【課題】層間密着の良好な光導電スイッチング素子を提供すること。
【解決手段】電極層１２より上に積層される下部電荷発生層１４、電荷輸送層１６、上部電荷発生１８、の少なくとも一層を、その層の直下に位置する層を膨潤または溶解する溶媒を含有する溶媒を用いて塗設するに当たり、電荷輸送層１６が例えばベンジジン系化合物を主成分とする電荷輸送材と、ポリカーボネート樹脂を主成分とする結着剤を含み、且つ、塗設時の溶媒が例えばトルエンを主溶媒とし、下部電荷発生層１４を膨潤または溶解する溶媒として例えば塩化メチレンを含有する溶媒を用いて、光導電スイッチング素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタの特性を改善する。
【解決手段】本発明は、ゲート電極を形成する段階、ゲート電極と離隔しているソース電極及び、ソース電極と対向するドレイン電極を形成する段階、ソース電極及びドレイン電極と接触する島状有機半導体層を形成する段階、島状有機半導体層の上に溶媒を噴射する段階、及び溶媒を乾燥する段階を含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】
半導体が所望のパターンよりも大きく形成されている場合や、薄膜トランジスタのほぼ全体に半導体が設けられた構成であっても、クロストークのない良好な表示を得るための薄膜トランジスタアレイ、画像表示装置、および駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
絶縁基板上にゲート電極とキャパシタ電極とを有し、ゲート絶縁膜を介して、ソース電極とドレイン電極と前記ドレイン電極に接続された画素電極が配置され、且つ半導体層が少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されている薄膜トランジスタアレイであって、平面視的配置において、少なくとも前記半導体層が配置された領域において、前記キャパシタ電極が前記画素電極よりも大きく、且つ前記画素電極が前記キャパシタ電極に包含されていることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。 （もっと読む）

【課題】半導体層を直接パターン加工する際に発生するパターンずれやノズルの目詰まりを防止し、高精細で高性能な有機薄膜トランジスタ、及びそれを用いた表示装置を低コストで提供する。
【解決手段】各画素に輝度情報を与える信号線と、輝度情報を与える画素を所定のサイクルで選択する走査線とがマトリクス状に配置され、各画素への輝度情報の取り込みは、各画素に接続された走査線が選択された際に、信号線の信号電圧を各前記画素中の薄膜トランジスタを介して取り込むことで行い、各画素に取り込まれた輝度情報は、各画素に接続された走査線が非選択になった後も容量によって保持されるｎ行×ｍ列の画素を有する表示装置において、各行の各画素には、各画素間で共通の少なくとも１本の半導体層を有し、その半導体層は前記信号線と平行に形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置用アレイ基板に係り、より詳しくは、有機半導体物質を半導体層とする液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、基板上に金属物質で構成されて、相互に離隔して形成された第１ソース電極及び第１ドレイン電極と；透明導電性物質で構成されて、前記第１ソース電極及び前記第１ドレイン電極の上部面を覆う第２ソース電極及び第２ドレイン電極と；前記第２ドレイン電極と接触する画素電極と；前記基板上に形成された有機半導体層と；前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と；前記基板上に形成されたゲート電極とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】使用するアクティブマトリクス方式の表示器に使用される有機半導体装置においてゲート駆動信号を伝搬するゲート線（ゲート信号線）の抵抗値を下げることを可能とした半導体装置、電気光学置及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板上(101)に形成された有機半導体トランジスタと、有機半導体トランジスタのソース又はドレイン電極(105)と接続されるデータ線(107)と、データ線と交差するように配置されて有機半導体トランジスタのゲート電極(110)に接続されるゲート線と、を備え、ゲート線は、ゲート電極(110a)、ゲート電極に信号を伝搬する第１のゲート線(102)、及びデータ線と層間絶縁層(109)を介して交差する第２のゲート線(110b)を含み、上記ゲート電極、上記第１及び第２のゲート線は互いに直列に接続され、第１のゲート線(102)の導電率がゲート電極(110a)及び第２のゲート線(110b)の導電率よりも高い、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の細線状構造物を特定の配向方向で会合させる方法、および、その利用方法を提供する。
【解決手段】複数のＳｉナノワイヤ４が会合してなるＳｉナノワイヤ集合体４０の製造方法であって、基板１上に、Ｓｉナノワイヤ４を分散させた分散液パターン３０を形成するパターン形成工程と、分散液３を乾燥させることにより、分散液パターン３０上の一部に、複数のＳｉナノワイヤ４を析出させる乾燥工程とを有し、乾燥工程では、Ｓｉナノワイヤ４を、所定の方向に配向させながら会合させる。 （もっと読む）

