【課題】耐光性が向上した光書込型表示媒体及び光書込型表示装置を提供する。
【解決手段】光書込型表示媒体１００は、光透過性を有する一対の電極２，８と、一対の電極２，８間に設けられ、書込光照射側から順に下部電荷発生層３Ｃ／電荷輸送層３Ｂ／上部電荷発生層３Ａの積層構造を有する光スイッチング層３と、電極８と上部電荷発生層３Ａとの間に設けられ、メモリ性を有する表示層７とを備えた光変調素子１００Ａと、光変調素子１００Ａの書込光照射側とは逆側に積層され、一対の電極１２，１８と光スイッチング層１３と表示層１７Ａ，１７Ｂとを備えた光変調素子１００Ｂとを含んで構成され、書込光を透過し、３００ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の全波長域における吸光度が１以上である外部遮光層１０が、光変調素子１００Ａの光変調素子１００Ｂの積層面とは逆側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】合成するのが容易であり、高い電荷移動度を有し、半導体デバイス用の薄い、大面積のフィルムを形成するために容易に加工可能である、半導体または電荷輸送材料として用いるための新規な材料を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの９−Ｈ，Ｈ−フルオレン基および少なくとも１つのアリーレン基を含むモノマー、オリゴマーまたはポリマーに関する。本発明はさらに、これらの製造方法、電界効果トランジスタ、エレクトロルミネセント、光起電およびセンサーデバイスを含む光学、電気光学または電子デバイスにおける半導体または電荷輸送材料としてのこれらの使用に関する。本発明はさらに、新規な材料を含む電界効果トランジスタおよび半導電性部品に関する。 （もっと読む）

【課題】凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供すること。
【解決手段】版に形成された画素電極パターンのスルーホールに対向する位置に保持されたインクの量を、画素電極パターンのスルーホールに対向する位置以外の部分に保持されたインクの量よりも多くすることによって、凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと重なる領域に柱状スペーサを配置すると、一対の基板の貼り合わせ時に
圧力がかかり、ＴＦＴに影響を与える恐れ、クラックが発生する恐れなどがある。
【解決手段】ＴＦＴと重なる位置に形成される柱状スペーサの下方に無機材料からなるダ
ミー層を形成する。このダミー層をＴＦＴと重なる位置に配置することによって、一対の
基板の貼り合わせ工程時にＴＦＴにかかる圧力を分散し、緩和する。このダミー層は、工
程数を増やすことなく形成するため、画素電極と同じ材料で形成することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】低コストで高精細なアクティブマトリックス基板の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供する。
【解決手段】基板１５と、複数の画素電極８０と、前記複数の画素電極８０と基板１５との間に設けられた薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターに電気的に接続されるデータ線４０及びゲート線２０と、を備えるアクティブマトリックス基板の製造方法であって、前記画素電極８０をマスクとして、前記薄膜トランジスターの半導体層５０のパターニングを行う。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルム基板と電界効果型トランジスタとの密着性を下地層を形成することで化学的に高め、フォトリソグラフィ工程で用いる強酸や強アルカリへの浸漬によっても電界効果型トランジスタがプラスチックフィルム基板から剥離することなく再現性良く製造する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及び半導体を有して形成された電界効果型トランジスタであって、基板上に高分子化合物と金属化合物との混合物を含有する下地層を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】工程数の低減が可能な電気光学装置の製造方法および電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板の上方に、第１導電性膜を形成する工程と、第１導電性膜上に、第１導電性膜を露出する第１凹部(C2)と、平面視において第１凹部を取り囲むよう配置された第２凹部(G2)と、を有する層間絶縁膜(R1,R2)を形成する工程と、第２凹部の底面をエッチングし、第２凹部より大きい開口部を有する第３凹部(G3)を形成することにより、第２凹部の下方にオーバーハング部(OH)を形成する工程と、第１、第２および第３凹部内を含む前記層間絶縁膜上に第２導電性膜を堆積することにより、第１導電性膜と電気的に接続され、第２導電性膜よりなる画素電極を形成するとともに、第３凹部(G3)によって画素電極(PE)とその外周の第２導電性膜(30b)とを電気的に分離する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】工程数の低減が可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板の上方に、第１導電性膜(23b)を形成する工程と、第１導電性膜上に、第１導電性膜を露出する第１凹部（C1b)と、平面視において第１凹部を取り囲むよう配置された第２凹部（G2a,G1b)と、を有する層間絶縁膜を形成する工程と、第２凹部の底面をエッチングし、第２凹部より大きい開口部を有する第３凹部（G3a,G3b)を形成することにより、第２凹部の下方にオーバーハング部(OH)を形成する工程と、第１、第２および第３凹部内を含む層間絶縁膜上に第２導電性膜を堆積することにより、第１導電性膜と電気的に接続され、第２導電性膜よりなる画素電極(33a)を形成するとともに、第３凹部によって画素電極とその外周の第２導電性膜とを電気的に分離し、第３凹部の底部に堆積した第２導電性膜よりなる配線(33c)を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート電極とソース電極間の絶縁性を向上させ、ゲート電極とソース電極間のリーク電流を低減させることにより、確実に動作する薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層および前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体層の直上に離間して形成された第１の開口部および第２の開口部を有する保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第１の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第２の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極を備える薄膜トランジスタにすることにより、ゲート電極とソース電極との間の絶縁膜の膜厚が実質的に増すこととなり、絶縁性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】構造を最適化してリソグラフィー工程を削減することで、工程時間の短縮および製造コストの削減が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタＴｒを有するものである。この半導体装置１９-1は、ソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄの端縁と共に、これらの電極間におけるゲート絶縁膜５部分を露出する第１開口９-1を有する隔壁層９を有しており、第１開口９-1内に有機半導体層１１が設けられている。このような構成において、隔壁層９には、ゲート絶縁膜５に設けた開口５ａと一致する第２開口９-2を設けた。これによりゲート絶縁膜５の開口５ａを形成する際のマスクとして隔壁層９を用いることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳ方式を代表とする横電界方式の液晶表示装置において、液晶材料にかかる
電界を十分にすることを課題とする。
【解決手段】横電界方式において、１組の電極ではなく、複数組の電極を用いて、共通電
極直上や画素電極直上にある液晶材料に電界をかける。１組の電極は、櫛歯状に設けられ
た共通電極と、櫛歯状に設けられた画素電極との組である。その他の組の電極は、画素部
に設けられた共通電極と、該櫛歯状に設けられた画素電極との組である。 （もっと読む）

