半導体装置、電気光学装置、電子機器及び半導体装置の製造方法
【課題】ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層の絶縁破壊が起こりにくい半導体装置、当該半導体装置を用いた電気光学装置、電子機器及び当該半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】有機ＴＦＴ１は、基板１０上に離間して配置された櫛歯状のソース電極２１及びドレイン電極２２と、これらの上に順に積層された半導体層、ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上であって、基板１０の法線方向から見てソース電極２１及びドレイン電極２２のそれぞれの一部に重なる領域に配置されたゲート電極５０とを備える。ソース電極２１及びドレイン電極２２は、櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ、及び櫛歯２１ｐ，２２ｐの根元部の角部２０ｂの形状が略円弧状をなしており、電界集中を緩和することができる。
【解決手段】有機ＴＦＴ１は、基板１０上に離間して配置された櫛歯状のソース電極２１及びドレイン電極２２と、これらの上に順に積層された半導体層、ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上であって、基板１０の法線方向から見てソース電極２１及びドレイン電極２２のそれぞれの一部に重なる領域に配置されたゲート電極５０とを備える。ソース電極２１及びドレイン電極２２は、櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ、及び櫛歯２１ｐ，２２ｐの根元部の角部２０ｂの形状が略円弧状をなしており、電界集中を緩和することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、電気光学装置、電子機器及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体層に有機物質を用いた有機薄膜トランジスタ（以下「有機ＴＦＴ」と呼ぶ）等の有機半導体装置が注目されている。有機ＴＦＴは、半導体層を、高温・高真空を必要としない液相プロセスにより形成することができ、また、薄型軽量化に適すること、可撓性を有すること、材料コストが安価であること等の長所を有しており、フレキシブルディスプレイ等のスイッチング素子として期待されている。
【０００３】
こうした有機ＴＦＴにおいては、ゲート絶縁層に、無機ＴＦＴの場合と同じようにＳｉＯ2を用いれば良いわけではないことが明らかになっており（非特許文献１参照）、ゲート絶縁層としてはポリマー材料が適していることが知られている（非特許文献２参照）。
【０００４】
【非特許文献１】A.Salleo et.al.，APL，81(2002)，4383
【非特許文献２】T.Kawase et.al.，JJAP，44(2005)，3649
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、一般に有機材料あるいはポリマー材料はＳｉＯ2と比較して絶縁破壊電圧が低いという欠点を有する。このため、有機ＴＦＴのＦＥＴ特性を向上させるためにゲート絶縁層の厚さを小さくすることが困難であるという問題点があった。さらに、ソース電極やドレイン電極が鋭い角部を持つようにパターニングされている場合には、その角部において電界集中が発生するため、その部分からポリマー材料自身の絶縁破壊電圧よりも低い電圧で絶縁破壊が起こり、有機ＴＦＴが破壊されてしまうという問題点があった。
【０００６】
本発明の奏する効果の一つにより、ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層等の絶縁破壊の生起を抑制することが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体装置は、基板上に離間して配置されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極上に配置された半導体層と、前記半導体層上に配置されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層によって前記ソース電極及び前記ドレイン電極から絶縁され、前記基板の法線方向から見て前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域に配置されたゲート電極とを備え、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の、前記基板の法線方向から見て前記ゲート電極と重なった領域における角部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなしていることを特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、ソース電極及びドレイン電極のうち電界がかかる部分においては、電界が集中しやすい直角又は鋭角等の鋭い角部がないため、ソース電極又はドレイン電極の一部に電界が集中する事象が起きにくい。これにより、ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層の絶縁破壊が起こりにくい半導体装置が得られる。
【０００９】
上記半導体装置においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の角部の、前記基板に垂直な平面における断面形状が、略円弧状の部分を含むことが好ましい。このような構成によれば、ソース電極及びドレイン電極のうち電界がかかる部分において、角部の断面についても略円弧状の部分を含む滑らかな形状とすることにより、電界集中をより起こりにくくすることができる。
【００１０】
上記半導体装置においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は櫛歯状をなす部分を有しており、かつその歯が互いに噛み合うように配置されていることが好ましい。このような構成によれば、ソース電極及びドレイン電極と、ゲート電極との間のアライメントが容易になる。
【００１１】
上記半導体装置においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の櫛歯状をなす部分の端部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなしていることが好ましい。このような、ソース電極及びドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の端部全体の形状を略円弧状とする構成によれば、当該端部の角部のみを略円弧状とする場合に比べて、端部の形状がより半径の大きな円弧を含むこととなるので、電界集中をより起こりにくくすることができる。さらに、当該端部の、前記基板に垂直な平面における断面形状についても、略円弧状の部分を含むような構成とすることが好ましい。
【００１２】
上記半導体装置においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の櫛歯状をなす部分の根元部の角部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなしていることが好ましい。このような構成によれば、ソース電極及びドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の根元部の角部についても、電界が集中しやすい直角又は鋭角等の鋭い角部がなくなることとなるため、ソース電極又はドレイン電極の一部に電界が集中する事象がより起きにくくなる。よって、ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層の絶縁破壊が起こりにくい半導体装置が得られる。さらに、当該根元部の角部の、前記基板に垂直な平面における断面形状についても、略円弧状の部分を含むような構成とすることが好ましい。
【００１３】
上記半導体装置においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の櫛歯状をなす部分の、前記基板の法線方向から見た形状の略全体が曲線によって形作られていることが好ましい。このような構成によれば、ソース電極及びドレイン電極において、電界が集中しやすい角部が存在しないこととなるため、電界集中をより起こりにくくすることができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置は、上記半導体装置を備えることを特徴とする。このような構成の電気光学装置は、絶縁破壊による破損の起こりにくい半導体装置を備えているので、高い信頼性が得られる。
【００１５】
本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えることを特徴とする。このような構成によれば、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００１６】
本発明の半導体装置の製造方法は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を備えた半導体装置の製造方法であって、基板上の、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成すべき領域に、液滴吐出装置を用いて、導電性材料を含む機能液の複数の液滴を吐出して前記機能液を配置する工程Ａと、前記機能液を乾燥させて、前記導電性材料を含んだ前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上の、前記基板の法線方向から見て前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域にゲート電極を形成する工程とを有し、前記工程Ａは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成すべき領域のうち、前記基板の法線方向から見て前記ゲート電極と重なる領域における角部となる位置に、吐出後の形状が略円形となるように前記液滴を吐出する工程を含むことを特徴とする。
【００１７】
このような製造方法によれば、ソース電極及びドレイン電極は、工程Ａにおいて配置された機能液を乾燥して得られるので、その形状は、工程Ａにおいて機能液が配置された領域の形状となる。そうすると、ソース電極及びドレイン電極の角部の形状は、工程Ａにおいて当該角部に吐出された略円形の液滴の形状の一部がそのまま反映されるので、略円弧状となる。また、基板上に配置された機能液の表面は、その後乾燥過程においても表面張力によりその表面積を最小にするように曲面形状を維持するので、当該機能液を乾燥させて形成されたソース電極及びドレイン電極は、角部の断面についても略円弧状の部分を含むような滑らかな形状となる。このようなソース電極及びドレイン電極は、電界がかかる部分において、電界が集中しやすい直角又は鋭角等の鋭い角部がないため、ソース電極又はドレイン電極の一部に電界が集中する事象が起きにくい。よって、ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層の絶縁破壊が起こりにくい半導体装置が得られる。
【００１８】
上記製造方法においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を、櫛歯状をなすような形状に、かつその歯が互いに噛み合うように形成してもよい。また、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の端部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなすように形成してもよい。また、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の根元部の角部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなすように形成してもよい。さらに、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の、前記基板の法線方向から見た形状の略全体が曲線によって形作られるような形状に形成してもよい。
【００１９】
本発明の半導体装置の製造方法は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を備えた半導体装置の製造方法であって、基板上の、前記ソース電極が形成されるべき領域と前記ドレイン電極が形成されるべき領域に挟まれた領域にバンクを形成する工程Ｂと、少なくとも前記バンクと接する領域に、導電性材料を含む機能液を配置する工程と、前記機能液を乾燥させて、前記導電性材料を含んだ前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上の、前記基板の法線方向から見て前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域にゲート電極を形成する工程とを有し、前記工程Ｂにおける前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成されるべき領域は、前記基板の法線方向から見て前記ゲート電極と重なる領域における角部の形状が略円弧状となっていることを特徴とする。
【００２０】
上記工程Ｂにおいて形成されたバンクにより、上記機能液は、バンクの形成されていない領域に配置されることとなる。従って、これを乾燥して得られるソース電極及びドレイン電極も同様にバンクの形成されていない領域に形成される。ここで、バンクは、ソース電極及びドレイン電極の角部の形状が略円弧状となるような領域に形成されるので、その結果、ソース電極及びドレイン電極は、略円弧状の角部を有する状態に形成される。また、上記機能液の表面は、配置後及び乾燥過程において表面張力によりその表面積を最小にするように曲面形状を維持するので、当該機能液を乾燥させて形成されたソース電極及びドレイン電極は、角部の断面についても略円弧状の部分を含むような滑らかな形状となる。このようなソース電極及びドレイン電極は、電界がかかる部分において、電界が集中しやすい直角又は鋭角等の鋭い角部がないため、ソース電極又はドレイン電極の一部に電界が集中する事象が起きにくい。よって、ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層の絶縁破壊が起こりにくい半導体装置が得られる。
【００２１】
上記製造方法においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を、櫛歯状をなすような形状に、かつその歯が互いに噛み合うように形成してもよい。また、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の端部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなすように形成してもよい。また、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の根元部の角部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなすように形成してもよい。さらに、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の、前記基板の法線方向から見た形状の略全体が曲線によって形作られるような形状に形成してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００２３】
＜第１の実施形態＞
（Ａ．半導体装置）
図１は、本発明の半導体装置としての有機ＴＦＴ１の平面図である。また、図１中のＡ−Ａ線における断面図を図３（ｅ）に示す。有機ＴＦＴ１は、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、ガラス基板１０上に互いに離間して配置されたソース電極２１及びドレイン電極２２と、ソース電極２１及びドレイン電極２２に接触してこれらを覆うように配置された有機半導体層３０と、有機半導体層３０上に順に積層されたゲート絶縁層４０及びゲート電極５０とを有する。ここで、ガラス基板１０は、本発明における「基板」に対応し、有機半導体層３０は、本発明における「半導体層」に対応する。なお、図１においては、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形状及びこれらとゲート電極５０との位置関係を説明する便宜上、有機半導体層３０及びゲート絶縁層４０の表示は省略されており、またゲート電極５０の紙面奥側に位置するソース電極２１及びドレイン電極２２についても実線で表示されている。
【００２４】
以下、各部の構成について詳述する。ソース電極２１及びドレイン電極２２の構成材料としては、公知の電極材料であれば、種類は特に限定されるものではない。具体的には、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｏ又はこれらを含む合金のような金属材料、及びそれらの酸化物、あるいは導電性有機材料等を用いることができる。導電性有機材料の代表的な例としては、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）の水分散液中にＰＳＳ（ポリスチレンスルフォン酸）をドープしたもの（以下「ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ」と呼ぶ）を塗布した後にこれを乾燥したものを用いることができる。本実施形態では、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを用いている。ソース電極２１及びドレイン電極２２の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、１０〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００２５】