【課題】従来の方法による有機電子素子製造時に問題とされる、ソース／ドレイン電極材料が特定金属や金属酸化物に制限される限界性を克服して、データライン材料と相異なるソース／ドレイン電極材料を使用できる有機電子素子の電極形成方法、これによって形成された電極を含む有機薄膜トランジスタ及びこれを含む表示素子を提供する。
【解決手段】有機電子素子の電極形成時に、パターニング及び精密度面で良好でありながらも、ソース／ドレイン電極材料が金（Ａｕ）やインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）など特定金属や金属酸化物に制限される限界性を克服し、一般金属や金属酸化物だけでなく、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物などを含む伝導性物質の使用を可能にする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、量産に適し、低コストで製造可能な薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびにこれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に有機半導体層１４、ゲート絶縁膜１５、ゲート電極１６をこの順に積層してなる薄膜トランジスタ１０の製造方法において、印刷法により、ゲート絶縁膜１５上にゲート電極材料をパターン塗布する工程と、熱処理を行うことで、パターン塗布されたゲート電極材料を乾燥固化してなるゲート電極１６を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびにこの薄膜トランジスタを用いた表示装置である。 （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層の絶縁破壊が起こりにくい半導体装置、当該半導体装置を用いた電気光学装置、電子機器及び当該半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】有機ＴＦＴ１は、基板１０上に離間して配置された櫛歯状のソース電極２１及びドレイン電極２２と、これらの上に順に積層された半導体層、ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上であって、基板１０の法線方向から見てソース電極２１及びドレイン電極２２のそれぞれの一部に重なる領域に配置されたゲート電極５０とを備える。ソース電極２１及びドレイン電極２２は、櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ、及び櫛歯２１ｐ，２２ｐの根元部の角部２０ｂの形状が略円弧状をなしており、電界集中を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】外光の存在下であってもそれに影響されること無く、形成される表示画像において良好なコントラストを得ることができる光アドレス型表示媒体の書き込み方法およびそれに用いるに適した部材、並びに書き込み装置を提供すること。
【解決手段】光アドレス型表示媒体１に光源１８からアドレス光を照射することにより、画像を書き込む光アドレス型表示媒体の書き込み方法であって、前記アドレス光の進行方向に対して、その短辺の傾斜が略平行になるように配された細長の板状体が複数配列してなるルーバー状の外光遮断部材２を、光アドレス型表示媒体１の書き込み側の面に配した状態で、光源１８からアドレス光を照射することを特徴とする光アドレス型表示媒体の書き込み方法である。 （もっと読む）

【課題】製造工程数を減らして製造費用を節減した有機ＴＦＴアレイ基板及びその製造方法を得る。
【解決手段】本発明の有機ＴＦＴアレイ基板は、基板１５１上に形成されたデータライン及びデータラインに交差するゲートライン１５２と；データラインに接続されたソース電極１６０と；ソース電極１６０から一定間隔に離隔されたドレイン電極１６２と；ソース電極１６０とドレイン電極１６２とが離隔された領域にチャネルを形成するための有機半導体層１６４と；有機半導体層１６４上に形成されるゲート電極１５８と；有機半導体層１６４とゲート電極１５８との間に形成される有機ゲート絶縁膜１７４と；ゲート電極１５８を形成するためにゲート電極上１５８に形成されたゲートフォトレジストパターン１７５と；ドレイン電極１６２に接続された画素電極１７６とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体回路とカラーフィルターの位置合わせが容易な構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的に透明な基材３としてコーニング社製無アルカリガラス１７３７(厚さ０.５mm)を用い、その一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層４を形成し、その上に透明樹脂からなるオーバーコートを付与してから、カラーフィルター層の上に保護フィルムを貼った。基材３が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンに位置合わせして設けた。 （もっと読む）

