【課題】本発明は、有機半導体層のパターンを制御すると共に、ゲート電極とソース・ドレイン電極とのオーバーラップを低減することが可能な有機トランジスタ、該有機トランジスタを複数有する有機トランジスタアレイ及び該有機トランジスタアレイを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】有機トランジスタ１０は、基板１上に、ゲート電極２及びゲート絶縁膜３が順次形成され、少なくともゲート絶縁膜３上に、ソース電極４及びドレイン電極５並びに有機半導体層６が順次形成されており、ドレイン電極５は、ゲート電極２上に形成されている第一の領域５ａと、第二の領域５ｂと、第一の領域５ａと第二の領域５ｂを第一の領域５ａの幅よりも短い幅で連結する連結領域とを有し、有機半導体層６は、印刷法により形成されている。 （もっと読む）

【課題】省電力化を図りつつ、開口率をより向上させることができるアクティブマトリクス装置、スイッチング素子の製造方法、電気光学表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス装置１０は、基板５０の一方の面側に設けられた複数の画素電極８と、各画素電極８に対応して設けられ、画素電極８に接続された固定電極３と、固定電極３に対向して設けられ、固定電極３側へ変位可能な可動電極５と、可動電極５に静電ギャップを介して対向して設けられた駆動電極２とを備えるスイッチング素子１と、各可動電極５に接続された第１の配線１１と、各駆動電極２に接続された第２の配線１２とを有し、固定電極３、可動電極５および駆動電極２は、基板５０の板面に沿った方向で互いに異なる位置に配置され、可動電極５は、基板５０の板面に沿った方向で固定電極３側に変位するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】安定した素子特性および良好な信頼性を実現する薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにそれらを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１４は、透光性基板１上において、多結晶シリコンの半導体層３上に積層するゲート絶縁膜４およびゲート電極６、及び、上記半導体層３のソース領域８、ドレイン領域９およびチャネル領域１０を有する。そして、前記ゲート絶縁膜４は酸化シリコン膜４ａからなり、ゲート電極６の底面と接する上記酸化シリコン膜４ａの少なくとも表面は酸窒化シリコン層４ｂから成っている。ここで、ゲート電極６は、例えば５００℃程度の比較的に低温で酸化シリコン膜と化学反応する高融点金属材料を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランジスタ動作時のオフ電流を低下させることが可能な有機トランジスタ、該有機トランジスタを複数有する有機トランジスタアレイ及び該有機トランジスタアレイを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】有機トランジスタ１０は、基板１上に、ゲート電極２及びゲート絶縁膜３が順次形成され、少なくともゲート絶縁膜３上に、ソース電極４、ドレイン電極５及び有機半導体層６が形成されており、基板１のゲート電極２が形成されていない側の面から、基板１及びゲート絶縁膜３で透過され、ゲート電極２で反射され、有機半導体層６で吸収される紫外光が照射されており、紫外光を吸収した有機半導体層６は、紫外光を吸収していない有機半導体層６よりも導電性が小さい。 （もっと読む）

【課題】基板の主面に有する電極の凹凸に起因するコントラスト低下を改善するための技術を、製造工程の清浄度を保ち、十分な光透過率を確保しつつ低コストで提供する。
【解決手段】第１の絶縁基板ＳＵＢ１の主面に形成された薄膜トランジスタＴＦＴの上層を含めた画素領域に設けた第１電極ＣＴ/ＳＲＥと、第１電極ＣＴ/ＳＲＥの上に設けた容量絶縁層ＩＮＳと、容量絶縁層ＩＮＳの上に設けた第２電極ＰＸとを有し、第１電極ＣＴ/ＳＲＥと第２電極ＰＸを塗布型の透明導電膜、容量絶縁層ＩＮＳを塗布型の絶縁膜によって形成した。 （もっと読む）

【課題】各有機半導体トランジスタが性能に優れ、かつ、バラツキが少なく、さらに、高効率で製造可能な有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１と、上記基板上に形成されたソース電極２およびドレイン電極３と、少なくとも上記ソース電極およびドレイン電極が対向されてなるチャネル領域上が開口部となるように形成された絶縁性隔壁部４と、上記絶縁性隔壁部の開口部内であり、かつ、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に形成された有機半導体層５と、上記有機半導体層上に形成され、絶縁性樹脂材料からなるゲート絶縁層６と、上記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極７と、を有する有機半導体素子１０であって、上記ソース電極およびドレイン電極の形状が、上記チャネル領域を形成するチャネル部と、上記チャネル部に連結し、上記絶縁性隔壁部の開口部外へ接続されるように形成されたガイド部とを有する。 （もっと読む）