ソース電極２１及びドレイン電極２２は、図１に示すようにそれぞれ櫛歯状をなす部分を有しており、かつその歯が互いに噛み合うように配置されている。より詳細には、ソース電極２１は、ドレイン電極２２に向けて突出する略矩形状の櫛歯２１ｐを３本有しており、同様にドレイン電極２２は、ソース電極２１に向けて突出する略矩形状の櫛歯２２ｐを３本有している。そして、櫛歯２１ｐ，２２ｐは、互い違いに入り込むように、かつ互いに接触しないように配置されている。このように構成することによって、ソース電極２１及びドレイン電極２２と、ゲート電極５０との間のアライメントが容易になる。
【００２６】
また、上記櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の２箇所の角部２０ａは、略円弧状をなしている。つまり、櫛歯２１ｐ，２２ｐは直線のみからなる完全な矩形ではなく、その端部の角部２０ａが丸みを帯びている。また、櫛歯２１ｐ，２２ｐの根元部の角部２０ｂも略円弧状をなしている。すなわち、櫛歯２１ｐ，２２ｐの根元部は、矩形波のように直角に立ち上がっているのではなく、その角部２０ｂが曲線状をなすように滑らかに立ち上がっている。ここで、本稿において「角部」とは、ソース電極２１及びドレイン電極２２の外形を規定する境界線のうち直線からなるものの方向が変化する部分を指し、換言すれば、方向の異なる２つの直線状の境界線が接続される部分を指す。
【００２７】
さらに、図３（ｅ）に示すように、ソース電極２１及びドレイン電極２２の断面形状は、外周部２０ｄが略円弧状の部分を含むような滑らかな曲線から構成されており、鋭い角部をもたない。従って、上記した櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ、及び根元部の角部２０ｂにおいても、その断面形状は略円弧状の部分を含む滑らかな曲線から構成されている。
【００２８】
ソース電極２１及びドレイン電極２２に接触してこれらを覆うように配置された有機半導体層３０は、有機半導体材料（半導体的な電気伝導を示す有機材料）を主材料として構成されている。このような有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン又はこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体（Ｆ８Ｔ２）又はこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料を主材料として用いるのが好ましい。高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層３０は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタへの適用に適している。
【００２９】
また、有機半導体層３０は、低温で成膜可能であるという点で好ましい。これにより、低コストで作製することが可能になり、さらに安価なフレキシブル基板であるプラスチック基板を用いることが可能になるという効果が得られる。
【００３０】
有機半導体層３０の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００３１】
なお、有機半導体層３０は、ソース電極２１及びドレイン電極２２を覆うように設けられるものでなくてもよく、少なくともソース電極２１とドレイン電極２２との間の領域（チャネル領域）に設けられていればよい。また、本発明における半導体層としては、有機半導体層３０に代えて無機半導体層で構成することもできる。
【００３２】
有機半導体層３０上には、ゲート絶縁層４０が設けられている。ゲート絶縁層４０は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、エステル系樹脂等を含む絶縁性ポリマーで構成されている。絶縁性ポリマーとしては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート等が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３３】
ゲート絶縁層４０の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層４０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極２１及びドレイン電極２２とゲート電極５０とを確実に絶縁しつつ、有機ＴＦＴ１の動作電圧を低くすることができる。
【００３４】
ゲート絶縁層４０上の所定の位置、すなわち、ガラス基板１０の法線方向から見てソース電極２１及びドレイン電極２２のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域であって、ソース電極２１とドレイン電極２２との間の領域を含む領域には、ゲート電極５０が形成されている。このゲート電極５０の構成材料としては、前記ソース電極２１及びドレイン電極２２で挙げた導電性材料と同様のものを用いることができる。ゲート電極５０の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００３５】
以上のような構成の有機ＴＦＴ１では、ソース電極２１及びドレイン電極２２の間に電圧を印加した状態で、ゲート電極５０にゲート電圧を印加すると、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０との界面付近にチャネルが形成され、チャネル領域をキャリア（正孔）が移動することで、ソース電極２１及びドレイン電極２２の間に電流が流れる。
【００３６】
すなわち、ゲート電極５０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極２１とドレイン電極２２との間に電圧を印加しても、有機半導体層３０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極５０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル（キャリアの流路）が形成される。この状態でソース電極２１及びドレイン電極２２の間に電圧を印加すると、チャネル領域を通って電流が流れる。
【００３７】
このとき、上記したように、ソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ、及び根元部の角部２０ｂの形状が略円弧状をなしていることによって、次のような効果が得られる。すなわち、ソース電極２１及びドレイン電極２２のうち電界がかかる部分において、電界が集中しやすい直角又は鋭角等の鋭い角部がないため、ソース電極２１又はドレイン電極２２の一部に電界が集中する事象が起きにくい。よって、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａ，２０ｂにおける電界集中に起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊が起こりにくい。また、上記角部２０ａ，２０ｂの断面形状も略円弧状の部分を含むような滑らかな曲線から構成されているため、同様に電界集中を緩和することができ、ゲート絶縁層４０の絶縁破壊がより起こりにくくなっている。これにより、ゲート絶縁層４０の厚さをより小さくすることが可能となり、トランジスタ特性を向上させることができる。以上のように、本実施形態の有機ＴＦＴ１は、ゲート絶縁層４０の絶縁破壊が起こりにくく、かつそのことに起因して高い信頼性及び高いトランジスタ特性を有する。
【００３８】
（Ｂ．半導体装置の製造方法）
続いて、図２から図６を用いて、有機ＴＦＴ１の製造方法について説明する。図２は、有機ＴＦＴ１の製造方法を示した工程図、図３（ａ）から（ｅ）は、当該製造工程における有機ＴＦＴ１の断面図、図４は、図２中の工程Ｐ１１について説明するための模式図である。より具体的には、工程Ｐ１１において機能液２４の液滴２４Ａを吐出すべき位置のパターンを示す模式図である。図５は、工程Ｐ１１で用いる液滴吐出装置１００の斜視図である。また、図６は、当該液滴吐出装置１００のヘッド１１４を表し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
【００３９】
以下、図２の工程図に沿って説明する。まず工程Ｐ１１では、ガラス基板１０上のうち、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域に、液滴吐出装置１００（図５）のヘッド１１４から、ソース電極２１及びドレイン電極２２の構成材料となる導電性材料を含む機能液２４の複数の液滴２４Ａをインクジェット法によって吐出する（図３（ａ））。この結果、上記領域に機能液２４が配置される。この機能液２４は、ガラス基板１０の表面の撥液性に応じた接触角をもって配置される。この接触角は９０°前後となるのが好ましい。本実施形態では、機能液２４としてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを用いているが、その他、ソース電極２１及びドレイン電極２２の構成材料として既述した各種導電性材料の水分散液又はアルコール分散液等を用いることもできる。
【００４０】
ここで、工程Ｐ１１で用いる液滴吐出装置１００について、図５及び図６を用いて説明する。図５に示す液滴吐出装置１００は、上記機能液２４を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、支持部１０４ａとを備えている。吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図６）を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、機能液２４の液滴２４Ａ（図６）を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に機能液２４が供給される。ステージ１０６はガラス基板１０を固定するための平面を提供している。
【００４１】
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、ヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、ノズル１１８の開口を規定するノズルプレート１２８とを備えている。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８との間には、液たまり１２９が位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される機能液２４が常に充填される。
【００４２】
また、振動板１２６とノズルプレート１２８との間には、複数の隔壁部１２２が位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁部１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０には、一対の隔壁部１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から機能液２４が供給される。
【００４３】
さて、振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、振動子１２４が位置する。振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂとを含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から機能液２４の液滴２４Ａが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に機能液２４の液滴２４Ａが吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。
【００４４】
図５に戻り、第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、上記ヘッド１１４を含む吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。これらの結果、ガラス基板１０に対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８は、ステージ１０６に固定されたガラス基板１０に対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。
【００４５】
制御部１１２は、機能液２４の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。なお、吐出データとは、ガラス基板１０上に、機能液２４を所定パターンで付与するためのデータである。本実施形態では、吐出データはビットマップデータの形態を有している。
【００４６】
上記構成を有する液滴吐出装置１００は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８をガラス基板１０に対して相対移動させるとともに、被吐出部に向けてノズル１１８から機能液２４の液滴２４Ａを吐出する。
【００４７】
工程Ｐ１１では、このような液滴吐出装置１００を用いて、ガラス基板１０上に、図４に示すパターンに従って機能液２４の液滴２４Ａを吐出する。図４中の小円６０は、１つの液滴２４Ａを吐出した後に当該液滴２４Ａが塗れ広がる範囲を示しており、小円６０の中心が液滴２４Ａを吐出すべき位置に相当する。小円６０は、基本的にはその中心がマトリクスをなすように配列され、かつ隣接する小円６０同士は一部が重なるように配列される。この小円６０は、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域の全体にわたって位置が設定され、そのうち櫛歯２１ｐ，２２ｐについては、３列の小円６０によって形作られる。こうした小円６０の配列についての情報が、上記した吐出データに対応する。
【００４８】
こうすると、櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ（図１）に相当する部位には、必ず１つの小円６０ａが配置される。このため、液滴２４Ａを吐出した後、角部２０ａには、機能液２４が、小円６０ａの一部によって規定される略円弧状の外周形状を有した状態（図４中の破線）に配置されることとなる。
【００４９】
また、櫛歯２１ｐ，２２ｐの根元部の角部２０ｂ（図１）に相当する部位にも１つの小円６０ｂが配置される。換言すれば、櫛歯２１ｐ，２２ｐの形成領域のうち、その根元部のみ、上記した３列に一対の小円６０ｂを加えた５列の小円６０が配置される。こうすることによって、液滴２４Ａを吐出した後、角部２０ｂには、機能液２４が、小円６０ｂの位置に吐出された液滴２４Ａの効果によって滑らかな略円弧状の外周形状を有した状態（図４中の破線）に配置されることとなる。
【００５０】
以上のようにして、ガラス基板１０上のうち、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域に導電性材料を含む機能液２４が配置される。なお、この工程Ｐ１１が、本発明における「工程Ａ」に対応する。
【００５１】
次に、工程Ｐ１２では、ガラス基板１０上に配置された機能液２４を乾燥させて、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成する（図３（ｂ））。具体的には、機能液２４の分散媒又は溶媒を蒸発させて、機能液２４に含まれていた導電性材料を固形化させ、これによりガラス基板１０上にソース電極２１及びドレイン電極２２を形成する。このとき、機能液２４は櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ及び根元部の角部２０ｂに相当する部位において滑らかな略円弧状の外周形状を有して配置されているので、これを乾燥して得られるソース電極２１及びドレイン電極２２も、角部２０ａ，２０ｂが滑らかな略円弧状の形状を有した状態に形成される。また、機能液２４の表面は、乾燥過程においても表面張力によりその表面積を最小にするように曲面形状を維持するので、乾燥後に得られるソース電極２１及びドレイン電極２２の断面形状は、角部２０ａ，２０ｂを含む外周部２０ｄが略円弧状の部分を含むような滑らかな形状となる。
【００５２】
次に、工程Ｐ１３では、ソース電極２１及びドレイン電極２２を覆うように、有機半導体層３０を形成する（図３（ｃ））。より詳細には、ガラス基板１０に酸素プラズマ処理及びクリーニング処理を行った後、半導体溶液をインクジェット法等の液滴吐出法によって吐出し、アニール処理を施して行われる。このとき、ソース電極２１とドレイン電極２２との間には、チャネル領域が形成される。この工程は、上記の方法の他に、スピンコート法やディップ法等を用いた塗布法、インクジェット法やスクリーン印刷法等を用いた印刷法によって行うこともできる。
【００５３】
なお、有機半導体層３０は、ソース電極２１とドレイン電極２２との間の領域（チャネル領域）にのみ形成してもよい。これにより、同一基板上に、複数の有機ＴＦＴ１を並設する場合に、各有機ＴＦＴ１の有機半導体層３０を独立して形成することにより、リーク電流、各素子間のクロストークを抑えることができる。また、有機半導体材料の使用量を削減することができ、製造コストの削減を図ることもできる。
【００５４】
次に、工程Ｐ１４では、有機半導体層３０上に、ゲート絶縁層４０を形成する（図３（ｄ））。この工程は、上記した絶縁性ポリマーをスピンコート法、ディップ法等を用いた塗布法、インクジェット法やスクリーン印刷法等を用いた印刷法を用いて全面に形成して行われる。
【００５５】
次に、工程Ｐ１５では、ゲート絶縁層４０上のうち、ガラス基板１０の法線方向から見てソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐと少なくとも重なる領域にゲート電極５０を形成する（図３（ｅ））。この工程は、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳをインクジェット法やスクリーン印刷法等を用いた印刷法を用いて塗布した後にこれを乾燥して行われる。
