【課題】閾値電圧シフトが小さく、かつオン特性に優れた薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、第１の半導体層１０、オーミックコンタクト層として機能する第２の半導体層、ソース電極５及びドレイン電極６をこの順に形成する工程を備え、第１の半導体層１０を形成する工程は、実質的にイントリンシックな微結晶シリコン層からなる微結晶層１１を形成し、少なくともソース電極５、ドレイン電極６と対向配置される領域に、微結晶層１１ａの表面の結晶欠陥を低減するように、低濃度のＰ（リン）が添加された非晶質シリコン層からなる欠陥修復層１２ａを形成し、その後、実質的にイントリンシックな非晶質シリコン層からなる非晶質層１３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】素子基板のマスク枚数を抑えて、ディスクリネーションを効率良く隠すとともに、比視感度の高い緑色を表示する画素については光漏れが目立ちにくくする。
【解決手段】直視型の透過型の液晶表示装置において、素子基板は、ゲート配線３１１と、ソース配線３０２と、画素ＴＦＴを有する画素部と、ｎチャネル型ＴＦＴやｐチャネル型ＴＦＴを有する駆動回路とを含む。比視感度の高い緑表示の画素については、光漏れが目立ちやすいので、確実にディスクリネーションを遮光できるように、遮光膜を兼ねたドレイン電極３１３の面積を広くする。赤表示の画素については、遮光膜を兼ねた遮光電極３１４を狭い幅で設ける。青表示の画素については、明るさを優先して、遮光膜３１５を一部のみ形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性が向上し、かつ特性が良好な半透過性膜、表示デバイス、及びパターン基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半透過性膜は、光学特性として光の透過特性と反射特性とを有する半透過性膜である。半透過性膜は、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金のいずれかに少なくとも４０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％未満の窒素を含む窒素含有膜である。また、半透過性膜は、上記の窒素含有膜と金属膜との積層膜とすることも可能である。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜１０２と、絶縁膜１０４と、半導体膜１０６と、不純物半導体膜１０８と、第２の導電膜１１０とを積層し、この上に多階調マスクを用いて凹部を有するレジストマスク１１２を形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、第１の導電膜１０２がエッチングされた膜１１３に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層１１６Ａを形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。半導体膜としては結晶性半導体膜１０６を用いる。 （もっと読む）

【課題】遮光層上に設けられ、光センサ等の用途に適した半導体素子と、高速駆動が可能な高性能の半導体素子とが同一の基板上に搭載されており、従来よりも部品点数が削減され、薄型化や軽量化が可能であるとともに、遮光層の有無による結晶性への影響が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板１上に形成されたＴＦＴ２１とＴＦＤ２２とを備えている。ＴＦＤ２２と絶縁基板１との間には、遮光層２が選択的に形成されている。ＴＦＴ２１およびＴＦＤ２２における各半導体層５・６は、ラテラル成長結晶からなり、ＴＦＤ２２の半導体層６の表面には、ＴＦＴ２１の表面粗さよりも大きな凹凸が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線として耐熱性の導電性材料であるタングステン層を用いた場合に、タングステン層の比抵抗を低くすることによって、配線抵抗を十分に低減することを目的とする。
【解決手段】半導体層と、ゲート配線と、前記半導体層と前記ゲート配線との間に挟まれたゲート絶縁層とを有し、前記ゲート配線はタングステン層を有し、前記タングステン層中の酸素濃度を３０ｐｐｍ以下とすることによって、配線抵抗を十分に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】工程を増加させることなく、多結晶シリコンＴＦＴにおけるリーク電流を低減すること。
【解決手段】携帯電話機の液晶表示パネル１５のガラス基板２１上に形成されて回路領域Ｃと画素領域Ｐのそれぞれに搭載される薄膜トランジスタ２０の活性層２２のソース／ドレイン領域は、ボロンの不純物濃度が２．５×１０^１８／ｃｍ^３から５．５×１０^１８／ｃｍ^３までの範囲内で、該不純物の活性化率が１％から７％までの範囲内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】一枚の基板の両面にアクティブマトリックス回路が形成された基板の作成方法を提供すること。
【解決手段】アクティブマトリックス基板の製造方法は、基板１の第１面に第１のアクティブマトリックス回路を形成する第１工程と、第１工程の後に、基板１の第１面とは反対側の第２面に有機トランジスターを含む第２のアクティブマトリックス回路を形成する第２工程と、を有する。これにより、別々に作成した２枚の基板を貼り合わせるような方法と比べてより軽量かつ低コストで両面に機能を有するアクティブマトリックス基板を作成することができる。 （もっと読む）

