【課題】閾値シフト法等プレーナからフォーカルコニックへの状態変化の下閾値駆動を含み、アドレス光の光量の大小で下閾値駆動における階調を制御し得る光変調素子の駆動方法、及び駆動装置を提供する。
【解決手段】一対の電極５，６間に、コレステリック液晶を含み所定の波長の光を選択反射する表示層７ａ，７ｂと光導電体層１０とが挟持されてなる光アドレス型の光変調素子１に画像を記録すべく、表示層７ａにおける下閾値をアドレス光の露光時に超え非露光時に超えない電圧Ｖを一対の電極５，６間に印加しつつ適宜アドレス光を選択露光して、前記下閾値を超える部位または超えない部位の選択を行う書き込み工程を含み、前記アドレス光の選択露光が、実際に書き込む際の最小光量における光電流の飽和時定数よりも短いパルス幅の光パルス及び電圧パルスのいずれか一方もしくは双方を断続的に印加することで行われる光変調素子の駆動方法、及び駆動装置である。 （もっと読む）

【課題】隔壁上からの成膜によって分断され、微細化パターニングされた半導体層を備えながら、半導体層に影響されずに画素電極を形成できることで画質の向上が図られた表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴｒとこれに接続された透明画素電極２３とを基板３上に配列形成してなる表示装置において、薄膜トランジスタのソース／ドレイン１３ｓｄが形成された基板３上に、絶縁性の隔壁層１５が設けられ、隔壁層には薄膜トランジスタのチャネル部に対応する位置に第１開口１５ａが設けられると共に、透明画素電極の形成領域に対応する位置に第２開口１５ｂが設けられている。第１開口底部には薄膜トランジスタの活性層を構成するチャネル部半導体層１７ｃｈを設け、第２開口底部の半導体層１７は除去する。隔壁層および半導体層１７が形成された基板上を覆う絶縁膜２１上に、第２開口に重ねて透明画素電極２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】光書込型の表示媒体について簡易な構成で容易に従来の光書込型の表示媒体の構成を大きく変更することなく画像部露光による画像書込を可能とする。
【解決手段】コレステリック液晶層にかかる分圧が露光光の非露光時にコレステリック液晶層のフォーカルコニックからホメオトロピックへの状態変化の閾値を超える値となる電圧値であり、且つ第1の電荷発生層で発生した電荷が阻止層側へ流れる極性の電圧を一対の電極間に印加し、表示する画像に対応する領域に露光光を露光することによって該コレステリック液晶層へ画像を書き込んだ後に、一対の電極間への電圧印加を解除することにより露光光の露光された領域をホメオトロピックからフォーカルコニックに状態変化させると共に該露光光の非露光領域をホメオトロピックからプレーナーに状態変化させて画像を確定させる。 （もっと読む）

【課題】半導体層に影響されない画素電極のパターン形成により、画質の向上が図られた表示装置を提供する。
【解決手段】基板３上に設けられたソース電極１３ｓｄおよびドレイン電極１３ｓｄと、基板３上に設けられソース電極１３ｓｄまたはドレイン電極１３ｓｄに接する透過表示用電極（画素電極）１１と、ソース電極１３ｓｄおよびドレイン電極１３ｓｄに達する第１開口１５ａを有し、かつ、透過表示用電極１１の中央部に透過表示用電極１１に達する第２開口１５ｂを有して基板３上に設けられた絶縁性の隔壁層１５と、第１開口１５ａの底部に形成されたチャネル部半導体層１７ｃｈと、チャネル部半導体層１７ｃｈを含む第１開口１５ａを覆うように隔壁層１５上に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜の上から第１開口１５ａを覆い、かつ、透過表示用電極１１の上から第２開口１５ｂを覆う保護膜とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の上部と下部との導電体の間の導通をバンプにより十分に確保することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置を提供する。
【解決方法】バンプと、バンプにより貫通される絶縁層とを含む薄膜トランジスタにおいて、バンプがフッ素化合物を含み、絶縁層が塗布法で形成され、バンプのフッ素含有量が、０．０１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であり、バンプが凹版印刷法またはスクリーン印刷法で形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】導体膜の分子に対する十分な配向規制力を実現した電子素子を提供する。
【解決手段】電子素子は、基板１上に配された導体膜２と、導体膜２に電流を流すための電極３，４と、導体膜２と基板１との間に配され、導体膜２に含まれる分子を所定の方向に配向する配向層５とを備えている。配向層５は、複数本の溝Ｍが平行に形成された主面を有する基層６と、溝Ｍの形成された主面を被覆する被膜７とからなる。被膜７は、主面に対して導体膜２の分子を平行に配向する水平配向能を有し、各溝Ｍは所定の方向（図では紙面に垂直な方向）に沿って伸びており且つ所定の方向と直交する直交方向（図では紙面に平行で且つ水平な方向）に沿って与えられたピッチで繰り返し配列されており、導体膜２の分子は、溝Ｍの直交方向に配向する部位を有する。 （もっと読む）