【００５６】
以上のような工程を経て、有機ＴＦＴ１が得られる。このような製造方法によれば、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａ，２０ｂの形状を略円弧状とすることができる。また、当該角部２０ａ，２０ｂの断面についても略円弧状の部分を含むような滑らかな形状とすることができる。なお、本実施形態の有機ＴＦＴ１では、ソース電極２１及びドレイン電極２２と有機半導体層３０との間、有機半導体層３０とゲート絶縁層４０との間、ゲート絶縁層４０とゲート電極５０との間には、それぞれ、任意の目的で、１層又は２層以上を追加することもできる。
【００５７】
（Ｃ．変形例）
有機ＴＦＴ１において、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形状は、上記したものに限られない。以下では、図７から図９を用いて有機ＴＦＴ１のソース電極２１及びドレイン電極２２の形状についての変形例について説明する。
【００５８】
図７は、本実施形態の変形例の一つである有機ＴＦＴ１Ａの平面図である。有機ＴＦＴ１Ａは、ソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部２０ｃ全体が略円弧状（略半円状）となっている点において有機ＴＦＴ１と異なる。このような構成によれば、端部２０ｃの形状の曲率半径を大きくすることができるので、電界集中及びこれに起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊をより起こりにくくすることができる。
【００５９】
有機ＴＦＴ１Ａは、基本的には有機ＴＦＴ１と同様の製造方法によって製造することができる。ただし、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形成にあたり、液滴２４Ａを吐出する際には、吐出後の液滴２４Ａの直径が櫛歯２１ｐ，２２ｐの太さと等しくなるように設定する。このようにすれば、櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部２０ｃは、当該部位に吐出された液滴２４Ａの外形の半分（半円）を利用して、略半円状の形状に形成される。
【００６０】
図８は、本実施形態の変形例の一つである有機ＴＦＴ１Ｂの平面図である。有機ＴＦＴ１Ｂは、ソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐの全体の形状が曲線によって形作られている点において有機ＴＦＴ１と異なる。このような構成によれば、ソース電極２１及びドレイン電極２２に、電界が集中しやすい角部が存在しないこととなるため、電界集中及びこれに起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊をより起こりにくくすることができる。
【００６１】
図９は、本実施形態の変形例の一つである有機ＴＦＴ１Ｃの平面図である。有機ＴＦＴ１Ｃは、ソース電極２１及びドレイン電極２２が櫛歯２１ｐ，２２ｐをもたない点において有機ＴＦＴ１と異なる。ただし、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａの形状は略円弧状となっており、また角部２０ａの断面についても略円弧状の部分を含むような滑らかな形状となっているため、有機ＴＦＴ１と同様に電界集中及びこれに起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊が起こりにくい。
【００６２】
＜第２の実施形態＞
（Ａ．半導体装置）
続いて、本発明の第２の実施形態に係る有機ＴＦＴ１Ｄについて説明する。図１０は、本発明の半導体装置としての有機ＴＦＴ１Ｄの平面図である。また、図１０中のＢ−Ｂ線における断面図を図１２（ｆ）に示す。以下、図１０及び図１２（ｆ）の有機ＴＦＴ１Ｄについて、図１及び図３（ｅ）に示した第１の実施形態に係る有機ＴＦＴ１と異なる点を中心に説明する。なお、図１及び図３（ｅ）と同じ要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略する。
【００６３】
有機ＴＦＴ１Ｄは、ガラス基板１０上に互いに離間して配置されたソース電極２１及びドレイン電極２２と、ガラス基板１０上のうちソース電極２１及びドレイン電極２２に挟まれた領域及びこれらの周囲に配置された本発明におけるバンクとしてのポリイミド薄膜２６と、ソース電極２１、ドレイン電極２２、ポリイミド薄膜２６に接触してこれらを覆うように配置された有機半導体層３０と、有機半導体層３０上に順に積層されたゲート絶縁層４０及びゲート電極５０とを有する。ここで、第１の実施形態における有機ＴＦＴ１との違いは、ソース電極２１及びドレイン電極２２に挟まれた領域及びこれらの周囲にポリイミド薄膜２６が配置されている点である。換言すれば、ポリイミド薄膜２６は、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形成領域に対して排他的な領域に形成されている。ポリイミド薄膜２６は、有機ＴＦＴ１Ｄの製造工程において、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形成領域を規定するバンクとして機能する。
【００６４】
有機ＴＦＴ１Ｄは、上記した点を除けば第１の実施形態の有機ＴＦＴ１と同様の構成である。したがって、ソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ、及び根元部の角部２０ｂの形状は略円弧状をなしており、このため電界集中に起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊が起こりにくい。また、上記角部２０ａ，２０ｂの断面形状も略円弧状の部分を含むような滑らかな曲線から構成されているため、同様に電界集中を緩和することができ、ゲート絶縁層４０の絶縁破壊がより起こりにくくなっている。このような効果によって、ゲート絶縁層４０の厚さをより小さくすることが可能であり、トランジスタ特性を向上させることができる。すなわち、本実施形態の有機ＴＦＴ１Ｄも、ゲート絶縁層４０の絶縁破壊が起こりにくく、かつそのことに起因して高い信頼性及び高いトランジスタ特性を有する。
【００６５】
（Ｂ．半導体装置の製造方法）
続いて、図１１から図１３を用いて、有機ＴＦＴ１Ｄの製造方法について説明する。図１１は、有機ＴＦＴ１Ｄの製造方法を示した工程図、図１２（ａ）から（ｆ）は、当該製造工程における有機ＴＦＴ１Ｄの断面図、図１３は、図１１中の工程Ｐ２１及び工程Ｐ２３について説明するための平面図である。
【００６６】
以下、図１１の工程図に沿って説明する。まず工程Ｐ２１では、ガラス基板１０上の一部にポリイミド薄膜２６を形成する（図１２（ａ））。ここで、ポリイミド薄膜２６を形成する領域は、図１３（ａ）に示すように、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域（図７参照）に挟まれた領域を含む、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域の周囲の領域である。このとき、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域の形状は、後にゲート電極５０と重なる領域における角部２０ａ，２０ｂ（図１０）の形状が略円弧状となるように設定される。つまり、ポリイミド薄膜２６は、角部２０ａ，２０ｂに相当する部位において略円弧状となるように形成される。
【００６７】
この工程は、ガラス基板１０上に、スピンコート法等によって感光性ポリイミドを塗布した後に、フォトリソグラフィー法によって感光性ポリイミドをパターニングすることにより行われる。なお、この工程Ｐ２１が、本発明における「工程Ｂ」に対応する。
【００６８】
続く工程Ｐ２２では、上記ポリイミド薄膜２６の撥液化処理を行う。より詳しくは、ガラス基板１０を酸素プラズマ処理して表面の炭素成分を除去し親水処理を行った後に、フッ素プラズマ処理を行うことによりポリイミド薄膜２６を撥水処理する。
【００６９】
次に、工程Ｐ２３では、ガラス基板１０上の、前記ポリイミド薄膜２６と接する領域を含む、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域に、導電性材料を含む機能液２４を配置する（図１２（ｂ））。この工程は、インクジェット法によって行われる。すなわち、液滴吐出装置１００（図５）のヘッド１１４から、ソース電極２１及びドレイン電極２２の構成材料となる導電性材料を含む機能液２４の複数の液滴２４Ａを吐出することによって行われる。本実施形態では、機能液２４としてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを用いているが、その他、ソース電極２１及びドレイン電極２２の構成材料として既述した各種導電性材料の水分散液又はアルコール分散液等を用いることもできる。
【００７０】
このとき、上記ポリイミド薄膜２６が機能液２４に対して撥液性を有し、機能液２４をはじくため、機能液２４はポリイミド薄膜２６上には配置されず、図１３（ｂ）に示すようにポリイミド薄膜２６の形成領域に対して排他的に配置される。すなわち、機能液２４は、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域に限って配置されることとなる。換言すれば、ポリイミド薄膜２６は、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形成領域を規定するバンクとして機能する。また、機能液２４は、ポリイミド薄膜２６の撥液性に応じた接触角をもって配置される。この接触角は９０°前後となるのが好ましい。
【００７１】
この工程により、櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ（図１０）に相当する部位には、機能液２４が略円弧状の外周形状を有した状態に配置されることとなる。また、櫛歯２１ｐ，２２ｐの根元部の角部２０ｂ（図１０）に相当する部位においても、機能液２４が滑らかな略円弧状の外周形状を有した状態に配置される。
【００７２】
なお、この工程は、ポリイミド薄膜２６が十分な撥液性を有していれば、上記したインクジェット法に代えて、ディップ法やスピンコート法などによって行うこともできる。こうした方法によって機能液２４をガラス基板１０上の全面に塗布しても、ポリイミド薄膜２６が機能液２４をはじくため、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域に限って機能液２４を配置することができる。
【００７３】
次に、工程Ｐ２４では、ガラス基板１０上に配置された機能液２４を乾燥させて、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成する（図１２（ｃ））。具体的には、機能液２４の分散媒又は溶媒を蒸発させて、機能液２４に含まれていた導電性材料を固形化させ、これによりガラス基板１０上にソース電極２１及びドレイン電極２２を形成する。このとき、機能液２４は櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ及び根元部の角部２０ｂに相当する部位において滑らかな略円弧状の外周形状を有して配置されているので、これを乾燥して得られるソース電極２１及びドレイン電極２２も、角部２０ａ，２０ｂが滑らかな略円弧状の形状を有した状態に形成される。また、機能液２４の表面は、乾燥過程においても表面張力によりその表面積を最小にするように曲面形状を維持するので、乾燥後に得られるソース電極２１及びドレイン電極２２の断面形状は、角部２０ａ，２０ｂを含む外周部２０ｄが略円弧状の部分を含むような滑らかな形状となる。
【００７４】
次に、工程Ｐ２５では、ソース電極２１、ドレイン電極２２、ポリイミド薄膜２６を覆うように、有機半導体層３０を形成する（図１２（ｄ））。この工程は、第１の実施形態の工程Ｐ１３と同様にして行われる。
【００７５】
次に、工程Ｐ２６では、有機半導体層３０上に、ゲート絶縁層４０を形成する（図１２（ｅ））。この工程は、第１の実施形態の工程Ｐ１４と同様にして行われる。
【００７６】
次に、工程Ｐ２７では、ゲート絶縁層４０上のうち、ガラス基板１０の法線方向から見てソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐと少なくとも重なる領域にゲート電極５０を形成する（図１２（ｆ））。この工程は、第１の実施形態の工程Ｐ１５と同様にして行われる。
【００７７】
以上のような工程を経て、有機ＴＦＴ１Ｄが得られる。このような製造方法によれば、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａ，２０ｂの形状を略円弧状とすることができる。また、当該角部２０ａ，２０ｂの断面についても略円弧状の部分を含むような滑らかな形状とすることができる。なお、本実施形態の有機ＴＦＴ１Ｄでは、ソース電極２１及びドレイン電極２２と有機半導体層３０との間、有機半導体層３０とゲート絶縁層４０との間、ゲート絶縁層４０とゲート電極５０との間には、それぞれ、任意の目的で、１層又は２層以上を追加することもできる。
【００７８】
（Ｃ．変形例）
有機ＴＦＴ１Ｄにおいて、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形状は、上記したものに限られない。以下では、図１４から図１６を用いて有機ＴＦＴ１Ｄのソース電極２１及びドレイン電極２２の形状についての変形例について説明する。
【００７９】
図１４は、本実施形態の変形例の一つである有機ＴＦＴ１Ｅの平面図である。有機ＴＦＴ１Ｅは、ソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部２０ｃ全体が略円弧状（略半円状）となっている点において有機ＴＦＴ１Ｄと異なる。このような構成によれば、端部２０ｃの形状の曲率半径を大きくすることができるので、電界集中及びこれに起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊をより起こりにくくすることができる。
【００８０】
図１５は、本実施形態の変形例の一つである有機ＴＦＴ１Ｆの平面図である。有機ＴＦＴ１Ｆは、ソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐの全体の形状が曲線によって形作られている点において有機ＴＦＴ１Ｄと異なる。このような構成によれば、ソース電極２１及びドレイン電極２２に、電界が集中しやすい角部が存在しないこととなるため、電界集中及びこれに起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊をより起こりにくくすることができる。
【００８１】
図１６は、本実施形態の変形例の一つである有機ＴＦＴ１Ｇの平面図である。有機ＴＦＴ１Ｇは、ソース電極２１及びドレイン電極２２が櫛歯２１ｐ，２２ｐをもたない点において有機ＴＦＴ１Ｄと異なる。ただし、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａの形状は略円弧状となっており、また角部２０ａの断面についても略円弧状の部分を含むような滑らかな形状となっているため、有機ＴＦＴ１Ｄと同様に電界集中及びこれに起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊が起こりにくい。
【００８２】
以上の変形例に係る有機ＴＦＴ１Ｅ，１Ｆ，１Ｇを製造するには、いずれもポリイミド薄膜２６の形成領域をソース電極２１及びドレイン電極２２の形状に合わせて変更すればよい。
【００８３】
＜電気光学装置＞
次に、上述したような有機ＴＦＴ１（有機ＴＦＴ１Ａから１Ｇを含む）を備えるアクティブマトリクス装置が組み込まれた電気光学装置について、電気泳動表示装置を一例に説明する。
【００８４】
図１７は、本発明の電気光学装置としての電気泳動表示装置２００の実施形態を示す断面図、図１８は、図１７に示す電気泳動表示装置２００が備えるアクティブマトリクス装置３００の構成を示すブロック図、図１９は、アクティブマトリクス装置３００の拡大平面図である。なお、図１９においては、説明の便宜上、有機ＴＦＴ１に含まれる有機半導体層３０及びゲート絶縁層４０の表示は省略されている。
【００８５】
図１７に示す電気泳動表示装置２００は、基板５００上に設けられたアクティブマトリクス装置３００と、このアクティブマトリクス装置３００に電気的に接続された電気泳動表示部４００とで構成されている。
【００８６】
図１８及び図１９に示すように、アクティブマトリクス装置３００は、互いに直交する複数のデータ線３０１と、複数の走査線３０２と、これらのデータ線３０１と走査線３０２との各交点付近に設けられた複数の有機ＴＦＴ１とを有している。走査線３０２は、行方向に並んだ複数の有機ＴＦＴ１のゲート電極５０が繋がれてなる配線である。また、有機ＴＦＴ１のソース電極２１はデータ線３０１に、ドレイン電極２２は画素電極（個別電極）４０１に、それぞれ接続されている。
【００８７】
図１７に示すように、電気泳動表示部４００は、基板５００上に順次積層された、画素電極４０１と、マイクロカプセル４０２と、透明電極（共通電極）４０３及び透明基板４０４とを有している。そして、マイクロカプセル４０２がバインダ材４０５により、画素電極４０１と透明電極４０３との間に固定されている。画素電極４０１は、マトリクス状に、すなわち、縦横に規則正しく配列するように分割されている。各マイクロカプセル４０２内には、それぞれ、特性の異なる複数種の電気泳動粒子、本実施形態では、電荷及び色（色相）の異なる２種の電気泳動粒子４２１、４２２を含む電気泳動分散液４２０が封入されている。
【００８８】
