【課題】光の利用効率に優れると共に、容易に製造可能な液晶装置、液晶装置の製造方法及びプロジェクターを提供すること。
【解決手段】対向配置され、複数の画素領域が設けられた一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板のうち第一基板において複数の前記画素領域のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子と、前記一対の基板のうち前記第一基板において前記スイッチング素子よりも前記液晶層側に設けられ、前記画素領域ごとに配置された複数の第一光屈折部と、前記一対の基板のうち前記第一基板とは異なる第二基板に設けられ、前記画素領域ごとに配置された複数の第二光屈折部とを備え、前記第一光屈折部及び前記第二光屈折部のうち、一方は曲面状に形成されており、他方は平面視で前記画素領域の中央部へ向けて傾斜する複数の平面によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素は、トランジスタと、走査線として機能することができる第１の配線と、信号線として機能することができる第２の配線と、画素電極とを有し、画素は、当該第１の配線と同時に形成された容量線を有さない液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】表示領域の周辺部分近傍に見られる表示ムラを無くし、優れた表示品位の液晶表示装置を得る。
【解決手段】各々にスイッチング素子を有する複数の画素１３がマトリクス状に形成された表示領域３と表示領域３の外側であってスイッチング素子に信号を供給する引き出し配線６が形成された引き出し配線領域４とを有するアレイ基板２と、アレイ基板２上に、表示領域３と引き出し配線領域４の境界からアレイ基板２端部に向けて、相互に平行に延在する複数の畝状の凸部１０と、表示領域３を覆う配向膜９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板６０に形成された薄膜トランジスタ２００であって、周面の一部又は全部が導電性材料２０により覆われたワイヤー１０と、前記導電性材料を覆う絶縁膜３０と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体４０と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部５０を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第１及び第２の電極７０、８０が接続されて形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】 第１方向に沿って延出し第２方向に沿って第１ピッチで配置された第１ゲート配線及び第２ゲート配線と、第２方向に沿って延出し第１方向に沿って第１ピッチよりも大きな第２ピッチで配置された第１ソース配線及び第２ソース配線と、半導体層と、第１ゲート配線と電気的に接続されたゲート電極と、半導体層にコンタクトし第１ソース配線と電気的に接続されたソース電極と、第１ソース配線及び第２ソース配線と同一材料によって形成されたドレイン電極であって半導体層にコンタクトした第１電極部、第１電極部に繋がり第１方向に沿って延出した第２電極部、及び、第１電極部に繋がり第１方向に沿って延出した第３電極部を備えたドレイン電極と、を備えた第１基板と、第２電極部と第３電極部との間に位置し第１方向に沿って延出した主共通電極を備えた第２基板と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線Ｇ２と、ゲート配線Ｇ２と交差するように延びたソース配線Ｓ１と、ソース配線Ｓ１と略平行に延びた主画素電極ＰＡを備えた画素電極ＰＥと、ゲート配線Ｇ２とソース配線Ｓ１とが交差した位置に配置されたスイッチング素子ＳＷと、を備えた第１基板ＡＲと、主画素電極ＰＡを挟んだ両側で主画素電極ＰＡと略平行に延びた共通電極ＣＥを有する第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶分子ＬＭを含む液晶層ＬＱと、を備え、スイッチング素子ＳＷは、前記画素電極と電気的に接続され前記ゲート線と重なるように配置されたドレイン配線ＥＤを含む、液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】スリットの端部の数を低減させてドメインの発生を抑制することができる電界駆動型装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】電界駆動装置としての液晶装置は、画素領域において、互いに異なる色に対応する２以上の矩形のサブ画素４を有している。当該液晶装置は、対向して配置された一対の基板と、当該基板間に配置された液晶と、一方の基板の、液晶に対向する面にサブ画素４ごとに形成された画素電極と、画素電極上に絶縁層を挟んで積層され、サブ画素４の辺の一つに平行なスリット２７を複数有する共通電極２６と、を備えている。スリット２７の少なくとも一部は、複数個分のサブ画素４の幅と略等しい長さを有し、同一の色に対応する各々のサブ画素４には、スリット２７の端部２８が同一数含まれている。 （もっと読む）

