【課題】電気光学装置の端子部において界面抵抗の増加を抑制することである。
【解決手段】電気光学装置である液晶表示装置の下基板の画素部１４において、画素用接
続配線２４、画素用モリブデン膜９６、画素用透明導電膜２８の導電積層膜が形成され、
端子部２０において、端子用接続配線１２４、端子用透明導電膜１２８の導電積層膜が形
成される。端子用モリブデン膜１９７は、保護絶縁膜６２の開口部と同じ開口部を有する
。画素用接続配線２４と端子用接続配線１２４とは同一工程で形成され、チタンを含む最
上層を有する。また、画素用モリブデン膜９６と端子用モリブデン膜１９７とは同一工程
で成膜され、画素用透明導電膜２８は端子用透明導電膜１２８と同一工程で形成される。
モリブデン膜に代えて、他のウェットエッチング可能な導電材料を用いることもできる。 （もっと読む）

【課題】基板のセンサ領域に形成されるセンサの検出感度を向上させ、また、センサの飽和特性を改善することができる表示装置を提供する。
【解決手段】画素が形成された画素領域と含む光センサ部が形成されたセンサ領域とを有する基盤と、基板の一方面側から基板を照明する照明部と、センサ領域に配置されたものであり、少なくともＰ型半導体領域（３６Ａ）とＮ型半導体領域（３６Ｋ）を有し、表示部の他方面側から入射する光を受光する薄膜フォトダイオードと、基板の一方面側に絶縁膜を介して薄膜フォトダイオードと対向して形成され、照明部から発せられた光が一方面側から薄膜フォトダイオードに直接入射するのを抑制し、所定の電位に固定される金属膜（３８）とを有し、薄膜フォトダイオードにおいて、Ｐ型半導体領域の幅ＷｐとＮ型半導体領域の幅Ｗｎが異なるレイアウトで形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素に光センサを有する表示部を用いて、画像の表示機能と、文字情報の入力機能とを備える表示画面を有する入力装置を提供する。
【解決手段】位置情報を検出するため、表示部の各画素に光センサを設ける。また、表示部の画素回路のトランジスタ、および光センサは単結晶半導体層で形成する。単結晶半導体層を用いることで、素子ごとの特性のばらつきがなくなり、高精度の位置検出が実現される。また、表示部は、ガラス基板等の透光性の基板に、単結晶半導体基板から分割された単結晶半導体層を設けた基板で作製される。 （もっと読む）

【課題】表示部に副画素を制御するＴＦＴが一定の間隔でマトリクス状に形成されている場合、大型のＳＯＩ基板を作製する際に形成される隣接するＳＯＩ層間の継ぎ目を避けて全てのＴＦＴを配置することは困難である。そのため、表示不良や生産性の低下が起こりやすい。
【解決手段】副画素を制御するＴＦＴを走査線と信号線の交差部を囲むように複数個まとめて配置することで、ＴＦＴが位置する領域間の間隔を拡張する。ＴＦＴが表示部内に一定の間隔で配置される従来の配置に比べ、ＴＦＴが位置する領域間の間隔が拡張されるため、ＴＦＴがＳＯＩ層間の継ぎ目にかかることを回避することができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減しつつ、高速動作が可能な回路を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を提供するための半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に非単結晶半導体層を形成した後、非単結晶半導体層の一部の領域上に単結晶半導体層を形成する。これにより、非単結晶半導体層を用いて大面積が必要とされる領域（例えば、表示装置における画素領域）の半導体素子を形成し、単結晶半導体層を用いて高速動作が求められる領域（例えば、表示装置における駆動回路領域）の半導体素子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗制御が容易で、品質の良好な薄膜トランジスタ構造、表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ構造１０において、半導体層２２は、ｐ型不純物イオンのみドープされたチャネル領域３０を備えている。半導体層２２は、チャネル領域３０を間に挟むと共に、ソース領域３５及びドレイン領域３６として機能する一対の高濃度不純物領域３３を備えている。半導体層２２は、ソース領域３５とチャネル領域３０と、及び、ドレイン領域３６とチャネル領域３０と、の間にそれぞれ形成されてｎ型不純物イオンのみドープされた低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域３１，３２）を備えている。ゲート電極２４は、チャネル領域３０及びＬＤＤ領域３１，３２をオーバーラップするように形成されている。 （もっと読む）