このような電気泳動表示装置２００では、１本あるいは複数本の走査線３０２に選択信号（選択電圧）を供給すると、この選択信号（選択電圧）が供給された走査線３０２に接続されている有機ＴＦＴ１がＯＮとなる。これにより、かかる有機ＴＦＴ１に接続されているデータ線３０１と画素電極４０１とは、実質的に導通する。このとき、データ線３０１に所望のデータ（電圧）を供給した状態であれば、このデータ（電圧）は画素電極４０１に供給される。これにより、画素電極４０１と透明電極４０３との間に電界が生じ、この電界の方向、強さ、電気泳動粒子４２１、４２２の特性等に応じて、電気泳動粒子４２１、４２２は、いずれかの電極の方向に向かって電気泳動する。
【００８９】
一方、この状態から、走査線３０２への選択信号（選択電圧）の供給を停止すると、有機ＴＦＴ１はＯＦＦとなり、かかる有機ＴＦＴ１に接続されているデータ線３０１と画素電極４０１とは非導通状態となる。
【００９０】
したがって、走査線３０２への選択信号の供給及び停止、あるいは、データ線３０１へのデータの供給及び停止を適宜組み合わせて行うことにより、電気泳動表示装置２００の表示面側（透明基板４０４側）に、所望の画像（情報）を表示させることができる。
【００９１】
特に、本実施形態の電気泳動表示装置２００では、電気泳動粒子４２１、４２２の色を異ならせていることにより、多階調の画像を表示することが可能となっている。また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、アクティブマトリクス装置３００を有することにより、特定の走査線３０２に接続された有機ＴＦＴ１を選択的にＯＮ／ＯＦＦすることができるので、クロストークの問題が生じにくく、また、回路動作の高速化が可能であることから、高い品質の画像（情報）を得ることができる。また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、低い駆動電圧で作動するため、省電力化が可能である。
【００９２】
なお、本発明の電気光学装置は、このような電気泳動表示装置２００への適用に限定されるものではなく、液晶表示装置、有機又は無機ＥＬ表示装置等に適用することもできる。
【００９３】
＜電子機器＞
このような電気泳動表示装置２００は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、電気泳動表示装置２００を備える本発明の電子機器について説明する。
【００９４】
（Ａ．電子ペーパー）
まず、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態について説明する。図２０は、本発明の電子機器の実施形態に係る電子ペーパー６００の斜視図である。この図に示す電子ペーパー６００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体６０１と、表示ユニット６０２とを備えている。このような電子ペーパー６００では、表示ユニット６０２が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。
【００９５】
（Ｂ．ディスプレイ）
次に、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態について説明する。図２１は、本発明の電子機器の実施形態に係るディスプレイ８００を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。この図に示すディスプレイ８００は、本体部８０１と、この本体部８０１に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー６００とを備えている。なお、この電子ペーパー６００は、前述したような構成、すなわち、図２０に示す構成と同様のものである。
【００９６】
本体部８０１は、その側部（図中、右側）に電子ペーパー６００を挿入可能な挿入口８０５が形成され、また、内部に二組の搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂが設けられている。電子ペーパー６００を、挿入口８０５を介して本体部８０１内に挿入すると、電子ペーパー６００は、搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂにより挟持された状態で本体部８０１に設置される。
【００９７】
また、本体部８０１の表示面側（下図（ｂ）中、紙面手前側）には、矩形状の孔部８０３が形成され、この孔部８０３には、透明ガラス板８０４が嵌め込まれている。これにより、本体部８０１の外部から、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を視認することができる。すなわち、このディスプレイ８００では、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を、透明ガラス板８０４において視認させることで表示面を構成している。
【００９８】
また、電子ペーパー６００の挿入方向先端部（図中、左側）には、端子部８０６が設けられており、本体部８０１の内部には、電子ペーパー６００を本体部８０１に設置した状態で端子部８０６が接続されるソケット８０７が設けられている。このソケット８０７には、コントローラー８０８と操作部８０９とが電気的に接続されている。
【００９９】
このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００は、本体部８０１に着脱自在に設置されており、本体部８０１から取り外した状態で携帯して使用することもできる。また、このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。
【０１００】
なお、本発明の電子機器は、以上のようなものへの適用に限定されず、例えば、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、電子新聞、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ、これらの各種電子機器の表示部に、電気泳動表示装置２００を適用することが可能である。
【０１０１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【０１０２】
（変形例１）
ソース電極２１及びドレイン電極２２の形成に際し、上記第１の実施形態では液滴吐出法によって形成し、第２の実施形態ではポリイミド薄膜２６のバンク形成と液滴吐出法との組み合わせによって形成するが、これらに限定する趣旨ではない。バンク材料としては、ポリイミドに代表されるイミド系樹脂だけでなく、アクリル系、エポキシ系、エステル系樹脂を使用しても良い。また、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形成には、これらに代えて以下のような方法を用いてもよい。
【０１０３】
すなわち、まず、ガラス基板１０上に、金属膜（金属層）を形成する。これは、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等により形成することができる。
【０１０４】
この金属膜上に、レジスト材料を塗布した後に硬化させ、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形状に対応する形状のレジスト層を形成する。この際、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａ，２０ｂに相当する部分が略円弧状となるようにレジスト層を形成する。このレジスト層をマスクに用いて、金属膜の不要部分を除去する。この金属膜の除去には、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。その後、レジスト層を除去することにより、ソース電極２１及びドレイン電極２２が得られる。
【０１０５】
こうした方法によっても、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａ，２０ｂの形状が略円弧状の有機ＴＦＴ１を製造することができ、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０６】
（変形例２）
上記各実施形態において、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａ，２０ｂや櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部２０ｃの形状は必ずしも正確な円弧状をなしている必要はなく、略円弧状であれば電界集中を緩和することができる。具体的には、曲率半径の異なる複数の円弧の組み合わせ、楕円の一部、その他の滑らかな曲線状の形状であってもよい。
【０１０７】
（変形例３）
上記各実施形態において、ゲート絶縁層４０には絶縁性ポリマーを用いてるが、これに代えて無機酸化物等の無機物質を用いてもよい。ゲート絶縁層４０に好適な無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルト、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸鉛、酸化チタン、酸化タンタル等のうちの１種又は２種を組み合わせたものを挙げることができるが、特に、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルト、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸鉛、酸化チタン、酸化タンタルのうちの少なくとも１種が好ましい。これらの酸化物は、特に、誘電率が高く、これらの絶縁性無機粒子を用いることにより、有機ＴＦＴ１の駆動電圧を抑えることが可能となり、有機ＴＦＴ１の消費電力の低減及び信頼性のさらなる向上を図ることができる。
【０１０８】
（変形例４）
上記各実施形態では、本発明における「基板」としてガラス基板１０を用いているが、これ以外にも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）ポリイミド（ＰＩ）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、金属基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。有機ＴＦＴ１に可撓性を付与する場合には、本発明の基板には、プラスチック基板、あるいは、薄い（比較的膜厚の小さい）金属基板が選択される。ガラス基板１０においては、ポリイミド薄膜２６によるバンクを形成する手法を用いたが、他の基板、特にプラスチック基板を用いる際には、基板の表面に絶縁層を兼ねた金属酸化物を形成し、ガラス基板１０と同様の処理を行っても良い。あるいは、プラスチック基板を基板として用いる場合には、フッ化ポリイミドに代表されるフッ素樹脂をバンクに用いても良い。フッ素樹脂を用いた場合には、フッ素樹脂をパターニングしてバンクを形成した後、酸素プラズマ処理を行うことで、バンク内のみ親水性とすることができ、ソース電極２１及びドレイン電極２２のパターニングが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】第１の実施形態に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図２】第１の実施形態に係る有機ＴＦＴの製造方法を示す工程図。
【図３】（ａ）から（ｅ）は、第１の実施形態に係る有機ＴＦＴの製造工程における断面図。
【図４】機能液の液滴を吐出すべき位置のパターンを示す模式図。
【図５】液滴吐出装置の斜視図。
【図６】液滴吐出装置のヘッドを表し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図。
【図７】第１の実施形態の変形例に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図８】第１の実施形態の変形例に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図９】第１の実施形態の変形例に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図１０】第２の実施形態に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図１１】第２の実施形態に係る有機ＴＦＴの製造方法を示す工程図。
【図１２】（ａ）から（ｆ）は、第２の実施形態に係る有機ＴＦＴの製造工程における断面図。
【図１３】（ａ）及び（ｂ）は、ポリイミド薄膜の形成位置を説明するための平面図。
【図１４】第２の実施形態の変形例に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図１５】第２の実施形態の変形例に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図１６】第２の実施形態の変形例に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図１７】本発明の電気光学装置としての電気泳動表示装置の断面図。
【図１８】図１７に示す電気泳動表示装置が備えるアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図。
【図１９】図１７に示す電気泳動表示装置が備えるアクティブマトリクス装置の拡大平面図。
【図２０】本発明の電子機器としての電子ペーパーの斜視図。
【図２１】本発明の電子機器としてのディスプレイを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図。
【符号の説明】
【０１１０】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ…「半導体装置」としての有機ＴＦＴ、１０…ガラス基板、２０ａ，２０ｂ…角部、２０ｃ…櫛歯の端部、２０ｄ…ソース電極又はドレイン電極の外周部、２１…ソース電極、２１ｐ…ソース電極の櫛歯、２２…ドレイン電極、２２ｐ…ドレイン電極の櫛歯、２４…機能液、２４Ａ…機能液の液滴、２６…ポリイミド薄膜、３０…有機半導体層、４０…ゲート絶縁層、５０…ゲート電極、６０，６０ａ，６０ｂ…液滴の吐出位置を示す小円、１００…液滴吐出装置、１１４…ヘッド、２００…「電気光学装置」としての電気泳動表示装置、３００…アクティブマトリクス装置、６００…「電子機器」としての電子ペーパー、８００…「電子機器」としてのディスプレイ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、電気光学装置、電子機器及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体層に有機物質を用いた有機薄膜トランジスタ（以下「有機ＴＦＴ」と呼ぶ）等の有機半導体装置が注目されている。有機ＴＦＴは、半導体層を、高温・高真空を必要としない液相プロセスにより形成することができ、また、薄型軽量化に適すること、可撓性を有すること、材料コストが安価であること等の長所を有しており、フレキシブルディスプレイ等のスイッチング素子として期待されている。
【０００３】
こうした有機ＴＦＴにおいては、ゲート絶縁層に、無機ＴＦＴの場合と同じようにＳｉＯ2を用いれば良いわけではないことが明らかになっており（非特許文献１参照）、ゲート絶縁層としてはポリマー材料が適していることが知られている（非特許文献２参照）。
【０００４】
【非特許文献１】A.Salleo et.al.，APL，81(2002)，4383
【非特許文献２】T.Kawase et.al.，JJAP，44(2005)，3649
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、一般に有機材料あるいはポリマー材料はＳｉＯ2と比較して絶縁破壊電圧が低いという欠点を有する。このため、有機ＴＦＴのＦＥＴ特性を向上させるためにゲート絶縁層の厚さを小さくすることが困難であるという問題点があった。さらに、ソース電極やドレイン電極が鋭い角部を持つようにパターニングされている場合には、その角部において電界集中が発生するため、その部分からポリマー材料自身の絶縁破壊電圧よりも低い電圧で絶縁破壊が起こり、有機ＴＦＴが破壊されてしまうという問題点があった。
【０００６】
本発明の奏する効果の一つにより、ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層等の絶縁破壊の生起を抑制することが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体装置は、基板上に離間して配置されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極上に配置された半導体層と、前記半導体層上に配置されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層によって前記ソース電極及び前記ドレイン電極から絶縁され、前記基板の法線方向から見て前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域に配置されたゲート電極とを備え、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の、前記基板の法線方向から見て前記ゲート電極と重なった領域における角部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなしていることを特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、ソース電極及びドレイン電極のうち電界がかかる部分においては、電界が集中しやすい直角又は鋭角等の鋭い角部がないため、ソース電極又はドレイン電極の一部に電界が集中する事象が起きにくい。これにより、ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層の絶縁破壊が起こりにくい半導体装置が得られる。
【０００９】
