【課題】従来技術を発展させた半導体ガスセンサを提供すること。
【解決手段】第１の端子部分が、半導体本体（２０）の表面に設けられたパッシベーション層（３０）を貫通する第１の成形部分（１１２）を有し、該第１の成形部分（１１２）は、参照電位に接続された導電性層（１１５）を備えた底面を有し、該第１の端子部分と制御電極（１００）とは第１の接合材（１３０）を用いて電気的接続かつ摩擦接続的に結合されている。第２の端子部分と前記制御電極（１００）とは第２の接合材（１４０）を用いて少なくとも摩擦接続的に結合されており、前記第１の接合材（１３０）は前記成形部分を少なくとも部分的に充填し、前記制御電極（１００）と前記導電性層（１１５）とを接続する。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗かつ高反射率の特性と共に表面粗さが小さく、高い耐硫化性及び耐塩化性を兼ね備えた導電性膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜が、Ｃｕ：０．１〜２．５原子％、Ｓｂ：０．１〜１．５原子％、Ｇａ：０．５〜３原子％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成されている。この導電性膜は、表面に有機ＥＬ素子の透明導電膜が積層され、さらにその上に有機ＥＬ層を含む電界発光層が積層される有機ＥＬ素子用の反射電極膜として好適である。 （もっと読む）

【課題】ビアホール、コンタクトホール、スルーホール等の穴部の内面のみを改質して、穴部に導体を形成する。
【解決手段】基板１００には、上面１００ａの開口から下面１００ｂの開口に向かうにつれて直径が増加しているビアホール１１０が設けられている。基板１００の下面には、表面に微小な凹凸形状が形成された光反射用基板４６が配置される。照射部４０からビアホール１１０にレーザ光Ｌが照射されると、ビアホール１１０の開口部から入射したレーザ光は、基板１００の下面に配置された光反射用基板４６の表面によって散乱反射される。このレーザ光Ｌの反射光は、ビアホール１１０の内面１１０ａに照射され、内面１１０ａが表面改質される。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で形成でき、耐熱性に優れた温度検出素子を備える炭化珪素（ＳｉＣ）半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置は、ＳｉＣ基板１に形成された半導体素子と、底面にバリアメタル１４を備える配線層を用いて形成したソース電極１５およびゲートパッド１６と、その配線層のバリアメタル１４の一部を用いて形成した測温抵抗体２０を備える。 （もっと読む）

【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ（１０）を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極（６０）が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料（６１）が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】放熱性と耐久性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電ベースプレートと、導電ベースプレート上に接合される半導体チップと、半導体チップと導電ベースプレートとの接合面の中央部に配置された第１接着剤と、半導体チップと導電ベースプレートとの接合面の周辺部に配置された第２接着剤とを備え、第１接着剤は第２接着剤よりも相対的に熱伝導率が高く、第２接着剤は第１接着剤より相対的に接合力が高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】配線にＣｕを用いる配線の電気抵抗値とＴＦＴの電気特性値を均一にするアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板およびＴＦＴを有する表示装置の製造方法であって、ＴＦＴは、電極および電極近接層を有し、電極は、銅および銅以外の添加元素を含み、以下の工程を含む表示装置の製造方法（Ａ）基板の上に電極および電極近接層が形成される工程、（Ｂ）電極または電極近接層がオゾン水で洗浄される工程、（Ｃ）前記（Ｂ）の工程後の熱処理により、電極と電極近接層との界面に、酸素を含む酸化物膜が形成される工程。 （もっと読む）

【課題】パターン形成のタクトタイムの短縮を実現し、ＰＤＰ製造のトータル的低コスト化が可能な白黒二層構造のバス電極パターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る白黒二層構造のバス電極パターン形成方法は、基材上に、耐熱顔料を含む塗膜を形成する工程と、上記塗膜の上に、導電性粉末を含む塗膜を形成し、二層塗膜を得る工程と、上記二層塗膜に対し、レーザー照射によりパターンを描画するレーザー照射工程と、上記パターン以外の部分を除去する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 酸化物電極との良好な接続を行うことや、絶縁膜等との界面で生じる相互拡散を抑制することができ、かつ製造工程の低コスト化を図ることができる配線構造体、それを用いた半導体素子、配線基板、表示用パネル及び表示装置を提供する。
【解決手段】 アルミニウム層、銅層及び銅合金層からなる群より選択される少なくとも１つの層と、アルミニウム合金層とを含む２層以上の積層体であり、該アルミニウム合金層が表層に配置されている配線構造体である。これにより、液晶表示装置等において、酸化物電極と配線との接続部で酸化膜が形成されず、良好な接続を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】特性が良好なトランジスタを提供する。
【解決手段】例えば、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造のトランジスタを作製するに際して、ソースとドレインを構成する導電層を３層の積層構造とし、２段階のエッチングを行う。すなわち、第１のエッチング工程には、少なくとも第２の膜及び第３の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、第１のエッチング工程は少なくとも第１の膜を露出するまで行う。第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。第２のエッチング工程後にレジストマスクをレジスト剥離液により剥離するに際し、第２の膜の側壁が少し削られる。 （もっと読む）

【課題】積層する基板の電極端子同士の間での接合不良を防止できる３次元集積化技術を提供する。
【解決手段】基板１上にトランジスタ６と多層配線２、絶縁膜３を形成する。絶縁膜３に配線が露出するように開口部４を形成する。開口部内を含む絶縁膜上に、銅などからなる複数の導電体微粒子５を含む有機溶剤を回転塗布する。第１の熱処理により溶剤と有機成分を除去した後、ＣＭＰ法で外側部分の導電体微粒子を除去する。開口部内に導電体微粒子から構成された電極端子９が形成される。第２の基板５１の貫通電極５２を開口部に合わせ、加圧して押し合わせる。第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行い、導電体微粒子を部分的に溶融させ、貫通電極と接合する。 （もっと読む）