【課題】大型のガラス基板を用いても、タイル状に貼り付けた単結晶シリコン層の大きさが適切でないとパネルの取り数を最大化することができず、コストミニマムを図ることができないといった問題がある。
【解決手段】直径が３００ｍｍ乃至４５０ｍｍの略円形の単結晶半導体ウエハから略四辺形の単結晶半導体基板を形成し、クラスターイオンイオンビームを単結晶半導体基板の一面から注入して損傷層を形成する。該単結晶半導体基板を支持基板の一面に複数互いに離間して配列させる。熱処理を行い、損傷層に亀裂を生じさせて支持基板上に単結晶半導体層を残存させたまま単結晶半導体基板を剥離して除去する。単結晶半導体層に窒素雰囲気中でレーザビームを照射して、単結晶半導体層の表面を平坦化し、しかる後支持基板に接着された単結晶半導体層から、一又は複数の表示パネルを作製する。 （もっと読む）

【課題】低比抵抗を有し、且つ上記ゲッタリング工程に十分耐えうる電極構造の必要に応じ、新規な電極構造を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、多層構造を有するゲート電極と、前記基板、前記ゲート電極の上面および側面を覆う保護膜と、前記保護膜を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接して、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域と、を有する半導体素子からなる半導体回路を備える。保護膜は、高温処理を施した場合、基板からの不純物の拡散を抑えることができ、基板の不純物濃度に左右されることなく、良好なＴＦＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】加速された水素イオンを半導体基板に照射し、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層にレーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再結晶化することでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化させる。レーザビームの照射後、単結晶半導体層を溶融させない温度で加熱し、そのライフタイムを向上させる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜と、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜上に形成される一対のバッファ層と、一対のバッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、微結晶半導体膜におけるドナーとなる不純物元素の濃度は、ゲート絶縁膜側から前記バッファ層にかけて減少し、バッファ層は、ＳＩＭＳの検出限界より多くのドナーとなる不純物元素を含まない薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大面積化を課題の一とする。または、大面積化に際して生じる問題点を解決することを課題の一とする。または、上記の半導体基板を用いた半導体装置の信頼性を向上することを課題の一とする。
【解決手段】半導体基板の大面積化を図るために、ベース基板としてガラス基板等の絶縁表面を有する基板を用いる。そして、該ベース基板に大型の半導体基板を用いて単結晶半導体層を形成する。なお、ベース基板には複数の単結晶半導体層を設けることが好ましい。その後、単結晶半導体層を、パターニングにより複数の単結晶半導体領域に切り分ける。そして、表面の平坦性を向上し、欠陥を低減するために、単結晶半導体領域に対してレーザー光を照射する、又は加熱処理を施す。該単結晶半導体領域の周縁部は半導体素子として用いずに、中央部を半導体素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性が高い単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】半導体基板に水素をドープして、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の分離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付けながら、レーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、単結晶半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつ再単結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】側面視認性に優れた多重ドメイン液晶表示装置を実現する。
【解決手段】一対の第１信号線のうちの一つと複数の第２信号線のうちのいずれか一つに連結されている第１薄膜トランジスタと、一対の第１信号線のうちの他の一つと複数の第２信号線のうちのいずれか一つに連結されている第２薄膜トランジスタと、第１薄膜トランジスタに連結されている第１画素電極と、第２薄膜トランジスタに連結されている第２画素電極と、第２絶縁基板上に形成されている共通電極と、第１基板と前記第２基板との間に注入されている液晶物質層と、第１画素電極と前記第２画素電極とを複数の小ドメインに分割するドメイン分割手段とを含み、ドメイン分割手段は第１画素電極と第２画素電極とを各々第１方向ドメインと第２方向ドメインとに分割し、第１画素電極と第２画素電極とは互いにキャパシタを通じて電気的に連結される。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜と、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜上に形成されるバッファ層と、バッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、微結晶半導体膜におけるドナーとなる不純物元素の濃度は、ゲート絶縁膜側から前記バッファ層にかけて減少し、バッファ層は、ＳＩＭＳの検出限界より多くのドナーとなる不純物元素を含まない薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】外部駆動回路と接続する端子が電池反応をおこすことなどによる端子部あるいは配線の断線の発生を低減し、端子部のコンタクト特性に優れた端子構造を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の外部駆動回路と接続するための端子１０１の、表示パネル側と外部駆動端子側の両端部が保護膜１０７で覆われており、端子上の保護膜１０７で覆われていない部分には透明性導電膜１０３が形成され、さらに端子上に形成された透明性導電膜１０３は端子両端部の保護膜１０７と接しない構造を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性向上、歩留まり向上が可能で、かつ品質向上につながる半導体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体薄膜の製造方法は、基板上に非晶質の半導体薄膜を形成する工程（ｓｔｅｐ１）と、自然酸化膜を除去する工程（Ｓｔｅｐ２）と、紫外線照射によって生成するオゾン又は／及び酸素ラジカルにより表面酸化処理を行う工程（Ｓｔｅｐ３）と、結晶粒界が略等間隔で、かつ格子状の周期構造を有する多結晶化された半導体薄膜を得るレーザーアニール工程（Ｓｔｅｐ４）とを備え、レーザーアニール工程において、表面酸化処理を行う工程を経ずに、自然酸化膜を除去する工程後、直ちにレーザーアニールを行うことにより多結晶化された半導体薄膜を得る場合のレーザー光の最適エネルギー密度に対して、所定のエネルギー密度だけ低いエネルギー密度にてレーザー光照射を行う。 （もっと読む）

