【課題】 針を用いて層間膜にコンタクトホールを形成し、導電性材料を埋め込むことで導電部を形成する場合に、導電部による導通の信頼性を備え、凸部による配線の断線を防止した、コンタクトホールの形成方法、回路基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２０と、基板２０上に設けられた第１の電極３４ｂと、第１の電極３４ｂ上に設けられた層間膜３２と、層間膜３２上に設けられた第２の電極３４とを備えた回路基板１０に、層間膜３２のコンタクトホールＨ内に埋め込まれて第１の電極３４ｂと第２の電極３４とを導通させる導電性材料からなる導電部３００を形成する。まず、層間膜３２に、針Ｐで機械的に孔を開けつつ、針Ｐに含有させた溶剤によって層間膜３２を化学的に溶解することで、第１の電極３４ｂに到達するコンタクトホールＨを形成し、コンタクトホールＨ内に導電性材料を埋め込んで導電部３００を形成する。 （もっと読む）

【課題】 印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能で、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供する。
【解決手段】 少なくとも第一の導電性材料７上に、絶縁性材料層２が積層され、その上に第二の導電性材料５が積層されている積層構造体１において、記絶縁性材料層２が、絶縁機能とエネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する機能とを有する絶縁性濡れ変化層で構成され、第二の導電性材料５が絶縁性濡れ変化層の高表面エネルギー部３の部位に形成した。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤを用いたディスプレイを目的とする。特に、ナノワイヤ画素トランジスタ、ナノワイヤロウトランジスタ、ナノワイヤカラムトランジスタおよびナノワイヤエッジ電子回路を用いた液晶ディスプレイについて説明する。ナノワイヤ画素トランジスタは、液晶を含む画素に印加される電圧制御に使用される。１対のナノワイヤロウトランジスタに接続されたロウトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタをオン／オフするために使用される。ナノワイヤカラムトランジスタは、ナノワイヤカラムトランジスタに接続されたコラムトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタ全面に印加される電圧を制御するために使用される。
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【課題】 ソース／ドレイン電極間の電気的疎通を円滑にすることが可能な，薄膜トランジスタ，その製造方法及び該薄膜トランジスタを備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜トランジスタは，基板１１０と，基板１１０上に形成されたゲート電極１２０と，ゲート電極１２０上に形成されるゲート絶縁層１３０と，ゲート電極１２０と絶縁されるようにゲート絶縁層１３０上に形成されるソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂと，ソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂと接するとともに，ゲート電極１２０と絶縁される有機半導体層１５０と，を含み，ソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂの少なくとも有機半導体層１５０と接する部分には酸化部１４０´ａ，１４０´ｂが設けられ，酸化部１４０´ａ，１４０´ｂを構成する物質は，有機半導体層１５０のＨＯＭＯエネルギー準位より大きい仕事関数を有する物質を含む。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ特性を安定的に確保できる有機半導体薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一特徴による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する段階、前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階、前記ゲート絶縁膜上にデータ線及びドレイン電極を形成する段階、有機半導体を形成する段階、前記有機半導体を完全に覆う保護部材を形成する段階、前記保護部材、前記データ線、及び前記ドレイン電極の上に、前記ドレイン電極を少なくとも一部露出する接触孔を有する保護膜を形成する段階、並びに前記接触孔を通じて前記ドレイン電極と接続される画素電極を前記保護膜上に形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 大画面用の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）の作製に好適なパターン形成方法及びＴＦＴアレイ基板並びに液晶表示素子の提供。
【解決手段】 ポジ型感光性組成物を用いて基材の表面に、少なくとも、ポジ型感光層を形成するポジ型感光層形成工程と、光照射手段からの光を受光し出射する描素部をｎ個有する光変調手段により、前記光照射手段からの光を変調させた後に、前記描素部における出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有するマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイを通過させた光によって、前記ポジ型感光層を、露光する露光工程と、該露光工程により露光されたポジ型感光層を現像する現像工程とを含むパターン形成方法である。 （もっと読む）

本発明は、基板１１０、基板上に形成されているゲート電極１２４、基板及びゲート電極を覆っているゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜上に形成されているソース電極１７３及びドレイン電極１７５、ゲート絶縁膜、ソース電極、及びドレイン電極上に形成されている半導体層１５０、半導体層、ソース電極、ドレイン電極及びゲート絶縁膜を覆っている保護膜１８０を含み、ゲート絶縁膜及び保護膜はパリレンからなる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
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