆動回路、14:センサ用水平駆動回路、31:画素スイッチング素子、32a:フォトセンサ素子(フォトセンサ素子)、33:駆動素子(駆動素子)、43:遮光層(遮光部)、45:ゲート電極、45k:ゲート電極、46g:ゲート絶縁膜、47:半導体層(半導体層)、47p:p層(p層)、47n:n層(i層)、47i:i層(n層)、48:半導体層、48k:半導体層、47ox:ゲート絶縁膜、47G:ゲート電極(ゲート電極)、47C:チャネル領域(チャネル領域)、47A,47B:第1および第2のソース・ドレイン領域(第1および第2のソース・ドレイン領域)、53k:ソース電極、54k:ドレイン電極(遮光部)、62:画素電極、PA:表示領域(表示領域)、CA:周辺領域、P:画素(画素)
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置に関する。特に、本発明は、画素が複数配置された表示領域において、一方の面の側から入射する光を受光して受光データを生成するフォトセンサ素子が複数配置されている表示パネルを含み、その表示パネルの一方の面の側において表示領域に移動した被検知体の位置を、そのフォトセンサ素子によって生成された受光データに基づいて検知する表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置,有機EL表示装置などの表示装置は、薄型、軽量、低消費電力といった利点を有する。
【0003】
このような表示装置において、液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶層が封入された液晶パネルを、表示パネルとして有している。液晶パネルは、たとえば、透過型であって、液晶パネルの背面に設けられたバックライトなどの照明装置が出射した照明光を、その液晶パネルが変調して透過させる。そして、その変調した照明光によって画像の表示が、液晶パネルの正面にて実施される。
【0004】
この液晶パネルは、たとえば、アクティブマトリクス方式であり、画素スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)が複数形成されているTFTアレイ基板と、そのTFTアレイ基板に対面するように対向する対向基板と、TFTアレイ基板および対向基板の間に設けられた液晶層とを有する。このアクティブマトリクス方式の液晶パネルにおいては、画素スイッチング素子が画素電極に電位を入力することによって、液晶層に印加する電圧を可変し、その画素を透過する光の透過率を制御して、その光を変調させる。
【0005】
上記のような液晶パネルにおいては、上記の画素スイッチング素子として機能するTFTの他に、光を受光して受光データを得るフォトセンサ素子が位置センサ素子として表示領域に内蔵されたものが提案されている。
【0006】
上記のようにフォトセンサ素子が位置センサ素子として内蔵された液晶パネルは、ユーザーインターフェイスとしての機能が実現できるため、I/Oタッチパネル(Integrate−Optical touch panel)と呼ばれている。このタイプの液晶パネルにおいては、液晶パネルの前面に、別途、抵抗膜方式や静電容量方式のタッチパネルを設置する必要がなくなる。このため、装置の小型化を、容易に実現できる。また、さらに、抵抗膜方式や静電容量方式のタッチパネルを設置した場合には、そのタッチパネルによって表示領域において透過する光が減少する場合や、その光が干渉される場合があるため、表示画像の品質が低下する場合があるが、上記のように位置センサ素子として液晶パネルにフォトセンサ素子を内蔵することによって、この不具合の発生を防止できる。
【0007】
このような液晶パネルにおいては、たとえば、液晶パネルの前面に触れられたユーザーの指やタッチペンなどの被検知体からの可視光線を、そのフォトセンサ素子が受光する。その後、そのフォトセンサ素子によって得られた受光データに基づいて、その被検知体が接触した位置を特定し、その特定された位置に対応する操作が、液晶表示装置自身や、その液晶表示装置に接続された他の電子機器において実施される。
【0008】
上記のように、位置センサ素子として内蔵されたフォトセンサ素子を用いて、被検知体の位置を検出する場合には、そのフォトセンサ素子によって得られる受光データは、外光に含まれる可視光線の影響によって、多くのノイズを含む場合がある。また、表示領域において黒表示を実施する場合には、TFTアレイ基板に設けられたフォトセンサ素子は、被検知体から出射される可視光線を受光することが困難である。このため、正確に、被検知体の位置を検出をすることが困難な場合がある。
【0009】
このような不具合を改善するために、赤外線など、可視光線以外の不可視光線を用いる技術が提案されている。ここでは、被検知体から反射される赤外線を、位置センサ素子として内蔵されたフォトセンサ素子が受光することによって、受光データを取得し、その取得したデータに基づいて、被検知体の位置を特定している(たとえば、特許文献1,特許文献2,特許文献3参照)。
【0010】
【特許文献1】特開2005−275644号公報
【特許文献2】特開2004−318819号公報
【特許文献3】特開2006−3081864号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
図17は、液晶パネルの表示領域に設けられた画素の概略を模式的に示す断面図である。
【0012】
図17に示すように、液晶パネル200は、TFTアレイ基板201と、対向基板202と、液晶層203とを有している。液晶パネル200は、TFTアレイ基板201と対向基板202とが対面して貼り合わされており、そのTFTアレイ基板201と対向基板202との間の間隔に液晶層203が設けられている。そして、液晶パネル200は、たとえば、バックライト(図示無し)が照射する照明光を、第1の偏光板206を介して背面から受け、その背面から受けた光を、その表示領域PAにおいて変調する。そして、その変調された照明光が、第2の偏光板207を介して、正面側に出射し、表示領域PAにおいて画像が表示される。
【0013】
上記において、TFTアレイ基板201は、光を透過する絶縁体の基板であり、たとえば、ガラスにより形成されている。このTFTアレイ基板201においては、図17に示すように、対向基板202に対面する側の面に、画素スイッチング素子31とフォトセンサ素子32aが形成されている。
【0014】
TFTアレイ基板201の画素スイッチング素子31は、図17に示すように、たとえば、ボトムゲート型のTFTであって、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する側の面に形成されている。たとえば、画素スイッチング素子31は、ポリシリコンの半導体層48を用いるように形成されている。
【0015】
TFTアレイ基板201のフォトセンサ素子32aは、図17に示すように、平面構造のPIN型フォトダイオードであって、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する側の面に形成されている。たとえば、フォトセンサ素子32aは、ポリシリコンの半導体層47を光電変化層として用いており、TFTアレイ基板201の面に沿った横方向に延在するように形成されている。
【0016】
対向基板202は、TFTアレイ基板201の場合と同様に、光を透過する絶縁体の基板であり、ガラスにより形成されている。そして、対向基板202は、図17に示すように、TFTアレイ基板201に対して間隔を隔てるよう対面している。
【0017】
液晶層203は、図17に示すように、TFTアレイ基板201と対向基板202との間にて挟持されており、配向処理されている。たとえば、液晶層203は、液晶分子が垂直配向するように形成されている。
【0018】
この液晶パネル200は、バックライト300から液晶パネル200の背面に出射した照明光が、TFTアレイ基板201の側から対向基板202の側へ向かい、液晶層203を介して透過するように構成されており、この透過する光によって、対向基板202の側の面において、画像表示が実施される。具体的には、TFTアレイ基板201に形成された画素電極62と、対向基板202に形成された対向電極23との間に挟まれている液晶層203に印加する電圧を、画素スイッチング素子31が制御し、画像表示が実施される。
【0019】
そして、TFTアレイ基板201に設けられたフォトセンサ素子32aは、液晶パネル200の正面から入射する光を受光し、受光データを生成する。そして、この生成された受光データに基づいて、液晶パネル200の表示領域において、ユーザーの指やタッチペンなどの被検知体が接触または近接した位置を検出する。
【0020】