【課題】高精彩・高解像度・高画質・低消費電力の小型半導体表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体表示装置は、画素マトリクス回路、データ線駆動回路、および走査線駆動回路を有しており、これらの構成要素が多結晶ＴＦＴによって同一基板上に形成される。また、その製造方法における、触媒元素を用いた結晶性の助長化プロセス、および触媒元素のゲッタリングプロセスによって、小型にもかかわらず、高精細・高解像度・高画質の半導体表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アレイ基板には、画素領域を画成するゲートライン１１及びデータライン１２が含められる。前記画素領域には、薄膜トランジスタ、基板に形成された画素電極１３、及び前記画素電極と重なって蓄積容量を構成する透明構造の蓄積電極１４が設けられる。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ、バッファ回路など駆動回路を同一基板上に組込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素部の開口率を向上させると共に最適なＴＦＴの構成を提供する。
【解決手段】バッファ回路にはゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを設けたｎチャネル型ＴＦＴを形成し、画素部のｎチャネル型ＴＦＴにはゲート電極とオーバーラップしないＬＤＤを設けた構造とする。画素部に設ける保持容量は、遮光膜と遮光膜上に形成される誘電体膜と画素電極で形成し、特に遮光膜にＡｌを用い、誘電体膜を陽極酸化法で形成し、酸化Ａｌ膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、情報機器等の表示部に用いられ、輝度が高く表示特性の良好な表示装置が得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】各画素は左右方向に延びるゲートバスライン２５と、上下方向に延びるドレインバスライン２６とで画定されている。各バスライン２５、２６の交差位置近傍にはＴＦＴが形成され、その上部にＴＦＴを遮光する樹脂重ね部３２が形成されている。ＴＦＴ基板８に対向して配置される共通電極基板上にはＢＭが形成されず、基板ＴＦＴ基板８に形成された各バスライン２５、２６及び樹脂重ね部３２がＢＭの機能を奏するようになっている。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きく、均一な結晶性半導体膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に接して結晶性半導体膜を形成する第１の工程と、前記第１の工程よりも核生成頻度が低い条件により結晶性半導体膜を成長させる第２の工程と、により結晶性半導体膜を作製する。第２の工程は、第１の工程よりも半導体材料ガスの流量比が小さい条件で行う。これにより、結晶粒径が大きく、均一性の高い結晶性半導体膜を得ることができ、結晶性半導体膜の下地膜に対するプラズマダメージを従来よりも低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊をより効果的に防ぐことができる保護回路を用いた、半導体表示装置
の提供を課題とする。
【解決手段】 本発明では、保護ダイオードとして用いるＴＦＴを覆って第１の層間絶縁
膜が形成されており、更に該第１の層間絶縁膜上に形成された配線を覆って、絶縁性の塗
布膜である第２の層間絶縁膜が形成されている場合に、第２の層間絶縁膜の表面に蓄積し
た電荷を放電させる経路を確保するために、該ＴＦＴと他の半導体素子とを接続するため
の配線を、第２の層間絶縁膜上に接するように形成する。なお保護ダイオードとして用い
るＴＦＴは、その第１の端子または第２の端子のいずれか一方がゲート電極と接続された
、所謂ダイオード接続のＴＦＴである。 （もっと読む）

【課題】オフ時のリーク電流を抑制した薄膜トランジスタを備えた表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板ＧＡの上側に積層されるゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に積層されるソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴと、ゲート電極ＧＴとソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴとの間に積層されて、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴ間の電流を制御する第１半導体膜ＭＳと、第１半導体膜ＭＳの全体を上側から覆うように積層されてソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴとの間に介在する第２半導体膜ＡＳと、を含み、第１半導体膜ＭＳは、ゲート電極ＧＴと重複してゲート電極ＧＴの平面的に内側に位置するとともに、第２半導体膜ＡＳによってドレイン電極ＤＴ側の端部とソース電極ＳＴ側の端部とが被覆され、第２半導体膜ＡＳは、第１半導体膜ＭＳよりも小さい粒径の結晶で形成される、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置のアレイ基板及びこれの製造方法を提供する。
【解決手段】第１スイッチング素子は第１データライン１７１ａに接続され、第２スイッチング素子は第１データラインに隣接する第２データライン１７１ｂに接続される。第３スイッチング素子は第１データラインと第２データラインとの間に配置されるデータ電源ライン１７１ｃに接続される。第４スイッチング素子はゲートライン１２１と平行であり、データ電源ラインの電圧と異なる極性を有する電圧が印加されるゲート電源ライン１２５に接続される。これにより、アレイ基板の透過率、開口率、及び表示特性が向上される。第１及び第２画素電極（１９１ａ，１９１ｂ）と、第１及び第２共通電極（１９１ｃ，１９１ｄ）とに極性が異なる電圧を印加すると、アレイ基板の表面にほぼ平行な電界が生成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、当該酸化物半導体層中の任意の領域に導電率が異なる領域を形成する方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】水素を有する酸化物半導体層上に水素バリア層を選択的に設け、酸化処理を行うことにより酸化物半導体層の所定の領域から選択的に水素を脱離させて、酸化物半導体層に導電率が異なる領域を形成する。その後、酸化物半導体層に形成された導電率が異なる領域を用いて、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良することにより、配線抵抗を減らす。
【解決手段】酸化珪素膜上の第１及び第２のシリサイド、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する結晶性珪素膜と、チャネル形成領域上のゲイト絶縁膜と、ゲイト絶縁膜上のゲイト電極と、ゲイト電極の側面に設けられた側壁と、第１のシリサイドに接して設けられた第１の金属配線と、第２のシリサイドに接して設けられた第２の金属配線と、を有し、第１のシリサイドは、ソース領域の上面の一部及び側面に設けられ、第２のシリサイドは、ドレイン領域の上面の一部及び側面に設けられ、第１の金属配線と第２の金属配線は同一金属膜をエッチングして形成された構造であり、第１及び第２のシリサイドは、金属膜に用いられる金属を用いて形成されたシリサイドである。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ等の半導体装置の特性を向上させ、信頼性の優れた半導体装置およびその製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】この発明にかかる半導体装置の製造方法は、（ａ）基板１０上に選択的にゲート電極２０を形成する工程と、（ｂ）ゲート電極２０を被覆してゲート絶縁膜３０を形成する工程と、（ｃ）ゲート絶縁膜３０を介してゲート電極２０上に、ゲート絶縁膜３０上の非晶質シリコン膜４０と、非晶質シリコン膜４０上の微結晶シリコン膜４１とを有するチャネル層４２を形成する工程と、（ｄ）チャネル層４２上に、ソース領域７３、ドレイン領域７４を離間して形成する工程とを備え、工程（ｃ）は、非晶質シリコン膜４０に、ソース領域７３、ドレイン領域７４と同一導電型の不純物であるリンを添加する工程である。 （もっと読む）