【課題】オフリーク電流を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置では、半導体層５３は、平面視においてゲート電極５１の範囲内に配置される。ソース電極５５及びドレイン電極５７は、平面視において半導体層５３の範囲内に配置される。シールド７は、保護絶縁膜４上に配置され、画素電極６と同一の材料からなり、画素電極６と電気的に接続されていない。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳ方式を代表とする横電界方式の液晶表示装置において、液晶材料にかかる
電界を十分にすることを課題とする。
【解決手段】横電界方式において、１組の電極ではなく、複数組の電極を用いて、共通電
極直上や画素電極直上にある液晶材料に電界をかける。１組の電極は、櫛歯状に設けられ
た共通電極と、櫛歯状に設けられた画素電極との組である。その他の組の電極は、画素部
に設けられた共通電極と、該櫛歯状に設けられた画素電極との組である。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板と、該絶縁体基板上に設けられた酸化物半導体膜と、を有し、該酸化物半導体膜にチャネルが形成されるトランジスタを有する半導体装置である。加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板は、絶縁体基板の少なくとも酸化物半導体膜が設けられる側に、酸素イオン注入を行うことで作製することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス基板にマトリクス状に配列された各々の有機半導体トランジスタの形成面積が小さく、かつ表示装置に用いた場合に均一で視認性に優れた画像表示を行うことを可能とするアクティブマトリクス基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】樹脂製基材と、上記樹脂製基材上に形成され、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体材料を含む有機半導体層を備える有機半導体トランジスタとを有し、上記有機半導体トランジスタがマトリクス状に複数配列されているアクティブマトリクス基板であって、隣接する２つの上記有機半導体トランジスタが、１つの上記有機半導体層のみを共有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】動作特性および信頼性の向上した、新規なマルチゲート構造のトランジスタを提
供することを課題とする。
【解決手段】２つ以上のゲート電極と、直列に接続した２つ以上のチャネル形成領域、ソ
ース領域、ドレイン領域、及び高濃度不純物領域を有する半導体層と、を有するマルチゲ
ート構造のトランジスタにおいて、ソース領域側に近接するチャネル形成領域のチャネル
長が、ドレイン領域側に近接するチャネル形成領域のチャネル長よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。
【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第１のゲート電極と、第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の第２のゲート電極とを有し、第１のゲート電極は、第１の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第２のゲート電極は、第２の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第２の絶縁層上に設けられ、第１の領域は、第２のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第２の領域は、画素電極が設けられた領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第１の領域における第２の絶縁層は、第２の領域における第２の絶縁層よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】画素間領域に設けた絶縁膜によって画素電極に起因する凹凸を緩和する場合でも、画素電極の厚さを適正に制御することができる電気光学装置の製造方法、かかる方法により製造された電気光学装置、当該電気光学装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板に画素電極９ａを形成する際、画素間領域１０ｆに沿って延在する格子状の凸部４７ｆを備えた第１絶縁膜４７を形成した後、第１絶縁膜４７にコンタクトホール４７ａを形成し、その後、導電膜９および第２絶縁膜４９を順次積層する。次に、研磨工程では、凸部４７ｆが露出するまで研磨し、第２絶縁膜４９および導電膜９を凸部４７ｆ（画素間領域１０ｆ）により分割する。 （もっと読む）

【課題】所望の電気容量を有する保持容量を有すると共に、画素電極間における表示むらを低減させた液晶装置、これを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられたトランジスターとしてのＴＦＴ３０と、画素電極１５と画素電極１５に誘電体層を介して対向配置された光透過性を有する容量電極１６ａとにより構成された保持容量と、画素電極１５とＴＦＴ３０とを電気的に接続させる第１コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＮＴ５と、容量電極１６ａと容量配線３ｂとを電気的に接続させる第２コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＮＴ４と、を備え、画素電極１５と容量電極１６ａは、画素Ｐごとに独立して設けられ、容量電極１６ａとコンタクトホールＣＮＴ４は平面的に画素電極１５が設けられた領域内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】シール材に沿って延在させた周辺電極において、イオン性不純物が表示品位に影響を与えやすい領域に対して周辺電極のイオン性不純物に対するトラップ能力を高めた液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板において、画像表示領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、ダミー画素電極９ｂ等に印加される共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapが印加された周辺電極８ａが形成されている。周辺電極８ａにおいて、シール材１０７の液晶注入口１０７ａに設けた封止材１０５と対向する第１部分８ａ1の電極幅寸法Ｗbを他の部分の電極幅寸法Ｗaより大に設定してある。 （もっと読む）

【課題】応答速度の高速化が可能であるとともに透過率の低減を抑制しつつ高精細化が可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層を備えたスイッチング素子と、第１電極と、前記第１電極と向かい合うとともに前記スイッチング素子と電気的に接続され且つ第１方向に沿って複数のＶ字型スリットが並んで形成された第２電極と、第１配向膜と、を備えた第１基板と、第２配向膜を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、前記Ｖ字型スリットは、第１中央部、前記第１中央部の一端側に繋がった第１端部、前記第１中央部の他端側に繋がった第２端部、第２中央部、前記第２中央部の一端側に繋がった第３端部、及び、前記第２中央部の他端側に繋がった第４端部を有し、前記第１端部と前記第３端部とが繋がったことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第１方向に形成された少なくとも１本のゲートラインを含むゲート１１と、ゲート上に形成されたゲート絶縁層１２と、ゲート絶縁層１２上に形成された少なくとも１つのソース１３及びドレイン１４と、を含み、ソース１３及びドレイン１４のうち少なくともいずれか一つは、延長部分１３ｂ、１４ｂを含み、延長部分１３ｂ、１４ｂは、少なくとも１本のゲートラインと平行するように、第１方向に形成される。ゲート１１は、ライン状に均一厚を有し、その側面と上面との間に曲面を含み、１本または２本以上のゲートラインを含む形態となる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、データ線（６）に接続された第１ソースドレイン領域、及び画素電極（９）に接続された第２ソースドレイン領域を含んでなる半導体層（３０ａ）と、半導体層と画素電極との間に配置され、一の走査線（１１）に接続されたゲート電極（３０ｂ）とを有するトランジスター（３０）と、一の走査線に隣り合う走査線に接続された第２トランジスターのゲート電極が延在してなる第１容量電極と、第１容量電極と画素電極との間に設けられるとともに第２ソースドレイン領域に接続された第２容量電極とを有する蓄積容量（７０）とを備える。蓄積容量は、半導体層とゲート電極との間の絶縁膜及び半導体層と基板との間の絶縁膜を貫通するとともに基板に設けられた溝内の少なくとも一部に設けられている。 （もっと読む）