しかしながら、上記においては、位置センサ素子として内蔵されたフォトセンサ素子が、高感度に受光データを生成することが困難な場合がある。特に、画素スイッチング素子と同様に半導体シリコン薄膜を用いて位置センサ素子を形成する場合には、その半導体シリコン薄膜が赤外線を吸収する吸収率が可視光線の吸収率と比較して低いために、この不具合の発生が顕在化する場合があり、位置検出精度の低下が生ずる場合がある。
【0021】
図18と図19と図20とは、半導体層の組成と、その半導体層の吸収係数とを示す図である。図18と図19と図20とおいて、横軸は、光の波長(Wavelength)λ(nm)であり、縦軸は、その光の吸収係数(adsorption coefficient)α(cm−1)である。ここでは、図18がアモルファスシリコンの場合を示し、図19が微結晶シリコンを示し、図20が多結晶シリコンの場合について示している。
【0022】
図18と図19と図20とに示すように、波長が700nm以上となる赤外線の場合には、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコンのいずれにおいては、吸収係数が減少しており、高感度に受光データを生成することが困難な場合になる。
【0023】
そして、この不具合を解消するために、光を受光する受光面積を大きくするように、上記のような平面構造のPIN型フォトダイオードの半導体層の面積を大きくした場合には、光が透過する開口率が低下することになるので、表示画像の品質が低下する場合がある。
【0024】
このように、画像品質の低下や、位置検出精度の低下が生ずる場合がある。
【0025】
したがって、本発明は、画像品質、位置検出精度の向上を実現可能な表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0026】
本発明は、画素が複数配置された表示領域において、一方の面の側から入射する光を受光して受光データを生成するフォトセンサ素子が複数配置されている表示パネルを含み、前記表示パネルの一方の面の側において前記表示領域に移動した被検知体の位置を、前記フォトセンサ素子によって生成された受光データに基づいて検知する表示装置であって、前記フォトセンサ素子は、前記表示パネルの一方の面の側から入射する光を受光し光電変換することによって前記受光データが生成される半導体層を含み、当該半導体層が前記表示パネルの面の法線方向において電流が流れるように構成されている縦型構造である。
【0027】
好適には、前記表示パネルの他方の面の側に照明光を出射する照明部を含み、前記照明部は、可視光線と不可視光線とを前記照明光として出射するように構成されており、前記フォトセンサ素子は、前記表示パネルの一方の面の側において前記表示領域に移動した被検知体において前記照明光が反射された反射光を受光するように構成されている。
【0028】
好適には、前記表示パネルは、第1基板と、前記第1基板から間隔を隔てて対面している第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間にて挟持されており、液晶分子が配向されている液晶層とを含む液晶パネルであって、前記第1基板が前記他方の面の側に位置し、前記第2基板が前記一方の面の側に位置しており、前記フォトセンサ素子は、前記第1基板に設けられている。
【0029】
好適には、前記フォトセンサ素子は、フォトダイオードであって、当該フォトセンサ素子の半導体層がp層とi層とn層とを含み、前記p層と前記n層とが前記i層を挟んでいるPIN構造であり、前記p層と前記i層と前記n層とのそれぞれは、前記表示パネルの法線方向に沿って並ぶように設けられている。
【0030】
好適には、前記フォトセンサ素子の半導体層は、微結晶シリコンであり、前記i層は、前記表示パネルの法線方向において50nm以上の厚さになるように形成されている。
【0031】
好適には、前記フォトセンサ素子の半導体層は、アモルファスシリコンであり、前記i層は、前記表示パネルの法線方向において50nm以上の厚さになるように形成されている。
【0032】
好適には、前記フォトセンサ素子の半導体層は、多結晶シリコンであり、前記i層は、前記表示パネルの法線方向において30nm以上の厚さになるように形成されている。
【0033】
好適には、前記第1基板は、前記他方の面の側から前記フォトセンサ素子の半導体層へ入射する光を遮光する遮光部を有する。
【0034】
好適には、前記遮光部は、導電材料によって形成されており、前記p層と前記n層とのいずれか一方に接続された配線である。
【0035】
好適には、前記第1基板は、前記フォトセンサ素子を駆動する駆動素子を含み、前記遮光部は、前記駆動素子に接続された配線である。
【0036】
好適には、前記フォトセンサ素子は、フォトトランジスタであって、当該フォトセンサ素子の半導体層は、チャネル領域と、前記チャネル領域を挟むように形成された第1および第2のソース・ドレイン領域とを含み、前記チャネル領域と、前記第1および第2のソース・ドレイン領域とのそれぞれは、前記表示パネルの法線方向に沿って並ぶように設けられており、ゲート電極が前記表示パネルの法線方向に延在するように設けられている。
【0037】
好適には、前記フォトセンサ素子のゲート電極は、光を遮光する遮光材料によって形成されている。
【0038】
好適には、前記フォトセンサ素子のゲート電極は、前記半導体層が前記表示パネルの法線方向に延在する面の周囲を囲うように形成されている。
【0039】
本発明においては、表示パネルの一方の面の側から入射する光を受光し光電変換することによって受光データを生成する半導体層が、表示パネルの法線方向において電流が流れる縦型構造になるように、フォトセンサ素子を形成する。
【発明の効果】
【0040】
本発明によれば、画像品質、位置検出精度の向上を実現可能な表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0041】
本発明にかかる実施形態の一例について説明する。
【0042】
<実施形態1>
(液晶表示装置の構成)
図1は、本発明にかかる実施形態1において、液晶表示装置100の構成を示す断面図である。
【0043】
本実施形態の液晶表示装置100は、図1に示すように、液晶パネル200と、バックライト300と、データ処理部400とを有する。各部について順次説明する。
【0044】
液晶パネル200は、アクティブマトリクス方式であり、図1に示すように、TFTアレイ基板201と対向基板202と液晶層203とを有する。
【0045】
この液晶パネル200においては、TFTアレイ基板201と対向基板202とが、互いに間隔を隔てるよう対面している。そして、そのTFTアレイ基板201と対向基板202との間に挟まれるように、液晶層203が設けられている。
【0046】
そして、液晶パネル200は、透過型であって、図1に示すように、TFTアレイ基板201の側に位置するようにバックライト300が配置されており、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面している面とは反対側の面に、バックライト300から出射された照明光が照射される。そして、液晶パネル200は、複数の画素(図示無し)が配置され画像を表示する表示領域PAを含み、その液晶パネル200の背面側に設置されたバックライト300が出射した照明光を、第1の偏光板206を介して背面から受け、その背面から受けた光を、その表示領域PAにおいて変調する。ここでは、TFTアレイ基板201において画素に対応するように、複数のTFTが画素スイッチング素子(図示無し)として設けられており、その画素スイッチング素子であるTFTがスイッチング制御されることによって、背面から受けた照明光を変調する。そして、その変調された照明光が、第2の偏光板207を介して、正面側に出射し、表示領域PAにおいて画像が表示される。
【0047】
また、本実施形態においては、この液晶パネル200は、いわゆるI/Oタッチパネルであり、詳細については後述するが、液晶パネル200においてバックライト300が設置された背面に対して反対側となる正面に、ユーザーの指やタッチペンなどの被検知体が接触または近接した際に、その被検知体によって反射される反射光を受光するフォトセンサ素子(図示無し)が、位置センサ素子として形成されている。たとえば、フォトダイオードが、このフォトセンサ素子として形成されており、液晶パネル200の正面側において、被検知体が反射する反射光を受光する。すなわち、対向基板202の側からTFTアレイ基板201の側へ向かう反射光を受光する。そして、フォトセンサ素子は、光電変換することによって、受光データを生成する。
【0048】
バックライト300は、図1に示すように、液晶パネル200の背面に対面しており、その液晶パネル200の表示領域PAに照明光を出射する。ここでは、バックライト300は、図1に示すように、光源301と、その光源301から照射された光を拡散することよって面状の光に変換する導光板302とを有しており、液晶パネル200の表示領域PAの全面に平面光を照射する。
【0049】