【課題】同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置されるガラス基板５上に、画素のスイッチング素子となる薄膜トランジスタを構成するチャネル層２５と、光センサ素子を構成する光電変換層３５とを有する表示装置の構成として、外光が入射する側と反対側で光電変換層３５に最も近接して対向配置される電極３３の表面に光反射膜３４を形成した。 （もっと読む）

【課題】室温において、スピンコートなどの溶液プロセスによって高品位の液晶性の薄膜を作製することができ、また、高いキャリア移動度、高いon/off比を示すと共にイオン化ポテンシャルが高く、酸化され難く耐久性に優れた薄膜トランジスターを得ることができる新規な液晶化合物およびこれを用いた薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるスメクティック液晶化合物。


（式中、R₁は炭素数1〜12の直鎖アルキル基を、R₂は炭素数1〜12のアルキル基又はアルコキシ基を、ｎは１〜3の整数を示す）
該液晶化合物をスピンコートすることにより薄膜トランジスターを得る。該薄膜を基板に設け、熱アニールした後、ソース電極、およびドレイン電極を真空蒸着し、トランジスターを作製する。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤーのオープンにより生じるトランジスタの不良やリークにより生じる不良を低減させることのできる半導体装置を実現する。
【解決手段】基板１０上の半導体素子の形成領域において、Ｓｉナノワイヤー１３の配置不良があった箇所には、配置不良となっているＳｉナノワイヤー１２を基板１０上からアーム２０を用いて除去し、新たなＳｉナノワイヤー１３をアーム２０を用いて再配置する。 （もっと読む）

【課題】微細化された半導体層と共に均一に成膜されたゲート絶縁膜を備え、これにより素子構造の微細化と共に信頼性の向上が図られた半導体装置およびその製造方法を提供すること、さらにはこの半導体装置を用いることにより高精細な表示が可能で信頼性の向上が図られた表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に設けられたソース電極３ｓおよびドレイン電極３ｄと、ソース電極３ｓおよびドレイン電極３ｄの端部とこれらの電極３ｓ−３ｄ間に達する第１開口５ａを備えて基板１上に設けられた絶縁性の隔壁５と、隔壁５の上部から成膜された半導体層７からなり、隔壁５上における半導体層７とは分断された状態で第１開口５ａの底部に設けられたチャネル部半導体層７ａと、チャネル部半導体層７ａを含む半導体層７上から全面に成膜されたゲート絶縁膜９と、チャネル部半導体層７ａ上に重ねる状態でゲート絶縁膜９上に設けられたゲート電極１１ａとを備えた半導体装置１９-1。 （もっと読む）

【課題】本発明は、オフ電流を低下させることが可能な有機トランジスタ、該有機トランジスタを有する有機トランジスタアレイ及び該有機トランジスタアレイを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】有機トランジスタ１０ａは、基板１、ゲート電極２、分離用電極３、ゲート絶縁膜４、ソース電極５、ドレイン電極６及び有機半導体層７を有し、ゲート絶縁膜４を介して、分離用電極３と、有機半導体層７が積層されている領域を有し、分離用電極３に電源が接続されている。 （もっと読む）

【課題】厚膜の層間絶縁膜に、表面平坦性を維持しつつ微細な接続部を高密度に配置形成することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３上に配列形成された薄膜トランジスタＴｒと容量素子Ｃｓとを有する画素回路と、画素回路を覆う層間絶縁膜１０５とを備えた表示装置１において、層間絶縁膜１０５は、画素回路のうち隣接する複数の画素回路の一部分を底部に露出させた接続孔１０５ａを備えている。層間絶縁膜１０５上には、接続孔１０５ａの底部において、各画素回路にそれぞれ独立して接続された複数の画素電極１１が配列形成されている。 （もっと読む）

電子素子、特にＴＦＴ、蓄積コンデンサまたはスタック装置の導電層間の交差部等を備えるものが開示されている。電子素子は、電極を形成する第１の導電層を基板上に備える。第２の導電層により形成された第２の電極は第１の電極から少なくとも誘電体層により隔てられている。この誘電体層は電気絶縁材料の中間層、好ましくは絶縁破壊に対して高い耐性を有する中間層と、光パターニング可能な電気絶縁材料のさらなる層とを包含する。 （もっと読む）

