【課題】薄膜トランジスタ等の半導体装置の特性を向上させ、信頼性の優れた半導体装置およびその製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】この発明にかかる半導体装置の製造方法は、（ａ）基板１０上に選択的にゲート電極２０を形成する工程と、（ｂ）ゲート電極２０を被覆してゲート絶縁膜３０を形成する工程と、（ｃ）ゲート絶縁膜３０を介してゲート電極２０上に、ゲート絶縁膜３０上の非晶質シリコン膜４０と、非晶質シリコン膜４０上の微結晶シリコン膜４１とを有するチャネル層４２を形成する工程と、（ｄ）チャネル層４２上に、ソース領域７３、ドレイン領域７４を離間して形成する工程とを備え、工程（ｃ）は、非晶質シリコン膜４０に、ソース領域７３、ドレイン領域７４と同一導電型の不純物であるリンを添加する工程である。 （もっと読む）

【課題】遮蔽膜とコモン線とを接続しないで良質な画像表示を行うことができるアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素ＴＦＴと、前記画素ＴＦＴに電気的に接続された画素電極と、遮蔽膜とが設けられた基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、遮蔽膜はフローティングになっており、画素電極と前記遮蔽膜との間に第１の誘電体を有し、遮蔽膜と前記コモン線との間に第２の誘電体を有する。 （もっと読む）

【課題】遮光部材を薄膜トランジスタ表示板に形成する場合、必要に応じて臨時に遮光部材を透明にする。
【解決手段】本発明が一実施形態による可変透明度を有する遮光部材は、重合性化合物、バインダ、及び臨界温度以下ではブラックを現わし、前記臨界温度以上では透明である熱変色物質を含む。 （もっと読む）

【課題】例えば、高い膜質を有する多結晶シリコン層を活性層とする薄膜トランジスタを製造する。
【解決手段】第１膜（２１１）の上面（２１１ｔ）と、上面（２１１ｔ）に交差する第１膜（２１１）の側面（２１１ｓ）とによって構成された角部（２１２）をなくすように、第１膜（２１１）にスライスエッチング処理を施し、第１膜（２１１）から第２膜（２２０）を形成する。即ち、第２膜（２２０）の角部（２２２）の断面形状は、第１膜（２１１）の角部（２１２）に比べて、角が取れているように、或いは曲線で構成されるように形成されている。尚、スライスエッチング処理とは、第１膜（２１１）上から第１膜（２１１）にエッチング液を接触させることによって、通常のウェットエッチング法及びドライエッチング法に比べて、緩やかに、言い換えれば、マイルドに第１膜（２１１）をエッチング処理することをいう。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板およびその製造方法に関するものであり、特に白色画素を含む表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は、絶縁基板１００、絶縁基板上に形成されたダム１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃおよび第１カラーフィルタパターン、およびダムによって区切られて画素領域に形成された第２カラーフィルタパターンを含み、ダムおよび第１カラーフィルタパターンは、同一層に位置する。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型の薄膜トランジスタの特性を改善した表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、ゲート電極が設けられた導電層と、前記導電層の上に設けられた第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に設けられ、前記ゲート電極の上方に多結晶シリコンを含む半導体膜が形成される半導体層と、前記半導体層の上に設けられる第２の絶縁層と、を含み、前記半導体膜は、前記ゲート電極と平面的に重なるチャネル領域を有し、前記チャネル領域において、前記半導体膜の前記第２の絶縁層に接する部分は前記半導体膜の前記第１の絶縁層に接する部分より不純物濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを複数個直列に設ける場合、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供することにある。
【解決手段】直列に設けれた複数個のチャネル領域のチャネル端のうち、映像信号線側及び画素電極側の最も近くに位置するチャネル端の外側に、対向するゲート端が位置し、当該チャネル端以外のチャネル端のうち少なくとも一つにおいて、チャネル端がゲート端のより近くに位置している。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有する表示装置において、画素部は、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタと、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタの配線に接続する画素電極と、を有し、スイッチ部またはバッファ部は、第１の絶縁層、半導体層、及び第２の絶縁層を挟む第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有する第２の逆スタガ型薄膜トランジスタを有し、論理回路部は、第３の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第４の逆スタガ型薄膜トランジスタにより構成されるインバータ回路を有し、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、同じ極性とする。