具体的には、バックライト300は、液晶パネル200を構成するTFTアレイ基板201と対向基板202とにおいて、TFTアレイ基板201の側に位置するように配置されている。そして、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面している面に対して反対側の面に、その平面光を照射する。つまり、バックライト300は、TFTアレイ基板201の側から対向基板202の側へ向かうように平面光を照明する。
【0050】
本実施形態においては、バックライト300の光源301は、図1に示すように、たとえば、可視光源301aと、赤外光源301bとを有する。可視光源301aと赤外光源301bとのそれぞれは、互いに導光板302の一方の端部に設けられ、可視光線と非可視光線とのそれぞれを出射する。具体的には、可視光源301aは、白色LEDであり、白色の可視光線を照射面から照射する。また、赤外光源301bは、赤外LEDであり、赤外線を照射面から照射する。たとえば、中心波長が850nmである赤外線を照射する。そして、可視光源301aから照射された白色の可視光線と、赤外光源301bから照射された赤外線とが、導光板302において拡散され、平面光として、導光板302の一方の面から液晶パネル200の背面に照射される。
【0051】
データ処理部400は、図1に示すように、制御部401と、位置検出部402とを有する。データ処理部400は、コンピュータを含み、プログラムによってコンピュータが各部として動作するように構成されている。
【0052】
データ処理部400の制御部401は、液晶パネル200とバックライト300との動作を制御するように構成されている。制御部401は、液晶パネル200に制御信号を供給することによって、液晶パネル200に複数設けられた画素スイッチング素子(図示無し)の動作を制御する。たとえば、線順次駆動を実行させる。また、制御部401は、バックライト300に制御信号を供給することによって、バックライト300の動作を制御し、バックライト300から照明光を照射する。このように、制御部401は、液晶パネル200とバックライト300との動作を制御することによって、液晶パネル200の表示領域PAに画像を表示する。
【0053】
このほかに、制御部401は、液晶パネル200に制御信号を供給することによって、液晶パネル200に位置センサ素子として複数設けられたフォトセンサ素子(図示無し)の動作を制御し、そのフォトセンサ素子から受光データを収集する。たとえば、線順次駆動を実行させて、受光データを収集する。
【0054】
データ処理部400の位置検出部402は、液晶パネル200に複数設けられたフォトセンサ素子(図示無し)から収集した受光データに基づいて、液晶パネル200の表示領域において、ユーザーの指やタッチペンなどの被検知体が接触または近接した位置を検出する。たとえば、受光データの信号強度が基準値よりも大きい座標位置を、被検知体Fが表示領域PAにおいて接触した座標位置として検出する。
【0055】
(液晶パネルの全体構成)
液晶パネル200の全体構成について詳細に説明する。
【0056】
図2は、本発明にかかる実施形態1において、液晶パネル200を示す平面図である。
【0057】
図2に示すように、液晶パネル200は、表示領域PAと、周辺領域CAとを有する。
【0058】
液晶パネル200において表示領域PAには、図2に示すように、複数の画素Pが水平方向xと垂直方向yとのそれぞれにマトリクス状に並ぶように配置されており、画像を表示する。詳細については後述するが、画素Pは、画素スイッチング素子として機能するTFT(図示無し)を含む。そして、この複数の画素Pに対応するように、位置センサ素子として機能するフォトセンサ素子(図示無し)が、複数、形成されている。
【0059】
液晶パネル200において周辺領域CAは、図2に示すように、表示領域PAの周辺を囲うように設けられている。この周辺領域CAにおいては、図2に示すように、表示用垂直駆動回路11と、表示用水平駆動回路12と、センサ用垂直駆動回路13と、センサ用水平駆動回路14とが形成されている。たとえば、上記の画素スイッチング素子として機能するTFT(図示無し)と、位置センサ素子として機能するフォトセンサ素子(図示無し)と同様にして形成された半導体素子によって、この各回路が構成されている。そして、表示領域PAにおいて画素Pに対応するように画素スイッチング素子として設けられたTFTを、表示用垂直駆動回路11および表示用水平駆動回路12が駆動し、画像表示を実行する。そして、これと共に、表示領域PAにおいて画素Pに対応するように位置センサ素子として設けられたフォトセンサ素子(図示無し)を、センサ用垂直駆動回路13とセンサ用水平駆動回路14とが駆動し、受光データを収集する。
【0060】
具体的には、表示用垂直駆動回路11は、図2に示すように、垂直方向yに延在している。そして、表示用垂直駆動回路11は、垂直方向yにおいて複数の画素Pに対応するように画素スイッチング素子として形成された各TFT(図示無し)のゲート電極に、接続されている。そして、表示用垂直駆動回路11は、供給される制御信号に基づいて、その垂直方向yに並ぶ複数のTFTに、走査信号を、順次、供給する。ここでは、水平方向xに並ぶ複数の画素Pに対応して形成された複数のTFTのそれぞれにゲート線(図示無し)が接続され、そのゲート線が垂直方向yに並ぶ複数の画素Pに対応するように複数形成されており、表示用垂直駆動回路11は、その複数のゲート線に、順次、走査信号を供給する。
【0061】
表示用水平駆動回路12は、図2に示すように、水平方向xに延在している。そして、表示用水平駆動回路12は、水平方向xにおいて複数の画素Pに対応するように画素スイッチング素子として形成された各TFT(図示無し)のソース電極に接続されている。そして、表示用水平駆動回路12は、供給される制御信号に基づいて、その垂直方向yに並ぶ複数のTFTに、データ信号を、順次、供給する。ここでは、垂直方向yに並ぶ複数の画素Pに対応して形成された複数のTFTのそれぞれに信号線(図示無し)が接続され、その信号線が水平方向xに並ぶ複数の画素Pに対応するように複数形成されており、表示用水平駆動回路12は、その複数の信号線に、順次、映像データ信号を供給する。
【0062】
センサ用垂直駆動回路13は、図2に示すように、垂直方向yに延在している。そして、センサ用垂直駆動回路13は、垂直方向yにおいて複数の画素Pに対応するように位置センサ素子として形成された各フォトセンサ素子(図示無し)に接続されている。そして、センサ用垂直駆動回路13は、供給される制御信号に基づいて、その垂直方向yに並ぶ複数のフォトセンサ素子において、受光データを読み出すフォトセンサ素子を選択する。ここでは、水平方向xに並ぶ複数の画素Pに対応して形成された複数のフォトセンサ素子のそれぞれに、ゲート線(図示無し)が接続され、そのゲート線が垂直方向yに並ぶ複数の画素Pに対応するように複数形成されており、センサ用垂直駆動回路13は、その複数のゲート線を順次選択するように走査信号を供給する。
【0063】
センサ用水平駆動回路14は、図2に示すように、水平方向xに延在している。そして、センサ用水平駆動回路14は、水平方向xにおいて複数の画素Pに対応するように位置センサ素子として形成された各フォトセンサ素子(図示無し)に接続されている。そして、センサ用水平駆動回路14は、供給される制御信号に基づいて、その垂直方向yに並ぶ複数のフォトセンサ素子から受光データを、順次、読み出す。ここでは、垂直方向yに並ぶ複数の画素Pに対応して形成された複数のフォトセンサ素子のそれぞれに、信号読み出し線(図示無し)が接続され、その信号読み出し線が水平方向xに並ぶ複数の画素Pに対応するように複数形成されており、センサ用水平駆動回路14は、その複数の信号読み出し線を介してフォトセンサ素子から、順次、受光データを読み出した後、位置検出部402へ出力する。そして、液晶パネル200の表示領域PAにユーザーの指やタッチペンなどの被検知体が接触または近接した位置を、そのフォトセンサ素子から出力される受光データに基づいて、位置検出部402が検出する。
【0064】
(液晶パネルの表示領域の構成)
図3は、本発明の実施形態1において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられた画素Pの概略を模式的に示す断面図である。
【0065】
図3に示すように、液晶パネル200は、TFTアレイ基板201と、対向基板202と、液晶層203とを有している。液晶パネル200は、TFTアレイ基板201と対向基板202とがスペーサ(図示無し)によって間隔を隔てられ、シール材(図示無し)で貼り合わされており、そのTFTアレイ基板201と対向基板202との間の間隔に液晶層203が設けられている。
【0066】
液晶パネル200の各部について説明する。
【0067】
TFTアレイ基板201について下記に示す。
【0068】