【課題】ショットキーバリアダイオードとアンテナとのインピーダンスミスマッチを低減することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】電磁波検出素子は、基板１１に設けられたショットキーバリアダイオード１１１、１１２とアンテナとを含む。アンテナが、分割された第一導電要素１０１と第二導電要素１０２、分割された第三導電要素１０３と第四導電要素１０４、第一及び第三導電要素を電気的に接続する第一接続部１０５、及び第二及び第四導電要素を電気的に接続する第二接続部１０４を含む。第一導電要素と第二導電要素、及び第三導電要素と第四導電要素が、夫々、電磁波の入射方向に沿って隔たった基板１１上の複数の面に形成される。ショットキーバリアダイオードが、第一導電要素と第二導電要素との間に電気的に接続されて設けられる。 （もっと読む）

【課題】めっき反応速度を調整することでめっき未着を防ぐことが可能な貫通孔配線基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】微小デバイスを構成する貫通孔配線基板の製造方法であって、基板４０の両表面を貫通する貫通孔４１を形成する工程と、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程と、を備え、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程では、Ｎｉめっきの析出レートを５０ｎｍ／ｍｉｎ未満にしてめっきを成長させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜を成膜する際に生じるポリシランを含む副生成物を、非成膜時に迅速かつ簡便に処理することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置は、ＣＶＤ法を用いて、真空中で基板Ｗにシリコン膜を成膜する成膜室１１と、前記成膜室内にオゾン含有ガスを導入可能な第一オゾン含有ガス供給手段１８０と、を少なくとも備え、シリコン膜の成膜を終了した状態にある前記成膜室内に前記オゾン含有ガスを導入することにより、前記シリコン膜の成膜中に生成したポリシランを含む副生成物を酸化させること、を特徴とする。 （もっと読む）

ナノ構造体にドープして伝導率特性を調節する。種々の例示的実施形態で、カーボンナノチューブ等のナノ構造体にハロゲン化フラーレンタイプのドーパント材料をドープする。いくつかの実施態様では、ドーパント材料は溶液から又は蒸着により堆積され、ナノチューブにドープしてナノチューブの熱及び／又は電気伝導率を上昇させるために用いられる。
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【課題】コンタクト抵抗の増加を抑制した半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造装置１００ａは、エピタキシャル層形成装置１１０と、電極形成装置１５０と、接続部１２０とを備えている。エピタキシャル層形成装置１１０は、基板上にエピタキシャル層を形成する。電極形成装置１５０は、エピタキシャル層に電極を形成する。接続部１２０は、エピタキシャル層形成装置１１０と電極形成装置１５０とを接続し、かつ大気を遮断した雰囲気である。 （もっと読む）

【課題】表面荒れが少なく、光の透過率の高い透明電極パターンを容易に形成できる技術を提供する。
【解決手段】本発明の透明電極パターンの形成方法によれば、基材の一面に透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、前記透明電極層の一部を覆い、前記透明電極層の他部を露出するようにパターニングされたマスクを形成するマスク形成工程と、前記マスクおよび前記透明電極層の表面に金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、エッチングにより前記金属膜の一部を残し金属配線を形成し、前記マスクの一部と前記透明電極層の前記他部の一部を露出させる第１エッチング工程と、前記第１エッチング工程で露出した前記透明電極層を前記マスクの一部をマスクとしてエッチングすることにより透明電極のパターンを形成する第２エッチング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造中のパーティクルの発生を低減して、歩留まりを改善することができる基板構造を有する薄膜トランジスタアレイ基板、該薄膜トランジスタアレイ基板を適用した発光パネル及びその製造方法、並びに、該発光パネルを実装した電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１上に形成されるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２に接続される配線層のうち、最上層に形成される配線（電源電圧ラインＬａ、選択ラインＬｓ）表面の少なくとも一部が陽極酸化膜で形成されている。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制し、かつ特性を向上する半導体酸化物を提供する。
【解決手段】半導体酸化物は、非結晶質の半導体酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度は、１×１０²⁰ａｔｏｍ／ｃｃ以上１×１０²²ａｔｏｍ／ｃｃ以上であり、Ｉｎの濃度とＧａの濃度とＺｎの濃度との合計の濃度に対するＩｎの濃度の比が０．３０以上０．６６以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１導電型の第１の多結晶シリコン膜と第２導電型の第２の多結晶シリコン膜とを同時にエッチング加工する際の加工精度を向上するための製造方法の提供。
【解決手段】第１導電型の不純物を含む第１の多結晶シリコン膜１０３−１と、第２導電型の不純物を含む第２の多結晶シリコン膜１０３−２とを形成し、前記第１の多結晶シリコン膜をエッチングし、第１のパターンを形成するとともに、前記第２の多結晶シリコン膜をエッチングし、第２のパターンを形成するパターニング工程とを備える。パターニング工程は、第１のパターン及び第２のパターンのそれぞれの側面を露出させるようにエッチングを行う第１のエッチング工程と、露出した側面を酸化して側面に酸化膜を形成する酸化工程と、側面が酸化膜で保護された状態でエッチングを行い、第１の多結晶シリコン膜及び第２の多結晶シリコン膜のパターニングを完了させる第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）