【課題】遮光層上に設けられ、光センサ等の用途に適した半導体素子と、高速駆動が可能な高性能の半導体素子とが同一の基板上に搭載されており、従来よりも部品点数が削減され、薄型化や軽量化が可能であるとともに、遮光層の有無による結晶性への影響が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板１上に形成されたＴＦＴ２１とＴＦＤ２２とを備えている。ＴＦＤ２２と絶縁基板１との間には、遮光層２が選択的に形成されている。ＴＦＴ２１およびＴＦＤ２２における各半導体層５・６は、ラテラル成長結晶からなり、ＴＦＤ２２の半導体層６の表面には、ＴＦＴ２１の表面粗さよりも大きな凹凸が設けられている。 （もっと読む）

【課題】デュアルＣＧＬ構造の光導電素子を用いた光書込型の表示媒体に対して、初期化工程で残留電位を発生させることなく、安定に正常な書き込みを行うことができる光書込装置を提供する。
【解決手段】デュアルＣＧＬ構造の光導電素子を用いた光書込型の表示媒体に対して、初期化工程として、初期化光を露光しながら書込時と同極性の正電圧を印加する「第１の初期化処理工程（明初期化）」を行い。明初期化の初期化光を消灯した後に、初期化光を消灯したままで、書込時と逆極性の負電圧を印加する「第２の初期化処理工程（暗初期化）」を行う。 （もっと読む）