TFTアレイ基板201は、光を透過する絶縁体の基板であり、たとえば、ガラスにより形成されている。このTFTアレイ基板201においては、図3に示すように、対向基板202に対面する側の面に、画素スイッチング素子31と、フォトセンサ素子32aと、画素電極62とが形成されている。
【0069】
TFTアレイ基板201において、画素スイッチング素子31は、図3に示すように、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する側の面に形成されている。この画素スイッチング素子31は、ゲート電極45と、ゲート絶縁膜46gと、半導体層48とを含み、LDD(Lightly Doped Drain)構造のボトムゲート型TFTとして形成されている。
【0070】
具体的には、画素スイッチング素子31において、ゲート電極45は、たとえば、モリブデンなどの金属材料を用いて形成されている。
【0071】
また、画素スイッチング素子31において、ゲート絶縁膜46gは、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁材料を用いて形成されている。
【0072】
また、画素スイッチング素子31において、半導体層48は、たとえば、多結晶シリコンであって、ゲート電極45に対応するようにチャネル領域48Cが形成されると共に、そのチャネル領域48Cを挟むように一対のソース・ドレイン領域48A,48Bが形成されている。ここでは、LDD構造になるように、この一対のソース・ドレイン領域48A,48Bは、チャネル領域48Cを挟むように一対の低濃度不純物領域48Ab,48Bbが形成され、さらに、その一対の低濃度不純物領域48Ab,48Bbを挟むように、一対の高濃度不純物領域48Aa,48Baが形成されている。具体的には、n型不純物をドープすることで、低濃度不純物領域48Ab,48Bbを形成し、その低濃度不純物領域48Ab,48Bbよりも多くのn型不純物をドープすることで、一対の高濃度不純物領域48Aa,48Baを形成する。
【0073】
そして、画素スイッチング素子31において、ドレイン電極53とソース電極54とのそれぞれは、半導体層48を被覆する層間絶縁膜49に設けられた開口に、アルミニウムなどの導電材料を埋め込み、パターン加工することによって形成されている。
【0074】
TFTアレイ基板201においてフォトセンサ素子32aは、図3に示すように、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する側の面に形成されている。ここでは、フォトセンサ素子32aは、図3に示すように、液晶パネル200の正面側において、指などの被検知体によって反射され、対向基板202の側からTFTアレイ基板201の側へ向う反射光を、液晶層203を介して受光する。
【0075】
このフォトセンサ素子32aは、たとえば、フォトダイオードであって、図3に示すように、遮光層43と、半導体層47とを含む。そして、フォトセンサ素子32aは、入射する光を受光し、光電変換することによって、受光データを生成し、読み出される。たとえば、逆方向バイアスが印加されることによって、光電流が受光データとして読み出されるように構成されている。
【0076】
具体的には、フォトセンサ素子32aにおいて、遮光層43は、たとえば、モリブデンなどの金属材料を用いて形成されている。遮光層43は、図3に示すように、TFTアレイ基板201の面と半導体層47との間に介在しており、液晶パネル200の背面側から半導体層47に入射する照明光を遮光する。
【0077】
また、フォトセンサ素子32aにおいて、半導体層47は、図3に示すように、TFTアレイ基板201の面において絶縁膜46sを介して遮光層43に対面するように設けられている。半導体層47は、p層47pとn層47nとi層47iとを含み、PIN構造になるように構成されており、光電変換を行う。ここでは、p層47pは、p型不純物が高濃度にドープされることによって形成され、n層47nは、n型不純物が高濃度にドープされることによって形成され、i層47iは、高抵抗であって、p層47pとn層47nとの間に介在している。
【0078】
本実施形態においては、フォトセンサ素子32aの半導体層47は、p層47pとi層47iとn層47nとのそれぞれが、順次、TFTアレイ基板201の面の法線方向zに沿って並ぶように設けられている。ここでは、層間絶縁膜49において遮光層43に対応するように開口を形成後、p層47pとi層47iとn層47nとを、順次その開口を埋めるように積層することで、半導体層47が形成されている。つまり、光電変換が行われる半導体層47が、液晶パネル200の面の法線方向zにおいて電流が流れる縦型構造になるように、フォトセンサ素子32aが構成されている。
【0079】
この半導体層47は、たとえば、多結晶シリコンで形成されている。詳細については後述するが、この場合には、i層47iが、TFTアレイ基板201の面の法線方向zにおいて、たとえば、30nm以上であって、1μmの厚さになるように形成されることが好ましい。
【0080】
なお、この半導体層47が微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンになるように形成した場合には、i層47iが、TFTアレイ基板201の面の法線方向zにおいて、たとえば、50nm以上であって、1μmの厚さになるように形成されることが好ましい。
【0081】
そして、フォトセンサ素子32aにおいては、第1電極51が半導体層47のp層47pに接続するように設けられている。ここでは、第1電極51は、図3に示すように、半導体層47のp層47pからTFTアレイ基板201の面の一方の方向へ引き出された引出し配線HHを介して、p層47pに接続されている。そして、第1電極51は、引出し配線HHに接続された部分から、TFTアレイ基板201の面の法線方向zへ立つように設けられている。具体的には、絶縁膜46上にp層47pと一体になるように引出し配線HHが設けた後に、その引出し配線HHを被覆する層間絶縁膜49に設けられた開口を埋めるように、この第1電極51が形成されている。たとえば、この第1電極51は、アルミニウムなどの金属材料を用いて形成されている。
【0082】
そして、フォトセンサ素子32aにおいては、第2電極52が半導体層47のn層47nに接続するように設けられている。ここでは、第2電極52は、図3に示すように、半導体層47のn層47nの上方に設けられ、n層47nに接続されている。ここでは、平坦化膜60に設けられた開口を埋めるように、この第2電極52が形成されている。たとえば、この第2電極52は、ITOなどの透明な導電材料を用いて形成されている。
【0083】
TFTアレイ基板201において画素電極62は、図3に示すように、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する面を被覆するように設けられている。ここでは、図3に示すように、画素電極62は、絶縁材料で形成された平坦化膜60上において、光透過領域TAに対応するように形成されている。画素電極62は、いわゆる透明電極であって、たとえば、ITOを用いて形成されている。そして、画素電極62は、バックライト300によって照明された光を変調するために、対向電極23と共に、液晶層203に電圧を印加する。なお、この画素電極62は、表示領域PAにおいて、複数の画素Pのそれぞれに対応するように複数がマトリクス状になるように配置されており、画素スイッチング素子31のドレイン電極54に接続されている。
【0084】
対向基板202について示す。
【0085】
対向基板202は、TFTアレイ基板201の場合と同様に、光を透過する絶縁体の基板であり、ガラスにより形成されている。そして、対向基板202は、図3に示すように、TFTアレイ基板201に対して間隔を隔てるよう対面している。そして、対向基板202には、図3に示すように、対向電極23が形成されている。
【0086】
そして、対向基板202において対向電極23は、図3に示すように、対向基板202にてTFTアレイ基板201に対面する側の面に形成されている。対向電極23は、いわゆる透明電極であって、たとえば、ITOを用いて形成されている。
【0087】
液晶層203について示す。
【0088】
液晶層203は、図3に示すように、TFTアレイ基板201と対向基板202との間にて挟持され、配向処理される。たとえば、液晶層203は、TFTアレイ基板201と対向基板202との間において、スペーサ(図示なし)により所定の距離が保持された間隔に、封入されている。そして、液晶層203は、TFTアレイ基板201および対向基板202に形成された液晶配向膜(図示なし)によって配向されている。たとえば、液晶層203は、液晶分子が垂直配向するように形成される。
【0089】
(動作)
以下より、上記の液晶表示装置100において、ユーザーの指などの被検知体が液晶パネル200の表示領域PAに接触もしくは移動された位置を検出する際の動作について説明する。