【課題】 半導体回路とカラーフィルターの位置合わせが容易な構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実質的に透明な板状の基材３としてコーニング社製無アルカリガラス１７３７(厚さ０.５mm)を用い、その厚さ方向の一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層４を形成し、そのうえに透明樹脂からなる保護層を形成した。前記カラーフィルターが基材３の反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンと位置合わせを行って設けた。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルターと半導体回路を形成した基板の位置合わせを容易にする表示装置のおよび製造方法を提供する。
【解決手段】反射型ディスプレイ表示要素と、カラーフィルター層を形成した第一の基材との間に、透明な半導体回路を形成した第二の基材を配置する。
透明な半導体回路を用いることで視認性を失わず、カラーフィルターと反射型ディスプレイ表示要素の間に半導体回路を配置することができ、カラーフィルターと半導体回路の位置合わせが容易となる。 （もっと読む）

【課題】保持容量の単位面積当たりの容量値を高めるための構成を利用して、ゲート絶縁
層の下層側に形成された下層側導電層への電気的な接続を効率よく行うことのできる電気
光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供す
ること。
【解決手段】液晶装置の素子基板１０を構成するにあたって、ゲート絶縁層４の厚い下層
側ゲート絶縁層４ａを形成した後、ドライエッチングにより下電極３ｃと重なる部分およ
び下層側導電層層接続用コンタクトホール８９の形成領域の下層側ゲート絶縁層４ａを除
去する。次に、薄い上層側ゲート絶縁層４ｂを形成し、この上層側ゲート絶縁層４ｂを保
持容量１ｈの誘電体層４ｃとして用いる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層をシャドーマスクなしに製造すると同時に、有機半導体層が化学薬品からの損傷を防ぐ液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置用アレイ基板は、ゲート電極を露出させるゲートコンタクトホール２４３を有し、感光性有機絶縁物質で構成される第１保護層と、第１保護層の上部に形成され、ゲートコンタクトホール２４３を通じてゲート電極と接触してデータ配線と交差して画素領域を定義し、第２金属で構成されるゲート配線２５０とを含み、有機半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極２３５は、同一形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタ及びこの製造方法、並びにこれを利用した表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタは、ベース基板上に形成された酸化膜と、前記酸化膜上に配置され、第１ソース電極部及び第２ソース電極部を有するソース電極と、前記酸化膜上に配置され、第１ドレイン電極部及び前記第２ソース電極部と隣接するように配置された第２ドレイン電極部を有するドレイン電極と、前記第２ソース電極部及び前記第２ドレイン電極部を露出させる開口部を有する有機膜パターンと、導体または不導体の特性を有し、前記開口部を介して前記第２ソース電極部及び前記第２ドレイン電極部を電気的に接続する有機半導体パターンと、前記有機半導体パターンを覆うゲート絶縁膜と、前記有機半導体パターンと対応する前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】交流駆動における表示特性や駆動能力、さらには繰り返し安定性を向上させることが可能な光スイッチング素子を用いた光書き込み型表示媒体を提供することである。
【解決手段】一対の基板の間に、少なくとも表示層と光スイッチング層とを含む光書き込み型表示媒体であって、前記光スイッチング層が、電荷発生層及び両極性電荷輸送層を積層してなる光書き込み型表示媒体である。 （もっと読む）

【課題】ＣＧＬ塗布溶剤の制約を解消し、デュアルＣＧＬ構造を容易に作製することを可能とし、且つデュアルＣＧＬ構造における電気応答特性の非対称性を抑制し、表示特性や駆動能力を向上させることが可能な光スイッチング素子及びそれを用いた光書き込み型表示媒体を提供することである。
【解決手段】一対の電荷発生層と、該一対の電荷発生層に挟持された電荷輸送層と、を含んで構成される光スイッチング層を有する光スイッチング素子であって、該電荷輸送層が、特定構造の電荷輸送性高分子を含んでなる光スイッチング素子である。 （もっと読む）