【課題】十分な耐圧を有し、高性能化を実現することができ、しかも容易なプロセスで形成することのできる半導体装置、およびそれを備えた電気光学装置、電子機器を提供する。また、駆動電圧の異なる半導体装置を備えた電気光学装置および電子機器を高性能化する。
【解決手段】ゲート絶縁膜２は、半導体層１ａの表面を覆う下層ゲート絶縁膜２ａと、下層ゲート絶縁膜２ａの表面を覆う表層ゲート絶縁膜２ｂとによって形成され、表層ゲート絶縁膜２ｂには下層ゲート絶縁膜２ａの表面に到達する開口部２ｃが形成され、開口部２ｃの縁２ｅが半導体層１ａの縁１ｓよりも内側に形成され、半導体層１ａの周縁部は下層ゲート絶縁膜２ａおよび表層ゲート絶縁膜２ｂの双方によって覆われ、半導体層１ａの中央部は開口部２ｃによって露出した下層ゲート絶縁膜２ａによって覆われていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】溶液の広がりや飛散若しくは誤滴下等による寄生容量やリークパスの発生を防止することのできる有機デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機デバイスの製造方法は、基板１０上に導電性有機材料を含む溶液を配置する工程と、前記溶液を乾燥することにより導電性有機膜１５を形成する工程と、不所望な領域に配置された前記導電性有機膜１５ａ，１５ｂ，１８に光Ｌを照射し、前記導電性有機膜１５ａ，１５ｂ，１８の導電性を低下させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】光導電層および光変調層が積層されてなる光書き込み型表示素子について、電圧印加時に両層に蓄積された残留電荷により電圧印加終了時に生じる光変調層の状態への影響を抑制する、光書き込み型表示素子の駆動装置および駆動方法、並びに光書き込み型表示装置の提供。
【解決手段】電極層５，６間に少なくとも光導電層１０および光変調層７が積層挟持されてなる光書き込み型表示素子１の電極層５，６と共に電圧印加回路を形成し、電極層５，６間に電圧印加する電圧印加手段１７と、表示素子１に書き込み光を照射する光照射手段１８と、電圧印加終了時に、前記電圧印加回路における表示素子１と電圧印加手段１７との間の電流について、電極層５，６間の電位差を小さくする方向の電流に対する抵抗が、電圧印加時に比べて大きくなるように制御する抵抗制御手段１２と、を含む光書き込み型表示素子の駆動装置および駆動方法、並びに光書き込み型表示装置。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型の有機薄膜トランジスタにおける動作特性を、その上層に設けた電極の影響を受けることなく安定した特性に維持することが可能で、これを駆動素子とすることにより信頼性の高い表示が可能な表示装置を提供する。ことを目的とする。
【解決手段】
基板１上に設けられたボトムゲート型の薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒの上部に保護膜１１および層間絶縁膜１５を介して設けられた画素電極ａとを備え、薄膜トランジスタＴｒと画素電極ａとの間には、これらとの間に絶縁性を保って導電性のシールド層１３ａが配置されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストが安価な表示媒体および表示システムを提供すること。
【解決手段】光導電体１８は、データ電極２０および画素電極２２よりも透光基板１２側に配設されているので、データ電極２０および画素電極２２を透明材料で構成しなくても、透光基板１２側からの光は、光導電体１８に照射される。したがって、データ電極２０および画素電極２２の材料選択の自由度が高く、これらのデータ電極２０および画素電極２２を、安価な材料で構成することができるので、表示媒体１０の製造コストが安価となるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルムの上に所望の有機ＴＦＴ素子が何ら不具合が発生することなく形成されると共に、十分な開口率を有するフレキシブルＴＦＴ基板を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム２０の上に、接着層４６と、下側絶縁層４４と、有機活性層３８ａ、３８ｂ、ソース電極３６ａ、３６ｘ、ドレイン電極３６ｂ、３６ｙ、ゲート絶縁層３４及びゲート電極３２ａ、３２ｂから構成されて下側絶縁層４４に埋設されたＴＦＴ５，６と、上側絶縁層３０，２８と、画素電極２６とが順に形成されて構成され、ＴＦＴ６のドレイン電極３６ｙが上側絶縁層３０，２８に設けられたビアホールＶＨを介して画素電極２６に電気的に接続されていると共に、ＴＦＴ５，６は画素電極２６のパターン領域に重なる位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 薄型軽量画像表示装置の、衝撃や曲げに対する耐久性を向上し、湾曲させた利用や曲面実装を可能にし、さらに製造工程数の削減による製造コストを低減し、大型化を容易にすること。
【解決手段】 複数の画素により構成された表示部と、表示部の制御を行う周辺集積回路を有する画像表示装置において、表示装置を衝撃や曲げに対する耐久性の高い支持基板上に設け、画素回路を有機半導体ＴＦＴで構成し、周辺集積回路を低温多結晶Ｓｉ−ＴＦＴで構成し、この周辺集積回路を製造した時の支持基板を除去して表示装置の支持基板上に設け、画素回路と周辺集積回路を同一配線層で接続する。 （もっと読む）