上記半導体装置においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の角部の、前記基板に垂直な平面における断面形状が、略円弧状の部分を含むことが好ましい。このような構成によれば、ソース電極及びドレイン電極のうち電界がかかる部分において、角部の断面についても略円弧状の部分を含む滑らかな形状とすることにより、電界集中をより起こりにくくすることができる。
【００１０】
上記半導体装置においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は櫛歯状をなす部分を有しており、かつその歯が互いに噛み合うように配置されていることが好ましい。このような構成によれば、ソース電極及びドレイン電極と、ゲート電極との間のアライメントが容易になる。
【００１１】
上記半導体装置においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の櫛歯状をなす部分の端部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなしていることが好ましい。このような、ソース電極及びドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の端部全体の形状を略円弧状とする構成によれば、当該端部の角部のみを略円弧状とする場合に比べて、端部の形状がより半径の大きな円弧を含むこととなるので、電界集中をより起こりにくくすることができる。さらに、当該端部の、前記基板に垂直な平面における断面形状についても、略円弧状の部分を含むような構成とすることが好ましい。
【００１２】
上記半導体装置においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の櫛歯状をなす部分の根元部の角部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなしていることが好ましい。このような構成によれば、ソース電極及びドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の根元部の角部についても、電界が集中しやすい直角又は鋭角等の鋭い角部がなくなることとなるため、ソース電極又はドレイン電極の一部に電界が集中する事象がより起きにくくなる。よって、ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層の絶縁破壊が起こりにくい半導体装置が得られる。さらに、当該根元部の角部の、前記基板に垂直な平面における断面形状についても、略円弧状の部分を含むような構成とすることが好ましい。
【００１３】
上記半導体装置においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の櫛歯状をなす部分の、前記基板の法線方向から見た形状の略全体が曲線によって形作られていることが好ましい。このような構成によれば、ソース電極及びドレイン電極において、電界が集中しやすい角部が存在しないこととなるため、電界集中をより起こりにくくすることができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置は、上記半導体装置を備えることを特徴とする。このような構成の電気光学装置は、絶縁破壊による破損の起こりにくい半導体装置を備えているので、高い信頼性が得られる。
【００１５】
本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えることを特徴とする。このような構成によれば、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００１６】
本発明の半導体装置の製造方法は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を備えた半導体装置の製造方法であって、基板上の、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成すべき領域に、液滴吐出装置を用いて、導電性材料を含む機能液の複数の液滴を吐出して前記機能液を配置する工程Ａと、前記機能液を乾燥させて、前記導電性材料を含んだ前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上の、前記基板の法線方向から見て前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域にゲート電極を形成する工程とを有し、前記工程Ａは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成すべき領域のうち、前記基板の法線方向から見て前記ゲート電極と重なる領域における角部となる位置に、吐出後の形状が略円形となるように前記液滴を吐出する工程を含むことを特徴とする。
【００１７】
このような製造方法によれば、ソース電極及びドレイン電極は、工程Ａにおいて配置された機能液を乾燥して得られるので、その形状は、工程Ａにおいて機能液が配置された領域の形状となる。そうすると、ソース電極及びドレイン電極の角部の形状は、工程Ａにおいて当該角部に吐出された略円形の液滴の形状の一部がそのまま反映されるので、略円弧状となる。また、基板上に配置された機能液の表面は、その後乾燥過程においても表面張力によりその表面積を最小にするように曲面形状を維持するので、当該機能液を乾燥させて形成されたソース電極及びドレイン電極は、角部の断面についても略円弧状の部分を含むような滑らかな形状となる。このようなソース電極及びドレイン電極は、電界がかかる部分において、電界が集中しやすい直角又は鋭角等の鋭い角部がないため、ソース電極又はドレイン電極の一部に電界が集中する事象が起きにくい。よって、ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層の絶縁破壊が起こりにくい半導体装置が得られる。
【００１８】
上記製造方法においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を、櫛歯状をなすような形状に、かつその歯が互いに噛み合うように形成してもよい。また、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の端部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなすように形成してもよい。また、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の根元部の角部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなすように形成してもよい。さらに、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の、前記基板の法線方向から見た形状の略全体が曲線によって形作られるような形状に形成してもよい。
【００１９】
本発明の半導体装置の製造方法は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を備えた半導体装置の製造方法であって、基板上の、前記ソース電極が形成されるべき領域と前記ドレイン電極が形成されるべき領域に挟まれた領域にバンクを形成する工程Ｂと、少なくとも前記バンクと接する領域に、導電性材料を含む機能液を配置する工程と、前記機能液を乾燥させて、前記導電性材料を含んだ前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上の、前記基板の法線方向から見て前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域にゲート電極を形成する工程とを有し、前記工程Ｂにおける前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成されるべき領域は、前記基板の法線方向から見て前記ゲート電極と重なる領域における角部の形状が略円弧状となっていることを特徴とする。
【００２０】
上記工程Ｂにおいて形成されたバンクにより、上記機能液は、バンクの形成されていない領域に配置されることとなる。従って、これを乾燥して得られるソース電極及びドレイン電極も同様にバンクの形成されていない領域に形成される。ここで、バンクは、ソース電極及びドレイン電極の角部の形状が略円弧状となるような領域に形成されるので、その結果、ソース電極及びドレイン電極は、略円弧状の角部を有する状態に形成される。また、上記機能液の表面は、配置後及び乾燥過程において表面張力によりその表面積を最小にするように曲面形状を維持するので、当該機能液を乾燥させて形成されたソース電極及びドレイン電極は、角部の断面についても略円弧状の部分を含むような滑らかな形状となる。このようなソース電極及びドレイン電極は、電界がかかる部分において、電界が集中しやすい直角又は鋭角等の鋭い角部がないため、ソース電極又はドレイン電極の一部に電界が集中する事象が起きにくい。よって、ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層の絶縁破壊が起こりにくい半導体装置が得られる。
【００２１】
上記製造方法においては、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を、櫛歯状をなすような形状に、かつその歯が互いに噛み合うように形成してもよい。また、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の端部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなすように形成してもよい。また、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の根元部の角部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなすように形成してもよい。さらに、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち櫛歯状をなす部分の、前記基板の法線方向から見た形状の略全体が曲線によって形作られるような形状に形成してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００２３】
＜第１の実施形態＞
（Ａ．半導体装置）
図１は、本発明の半導体装置としての有機ＴＦＴ１の平面図である。また、図１中のＡ−Ａ線における断面図を図３（ｅ）に示す。有機ＴＦＴ１は、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、ガラス基板１０上に互いに離間して配置されたソース電極２１及びドレイン電極２２と、ソース電極２１及びドレイン電極２２に接触してこれらを覆うように配置された有機半導体層３０と、有機半導体層３０上に順に積層されたゲート絶縁層４０及びゲート電極５０とを有する。ここで、ガラス基板１０は、本発明における「基板」に対応し、有機半導体層３０は、本発明における「半導体層」に対応する。なお、図１においては、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形状及びこれらとゲート電極５０との位置関係を説明する便宜上、有機半導体層３０及びゲート絶縁層４０の表示は省略されており、またゲート電極５０の紙面奥側に位置するソース電極２１及びドレイン電極２２についても実線で表示されている。
【００２４】
以下、各部の構成について詳述する。ソース電極２１及びドレイン電極２２の構成材料としては、公知の電極材料であれば、種類は特に限定されるものではない。具体的には、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｏ又はこれらを含む合金のような金属材料、及びそれらの酸化物、あるいは導電性有機材料等を用いることができる。導電性有機材料の代表的な例としては、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）の水分散液中にＰＳＳ（ポリスチレンスルフォン酸）をドープしたもの（以下「ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ」と呼ぶ）を塗布した後にこれを乾燥したものを用いることができる。本実施形態では、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを用いている。ソース電極２１及びドレイン電極２２の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、１０〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００２５】
ソース電極２１及びドレイン電極２２は、図１に示すようにそれぞれ櫛歯状をなす部分を有しており、かつその歯が互いに噛み合うように配置されている。より詳細には、ソース電極２１は、ドレイン電極２２に向けて突出する略矩形状の櫛歯２１ｐを３本有しており、同様にドレイン電極２２は、ソース電極２１に向けて突出する略矩形状の櫛歯２２ｐを３本有している。そして、櫛歯２１ｐ，２２ｐは、互い違いに入り込むように、かつ互いに接触しないように配置されている。このように構成することによって、ソース電極２１及びドレイン電極２２と、ゲート電極５０との間のアライメントが容易になる。
【００２６】
また、上記櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の２箇所の角部２０ａは、略円弧状をなしている。つまり、櫛歯２１ｐ，２２ｐは直線のみからなる完全な矩形ではなく、その端部の角部２０ａが丸みを帯びている。また、櫛歯２１ｐ，２２ｐの根元部の角部２０ｂも略円弧状をなしている。すなわち、櫛歯２１ｐ，２２ｐの根元部は、矩形波のように直角に立ち上がっているのではなく、その角部２０ｂが曲線状をなすように滑らかに立ち上がっている。ここで、本稿において「角部」とは、ソース電極２１及びドレイン電極２２の外形を規定する境界線のうち直線からなるものの方向が変化する部分を指し、換言すれば、方向の異なる２つの直線状の境界線が接続される部分を指す。
【００２７】
さらに、図３（ｅ）に示すように、ソース電極２１及びドレイン電極２２の断面形状は、外周部２０ｄが略円弧状の部分を含むような滑らかな曲線から構成されており、鋭い角部をもたない。従って、上記した櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ、及び根元部の角部２０ｂにおいても、その断面形状は略円弧状の部分を含む滑らかな曲線から構成されている。
【００２８】
ソース電極２１及びドレイン電極２２に接触してこれらを覆うように配置された有機半導体層３０は、有機半導体材料（半導体的な電気伝導を示す有機材料）を主材料として構成されている。このような有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン又はこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体（Ｆ８Ｔ２）又はこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料を主材料として用いるのが好ましい。高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層３０は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタへの適用に適している。
【００２９】
また、有機半導体層３０は、低温で成膜可能であるという点で好ましい。これにより、低コストで作製することが可能になり、さらに安価なフレキシブル基板であるプラスチック基板を用いることが可能になるという効果が得られる。
【００３０】
有機半導体層３０の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００３１】
なお、有機半導体層３０は、ソース電極２１及びドレイン電極２２を覆うように設けられるものでなくてもよく、少なくともソース電極２１とドレイン電極２２との間の領域（チャネル領域）に設けられていればよい。また、本発明における半導体層としては、有機半導体層３０に代えて無機半導体層で構成することもできる。
【００３２】
有機半導体層３０上には、ゲート絶縁層４０が設けられている。ゲート絶縁層４０は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、エステル系樹脂等を含む絶縁性ポリマーで構成されている。絶縁性ポリマーとしては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート等が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３３】
ゲート絶縁層４０の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層４０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極２１及びドレイン電極２２とゲート電極５０とを確実に絶縁しつつ、有機ＴＦＴ１の動作電圧を低くすることができる。
【００３４】
ゲート絶縁層４０上の所定の位置、すなわち、ガラス基板１０の法線方向から見てソース電極２１及びドレイン電極２２のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域であって、ソース電極２１とドレイン電極２２との間の領域を含む領域には、ゲート電極５０が形成されている。このゲート電極５０の構成材料としては、前記ソース電極２１及びドレイン電極２２で挙げた導電性材料と同様のものを用いることができる。ゲート電極５０の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００３５】