【課題】配線の電気抵抗を低減した表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０１の上方に形成された薄膜トランジスタと、基板の上方に形成され、基板が有する表示部の辺に沿って設けられ、フラットケーブルおよび薄膜トランジスタに電気的に接続された配線と、を有し、配線は、薄膜トランジスタのソース電極１０９またはドレイン電極１１０と同じ層に形成された第１の配線と、第１の配線の上方に絶縁膜を介して形成された第２の配線と、を有し、第１の配線は、第２の配線と並行に設けられ、絶縁膜に開けられた複数のコンタクトホールを介して第２の配線と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上に形成されるバッファ層と、バッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、ゲート絶縁膜の一部または全部、若しくは微結晶半導体膜の一部または全部にドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上に形成される一対のバッファ層と、一対のバッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、ゲート絶縁膜の一部または全部、若しくは微結晶半導体膜の一部または全部にドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を確保し、低い電圧で液晶を駆動して消費電力を低減し、また、開口率を大きくし、さらに色相による透過率の差を補償する。
【解決手段】第１基板上に互いに電気的に絶縁して交差する複数の走査信号線及びデータ線と、第１基板上に形成され複数の走査信号線のいずれかに連結されているゲート電極、複数のデータ線のいずれかに連結されているソース電極及びドレイン電極を含む複数の薄膜トランジスタと、第１基板上に形成され複数の薄膜トランジスタのドレイン電極のいずれかに連結された複数の画素電極と、第１基板上に形成され複数の画素電極から絶縁されている共通電極とを含み、薄膜トランジスタは走査信号線からの信号に応じてデータ線からの電圧を画素電極へ送出し、画素電極と前記共通電極との一方が同じ方向に延びている複数の線形電極を含み、画素電極と共通電極との他方が線形電極の間に連続的に広がっている面形電極を含む。 （もっと読む）