【0090】
図4は、本発明に係る実施形態1において、被検知体が液晶パネル200の表示領域PAに接触もしくは移動された位置を検出する際の様子を模式的に示す断面図である。図4においては、要部を記載し、その他の部分については、記載を省略している。
【0091】
ユーザーの指などの被検知体Fが表示領域PAに接触もしくは移動された場合には、図4に示すように、バックライト300から照明された照明光Rが、その被検知体Fによって反射された反射光Hを、液晶パネル200に形成されたフォトセンサ素子32aが受光する。
【0092】
ここでは、バックライト300が可視光線VRと赤外線IRとを含む照明光Rを、平面光として、液晶パネル200の背面に照射する。そして、その照明光Rは、液晶パネル200を介して、被検知体Fに照射され、被検知体Fによって反射される。そして、その被検知体Fによって反射された反射光Hを、フォトセンサ素子32aが受光する。
【0093】
このとき、照明光Rにおいて可視光線VRは、液晶パネル200の各部において吸収され、その強度が低下した状態で、フォトセンサ素子32aによって受光される。これに対して、照明光Rにおいて赤外線IRは、液晶パネル200の各部において吸収される割合が可視光線VRよりも小さいため、可視光線VRよりも大きな強度で、フォトセンサ素子32aによって受光される。
【0094】
そして、その受光した光の強度に応じた信号強度の受光データをフォトセンサ素子32aが生成する。その後、周辺回路によって受光データが読み出され、その受光データが読み出されたフォトセンサ素子32aの位置と、そのフォトセンサ素子32aから読み出された受光データの信号強度とのそれぞれに基づいて、被検知体Fが表示領域PAにおいて接触した位置が、位置検出部402によって検出される。
【0095】
以上のように、本実施形態においては、フォトセンサ素子32aにおいて、液晶パネル200の正面の側から入射する光を受光し光電変換することによって受光データを生成する半導体層47が、液晶パネル200の面の法線方向zにおいて電流が流れる縦型構造になるように形成されている。ここでは、フォトセンサ素子32aは、半導体層47がp層47pとi層47iとn層47nとを含み、そのp層47pとn層47nとがi層47iを挟んでいるPIN構造のフォトダイオードであって、そのp層47pとi層47iとn層47nとのそれぞれが液晶パネル200の面の法線方向zに沿って並ぶように積層されている。つまり、フォトセンサ素子32aは、液晶パネル200の面の法線方向zに沿って延在するように半導体層47を形成され、フォトセンサ素子32aにおいて光を吸収する媒質の長さが長くなるように形成されている。
【0096】
下記の数式(1)は、媒質が通過する光量Iを示す式である。数式(1)において、I0は、媒質へ入射する入射光量であり、αは、入射光の吸収率であり、dは、媒質の長さである。
【0097】
I=I0[1−exp(−αd)] ・・・(1)
【0098】
この数式(1)から判るように、媒質の長さdが大きくなるに伴い、媒質の吸収量を増加させることができる。よって、本実施形態は、フォトセンサ素子32aにおいて光を吸収する媒質である半導体層47を、光の入射方向において厚くすることが容易にできるので、光の吸収効率を向上させることができる。
【0099】
図5と図6は、本発明にかかる実施形態1において、フォトセンサ素子32aの半導体層47のi層47iの厚さと、フォトセンサ素子32aにおいて受光データとして得られる光電流との関係を示す図である。図5と図6とにおいては、横軸が半導体層47のi層47iの厚さ(膜厚[nm])を示し、縦軸が、光電流(Iphoto[A])の値を示している。ここで、図5は、波長λが770nmの光に関する結果を示しており、図6は、波長λが850nmの光に関する結果を示している。そして、図5と図6とにおいては、アモルファスシリコン(a−Si)と微結晶シリコン(微結晶Si)と多結晶シリコン(Si)とのそれぞれを、半導体層47として用いた場合の結果を示している。
【0100】
図5と図6とに示すように、フォトセンサ素子32aの半導体層47のi層47iの厚さが厚くなるに伴って、フォトセンサ素子32aにおいて受光データとして得られる光電流の値が大きくなる。
【0101】
したがって、本実施形態は、位置センサ素子として内蔵されたフォトセンサ素子32aが、高感度に受光データを生成することができるので、位置検出精度を向上させることができる。特に、本実施形態のように、フォトセンサ素子32aが赤外線を受光して受光データを生成する場合には、効果的である。
【0102】
また、本実施形態において、フォトセンサ素子32aの半導体層47を、微結晶シリコンで形成する場合には、図5と図6とに示すように、i層47iを液晶パネル200の法線方向zにおいて50nm以上の厚さになるように形成する。
【0103】
また、フォトセンサ素子32aの半導体層47を、アモルファスシリコンで形成する場合には、i層47iを液晶パネル200の法線方向zにおいて50nm以上の厚さになるように形成する。また、フォトセンサ素子32aの半導体層47を、多結晶シリコンで形成する場合には、i層47iを液晶パネル200の法線方向zにおいて30nm以上の厚さになるように形成する。このようにフォトセンサ素子32aを縦型構造のフォトダイオードに形成することによって、平面構造のフォトダイオードに形成した場合と比較して、有利な効果を得ることができる。
【0104】
さらに、本実施形態は、液晶パネル200の面の法線方向zに沿って延在するように半導体層47を形成しているために、半導体層47の面積が大きくならず、光が透過する開口率を低下させないので、表示画像の品質を向上させることができる。
【0105】
また、本実施形態においては、フォトセンサ素子32aは、TFTアレイ基板201において裏面の側からフォトセンサ素子32aの半導体層48へ入射する光を遮光するように、遮光層43が設けられている。このため、フォトセンサ素子32aは、TFTアレイ基板201において裏面の側から入射する光を受光せずに、TFTアレイ基板201において正面の側から入射する光を受光して受光データを生成するため、位置検出精度を向上させることができる。
【0106】
<実施形態2>
以下より、本発明にかかる実施形態2について説明する。
【0107】
(液晶パネルの表示領域の構成)
図7は、本発明の実施形態2において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられた画素Pの概略を模式的に示す断面図である。
【0108】
本実施形態においては、図7に示すように、駆動素子33を有する点が実施形態1と異なる。また、図7に示すように、フォトセンサ素子32aの構成が実施形態1と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する個所については、説明を省略する。
【0109】
駆動素子33は、たとえば、フォトセンサ素子32aを駆動する際に用いられる素子であり、図7に示すように、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する側の面に形成されている。この駆動素子33は、ゲート電極45kと、ゲート絶縁膜46gkと、半導体層48kとを含み、LDD(Lightly Doped Drain)構造のボトムゲート型TFTとして形成されている。
【0110】
具体的には、駆動素子33において、ゲート電極45kは、たとえば、モリブデンなどの金属材料を用いて形成されている。
【0111】
また、駆動素子33において、ゲート絶縁膜46gkは、シリコン酸化膜などの絶縁材料を用いて形成されている。
【0112】
また、駆動素子33において、半導体層48kは、たとえば、多結晶シリコンであって、ゲート電極45kに対応するようにチャネル領域48Ckが形成されると共に、そのチャネル領域48Ckを挟むように一対のソース・ドレイン領域48Ak,48Bkが形成されている。ここでは、LDD構造になるように、この一対のソース・ドレイン領域48Ak,48Bkは、チャネル領域48Ckを挟むように一対の低濃度不純物領域48Akb,48Bkbが形成され、さらに、その一対の低濃度不純物領域48Akb,48Bkbを挟むように、一対の高濃度不純物領域48Aka,48Bkaが形成されている。具体的には、n型不純物をドープすることで、低濃度不純物領域48Akb,48Bkbを形成し、その低濃度不純物領域48Akb,48Bkbよりも多くのn型不純物をドープすることで、一対の高濃度不純物領域48Aka,48Bkaを形成する。
【0113】
そして、駆動素子33において、ソース電極53kとドレイン電極54kとのそれぞれは、半導体層48kを被覆する層間絶縁膜49に設けられた開口に、アルミニウムなどの導電材料を埋め込み、パターン加工することによって形成されている。
【0114】