以上のような構成の有機ＴＦＴ１では、ソース電極２１及びドレイン電極２２の間に電圧を印加した状態で、ゲート電極５０にゲート電圧を印加すると、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０との界面付近にチャネルが形成され、チャネル領域をキャリア（正孔）が移動することで、ソース電極２１及びドレイン電極２２の間に電流が流れる。
【００３６】
すなわち、ゲート電極５０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極２１とドレイン電極２２との間に電圧を印加しても、有機半導体層３０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極５０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル（キャリアの流路）が形成される。この状態でソース電極２１及びドレイン電極２２の間に電圧を印加すると、チャネル領域を通って電流が流れる。
【００３７】
このとき、上記したように、ソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ、及び根元部の角部２０ｂの形状が略円弧状をなしていることによって、次のような効果が得られる。すなわち、ソース電極２１及びドレイン電極２２のうち電界がかかる部分において、電界が集中しやすい直角又は鋭角等の鋭い角部がないため、ソース電極２１又はドレイン電極２２の一部に電界が集中する事象が起きにくい。よって、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａ，２０ｂにおける電界集中に起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊が起こりにくい。また、上記角部２０ａ，２０ｂの断面形状も略円弧状の部分を含むような滑らかな曲線から構成されているため、同様に電界集中を緩和することができ、ゲート絶縁層４０の絶縁破壊がより起こりにくくなっている。これにより、ゲート絶縁層４０の厚さをより小さくすることが可能となり、トランジスタ特性を向上させることができる。以上のように、本実施形態の有機ＴＦＴ１は、ゲート絶縁層４０の絶縁破壊が起こりにくく、かつそのことに起因して高い信頼性及び高いトランジスタ特性を有する。
【００３８】
（Ｂ．半導体装置の製造方法）
続いて、図２から図６を用いて、有機ＴＦＴ１の製造方法について説明する。図２は、有機ＴＦＴ１の製造方法を示した工程図、図３（ａ）から（ｅ）は、当該製造工程における有機ＴＦＴ１の断面図、図４は、図２中の工程Ｐ１１について説明するための模式図である。より具体的には、工程Ｐ１１において機能液２４の液滴２４Ａを吐出すべき位置のパターンを示す模式図である。図５は、工程Ｐ１１で用いる液滴吐出装置１００の斜視図である。また、図６は、当該液滴吐出装置１００のヘッド１１４を表し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
【００３９】
以下、図２の工程図に沿って説明する。まず工程Ｐ１１では、ガラス基板１０上のうち、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域に、液滴吐出装置１００（図５）のヘッド１１４から、ソース電極２１及びドレイン電極２２の構成材料となる導電性材料を含む機能液２４の複数の液滴２４Ａをインクジェット法によって吐出する（図３（ａ））。この結果、上記領域に機能液２４が配置される。この機能液２４は、ガラス基板１０の表面の撥液性に応じた接触角をもって配置される。この接触角は９０°前後となるのが好ましい。本実施形態では、機能液２４としてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを用いているが、その他、ソース電極２１及びドレイン電極２２の構成材料として既述した各種導電性材料の水分散液又はアルコール分散液等を用いることもできる。
【００４０】
ここで、工程Ｐ１１で用いる液滴吐出装置１００について、図５及び図６を用いて説明する。図５に示す液滴吐出装置１００は、上記機能液２４を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、支持部１０４ａとを備えている。吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図６）を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、機能液２４の液滴２４Ａ（図６）を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に機能液２４が供給される。ステージ１０６はガラス基板１０を固定するための平面を提供している。
【００４１】
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、ヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、ノズル１１８の開口を規定するノズルプレート１２８とを備えている。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８との間には、液たまり１２９が位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される機能液２４が常に充填される。
【００４２】
また、振動板１２６とノズルプレート１２８との間には、複数の隔壁部１２２が位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁部１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０には、一対の隔壁部１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から機能液２４が供給される。
【００４３】
さて、振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、振動子１２４が位置する。振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂとを含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から機能液２４の液滴２４Ａが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に機能液２４の液滴２４Ａが吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。
【００４４】
図５に戻り、第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、上記ヘッド１１４を含む吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。これらの結果、ガラス基板１０に対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８は、ステージ１０６に固定されたガラス基板１０に対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。
【００４５】
制御部１１２は、機能液２４の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。なお、吐出データとは、ガラス基板１０上に、機能液２４を所定パターンで付与するためのデータである。本実施形態では、吐出データはビットマップデータの形態を有している。
【００４６】
上記構成を有する液滴吐出装置１００は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８をガラス基板１０に対して相対移動させるとともに、被吐出部に向けてノズル１１８から機能液２４の液滴２４Ａを吐出する。
【００４７】
工程Ｐ１１では、このような液滴吐出装置１００を用いて、ガラス基板１０上に、図４に示すパターンに従って機能液２４の液滴２４Ａを吐出する。図４中の小円６０は、１つの液滴２４Ａを吐出した後に当該液滴２４Ａが塗れ広がる範囲を示しており、小円６０の中心が液滴２４Ａを吐出すべき位置に相当する。小円６０は、基本的にはその中心がマトリクスをなすように配列され、かつ隣接する小円６０同士は一部が重なるように配列される。この小円６０は、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域の全体にわたって位置が設定され、そのうち櫛歯２１ｐ，２２ｐについては、３列の小円６０によって形作られる。こうした小円６０の配列についての情報が、上記した吐出データに対応する。
【００４８】
こうすると、櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ（図１）に相当する部位には、必ず１つの小円６０ａが配置される。このため、液滴２４Ａを吐出した後、角部２０ａには、機能液２４が、小円６０ａの一部によって規定される略円弧状の外周形状を有した状態（図４中の破線）に配置されることとなる。
【００４９】
また、櫛歯２１ｐ，２２ｐの根元部の角部２０ｂ（図１）に相当する部位にも１つの小円６０ｂが配置される。換言すれば、櫛歯２１ｐ，２２ｐの形成領域のうち、その根元部のみ、上記した３列に一対の小円６０ｂを加えた５列の小円６０が配置される。こうすることによって、液滴２４Ａを吐出した後、角部２０ｂには、機能液２４が、小円６０ｂの位置に吐出された液滴２４Ａの効果によって滑らかな略円弧状の外周形状を有した状態（図４中の破線）に配置されることとなる。
【００５０】
以上のようにして、ガラス基板１０上のうち、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域に導電性材料を含む機能液２４が配置される。なお、この工程Ｐ１１が、本発明における「工程Ａ」に対応する。
【００５１】
次に、工程Ｐ１２では、ガラス基板１０上に配置された機能液２４を乾燥させて、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成する（図３（ｂ））。具体的には、機能液２４の分散媒又は溶媒を蒸発させて、機能液２４に含まれていた導電性材料を固形化させ、これによりガラス基板１０上にソース電極２１及びドレイン電極２２を形成する。このとき、機能液２４は櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ及び根元部の角部２０ｂに相当する部位において滑らかな略円弧状の外周形状を有して配置されているので、これを乾燥して得られるソース電極２１及びドレイン電極２２も、角部２０ａ，２０ｂが滑らかな略円弧状の形状を有した状態に形成される。また、機能液２４の表面は、乾燥過程においても表面張力によりその表面積を最小にするように曲面形状を維持するので、乾燥後に得られるソース電極２１及びドレイン電極２２の断面形状は、角部２０ａ，２０ｂを含む外周部２０ｄが略円弧状の部分を含むような滑らかな形状となる。
【００５２】
次に、工程Ｐ１３では、ソース電極２１及びドレイン電極２２を覆うように、有機半導体層３０を形成する（図３（ｃ））。より詳細には、ガラス基板１０に酸素プラズマ処理及びクリーニング処理を行った後、半導体溶液をインクジェット法等の液滴吐出法によって吐出し、アニール処理を施して行われる。このとき、ソース電極２１とドレイン電極２２との間には、チャネル領域が形成される。この工程は、上記の方法の他に、スピンコート法やディップ法等を用いた塗布法、インクジェット法やスクリーン印刷法等を用いた印刷法によって行うこともできる。
【００５３】
なお、有機半導体層３０は、ソース電極２１とドレイン電極２２との間の領域（チャネル領域）にのみ形成してもよい。これにより、同一基板上に、複数の有機ＴＦＴ１を並設する場合に、各有機ＴＦＴ１の有機半導体層３０を独立して形成することにより、リーク電流、各素子間のクロストークを抑えることができる。また、有機半導体材料の使用量を削減することができ、製造コストの削減を図ることもできる。
【００５４】
次に、工程Ｐ１４では、有機半導体層３０上に、ゲート絶縁層４０を形成する（図３（ｄ））。この工程は、上記した絶縁性ポリマーをスピンコート法、ディップ法等を用いた塗布法、インクジェット法やスクリーン印刷法等を用いた印刷法を用いて全面に形成して行われる。
【００５５】
次に、工程Ｐ１５では、ゲート絶縁層４０上のうち、ガラス基板１０の法線方向から見てソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐと少なくとも重なる領域にゲート電極５０を形成する（図３（ｅ））。この工程は、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳをインクジェット法やスクリーン印刷法等を用いた印刷法を用いて塗布した後にこれを乾燥して行われる。
【００５６】
以上のような工程を経て、有機ＴＦＴ１が得られる。このような製造方法によれば、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａ，２０ｂの形状を略円弧状とすることができる。また、当該角部２０ａ，２０ｂの断面についても略円弧状の部分を含むような滑らかな形状とすることができる。なお、本実施形態の有機ＴＦＴ１では、ソース電極２１及びドレイン電極２２と有機半導体層３０との間、有機半導体層３０とゲート絶縁層４０との間、ゲート絶縁層４０とゲート電極５０との間には、それぞれ、任意の目的で、１層又は２層以上を追加することもできる。
【００５７】
（Ｃ．変形例）
有機ＴＦＴ１において、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形状は、上記したものに限られない。以下では、図７から図９を用いて有機ＴＦＴ１のソース電極２１及びドレイン電極２２の形状についての変形例について説明する。
【００５８】
図７は、本実施形態の変形例の一つである有機ＴＦＴ１Ａの平面図である。有機ＴＦＴ１Ａは、ソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部２０ｃ全体が略円弧状（略半円状）となっている点において有機ＴＦＴ１と異なる。このような構成によれば、端部２０ｃの形状の曲率半径を大きくすることができるので、電界集中及びこれに起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊をより起こりにくくすることができる。
【００５９】
有機ＴＦＴ１Ａは、基本的には有機ＴＦＴ１と同様の製造方法によって製造することができる。ただし、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形成にあたり、液滴２４Ａを吐出する際には、吐出後の液滴２４Ａの直径が櫛歯２１ｐ，２２ｐの太さと等しくなるように設定する。このようにすれば、櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部２０ｃは、当該部位に吐出された液滴２４Ａの外形の半分（半円）を利用して、略半円状の形状に形成される。
【００６０】
図８は、本実施形態の変形例の一つである有機ＴＦＴ１Ｂの平面図である。有機ＴＦＴ１Ｂは、ソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐの全体の形状が曲線によって形作られている点において有機ＴＦＴ１と異なる。このような構成によれば、ソース電極２１及びドレイン電極２２に、電界が集中しやすい角部が存在しないこととなるため、電界集中及びこれに起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊をより起こりにくくすることができる。
【００６１】
図９は、本実施形態の変形例の一つである有機ＴＦＴ１Ｃの平面図である。有機ＴＦＴ１Ｃは、ソース電極２１及びドレイン電極２２が櫛歯２１ｐ，２２ｐをもたない点において有機ＴＦＴ１と異なる。ただし、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａの形状は略円弧状となっており、また角部２０ａの断面についても略円弧状の部分を含むような滑らかな形状となっているため、有機ＴＦＴ１と同様に電界集中及びこれに起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊が起こりにくい。
【００６２】
＜第２の実施形態＞
（Ａ．半導体装置）
続いて、本発明の第２の実施形態に係る有機ＴＦＴ１Ｄについて説明する。図１０は、本発明の半導体装置としての有機ＴＦＴ１Ｄの平面図である。また、図１０中のＢ−Ｂ線における断面図を図１２（ｆ）に示す。以下、図１０及び図１２（ｆ）の有機ＴＦＴ１Ｄについて、図１及び図３（ｅ）に示した第１の実施形態に係る有機ＴＦＴ１と異なる点を中心に説明する。なお、図１及び図３（ｅ）と同じ要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略する。
【００６３】
有機ＴＦＴ１Ｄは、ガラス基板１０上に互いに離間して配置されたソース電極２１及びドレイン電極２２と、ガラス基板１０上のうちソース電極２１及びドレイン電極２２に挟まれた領域及びこれらの周囲に配置された本発明におけるバンクとしてのポリイミド薄膜２６と、ソース電極２１、ドレイン電極２２、ポリイミド薄膜２６に接触してこれらを覆うように配置された有機半導体層３０と、有機半導体層３０上に順に積層されたゲート絶縁層４０及びゲート電極５０とを有する。ここで、第１の実施形態における有機ＴＦＴ１との違いは、ソース電極２１及びドレイン電極２２に挟まれた領域及びこれらの周囲にポリイミド薄膜２６が配置されている点である。換言すれば、ポリイミド薄膜２６は、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形成領域に対して排他的な領域に形成されている。ポリイミド薄膜２６は、有機ＴＦＴ１Ｄの製造工程において、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形成領域を規定するバンクとして機能する。