【課題】微小な貫通孔を有する層間絶縁膜を介して上下の配線を電気的に接続することが可能な多層配線構造の製造方法、微小な貫通孔を有する層間絶縁膜を介して上下の配線が電気的に接続されている多層配線構造、該多層配線構造を有するトランジスタ素子及び該トランジスタ素子を有する画像表示装置を提供する。
【解決手段】多層配線構造の製造方法は、第一の配線２が形成された基板１上に、貫通孔を有する層間絶縁膜３及び第二の配線５が積層されていると共に、貫通孔に導電バンプ４が形成されており、第一の配線２及び第二の配線５が導電バンプ４を介して電気的に接続されている多層配線構造を、スクリーン印刷法を用いて製造し、第一の配線２が形成された基板１上に、層間絶縁膜３の第一の領域を形成する工程、第一の領域が形成された基板１上に、層間絶縁膜３の第二の領域を形成する工程及び導電バンプ４を形成する工程を少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法を提案する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に第１の層を形成し、第１の層上に剥離層を形成し、剥離層側から剥離層に選択的にレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去し、残存した剥離層をマスクとして第１の層を選択的にエッチングする。また、基板上に剥離層を形成し、少なくとも剥離層に選択的に第１のレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去する。次に、残存した剥離層上に第１の層を形成し、残存した剥離層に第２のレーザビームを照射して残存した剥離層の付着力を低減させ、残存した剥離層及び当該剥離層に接する第１の層を除去する。 （もっと読む）

本発明は、フレキシブル基板における歪みを補償するピクセル構造、前記ピクセル構造を含む表示装置を製造する方法に関する。本発明は、フレキシブル表示装置のフレキシブル基板における歪みを補償するピクセル構造を提供し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むフレキシブル基板上の第１層、前記第１層上に設けられ前記ＴＦＴに接続されて前記ＴＦＴからの信号を受信するピクセル電極を含む第２層、前記ピクセルによって表示された光をフィルタするカラーフィルタを有する第３層を有し、前記第３層は、前記カラーフィルタが前記ピクセル電極に対して実質的に位置調整されるように前記第２層に対して位置調整され、前記位置調整は前記フレキシブル基板における歪みによって生じた前記第１層における歪みを補償するものである。
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【課題】エネルギー線の照射による有機半導体層の劣化を防止して素子特性を維持することが可能な有機半導体素子を提供する。
【解決手段】有機半導体層１１を用いて構成された有機半導体素子１ａにおいて、有機半導体層１１を覆う状態でエネルギー線を遮蔽する材料からなる遮蔽層１５が設けられていることを特徴とする。有機半導体層１１が形成された基板３および有機半導体層１１を覆う状態で基板３上に設けられた保護膜１３のうちの少なくとも一方が、遮蔽層として用いられている。この有機半導体層１１に対してゲート絶縁膜７を介してゲート電極５が積層され、ゲート絶縁膜７およびゲート電極５の少なくとも一方が遮蔽層として用いられている。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を液滴吐出法にて形成する際に、より信頼性の高いものを得る、電
気光学装置の製造方法、電気光学装置、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、
及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板１０Ａ上に、第１隔壁１２をパターン状に設ける。基板１０Ａに金属材
料を蒸着し、第１隔壁１２の上面に画素電極１３及び信号線１４を形成するとともに、第
１隔壁１２に囲まれた領域にゲート線１６を形成する。基板１０Ａ上に、ゲート絶縁膜形
成領域１８、及びゲート絶縁膜形成領域１８に一部重なる半導体層形成領域を少なくとも
区画する第２隔壁１７を形成する。ゲート絶縁膜形成領域１８にゲート絶縁膜２６を形成
し、有機半導体層の形成材料を含む機能液を半導体層形成領域に吐出し、ゲート電極１６
ａ及びゲート絶縁膜２６の一部を跨ぎ、画素電極１３及び信号線１４間を電気的に接続す
る有機半導体層２８を形成する。 （もっと読む）