フォトセンサ素子32aは、図7に示すように、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面する側の面に形成されている。このフォトセンサ素子32aは、フォトダイオードであって、図7に示すように、半導体層47を含み、入射する光を受光し、光電変換することによって、受光データを生成し、読み出される。
【0115】
本実施形態においては、フォトセンサ素子32aにおいて半導体層47は、図7に示すように、TFTアレイ基板201の面において、駆動素子33のドレイン電極54k上に設けられている。ドレイン電極54kは、前述したように、アルミニウムなどの金属材料であって光を遮光する遮光材料を用いて形成されており、ドレイン電極54kが液晶パネル200の背面側から半導体層47に入射する照明光を遮光する遮光層として機能する。また、フォトセンサ素子32aの半導体層47は、実施形態1と同様に、p層47pとi層47iとn層47nとのそれぞれが、順次、TFTアレイ基板201の面の法線方向zに沿って並ぶように積層している。つまり、本実施形態のフォトセンサ素子32aは、実施形態1と同様に、縦型構造である。
【0116】
そして、フォトセンサ素子32aにおいて、第1電極51は、半導体層47のp層47pに接続するように設けられている。ここでは、第1電極51は、図7に示すように、半導体層47のp層47pからTFTアレイ基板201の面の一方の方向へ引き出された引出し配線HHを含み、平坦化膜60上に露出するように設けられている。たとえば、この第1電極51は、ITOなどの透明な導電材料を用いて形成されている。
【0117】
そして、フォトセンサ素子32aにおいては、第2電極52が半導体層47のn層47nに接続するように設けられている。ここでは、第2電極52は、図3に示すように、半導体層47のn層47nの上方に設けられており、n層47nに接続されている。たとえば、この第2電極52は、ITOなどの透明な導電材料を用いて形成されている。
【0118】
以上のように、本実施形態においては、前述したように、導電性を有し、かつ、光を遮光する金属材料を用いて形成されたドレイン電極54kを、液晶パネル200の背面側から半導体層47に入射する照明光を遮光する遮光層として利用している。このため、本実施形態は、表示領域PAにおいて光が透過する開口率が低下することを防止できるので、表示画像の品質を向上させることができる。
【0119】
<実施形態3>
以下より、本発明にかかる実施形態3について説明する。
【0120】
(液晶パネルの表示領域の構成)
図8は、本発明の実施形態3において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられた画素Pの概略を模式的に示す断面図である。
【0121】
本実施形態においては、図8に示すように、フォトセンサ素子32aの構成が実施形態1と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する個所については、説明を省略する。
【0122】
本実施形態においては、フォトセンサ素子32aは、フォトトランジスタであり、図8に示すように、半導体層47と、ゲート絶縁膜47oxと、ゲート電極47Gとを含む。
【0123】
フォトセンサ素子32aにおいて、半導体層47は、図8に示すように、TFTアレイ基板201の面において絶縁膜46sを介して遮光層43に対面するように設けられている。この半導体層47は、図8に示すように、チャネル領域47Cと、チャネル領域47Cを挟むように形成された第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bとを含む。たとえば、n型不純物を半導体層にドープすることによって、第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bのそれぞれを設ける。なお、トランジスタの下部に設置されている遮光層43は、金属で形成されており、遮光層43は、固定電位、あるいは、ゲート電極47Gと同じ電位のいずれかが印加されている。
【0124】
ここでは、図8に示すように、チャネル領域47Cと、第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bとのそれぞれは、液晶パネル200の面の法線方向zに沿って並ぶように設けられている。
【0125】
そして、ゲート電極47Gは、導電材料であると共に、光を遮光する遮光材料でもある金属材料によって形成されている。たとえば、アルミニウムを用いて形成されている。また、ゲート電極47Gは、液晶パネル200の面の法線方向zに延在するように設けられている。
【0126】
図9は、本発明の実施形態3において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられたフォトセンサ素子32aの上面図である。
【0127】
図9に示すように、本実施形態においては、ゲート電極47Gは、上面を見た際に、半導体層47の周囲を、ゲート絶縁膜47oxを介して囲うように設けられている。つまり、フォトセンサ素子のゲート電極47Gは、半導体層47が液晶パネル200の法線方向zに延在する面の周囲を囲うように形成されている。このようにすることによって、半導体層47へ入射する迷光を遮光する遮光層としてゲート電極47Gを機能させている。
【0128】
そして、フォトセンサ素子32aにおいては、電極52が半導体層47の第1ソース・ドレイン領域47Aに接続するように設けられている。ここでは、電極52は、図3に示すように、半導体層47のソース・ドレイン領域47Aの上方に設けられ、ソース・ドレイン領域47Aに接続されている。ここでは、平坦化膜60に設けられた開口を埋めるように、この電極52が形成されている。たとえば、この電極52は、ITOなどの透明な導電材料を用いて形成されている。
【0129】
図10は、本発明の実施形態3において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられたフォトセンサ素子32aの光リーク電流特性を示す図である。図10において、横軸は、ゲート電圧Vg(V)を示し、縦軸は、光リーク電流Ids(A)を示している。図10においては、入射する光の光強度が、0cd、2000cd、4000cd、6000cdのそれぞれの場合の結果について示している。
【0130】
図10に示すように、本実施形態においては、ゲート電極47GをOgg側に設定し、入射する光強度によって光リーク電流Idsが変化することを利用する。ここでは、基本的には、pnジャンクションの逆バイアス電流を利用して、受光データを出力する。なお、Ogg側とは、MOSトランジスタのゲート・オフ(Gate off)の電位を意味し、N−チャネルトランジスタを用いた場合に、ソース(Source)電位を、グランド(GND)とすると、ゲート(Gate)電位は、負の電位とすることを意味する。また、P−チャネルトランジスタを用いた場合には、ソース(Source)電位をグランド(GND)とすると、ゲート(Gate)電位は、正の電位とすることを意味する。
【0131】
以上のように、本実施形態においては、実施形態1と同様に、液晶パネル200の正面の側から入射する光を受光し光電変換することによって受光データを生成する半導体層47が、液晶パネル200の面の法線方向zにおいて電流が流れる縦型構造になるように、フォトセンサ素子32aが形成されている。ここでは、半導体層47が、チャネル領域47Cと、第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bとを含み、第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bのそれぞれがチャネル領域47Cを挟むように設けられてフォトトランジスタであって、チャネル領域47Cと、第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bとのそれぞれが液晶パネル200の面の法線方向zに沿って並ぶように、フォトセンサ素子32aを設けている。このため、実施形態1と同様に、液晶パネル200の面の法線方向zに沿って延在するように半導体層47を形成し、フォトセンサ素子32aにおいて光を吸収する媒質の長さを長くしている。
【0132】
したがって、本実施形態は、実施形態1と同様に、位置センサ素子として内蔵されたフォトセンサ素子32aが、高感度に受光データを生成することができるので、位置検出精度を向上させることができる。
【0133】
なお、本発明の実施に際しては、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
【0134】
たとえば、本実施形態においては、画素スイッチング素子31を、ボトムゲート型の薄膜トランジスタとして構成する場合について説明したが、これに限定されない。
【0135】
図11は、本発明にかかる実施形態において、画素スイッチング素子31の構成の変形形態を示す断面図である。