【００６４】
有機ＴＦＴ１Ｄは、上記した点を除けば第１の実施形態の有機ＴＦＴ１と同様の構成である。したがって、ソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ、及び根元部の角部２０ｂの形状は略円弧状をなしており、このため電界集中に起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊が起こりにくい。また、上記角部２０ａ，２０ｂの断面形状も略円弧状の部分を含むような滑らかな曲線から構成されているため、同様に電界集中を緩和することができ、ゲート絶縁層４０の絶縁破壊がより起こりにくくなっている。このような効果によって、ゲート絶縁層４０の厚さをより小さくすることが可能であり、トランジスタ特性を向上させることができる。すなわち、本実施形態の有機ＴＦＴ１Ｄも、ゲート絶縁層４０の絶縁破壊が起こりにくく、かつそのことに起因して高い信頼性及び高いトランジスタ特性を有する。
【００６５】
（Ｂ．半導体装置の製造方法）
続いて、図１１から図１３を用いて、有機ＴＦＴ１Ｄの製造方法について説明する。図１１は、有機ＴＦＴ１Ｄの製造方法を示した工程図、図１２（ａ）から（ｆ）は、当該製造工程における有機ＴＦＴ１Ｄの断面図、図１３は、図１１中の工程Ｐ２１及び工程Ｐ２３について説明するための平面図である。
【００６６】
以下、図１１の工程図に沿って説明する。まず工程Ｐ２１では、ガラス基板１０上の一部にポリイミド薄膜２６を形成する（図１２（ａ））。ここで、ポリイミド薄膜２６を形成する領域は、図１３（ａ）に示すように、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域（図７参照）に挟まれた領域を含む、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域の周囲の領域である。このとき、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域の形状は、後にゲート電極５０と重なる領域における角部２０ａ，２０ｂ（図１０）の形状が略円弧状となるように設定される。つまり、ポリイミド薄膜２６は、角部２０ａ，２０ｂに相当する部位において略円弧状となるように形成される。
【００６７】
この工程は、ガラス基板１０上に、スピンコート法等によって感光性ポリイミドを塗布した後に、フォトリソグラフィー法によって感光性ポリイミドをパターニングすることにより行われる。なお、この工程Ｐ２１が、本発明における「工程Ｂ」に対応する。
【００６８】
続く工程Ｐ２２では、上記ポリイミド薄膜２６の撥液化処理を行う。より詳しくは、ガラス基板１０を酸素プラズマ処理して表面の炭素成分を除去し親水処理を行った後に、フッ素プラズマ処理を行うことによりポリイミド薄膜２６を撥水処理する。
【００６９】
次に、工程Ｐ２３では、ガラス基板１０上の、前記ポリイミド薄膜２６と接する領域を含む、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域に、導電性材料を含む機能液２４を配置する（図１２（ｂ））。この工程は、インクジェット法によって行われる。すなわち、液滴吐出装置１００（図５）のヘッド１１４から、ソース電極２１及びドレイン電極２２の構成材料となる導電性材料を含む機能液２４の複数の液滴２４Ａを吐出することによって行われる。本実施形態では、機能液２４としてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを用いているが、その他、ソース電極２１及びドレイン電極２２の構成材料として既述した各種導電性材料の水分散液又はアルコール分散液等を用いることもできる。
【００７０】
このとき、上記ポリイミド薄膜２６が機能液２４に対して撥液性を有し、機能液２４をはじくため、機能液２４はポリイミド薄膜２６上には配置されず、図１３（ｂ）に示すようにポリイミド薄膜２６の形成領域に対して排他的に配置される。すなわち、機能液２４は、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域に限って配置されることとなる。換言すれば、ポリイミド薄膜２６は、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形成領域を規定するバンクとして機能する。また、機能液２４は、ポリイミド薄膜２６の撥液性に応じた接触角をもって配置される。この接触角は９０°前後となるのが好ましい。
【００７１】
この工程により、櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ（図１０）に相当する部位には、機能液２４が略円弧状の外周形状を有した状態に配置されることとなる。また、櫛歯２１ｐ，２２ｐの根元部の角部２０ｂ（図１０）に相当する部位においても、機能液２４が滑らかな略円弧状の外周形状を有した状態に配置される。
【００７２】
なお、この工程は、ポリイミド薄膜２６が十分な撥液性を有していれば、上記したインクジェット法に代えて、ディップ法やスピンコート法などによって行うこともできる。こうした方法によって機能液２４をガラス基板１０上の全面に塗布しても、ポリイミド薄膜２６が機能液２４をはじくため、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成すべき領域に限って機能液２４を配置することができる。
【００７３】
次に、工程Ｐ２４では、ガラス基板１０上に配置された機能液２４を乾燥させて、ソース電極２１及びドレイン電極２２を形成する（図１２（ｃ））。具体的には、機能液２４の分散媒又は溶媒を蒸発させて、機能液２４に含まれていた導電性材料を固形化させ、これによりガラス基板１０上にソース電極２１及びドレイン電極２２を形成する。このとき、機能液２４は櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部の角部２０ａ及び根元部の角部２０ｂに相当する部位において滑らかな略円弧状の外周形状を有して配置されているので、これを乾燥して得られるソース電極２１及びドレイン電極２２も、角部２０ａ，２０ｂが滑らかな略円弧状の形状を有した状態に形成される。また、機能液２４の表面は、乾燥過程においても表面張力によりその表面積を最小にするように曲面形状を維持するので、乾燥後に得られるソース電極２１及びドレイン電極２２の断面形状は、角部２０ａ，２０ｂを含む外周部２０ｄが略円弧状の部分を含むような滑らかな形状となる。
【００７４】
次に、工程Ｐ２５では、ソース電極２１、ドレイン電極２２、ポリイミド薄膜２６を覆うように、有機半導体層３０を形成する（図１２（ｄ））。この工程は、第１の実施形態の工程Ｐ１３と同様にして行われる。
【００７５】
次に、工程Ｐ２６では、有機半導体層３０上に、ゲート絶縁層４０を形成する（図１２（ｅ））。この工程は、第１の実施形態の工程Ｐ１４と同様にして行われる。
【００７６】
次に、工程Ｐ２７では、ゲート絶縁層４０上のうち、ガラス基板１０の法線方向から見てソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐと少なくとも重なる領域にゲート電極５０を形成する（図１２（ｆ））。この工程は、第１の実施形態の工程Ｐ１５と同様にして行われる。
【００７７】
以上のような工程を経て、有機ＴＦＴ１Ｄが得られる。このような製造方法によれば、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａ，２０ｂの形状を略円弧状とすることができる。また、当該角部２０ａ，２０ｂの断面についても略円弧状の部分を含むような滑らかな形状とすることができる。なお、本実施形態の有機ＴＦＴ１Ｄでは、ソース電極２１及びドレイン電極２２と有機半導体層３０との間、有機半導体層３０とゲート絶縁層４０との間、ゲート絶縁層４０とゲート電極５０との間には、それぞれ、任意の目的で、１層又は２層以上を追加することもできる。
【００７８】
（Ｃ．変形例）
有機ＴＦＴ１Ｄにおいて、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形状は、上記したものに限られない。以下では、図１４から図１６を用いて有機ＴＦＴ１Ｄのソース電極２１及びドレイン電極２２の形状についての変形例について説明する。
【００７９】
図１４は、本実施形態の変形例の一つである有機ＴＦＴ１Ｅの平面図である。有機ＴＦＴ１Ｅは、ソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部２０ｃ全体が略円弧状（略半円状）となっている点において有機ＴＦＴ１Ｄと異なる。このような構成によれば、端部２０ｃの形状の曲率半径を大きくすることができるので、電界集中及びこれに起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊をより起こりにくくすることができる。
【００８０】
図１５は、本実施形態の変形例の一つである有機ＴＦＴ１Ｆの平面図である。有機ＴＦＴ１Ｆは、ソース電極２１及びドレイン電極２２の櫛歯２１ｐ，２２ｐの全体の形状が曲線によって形作られている点において有機ＴＦＴ１Ｄと異なる。このような構成によれば、ソース電極２１及びドレイン電極２２に、電界が集中しやすい角部が存在しないこととなるため、電界集中及びこれに起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊をより起こりにくくすることができる。
【００８１】
図１６は、本実施形態の変形例の一つである有機ＴＦＴ１Ｇの平面図である。有機ＴＦＴ１Ｇは、ソース電極２１及びドレイン電極２２が櫛歯２１ｐ，２２ｐをもたない点において有機ＴＦＴ１Ｄと異なる。ただし、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａの形状は略円弧状となっており、また角部２０ａの断面についても略円弧状の部分を含むような滑らかな形状となっているため、有機ＴＦＴ１Ｄと同様に電界集中及びこれに起因するゲート絶縁層４０の絶縁破壊が起こりにくい。
【００８２】
以上の変形例に係る有機ＴＦＴ１Ｅ，１Ｆ，１Ｇを製造するには、いずれもポリイミド薄膜２６の形成領域をソース電極２１及びドレイン電極２２の形状に合わせて変更すればよい。
【００８３】
＜電気光学装置＞
次に、上述したような有機ＴＦＴ１（有機ＴＦＴ１Ａから１Ｇを含む）を備えるアクティブマトリクス装置が組み込まれた電気光学装置について、電気泳動表示装置を一例に説明する。
【００８４】
図１７は、本発明の電気光学装置としての電気泳動表示装置２００の実施形態を示す断面図、図１８は、図１７に示す電気泳動表示装置２００が備えるアクティブマトリクス装置３００の構成を示すブロック図、図１９は、アクティブマトリクス装置３００の拡大平面図である。なお、図１９においては、説明の便宜上、有機ＴＦＴ１に含まれる有機半導体層３０及びゲート絶縁層４０の表示は省略されている。
【００８５】
図１７に示す電気泳動表示装置２００は、基板５００上に設けられたアクティブマトリクス装置３００と、このアクティブマトリクス装置３００に電気的に接続された電気泳動表示部４００とで構成されている。
【００８６】
図１８及び図１９に示すように、アクティブマトリクス装置３００は、互いに直交する複数のデータ線３０１と、複数の走査線３０２と、これらのデータ線３０１と走査線３０２との各交点付近に設けられた複数の有機ＴＦＴ１とを有している。走査線３０２は、行方向に並んだ複数の有機ＴＦＴ１のゲート電極５０が繋がれてなる配線である。また、有機ＴＦＴ１のソース電極２１はデータ線３０１に、ドレイン電極２２は画素電極（個別電極）４０１に、それぞれ接続されている。
【００８７】
図１７に示すように、電気泳動表示部４００は、基板５００上に順次積層された、画素電極４０１と、マイクロカプセル４０２と、透明電極（共通電極）４０３及び透明基板４０４とを有している。そして、マイクロカプセル４０２がバインダ材４０５により、画素電極４０１と透明電極４０３との間に固定されている。画素電極４０１は、マトリクス状に、すなわち、縦横に規則正しく配列するように分割されている。各マイクロカプセル４０２内には、それぞれ、特性の異なる複数種の電気泳動粒子、本実施形態では、電荷及び色（色相）の異なる２種の電気泳動粒子４２１、４２２を含む電気泳動分散液４２０が封入されている。
【００８８】
このような電気泳動表示装置２００では、１本あるいは複数本の走査線３０２に選択信号（選択電圧）を供給すると、この選択信号（選択電圧）が供給された走査線３０２に接続されている有機ＴＦＴ１がＯＮとなる。これにより、かかる有機ＴＦＴ１に接続されているデータ線３０１と画素電極４０１とは、実質的に導通する。このとき、データ線３０１に所望のデータ（電圧）を供給した状態であれば、このデータ（電圧）は画素電極４０１に供給される。これにより、画素電極４０１と透明電極４０３との間に電界が生じ、この電界の方向、強さ、電気泳動粒子４２１、４２２の特性等に応じて、電気泳動粒子４２１、４２２は、いずれかの電極の方向に向かって電気泳動する。
【００８９】
一方、この状態から、走査線３０２への選択信号（選択電圧）の供給を停止すると、有機ＴＦＴ１はＯＦＦとなり、かかる有機ＴＦＴ１に接続されているデータ線３０１と画素電極４０１とは非導通状態となる。
【００９０】
したがって、走査線３０２への選択信号の供給及び停止、あるいは、データ線３０１へのデータの供給及び停止を適宜組み合わせて行うことにより、電気泳動表示装置２００の表示面側（透明基板４０４側）に、所望の画像（情報）を表示させることができる。
【００９１】
特に、本実施形態の電気泳動表示装置２００では、電気泳動粒子４２１、４２２の色を異ならせていることにより、多階調の画像を表示することが可能となっている。また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、アクティブマトリクス装置３００を有することにより、特定の走査線３０２に接続された有機ＴＦＴ１を選択的にＯＮ／ＯＦＦすることができるので、クロストークの問題が生じにくく、また、回路動作の高速化が可能であることから、高い品質の画像（情報）を得ることができる。また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、低い駆動電圧で作動するため、省電力化が可能である。
【００９２】
なお、本発明の電気光学装置は、このような電気泳動表示装置２００への適用に限定されるものではなく、液晶表示装置、有機又は無機ＥＬ表示装置等に適用することもできる。
【００９３】
＜電子機器＞
このような電気泳動表示装置２００は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、電気泳動表示装置２００を備える本発明の電子機器について説明する。
【００９４】
（Ａ．電子ペーパー）
まず、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態について説明する。図２０は、本発明の電子機器の実施形態に係る電子ペーパー６００の斜視図である。この図に示す電子ペーパー６００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体６０１と、表示ユニット６０２とを備えている。このような電子ペーパー６００では、表示ユニット６０２が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。
【００９５】
（Ｂ．ディスプレイ）
次に、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態について説明する。図２１は、本発明の電子機器の実施形態に係るディスプレイ８００を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。この図に示すディスプレイ８００は、本体部８０１と、この本体部８０１に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー６００とを備えている。なお、この電子ペーパー６００は、前述したような構成、すなわち、図２０に示す構成と同様のものである。
【００９６】
本体部８０１は、その側部（図中、右側）に電子ペーパー６００を挿入可能な挿入口８０５が形成され、また、内部に二組の搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂが設けられている。電子ペーパー６００を、挿入口８０５を介して本体部８０１内に挿入すると、電子ペーパー６００は、搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂにより挟持された状態で本体部８０１に設置される。
【００９７】
また、本体部８０１の表示面側（下図（ｂ）中、紙面手前側）には、矩形状の孔部８０３が形成され、この孔部８０３には、透明ガラス板８０４が嵌め込まれている。これにより、本体部８０１の外部から、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を視認することができる。すなわち、このディスプレイ８００では、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を、透明ガラス板８０４において視認させることで表示面を構成している。
【００９８】
また、電子ペーパー６００の挿入方向先端部（図中、左側）には、端子部８０６が設けられており、本体部８０１の内部には、電子ペーパー６００を本体部８０１に設置した状態で端子部８０６が接続されるソケット８０７が設けられている。このソケット８０７には、コントローラー８０８と操作部８０９とが電気的に接続されている。
【００９９】
このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００は、本体部８０１に着脱自在に設置されており、本体部８０１から取り外した状態で携帯して使用することもできる。また、このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。