インバータ回路はＥＤＭＯＳ回路である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生の抑制を図る。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板（１０）上、チャネル領域（３０ａ２）、ソースドレイン領域（３０ａ１及び３０ａ３）、並びに前記チャネル領域（３０ａ２）及びソースドレイン領域間に形成されたＬＤＤ領域（３０ａ４及び３０ａ５）を有する半導体層（３０ａ）と、チャネル領域に対向配置されたゲート電極（３０ｂ）とを備える。ＬＤＤ領域の少なくとも一部の領域は、半導体層における前記一部の領域を除く他の領域に比べて、結晶欠陥の数が多くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性の高い表示装置及びこれを効率的に製造する方法を提供することを目的としている。
【解決手段】ソース領域３４及びドレイン領域３６を覆い、ゲート電極２８の上方を覆うように、相互に異なる材料の複数層が相互に接触して積層されてなる第２の絶縁層４２を形成する。第２の絶縁層４２に、ソース領域３４及びドレイン領域３６の一方に連通する第１のコンタクトホール４６と、ゲート電極２８の上方であるがゲート電極２８に連通しない凹部４８を同時にドライエッチングによって形成する。第１のコンタクトホール４６を覆うように、第１の配線層５０を形成する。第１の配線層５０を形成した後に、凹部４８の底面をドライエッチングして、ゲート電極２８に連通する第２のコンタクトホール５４を、第１及び第２の絶縁層３２，４２に形成する。第２のコンタクトホール５４に第２の配線層５６を形成する。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電極とソース電極との間に流れるオフ電流を低減する。
【解決手段】表示装置は、ガラス基板１０１を覆うＳｉＮ膜１０２上に形成されたゲート電極１０３およびゲート絶縁膜１０４と、ゲート絶縁膜１０４上のゲート電極１０３に対応する領域に形成された、能動層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７と、ａ−Ｓｉ：Ｈ層１０８と、コンタクト層となるｎ＋Ｓｉ層１０９と、がこの順で積層された島状の半導体積層構造と、ｎ＋Ｓｉ層１０９上に互いに離間して配置されたドレイン電極１１５ａおよびソース電極１１５ｂと、少なくとも半導体積層構造１１０の側面を被覆するＳｉＮ膜１１８と、を有するＬＴＰＳ−ＴＦＴ１００を含む。ｎ＋Ｓｉ層１０９は、ａ−Ｓｉ：Ｈ層１０８まで達する分離溝によって、ドレイン電極１１５ａに導通するｎ＋Ｓｉ層１０９ａとソース電極１１５ｂに導通するｎ＋Ｓｉ層１０９ｂとに分離されている。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射条件に起因する半導体装置の特性のばらつきを低減することを目的の一とする。又は、基板の熱収縮に起因する半導体装置の特性ばらつきを低減することを目的の一とする。
【解決手段】貼り合わせによりベース基板上に設けられた単結晶半導体層にレーザー光を照射した後、第１の熱処理を施してその特性を向上させ、単結晶半導体層に導電型を付与する不純物元素を添加した後、第１の熱処理の温度より低い温度で第２の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ソース−ドレイン領域の半導体膜と走査線の下にある半導体膜とが接続されていることに起因して生じる不具合をなくすことができる、アクティブマトリクス方式のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】基板１０側から、少なくとも、半導体膜１３、ゲート絶縁膜１４ｇ、ゲート電極１５ｇの順で設けられたＴＦＴ２０を有するアクティブマトリクス方式のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板１において、ゲート電極１５ｇをその一部として含む走査線３１が所定の隙間Ｇを隔てて分断された導電性パターン３２と、その導電性パターン３２の下に設けられた半導体膜１３と、分断された導電性パターン３２を接続する配線膜３３とを有するように構成した。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ用薄膜トランジスタ基板の製造工程を単純化する。