【0136】
図11に示すように、たとえば、トップゲート型のTFTを、画素スイッチング素子31として形成してもよい。また、この他に、デュアルゲート構造になるように、このフォトセンサ素子32aを形成してもよい。
【0137】
また、本実施形態においては、複数の画素Pに対応するように複数のフォトセンサ素子32aを設ける場合について示したが、これに限定されない。たとえば、複数の画素Pに対して1つのフォトセンサ素子32aを設けてもよく、逆に、1つの画素Pに対して複数のフォトセンサ素子32aを設けてもよい。
【0138】
また、本実施形態の液晶表示装置100は、さまざまな電子機器の部品として適用することができる。
【0139】
図12から図16は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置100を適用した電子機器を示す図である。
【0140】
図12に示すように、テレビジョン放送を受信し表示するテレビにおいて、その受信した画像を表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
【0141】
また、図13に示すように、デジタルスチルカメラにおいて、その撮像画像などの画像を表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
【0142】
また、図14に示すように、ノート型パーソナルコンピュータにおいて、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
【0143】
また、図15に示すように、携帯電話端末において、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
【0144】
また、図16に示すように、ビデオカメラにおいて、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
【0145】
この他に、本実施形態においては、フォトセンサ素子32aについて、PIN型のフォトダイオードと、フォトトランジスタを設けた場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、PDN構造のフォトダイオードを、フォトセンサ素子32aとして形成しても同様な効果を奏することができる。
【0146】
また、IPS(In−Plane−Swiching)、FFS(Field Fringe Switching)方式など、さまざまな方式の液晶パネルに適用可能である。さらに、有機EL表示素子、電子ペーパーなどの他の表示装置においても、適用可能である。
【0147】
なお、上記の実施形態において、液晶表示装置100は、本発明の表示装置に相当する。また、上記の実施形態において、液晶パネル200は、本発明の表示パネルに相当する。また、上記の実施形態において、バックライト300は、本発明の照明部に相当する。また、上記の実施形態において、TFTアレイ基板201は、本発明の第1基板に相当する。また、上記の実施形態において、対向基板202は、本発明の第2基板に相当する。また、上記の実施形態において、液晶層203は、本発明の液晶層に相当する。また、上記の実施形態において、表示領域PAは、本発明の表示領域に相当する。また、上記の実施形態において、画素Pは、本発明の画素に相当する。また、上記の実施形態において、フォトセンサ素子32aは、本発明のフォトセンサ素子に相当する。また、上記の実施形態において、遮光層43は、本発明の遮光部に相当する。また、上記の実施形態において、半導体層47は、本発明の半導体層に相当する。また、上記の実施形態において、p層47pは、本発明のp層に相当する。また、上記の実施形態において、n層47nは、本発明のi層に相当する。また、上記の実施形態において、i層47iは、本発明のn層に相当する。また、上記の実施形態において、駆動素子33は、本発明の駆動素子に相当する。また、上記の実施形態において、ドレイン電極54kは、本発明の遮光部に相当する。また、上記の実施形態において、ゲート電極47Gは、本発明のゲート電極に相当する。また、上記の実施形態において、チャネル領域47Cは、本発明のチャネル領域に相当する。また、上記の実施形態において、第1および第2のソース・ドレイン領域47A,47Bは、本発明の第1および第2のソース・ドレイン領域に相当する。
【図面の簡単な説明】
【0148】
【図1】図1は、本発明にかかる実施形態1において、液晶表示装置100の構成を示す断面図である。
【図2】図2は、本発明にかかる実施形態1において、液晶パネル200を示す平面図である。
【図3】図3は、本発明の実施形態1において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられた画素Pの概略を模式的に示す断面図である。
【図4】図4は、本発明に係る実施形態1において、被検知体が液晶パネル200の表示領域PAに接触もしくは移動された位置を検出する際の様子を模式的に示す断面図である。
【図5】図5は、本発明にかかる実施形態1において、フォトセンサ素子32aの半導体層47のi層47iの厚さと、フォトセンサ素子32aにおいて受光データとして得られる光電流との関係を示す図である。
【図6】図6は、本発明にかかる実施形態1において、フォトセンサ素子32aの半導体層47のi層47iの厚さと、フォトセンサ素子32aにおいて受光データとして得られる光電流との関係を示す図である。
【図7】図7は、本発明の実施形態2において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられた画素Pの概略を模式的に示す断面図である。
【図8】図8は、本発明の実施形態3において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられた画素Pの概略を模式的に示す断面図である。
【図9】図9は、本発明の実施形態3において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられたフォトセンサ素子32aの上面図である。
【図10】図10は、本発明の実施形態3において、液晶パネル200における表示領域PAに設けられたフォトセンサ素子32aの光リーク電流特性を示す図である。
【図11】図11は、本発明にかかる実施形態において、画素スイッチング素子31の構成の変形形態を示す断面図である。
【図12】図12は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置100を適用した電子機器を示す図である。
【図13】図13は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置100を適用した電子機器を示す図である。
【図14】図14は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置100を適用した電子機器を示す図である。
【図15】図15は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置100を適用した電子機器を示す図である。
【図16】図16は、本発明にかかる実施形態の液晶表示装置100を適用した電子機器を示す図である。
【図17】図17は、液晶パネルの表示領域に設けられた画素の概略を模式的に示す断面図である。
【図18】図18は、半導体層の組成と、その半導体層の吸収係数とを示す図である。
【図19】図19は、半導体層の組成と、その半導体層の吸収係数とを示す図である。
【図20】図20は、半導体層の組成と、その半導体層の吸収係数とを示す図である。
【符号の説明】
【0149】
100:液晶表示装置(表示装置)、200:液晶パネル(表示パネル)、300:バックライト(照明部)、400:データ処理部、201:TFTアレイ基板(第1基板)、202:対向基板(第2基板)、203:液晶層(液晶層)、301a:可視光源、301b:赤外光源、11:表示用垂直駆動回路、12:表示用水平駆動回路、13:センサ用垂直駆動回路、14:センサ用水平駆動回路、31:画素スイッチング素子、32a:フォトセンサ素子(フォトセンサ素子)、33:駆動素子(駆動素子)、43:遮光層(遮光部)、45:ゲート電極、45k:ゲート電極、46g:ゲート絶縁膜、47:半導体層(半導体層)、47p:p層(p層)、47n:n層(i層)、47i:i層(n層)、48:半導体層、48k:半導体層、47ox:ゲート絶縁膜、47G:ゲート電極(ゲート電極)、47C:チャネル領域(チャネル領域)、47A,47B:第1および第2のソース・ドレイン領域(第1および第2のソース・ドレイン領域)、53k:ソース電極、54k:ドレイン電極(遮光部)、62:画素電極、PA:表示領域(表示領域)、CA:周辺領域、P:画素(画素)
【特許請求の範囲】