【０１００】
なお、本発明の電子機器は、以上のようなものへの適用に限定されず、例えば、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、電子新聞、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ、これらの各種電子機器の表示部に、電気泳動表示装置２００を適用することが可能である。
【０１０１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【０１０２】
（変形例１）
ソース電極２１及びドレイン電極２２の形成に際し、上記第１の実施形態では液滴吐出法によって形成し、第２の実施形態ではポリイミド薄膜２６のバンク形成と液滴吐出法との組み合わせによって形成するが、これらに限定する趣旨ではない。バンク材料としては、ポリイミドに代表されるイミド系樹脂だけでなく、アクリル系、エポキシ系、エステル系樹脂を使用しても良い。また、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形成には、これらに代えて以下のような方法を用いてもよい。
【０１０３】
すなわち、まず、ガラス基板１０上に、金属膜（金属層）を形成する。これは、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等により形成することができる。
【０１０４】
この金属膜上に、レジスト材料を塗布した後に硬化させ、ソース電極２１及びドレイン電極２２の形状に対応する形状のレジスト層を形成する。この際、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａ，２０ｂに相当する部分が略円弧状となるようにレジスト層を形成する。このレジスト層をマスクに用いて、金属膜の不要部分を除去する。この金属膜の除去には、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。その後、レジスト層を除去することにより、ソース電極２１及びドレイン電極２２が得られる。
【０１０５】
こうした方法によっても、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａ，２０ｂの形状が略円弧状の有機ＴＦＴ１を製造することができ、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０６】
（変形例２）
上記各実施形態において、ソース電極２１及びドレイン電極２２の角部２０ａ，２０ｂや櫛歯２１ｐ，２２ｐの端部２０ｃの形状は必ずしも正確な円弧状をなしている必要はなく、略円弧状であれば電界集中を緩和することができる。具体的には、曲率半径の異なる複数の円弧の組み合わせ、楕円の一部、その他の滑らかな曲線状の形状であってもよい。
【０１０７】
（変形例３）
上記各実施形態において、ゲート絶縁層４０には絶縁性ポリマーを用いてるが、これに代えて無機酸化物等の無機物質を用いてもよい。ゲート絶縁層４０に好適な無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルト、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸鉛、酸化チタン、酸化タンタル等のうちの１種又は２種を組み合わせたものを挙げることができるが、特に、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルト、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸鉛、酸化チタン、酸化タンタルのうちの少なくとも１種が好ましい。これらの酸化物は、特に、誘電率が高く、これらの絶縁性無機粒子を用いることにより、有機ＴＦＴ１の駆動電圧を抑えることが可能となり、有機ＴＦＴ１の消費電力の低減及び信頼性のさらなる向上を図ることができる。
【０１０８】
（変形例４）
上記各実施形態では、本発明における「基板」としてガラス基板１０を用いているが、これ以外にも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）ポリイミド（ＰＩ）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、金属基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。有機ＴＦＴ１に可撓性を付与する場合には、本発明の基板には、プラスチック基板、あるいは、薄い（比較的膜厚の小さい）金属基板が選択される。ガラス基板１０においては、ポリイミド薄膜２６によるバンクを形成する手法を用いたが、他の基板、特にプラスチック基板を用いる際には、基板の表面に絶縁層を兼ねた金属酸化物を形成し、ガラス基板１０と同様の処理を行っても良い。あるいは、プラスチック基板を基板として用いる場合には、フッ化ポリイミドに代表されるフッ素樹脂をバンクに用いても良い。フッ素樹脂を用いた場合には、フッ素樹脂をパターニングしてバンクを形成した後、酸素プラズマ処理を行うことで、バンク内のみ親水性とすることができ、ソース電極２１及びドレイン電極２２のパターニングが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】第１の実施形態に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図２】第１の実施形態に係る有機ＴＦＴの製造方法を示す工程図。
【図３】（ａ）から（ｅ）は、第１の実施形態に係る有機ＴＦＴの製造工程における断面図。
【図４】機能液の液滴を吐出すべき位置のパターンを示す模式図。
【図５】液滴吐出装置の斜視図。
【図６】液滴吐出装置のヘッドを表し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図。
【図７】第１の実施形態の変形例に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図８】第１の実施形態の変形例に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図９】第１の実施形態の変形例に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図１０】第２の実施形態に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図１１】第２の実施形態に係る有機ＴＦＴの製造方法を示す工程図。
【図１２】（ａ）から（ｆ）は、第２の実施形態に係る有機ＴＦＴの製造工程における断面図。
【図１３】（ａ）及び（ｂ）は、ポリイミド薄膜の形成位置を説明するための平面図。
【図１４】第２の実施形態の変形例に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図１５】第２の実施形態の変形例に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図１６】第２の実施形態の変形例に係る有機ＴＦＴの平面図。
【図１７】本発明の電気光学装置としての電気泳動表示装置の断面図。
【図１８】図１７に示す電気泳動表示装置が備えるアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図。
【図１９】図１７に示す電気泳動表示装置が備えるアクティブマトリクス装置の拡大平面図。
【図２０】本発明の電子機器としての電子ペーパーの斜視図。
【図２１】本発明の電子機器としてのディスプレイを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図。
【符号の説明】
【０１１０】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ…「半導体装置」としての有機ＴＦＴ、１０…ガラス基板、２０ａ，２０ｂ…角部、２０ｃ…櫛歯の端部、２０ｄ…ソース電極又はドレイン電極の外周部、２１…ソース電極、２１ｐ…ソース電極の櫛歯、２２…ドレイン電極、２２ｐ…ドレイン電極の櫛歯、２４…機能液、２４Ａ…機能液の液滴、２６…ポリイミド薄膜、３０…有機半導体層、４０…ゲート絶縁層、５０…ゲート電極、６０，６０ａ，６０ｂ…液滴の吐出位置を示す小円、１００…液滴吐出装置、１１４…ヘッド、２００…「電気光学装置」としての電気泳動表示装置、３００…アクティブマトリクス装置、６００…「電子機器」としての電子ペーパー、８００…「電子機器」としてのディスプレイ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に離間して配置されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極上に配置された半導体層と、
前記半導体層上に配置されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層によって前記ソース電極及び前記ドレイン電極から絶縁され、前記基板の法線方向から見て前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域に配置されたゲート電極とを備え、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の、前記基板の法線方向から見て前記ゲート電極と重なった領域における角部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の角部の、前記基板に垂直な平面における断面形状が、略円弧状の部分を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置であって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は櫛歯状をなす部分を有しており、かつその歯が互いに噛み合うように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の半導体装置であって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の櫛歯状をなす部分の端部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の櫛歯状をなす部分の根元部の角部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２から５のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の櫛歯状をなす部分の、前記基板の法線方向から見た形状の略全体が曲線によって形作られていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を備えた半導体装置の製造方法であって、
基板上の、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成すべき領域に、液滴吐出装置を用いて、導電性材料を含む機能液の複数の液滴を吐出して前記機能液を配置する工程Ａと、
前記機能液を乾燥させて、前記導電性材料を含んだ前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上の、前記基板の法線方向から見て前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域にゲート電極を形成する工程とを有し、
前記工程Ａは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成すべき領域のうち、前記基板の法線方向から見て前記ゲート電極と重なる領域における角部となる位置に、吐出後の形状が略円形となるように前記液滴を吐出する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を備えた半導体装置の製造方法であって、
基板上の、前記ソース電極が形成されるべき領域と前記ドレイン電極が形成されるべき領域に挟まれた領域にバンクを形成する工程Ｂと、
少なくとも前記バンクと接する領域に、導電性材料を含む機能液を配置する工程と、
前記機能液を乾燥させて、前記導電性材料を含んだ前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上の、前記基板の法線方向から見て前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域にゲート電極を形成する工程とを有し、
前記工程Ｂにおける前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成されるべき領域は、前記基板の法線方向から見て前記ゲート電極と重なる領域における角部の形状が略円弧状となっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
基板上に離間して配置されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極上に配置された半導体層と、
前記半導体層上に配置されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層によって前記ソース電極及び前記ドレイン電極から絶縁され、前記基板の法線方向から見て前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域に配置されたゲート電極とを備え、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の、前記基板の法線方向から見て前記ゲート電極と重なった領域における角部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の角部の、前記基板に垂直な平面における断面形状が、略円弧状の部分を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置であって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は櫛歯状をなす部分を有しており、かつその歯が互いに噛み合うように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の半導体装置であって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の櫛歯状をなす部分の端部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の櫛歯状をなす部分の根元部の角部の形状が、前記基板の法線方向から見て略円弧状をなしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２から５のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の櫛歯状をなす部分の、前記基板の法線方向から見た形状の略全体が曲線によって形作られていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を備えた半導体装置の製造方法であって、
基板上の、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成すべき領域に、液滴吐出装置を用いて、導電性材料を含む機能液の複数の液滴を吐出して前記機能液を配置する工程Ａと、
前記機能液を乾燥させて、前記導電性材料を含んだ前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上の、前記基板の法線方向から見て前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域にゲート電極を形成する工程とを有し、
前記工程Ａは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成すべき領域のうち、前記基板の法線方向から見て前記ゲート電極と重なる領域における角部となる位置に、吐出後の形状が略円形となるように前記液滴を吐出する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を備えた半導体装置の製造方法であって、
基板上の、前記ソース電極が形成されるべき領域と前記ドレイン電極が形成されるべき領域に挟まれた領域にバンクを形成する工程Ｂと、
少なくとも前記バンクと接する領域に、導電性材料を含む機能液を配置する工程と、
前記機能液を乾燥させて、前記導電性材料を含んだ前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上の、前記基板の法線方向から見て前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部に重なる領域にゲート電極を形成する工程とを有し、
前記工程Ｂにおける前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成されるべき領域は、前記基板の法線方向から見て前記ゲート電極と重なる領域における角部の形状が略円弧状となっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２００７−３０５８０２（Ｐ２００７−３０５８０２Ａ）
【公開日】平成１９年１１月２２日（２００７．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１３３０１３（Ｐ２００６−１３３０１３）
【出願日】平成１８年５月１１日（２００６．５．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月２２日（２００７．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年５月１１日（２００６．５．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]