【課題】２つ以上のＦＥＴを含むアクティブマトリクス型表示装置の画素駆動回路を、スルーホール無しの構成で提供すること。
【解決手段】
第一の電界効果トランジスタと第二の電界効果トランジスタに対し、前記二つの電界効果トランジスタの絶縁膜を同一層内に形成し、前記絶縁膜の両面に前記二つの電界効果トランジスタのチャネルとなる半導体をそれぞれ形成した構造を持ち、第一の電界効果トランジスタのソース／ドレイン電極が第二の電界効果トランジスタのゲート電極となる構造の電気回路を持つ表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】コ字状電極ＴＦＴの構成を回避することにより、大電流を安定に流すとともに、リーク電流を抑制することのできる薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置用駆動回路を得る。
【解決手段】ａ−Ｓｉ層２Ａは、ソース電極３のコ字状電極部６の内側とドレーン電極４の平行電極肢の先端部との間の除去領域８と、ドレーン電極４のコ字状電極部７の内側とソース電極３の平行電極肢の先端部との間の除去領域９と、において完全に除去され、各電極３、４の平行電極肢を含むチャネル領域５Ａと、少なくとも各電極３、４とゲート電極１とが平面的に重なる領域と、に形成されている。 （もっと読む）

【課題】表示装置の低消費電力化および高精細化を可能とする回路技術を提供することを課題とする。
【解決手段】ブートストラップ用トランジスタのゲート電極に接続される、トランジスタのゲート電極にスタート信号によって制御されるスイッチを設ける。スタート信号が入力されると、スイッチを介して当該トランジスタのゲート電極に電位が供給され、当該トランジスタをオフする。当該トランジスタがオフすると、ブートストラップ用トランジスタのゲート電極からの電荷の漏れを防止することができる。したがって、ブートストラップ用トランジスタのゲート電極に電荷を充電するための時間を早くすることができるので、高速に動作することができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ性能が良好な有機半導体トランジスタを備え、高生産性で製造可能な有機半導体素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に形成され、絶縁性材料からなり、かつ、上記ソース電極および上記ドレイン電極によって構成されるチャネル領域上が開口部となるように形成され、かつ層間絶縁層としての機能を備える絶縁性隔壁部と、上記絶縁性隔壁部の開口部内であり、かつ上記ソース電極および上記ドレイン電極上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層と、上記有機半導体層上に形成され、絶縁性樹脂材料からなるゲート絶縁層と、上記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、を有する有機半導体素子であって、上記絶縁性隔壁部の高さが０．１μｍ〜１．５μｍの範囲内であることを特徴とする、有機半導体素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、高効率で製造可能な有機半導体素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に形成され、絶縁性材料からなり、かつ、上記ソース電極および上記ドレイン電極の少なくとも一部を囲うように形成された枠状の絶縁性隔壁部と、上記絶縁性隔壁部の開口部内であり、かつ、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層と、上記有機半導体層上に形成されたゲート絶縁層と、上記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、を有することを特徴とする有機半導体素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】有機半導体が平坦で、動作速度が速く、且つ製造が容易な有機半導体トランジスタ素子及びその製造方法、並びに該有機半導体トランジスタ素子を用いた半導体装置及び表示素子を提供すること。
【解決手段】ソース及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、ゲート電極とを備え、有機半導体が下記構造式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）で示される化合物から選択される少なくとも１種を含有する有機半導体トランジスタ素子。
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【課題】動作速度が速く、且つ製造が容易な有機半導体トランジスタ素子、その製造方法を提供する。
【解決手段】ソース電極と、ドレイン電極と、該ソース電極および該ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含み、該有機半導体が、下記一般式（Ｉ−１）で示される構造から選択される少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種含有することを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。
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【課題】温度安定性が上昇し電荷の効率的な輸送が可能な新規有機半導体材料の提供。
【解決手段】剛直平板状の中心骨格周辺に置換基を有する液晶性化合物であって、例えば、下記式で示される化合物である有機半導体材料。


（Ｒは、Ｃ１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基等である） （もっと読む）