【請求項1】
画素が複数配置された表示領域において、一方の面の側から入射する光を受光して受光データを生成するフォトセンサ素子が複数配置されている表示パネルを含み、前記表示パネルの一方の面の側において前記表示領域に移動した被検知体の位置を、前記フォトセンサ素子によって生成された受光データに基づいて検知する表示装置であって、
前記フォトセンサ素子は、
前記表示パネルの一方の面の側から入射する光を受光し光電変換することによって前記受光データが生成される半導体層
を含み、当該半導体層が前記表示パネルの面の法線方向において電流が流れるように構成されている縦型構造である
表示装置。
【請求項2】
前記表示パネルの他方の面の側に照明光を出射する照明部
を含み、
前記照明部は、可視光線と不可視光線とを前記照明光として出射するように構成されており、
前記フォトセンサ素子は、前記表示パネルの一方の面の側において前記表示領域に移動した被検知体において前記照明光が反射された反射光を受光するように構成されている、
請求項1に記載の表示装置。
【請求項3】
前記表示パネルは、
第1基板と、
前記第1基板から間隔を隔てて対面している第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間にて挟持されており、液晶分子が配向されている液晶層と
を含む液晶パネルであって、前記第1基板が前記他方の面の側に位置し、前記第2基板が前記一方の面の側に位置しており、
前記フォトセンサ素子は、前記第1基板に設けられている、
請求項2に記載の表示装置。
【請求項4】
前記フォトセンサ素子は、フォトダイオードであって、当該フォトセンサ素子の半導体層がp層とi層とn層とを含み、前記p層と前記n層とが前記i層を挟んでいるPIN構造であり、
前記p層と前記i層と前記n層とのそれぞれは、前記表示パネルの法線方向に沿って並ぶように設けられている、
請求項3に記載の表示装置。
【請求項5】
前記フォトセンサ素子の半導体層は、微結晶シリコンであり、
前記i層は、前記表示パネルの法線方向において50nm以上の厚さになるように形成されている、
請求項4に記載の表示装置。
【請求項6】
前記フォトセンサ素子の半導体層は、アモルファスシリコンであり、
前記i層は、前記表示パネルの法線方向において50nm以上の厚さになるように形成されている、
請求項4に記載の表示装置。
【請求項7】
前記フォトセンサ素子の半導体層は、多結晶シリコンであり、
前記i層は、前記表示パネルの法線方向において30nm以上の厚さになるように形成されている、
請求項4に記載の表示装置。
【請求項8】
前記第1基板は、
前記他方の面の側から前記フォトセンサ素子の半導体層へ入射する光を遮光する遮光部
を有する、
請求項4に記載の表示装置。
【請求項9】
前記遮光部は、導電材料によって形成されており、前記p層と前記n層とのいずれか一方に接続された導電層である、
請求項8に記載の表示装置。
【請求項10】
前記第1基板は、
前記フォトセンサ素子を駆動する駆動素子
を含み、
前記遮光部は、前記駆動素子に接続された導電層である、
請求項9に記載の表示装置。
【請求項11】
前記フォトセンサ素子は、フォトトランジスタであって、当該フォトセンサ素子の半導体層は、チャネル領域と、前記チャネル領域を挟むように形成された第1および第2のソース・ドレイン領域とを含み、
前記チャネル領域と、前記第1および第2のソース・ドレイン領域とのそれぞれは、前記表示パネルの法線方向に沿って並ぶように設けられており、
ゲート電極が前記表示パネルの法線方向に延在するように設けられている、
請求項2に記載の表示装置。
【請求項12】
前記フォトセンサ素子のゲート電極は、光を遮光する遮光材料によって形成されている、
請求項11に記載の表示装置。
【請求項13】
前記フォトセンサ素子のゲート電極は、前記半導体層が前記表示パネルの法線方向に延在する面の周囲を囲うように形成されている、
請求項12に記載の表示装置。
【請求項1】
画素が複数配置された表示領域において、一方の面の側から入射する光を受光して受光データを生成するフォトセンサ素子が複数配置されている表示パネルを含み、前記表示パネルの一方の面の側において前記表示領域に移動した被検知体の位置を、前記フォトセンサ素子によって生成された受光データに基づいて検知する表示装置であって、
前記フォトセンサ素子は、
前記表示パネルの一方の面の側から入射する光を受光し光電変換することによって前記受光データが生成される半導体層
を含み、当該半導体層が前記表示パネルの面の法線方向において電流が流れるように構成されている縦型構造である
表示装置。
【請求項2】
前記表示パネルの他方の面の側に照明光を出射する照明部
を含み、
前記照明部は、可視光線と不可視光線とを前記照明光として出射するように構成されており、
前記フォトセンサ素子は、前記表示パネルの一方の面の側において前記表示領域に移動した被検知体において前記照明光が反射された反射光を受光するように構成されている、
請求項1に記載の表示装置。
【請求項3】
前記表示パネルは、
第1基板と、
前記第1基板から間隔を隔てて対面している第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間にて挟持されており、液晶分子が配向されている液晶層と
を含む液晶パネルであって、前記第1基板が前記他方の面の側に位置し、前記第2基板が前記一方の面の側に位置しており、
前記フォトセンサ素子は、前記第1基板に設けられている、
請求項2に記載の表示装置。
【請求項4】
前記フォトセンサ素子は、フォトダイオードであって、当該フォトセンサ素子の半導体層がp層とi層とn層とを含み、前記p層と前記n層とが前記i層を挟んでいるPIN構造であり、
前記p層と前記i層と前記n層とのそれぞれは、前記表示パネルの法線方向に沿って並ぶように設けられている、
請求項3に記載の表示装置。
【請求項5】
前記フォトセンサ素子の半導体層は、微結晶シリコンであり、
前記i層は、前記表示パネルの法線方向において50nm以上の厚さになるように形成されている、
請求項4に記載の表示装置。
【請求項6】
前記フォトセンサ素子の半導体層は、アモルファスシリコンであり、
前記i層は、前記表示パネルの法線方向において50nm以上の厚さになるように形成されている、
請求項4に記載の表示装置。
【請求項7】
前記フォトセンサ素子の半導体層は、多結晶シリコンであり、
前記i層は、前記表示パネルの法線方向において30nm以上の厚さになるように形成されている、
請求項4に記載の表示装置。
【請求項8】
前記第1基板は、
前記他方の面の側から前記フォトセンサ素子の半導体層へ入射する光を遮光する遮光部
を有する、
請求項4に記載の表示装置。
【請求項9】
前記遮光部は、導電材料によって形成されており、前記p層と前記n層とのいずれか一方に接続された導電層である、
請求項8に記載の表示装置。
【請求項10】
前記第1基板は、
前記フォトセンサ素子を駆動する駆動素子
を含み、
前記遮光部は、前記駆動素子に接続された導電層である、
請求項9に記載の表示装置。
【請求項11】
前記フォトセンサ素子は、フォトトランジスタであって、当該フォトセンサ素子の半導体層は、チャネル領域と、前記チャネル領域を挟むように形成された第1および第2のソース・ドレイン領域とを含み、
前記チャネル領域と、前記第1および第2のソース・ドレイン領域とのそれぞれは、前記表示パネルの法線方向に沿って並ぶように設けられており、
ゲート電極が前記表示パネルの法線方向に延在するように設けられている、
請求項2に記載の表示装置。
【請求項12】
前記フォトセンサ素子のゲート電極は、光を遮光する遮光材料によって形成されている、
請求項11に記載の表示装置。
【請求項13】
前記フォトセンサ素子のゲート電極は、前記半導体層が前記表示パネルの法線方向に延在する面の周囲を囲うように形成されている、
請求項12に記載の表示装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【公開番号】特開2009−151032(P2009−151032A)
【公開日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−327950(P2007−327950)
【出願日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【出願人】(000002185)ソニー株式会社 (34,172)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【国際特許分類】
【出願日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【出願人】(000002185)ソニー株式会社 (34,172)
【Fターム(参考)】
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