【課題】プリント基板に設けられたアクティブマトリクスを機械的および電磁気的に保護する上で有利な表示体を提供する。
【解決手段】表示体は、観察者側に位置する図示しない前面板と、該前面板に対向して配置される背面板とを備えている。背面板は、前記前面板に対向する面に形成された画素電極１０１と、該画素電極１０１を駆動するアクティブマトリクスとを有している。背面板は、プリント基板で構成されている。プリント基板は、画素電極層と、第１絶縁層１１３ａと、ソース線層およびゲート線層と、２つの第２絶縁層１１３ｂ、１１３ｃと、トランジスタ層と、第３絶縁層１１４と、グランド層１１２と、第４絶縁層１１５とがこの順番で前面板から離れる方向に積層されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料とポリビニルアセタール樹脂とを含む系において、シクロペンタノン以外の溶媒を用いた場合に比べ、顔料分散性、液寿命、及び成膜品質に優れた顔料分散液を提供すること。
【解決手段】少なくとも、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と、ポリビニルアセタール樹脂と、シクロペンタノンと、を含んで構成される顔料分散液。これを、電荷発生層用の顔料分散液として利用した光スイッチング素子、表示媒体、及び光書込み型表示装置。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法による有機半導体層のパターン形成を歩留まり良く達成することができる有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜よりも表面自由エネルギーの高いソース電極、該ゲート絶縁膜よりも表面自由エネルギーの高いドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、有機半導体を第一の溶媒に溶解し、インクジェット法で滴下することで、該ソース電極と該ドレイン電極と該ゲート絶縁膜と、あるいは該ソース電極と該ドレイン電極と接触する島状有機半導体層を形成する段階と、該有機半導体を可溶な第二の溶媒をインクジェット法で該島状有機半導体層に滴下し、該ソース電極と該ドレインン電極と該ゲート絶縁膜と接触する島状有機半導体層を形成する段階を含み、第二の溶媒は第一の溶媒より表面張力が低く、かつ、第二の溶媒は第一の溶媒より沸点が低い、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クロス容量が小さく、リークの発生が少ないアクティブマトリクス基板を有する表示装置を提供する。
【解決手段】基板３０上にマトリクス状に設けられている複数の走査線２及び複数の信号線１と、複数の走査線２及び複数の信号線１が交差して区画される複数の画素領域５２の各々に設けられている複数のスイッチング素子５１と、複数の走査線２及び複数の信号線１並びに複数のスイッチング素子５１の上に設けられている第１の絶縁膜１２と、複数のスイッチング素子５１の各々により駆動される複数の表示素子とを有する。第１の絶縁膜１２は、複数の画素領域５２が設けられている表示領域３の外側であって走査線２上又は信号線１上に、開口部１４ａ、１４ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】塗布工程におけるはじき等の塗膜欠陥や使用時における膜はがれ等の欠陥が発生しにくく、電気特性も良好な光書き込み型表示媒体を提供する。
【解決手段】一対の電荷発生層である第１電荷発生層及び第２電荷発生層並びにこれらに挟まれた電荷輸送層を含む光導電層と、記憶性を有する表示層とを積層する。電荷輸送層は第１電荷発生層に第１層形成用塗布液を塗布して形成され、第２電荷発生層は電荷輸送層に第２層形成用塗布液を塗布して形成される。第１電荷発生層に含まれる第１結着樹脂は２種類以上の単量体が共重合して成る樹脂であり、第１層形成用塗布液に含まれる溶媒に難溶である。電荷輸送層に含まれる第２結着樹脂は第２層形成用塗布液に含まれる溶媒に難溶である。第１結着樹脂と共通する種類の単量体が共重合して成る、第１層形成用塗布液に含まれる溶媒に可溶な樹脂である第３結着樹脂は第２結着樹脂に対して少ない質量割合で添加される。 （もっと読む）

【課題】配線や電極等による段差に起因する配向処理むらを抑制し、配向不良の発生を低減でき、充電時間を短くできるＴＦＴ基板の提供。
【解決手段】基材２と、基材上に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層４と、オーバーコート層６と、ソース線と、画素電極８と、基材２上に形成されゲート線に接続されたゲート電極１３、ＴＦＴ用ゲート絶縁層１４、ＴＦＴ用ゲート絶縁層上に形成された半導体層１５、ＴＦＴ用ゲート絶縁層および半導体層の上に上記オーバーコート層と連続して形成されたＴＦＴ用オーバーコート層１６、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、ソース線に接続され、半導体層にソース電極用コンタクトホールｈ１を介して接続されたソース電極１７、および、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、画素電極に接続され、半導体層に透明電極用コンタクトホールｈ２を介して接続された透明電極１８を有するＴＦＴ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】耐光性及び反射特性の劣化の抑制された表示媒体、及び表示装置を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極間に設けられ、照射された露光光の強度分布に応じた電気的特性分布を示す光導電層と、前記一対の電極間に設けられ、該一対の電極に印加された電圧による前記光導電層の電気的特性分布に応じて分布した分圧が印加され、該分圧に応じた光学的特性分布による画像の表示される表示層と、前記光導電層と前記表示層との間に、少なくとも該光導電層に接触して配置され、イオン濃度が５×１０^−５Ｃ／ｃｍ^３以上１０×１０^−５Ｃ／ｃｍ^３以下の隔離層と、を備えた表示媒体である。 （もっと読む）