【課題】遮光層を設けることなく高コントラストを得ることができ、構成の簡素化と共に電圧駆動マージンを向上させることができる光書き込み型表示媒体を提供する。
【解決手段】一対の電極と、該一対の電極間に設けられ、書込光の照射により該書込光の光量分布に応じた電気的特性分布を示す光導電層と、前記一対の電極に印加された電圧のうちの前記光導電層の電気的特性分布に応じて分布した分圧が印加され、該分圧に応じて光学的特性分布による可視画像が記録される液晶層と、を少なくとも含む光変調層を１層以上有して構成され、該電荷輸送層が電荷輸送物質に加えて少なくとも電荷発生層とは異なる波長領域に吸収を有する色素を含有している光書き込み型表示媒体である。 （もっと読む）

【課題】デュアルＣＧＬ構造の光導電層を有し、電荷発生材料としてエクストリンシック系電荷発生材料を用い積層形成した場合に、電荷発生層形成時に電荷輸送材料を添加しなくても、上部電荷発生層が下部電荷発生層と同等の光感度を有する光スイッチング素子および光書き込み型表示媒体を提供することである。
【解決手段】表面に電極を有する基板と、前記基板上に下部電荷発生層、電荷輸送層及び上部電荷発生層を順次に積層形成した光導電層と、を有し、少なくとも前記上部電荷発生層がエクストリンシック系電荷発生材料を含み、かつ、該上部電荷発生層形成後に、前記電荷輸送層中の電荷輸送材料の熱拡散温度以上の温度にて加熱処理を施されてなる光スイッチング素子である。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略しても優れたＴＦＴ特性を発揮し得、ソース−ドレイン電極をＴＦＴの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極２８，２９とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極２８，２９は、酸素を含有する酸素含有層２８ａ、２９ａと、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂとからなっている。酸素含有層を構成する酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層３３のＳｉと結合している。また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、酸素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で特性ばらつきが抑えられた有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上にゲート電極を設ける工程と、前記ゲート電極の上に絶縁層を設ける工程と、前記絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を設ける工程と、前記ソース電極と前記ドレイン電極を結合してチャネルを形成する有機半導体層を設ける工程と、を含む基本有機薄膜トランジスタを形成する基本有機薄膜トランジスタ形成工程と、前記基本有機薄膜トランジスタの前記ゲート電極に所定の電圧を印加するゲート電圧印加工程と、前記ドレイン電極又は前記ソース電極の何れかを流れる電流の大きさを測定する電流測定工程と、前記電流が所定の値を超える場合、前記電流が所定の値となるように前記チャネルを形成する前記有機半導体層の一部を除去する有機半導体層除去工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光書き込み型の画像表示媒体に対してむらの少ない画像を記録する。
【解決手段】メモリー性を有する表示層７、照射光により電気抵抗が変化する光導電体層１０、透明電極５、６を備えた表示媒体１に画像を記録する光記録装置２は、所定方向に沿った順番で分割電極５Ａ〜５Ｃの何れかを選択する切替部２８、リセット光を選択された分割電極に相当する領域に照射するリセット光源３２Ａ、画像光を選択された分割電極に照射する画像用光源３２Ｂ、表示媒体１を移動させる駆動部２４、選択された分割電極にリセット用電圧を印加する高圧パルス発生部２６Ａ、リセット用電圧と逆極性の画像書き込み用電圧を印加する高圧パルス発生部２６Ｂ、リセット用電圧を印加し且つリセット光を前記領域に照射し、その後画像書き込み用電圧を印加し且つ画像光を前記領域に照射するように、各高圧パルス発生部及び各光源を制御する制御部３０、を備える。 （もっと読む）

【課題】水分および酸素が吸着することによる経時的な特性の低下を回復することができる薄膜トランジスタ、かかる薄膜トランジスタを備え信頼性の高い配線基板、表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板２上に設けられ、ソース電極３およびドレイン電極４と、有機半導体層５と、ゲート絶縁層６と、ゲート電極７と、有機半導地層５およびゲート絶縁層６を加熱する加熱手段１２と、加熱手段１２の作動を制御する機能を有する制御手段１３とを有しており、制御手段１３は、加熱手段１２を所定時に作動させることにより、有機半導体層５およびゲート絶縁層６を加熱して、有機半導体層５およびゲート絶縁層６に吸着した水分および酸素の吸着量を低下させるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の形成に印刷法を適用しても高スループットでアライメント精度良く、高いオンオフ比を有し、素子間でのばらつきが小さい薄膜トランジスタアレイを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイの配置を（１）半導体層１２の電流が流れる方向をソース配線２８の方向と同じにする、（２）ソース・ドレイン電極２７、２６をクシ型形状の電極とする、等の最適化を行い、印刷法による有機半導体層１２をストライプ形状とする。 （もっと読む）