【解決手段】ゲート線及びゲート電極を含むゲート配線と、共通電極を含む共通配線とを絶縁基板の上に形成し、前記ゲート配線及び共通配線を覆うゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜の上に半導体パターン、前記半導体パターンの上に接触層パターン、前記接触層の上にソース電極及びドレーン電極をそれぞれ形成し、前記ソース電極と連結されたデータ線を含むデータ配線とを形成し、前記ドレーン電極の一部以外の前記データ配線を覆う保護膜パターンを形成し、前記データ配線と異なる層に画素電極を形成する段階とを含み、前記ソース及びドレーン電極の分離は、前記ソース電極及びドレーン電極の間に位置する第１部分と前記第１部分より厚い第２部分と前記第１部分より薄い第３部分とを含む感光膜パターンを用いた写真エッチングによって行う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１回の不純物導入工程により、低濃度不純物導入領域および高濃度不純物導入領域を同時形成することができるとともに、ＬＤＤ長を確実に制御することのできる半導体装置の製造方法、該製造方法により得た半導体装置、および該半導体装置を備えた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造工程において、厚さが異なる第１マスク部分７１と第２マスク部分７２を備えたレジストマスク７０を介して半導体層１ｊに不純物イオンを導入する。その結果、厚さが厚い第１マスク部分７１と重なる部分に低濃度不純物導入領域（低濃度ソース領域１ｕおよび低濃度ドレイン領域１ｖ）が形成されると同時に、厚さが薄い第２マスク部分７２と重なる領域に高濃度不純物導入領域（高濃度ソース領域１ｔおよび高濃度ドレイン領域１ｗ）が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＤ構造を有するトランジスタにおけるリーク電流をより有効に低減できると共に比較的容易に製造可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ’、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ、並びにデータ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを有する半導体膜１ａと、ゲート電極３ａとを含み、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃのうち少なくとも一方は、少なくとも部分的に、チャネル領域１ａ’よりも幅広に形成される。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度とノーマリーオフ特性とを有する電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極２６と、電流を取り出すためのソース電極２３及びドレイン電極２４と、ソース電極２３及びドレイン電極２４に隣接して設けられ、マグネシウム（Ｍｇ）とインジウム（Ｉｎ）を主成分とする酸化物半導体からなる活性層２２と、ゲート電極２６と活性層２２との間に設けられたゲート絶縁層２５とを備えている。そして、活性層２２を形成する際に流す酸素ガスの流量は、酸素分圧が１．７×１０^−３Ｐａとなるように調整されており、活性層２２を構成する酸化物半導体は、体積抵抗率が１０Ωｃｍで、酸素が非化学量論組成であるＭｇＩｎ_２Ｏ_４系酸化物半導体となる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、高開口率・高コントラスト化を達成することにより、より明るいなどの高い品質を備えた画像を表示可能とする。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、基板上に、ＴＦＴ（３０）、走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）、並びに蓄積容量（７０）及びシールド層（４００）等が積層構造の一部を構成しつつ備えられている。そして、本発明では、これら各種構成要素が、画素電極（９ａ）の形成領域と相補関係にある遮光領域に形成されている。これにより、画素開口率は高まる。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置などに用いる薄膜トランジスタとその製造方法および電気光学装置とその製造方法ならびに電子機器に係り、上記トランジスタのリーク電流を充分に低減できると共に、充分なオン電流を確保できるようにする。
【解決手段】半導体層３と、前記半導体層３に絶縁膜４を介して設けられたゲート電極５とを備えた薄膜トランジスタ１であって、前記半導体層３は、前記ゲート電極５と重なる領域において、チャネル領域３０と、前記チャネル領域３０よりも不純物濃度の大きい高濃度不純物領域３１ａ、３５を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の大きさが大きくなっても信号遅延による問題が少なく、カラーフィルタが安定的に埋め込められる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板と、絶縁基板上に形成され、ゲート電極を含むゲート線と、有機物質で形成され縦部を含む隔壁と、隔壁によって区画された領域に形成されたカラーフィルタと、ゲート電極を含み一部が隔壁上に形成される薄膜トランジスタと、ゲート線に交差し隔壁上で隔壁の縦部に沿って形成されるデータ線を含む。 （もっと読む）