【課題】塗布印刷法の適応のみによって形状精度良好に目的パターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に樹脂パターン９を印刷形成する。樹脂パターン９上からフッ素系材料を供給することにより、樹脂パターン９の開口９ａ底部をフッ素系材料で覆った撥水性パターン１１を形成する。樹脂パターン９を除去することにより、撥水性パターン１１に開口窓１１ａを形成する。撥水性パターン１１の開口窓１１ａ内に半導体材料（パターン形成材料）を供給することにより、目的パターンとして半導体層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】特別な構造体を必要とせずに画素電極からなる凹凸反射面が設けられた反射型の表示装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板３上に設けられた薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒを覆う状態で基板３上に設けられた凹凸表面を有する下地絶縁膜１７と、下地絶縁膜１７の凹凸表面を覆う反射膜からなり下地絶縁膜１７に形成された接続孔１７ａを介して薄膜トランジスタＴｒに接続された画素電極１９とを備えた反射型の表示装置１-1において、基板３と下地絶縁膜１７との間には、下地絶縁膜１７の凹凸表面に対応してパターニングされた絶縁性の隔壁層１３が設けられている。隔壁層１３には、薄膜トランジスタＴｒのチャネル部に対応する位置に第１開口１３ａが設けられると共に、接続孔１７ａに対応する位置に第２開口１３ｂが設けられ、第１開口１３ａ底部には、薄膜トランジスタＴｒの活性層を構成するチャネル部半導体層１５ｃｈが設けられている。 （もっと読む）

【課題】蓄積された残留電荷により電圧印加終了時に生じる光変調層の状態への影響を抑制する、光書き込み型表示素子の駆動装置および駆動方法、並びに光書き込み型表示装置の提供。
【解決手段】電極層５，６間に光導電層１０、光変調層７が積層挟持されてなる表示素子１の電極層５，６と共に電圧印加回路を形成する電圧印加手段１７と、表示素子１に書き込み光を照射する光照射手段１８と、電圧印加終了時に、前記電圧印加回路における表示素子１と電圧印加手段１７との間の電流について、電極層５，６間の電位差を小さくする方向の電流に対する抵抗が、電圧印加時に比べて大きくなるように制御する抵抗制御手段１２と、を含み、電圧印加終了時に生じている前記電圧印加回路における過渡電位を略相殺する補正電位に降下させた後に抵抗制御手段１２による動作が為される光書き込み型表示素子の駆動装置および駆動方法、並びに光書き込み型表示装置。 （もっと読む）

【課題】塗工や印刷等の簡便なプロセスで製造できる、チオフェンとフェニレンからなる溶解性に優れた低分子有機半導体材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする有機半導体材料。


（一般式（Ｉ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基又は置換もしくは無置換のアルキルチオ基又は水素を表わし、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６の少なくとも一つは、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基又は置換もしくは無置換のアルキルチオ基であり、ｎは１〜８の整数を表わす。） （もっと読む）

シクロアルキル基のトランス立体配置では赤道配向を成し、シクロアルキル基のシス立体配置では軸配向を成す、少なくとも１つのフッ素化置換基を４位置に有する少なくとも１つのシクロアルキル基を有するＮ，Ｎ’−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドを含む有機半導体の層を含んで成る薄膜トランジスタ。このトランジスタは、誘電体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有する電界効果トランジスタとなることができる。ゲート電極と有機半導体材料の薄膜との両方が絶縁層と接触し、そしてソース電極とドレイン電極との両方が有機半導体材料の薄膜と接触している。
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【課題】薄膜トランジスタアレイにおいて、ゲート絶縁膜におけるピンホールなどの欠陥を減少させ、高い信頼性を有する薄膜トランジスタアレイを提供し、且つゲート絶縁膜を簡便な方法で形成する方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１１，１２を２層以上の構造とし、且つそのうちの１層以上に樹脂フィルムを用い、該樹脂フィルムをラミネート法で形成することで、高い絶縁特性をもったゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタアレイを容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】印刷型ＴＦＴの特性ムラを解消可能な薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】トランジスタ加工において、複数の薄膜トランジスタを構成する半導体層は、ソース線群又はゲート線群（以下、特定配線群）を構成する各特定配線に接続された全ての薄膜トランジスタの半導体層を１つの印刷単位として印刷により形成され、かつ、特定配線群を構成する複数の特定配線に対応しかつ各々の対応する特定配線に接続された全ての薄膜トランジスタのボディ端子にそれぞれ接続されるように複数の閾値補正線を前記基板の上に形成する閾値補正線を含む。 （もっと読む）

本開示は、基板上に導電性特徴をスクリーン印刷する方法であって、導電性特徴は、金属異方性ナノ構造と、そのための塗膜溶液とを含む。本発明によると、導電性特徴が基板上に形成され、導電性特徴が金属異方性ナノ構造を含み、導電性特徴が、基板上に金属異方性ナノ構造を含有する塗膜溶液をスクリーン印刷することによって形成される。本発明による導電性特徴をスクリーン印刷するための塗膜溶液は、好ましくは、増粘剤と、金属異方性ナノ構造とを含む。さらに、塗膜溶液は、溶剤と基剤とを含み得る。
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【課題】電気光学装置の特性を向上させ、また、その生産性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る電気光学装置は、フレキシブル基板(S1)上に形成され、複数の画素および配線(SL,GL)を有する表示部と、駆動回路が形成された回路基板(S2)と、前記表示部と回路基板とを接続する接続部(1b)と、を有し、前記接続部は、前記フレキシブル基板の一部として構成されている。かかる構成によれば、フレキシブル基板の一部として構成され、フレキシブル基板と一体となった上記接続部により、フレキシブル基板と回路基板とを接続することができ、ＦＰＣなどのケーブルを不要とすることができる。また、フレキシブル基板とＦＰＣの熱圧着工程が不要となり、熱による装置の特性劣化を防止することができる。また、その生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、少ない紫外線照射量で、微細な導電体層のパターンを簡便に形成することが可能な積層構造体及び該積層構造体の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該積層構造体を有する電子素子、該電子素子を複数有する電子素子アレイ、該電子素子アレイを有する画像表示媒体及び該画像表示媒体を有する画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】積層構造体１０は、基板１１上に、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層１２と、濡れ性変化層のエネルギーが付与された高表面エネルギー部１２ａに形成されている導電体層１３を有し、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料は、側鎖を有する構成単位と、側鎖を有さない構成単位からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（Ｓ１）上に形成された有機半導体膜（１５）と、前記有機半導体膜上にゲート絶縁膜（１７）を介して形成されたゲート電極（１９）と、前記ゲート電極の両側に位置する有機半導体膜と電気的に接続され、前記基材と前記有機半導体膜との間に形成された第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）と、を有し、前記第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）の少なくとも一部が前記基材（Ｓ１）中に埋め込まれている。かかる構成によれば、第１および第２電極が基材中に埋め込まれているため、その段差が軽減され、トランジスタ特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の半導体特性を有する有機半導体材料を含有する有機半導体層を備える薄膜トランジスタにおいて、オフ電流が大きくなるのを抑制して、トランジスタ特性に優れる薄膜トランジスタ、かかるトランジスタを備えた信頼性に優れる電気光学装置および電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層と、第１の絶縁層と、ゲート電極と、第２の絶縁層とを有し、有機半導体層がｐ型の半導体特性を有する有機半導体材料を含有し、かつ、第２の絶縁層が下記一般式（１）で表される化合物を含有し、これにより、有機半導体層に対して第２の絶縁層から電子が付与されるよう構成されている。
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【課題】基板本体上に形成される部材の接着性が高く、信頼性の高いスイッチング素子を備える制御基板、およびこの制御基板を低コストで製造する制御基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】基板本体２５の一表面上に、下地層２６を設け、この下地層２６の厚み方向Ｚの一表面上に、第１および第２ゲート電極３４，４１を塗布法によって形成する。下地層２６は、第１および第２ゲート電極３４，４１などの電極との接着性が、基板本体２５の一表面上に塗布法で電極を形成した場合の電極と基板本体との接着性よりも高い部材によって形成される。 （もっと読む）