【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する半導体装置を作製す
るための技術を提供する。
【解決手段】分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に
少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより
、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程と
を行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】安定した電流駆動能力を発揮させる。
【解決手段】アレイ基板２０の製造方法は、基板上にゲート電極２４ａを形成するゲート電極形成工程と、ゲート電極２４ａ上に不純物を含有するゲート絶縁膜２４ｂ、半導体膜ＳＭ、導電膜ＣＯの順で成膜する成膜工程と、導電膜ＣＯ上にレジストＲＳを塗布し、そのレジストＲＳに対してフォトマスクを介して露光を行った後に現像を行うことでレジストＲＳをパターニングするレジストパターニング工程と、パターニングされたレジストＲＳをマスクとして導電膜ＣＯをエッチングすることで開口領域ＯＰを挟んで配されるソース電極２４ｄ及びドレイン電極２４ｅを形成する導電膜パターニング工程と、開口領域ＯＰから半導体膜ＳＭを介してゲート絶縁膜２４ｂに含有される不純物を脱離させる不純物脱離工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】信号線と共通電極との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極を駆動するために必要な電圧も低く抑えることの可能な表示パネルおよびその製造方法と、上記の表示パネルを備えた表示装置および電子機器とを提供する。
【解決手段】ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｂ）と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている。具体的には、部分ソース線３６Ｂは透光性基板２２の表面上に形成されており、画素電極２４は絶縁膜２３の表面上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】光硬化性結合部材を用いた共通電極表示板との結合が容易である薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】ゲート線、データ線、画素電極及び薄膜トランジスタが設けられている基板、及び前記基板上に設けられ、外部からの信号を受信する配線部と前記配線部からの信号に応答してゲート信号を前記ゲート線に出力する回路部とを備えるゲート駆動部、を含み、前記配線部は、前記配線部に重畳する光硬化性の結合部材に光を透過させるための開口部が設けられている信号線を含み、前記配線部は開口部が設けられていない信号線をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】従来では、ＬＤＤ構造を備えたＴＦＴやＧＯＬＤ構造を備えたＴＦＴを形成しようとすると、その製造工程が複雑なものとなり工程数が増加してしまう問題があった。
【解決手段】第２のドーピング工程によって低濃度不純物領域２４、２５を形成した後、第４のエッチング工程を行うことによって、第３の電極１８ｃに重なる低濃度不純物領域の幅と、第３の電極に重ならない低濃度不純物領域の幅とを自由に調節できる。こうして、第３の電極１８ｃと重なっている領域は、電界集中の緩和が達成されてホットキャリアによる防止ができるとともに、第３の電極１８ｃと重なっていない領域は、オフ電流値を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生することを防止することができる電気光学装置、および該電気光学装置を用いた投射型表示装置提供する。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。応力緩和膜４６は、ドープトシリコン酸化膜からなり、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。また、各層の熱膨張係数は以下の関係第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａにある。このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの削減が可能な薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 チャネル領域、前記チャネル領域を挟んだ両側にソース領域及びドレイン領域を有する酸化物半導体薄膜と、前記酸化物半導体薄膜と同一材料によって形成され、第１低抵抗部及び第２低抵抗部を有する第１容量形成部と、前記酸化物半導体薄膜の前記チャネル領域上及び前記第１容量形成部の前記第１低抵抗部上に形成されるとともに、前記酸化物半導体薄膜の前記ソース領域及び前記ドレイン領域及び前記第１容量形成部の前記第２低抵抗部を露出するゲート絶縁膜と、を備え、前記酸化物半導体薄膜のうち、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記チャネル領域の長さＬ１は、前記第１容量形成部のうち、前記ゲート絶縁膜が積層された端部から前記第２低抵抗部に至るまでの長さＬ２よりも短い。 （もっと読む）

【課題】トランジスターを備えた高精細な画素を有する電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の画素Ｐは、第１方向（Ｘ方向）に延在する走査線３ａと、走査線３ａに交差する第２方向（Ｙ方向）に延在するデータ線６ａと、走査線３ａおよびデータ線６ａに電気的に接続された薄膜トランジスター３０と、を備え、薄膜トランジスター３０は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部に平面的に重なるように配置され、Ｘ方向に延在するドレイン領域３０ａ５と、Ｙ方向に延在するソース領域３０ａ１と、Ｘ方向に延在する第１延在部とＹ方向に延在する第２延在部とを含むチャネル領域３０ａ３と、を有する半導体層３０ａと、チャネル領域３０ａ３に対向するゲート電極部３０ｇと、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造に際して配線にヒロックが発生せず、かつエッチング形状の制御が容易な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、基板上にマトリクス配置された走査線と、信号線１２と、前記走査線及び信号線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極２７とを有する液晶表示装置において、前記走査線が下層からアルミニウム−ネオジム合金層２１１と高融点金属層２１２との積層構造からなり、前記信号線１２が下層から高融点金属層２３１とアルミニウム−ネオジム合金層２３２と高融点金属層２３３との３層構造からなり、高融点金属の種類に応じて、ネオジム含有量を調整する。 （もっと読む）

【課題】さらなる低温プロセス（３５０℃以下、好ましくは３００℃以下）を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層１０３を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層１０３の一部にｐ型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域１０７（非晶質構造を有する領域）を形成した後、１００〜３００℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域１０８を形成し、非晶質な領域のままでＴＦＴのソース領域またはドレイン領域とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板およびこれの製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板は、基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に前記ゲート電極と重なるように形成され、多結晶シリコンを含むアクティブ層、前記アクティブ層上に前記ゲート電極を中心に両側に分離して形成された第１オーミックコンタクト層、前記第１オーミックコンタクト層上に形成された第２オーミックコンタクト層および前記第２オーミックコンタクト層上に形成されたソース電極およびドレーン電極を含む。 （もっと読む）

【課題】さらなる低温プロセス（３５０℃以下、好ましくは３００℃以下）を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層１０３を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層１０３の一部にｎ型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域１０７（非晶質構造を有する領域）を形成した後、１００〜３００℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域１０８を形成し、非晶質な領域のままでＴＦＴのソース領域またはドレイン領域とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】ランプ信号を用いることなくＤＡ変換を行う構造とすることでランプ信号の波形の変形による表示画像の不具合を解消する。
【解決手段】１Ｈ内において、表示する映像信号の画素値と一定周期のクロックを計数するカウンタのカウンタ値とを比較し、画素値とカウンタ値とが一致した時に、データ線ＶＤ_jの電位がそれまでのａからｂに変化する。蓄積ゲートＧ_Sは、ゲート線ＡＧ_iの電圧が、電位ａよりも低い電位ｃから電位よりも高い電位ｄに変化した時に、ＶＤ_jから一定量の電荷を転送されて蓄積する。転送ゲートＧ_Tは、ゲート線ＴＧ_iの電圧が、電位ｃよりも低い電位ｅから電位ｃよりも高い電位ｆに変化した時に、上記の蓄積電荷を保持容量Ｃ_Sに転送して保持させる。データ線ＶＤ_jの電位がｂに変化するまで、上記の蓄積と転送の動作を巡回的に繰り返し、その繰り返し回数に応じた電荷量を保持容量Ｃ_Sに保持する。 （もっと読む）

【課題】作製工程を増やすことなく、凹凸形状の画素電極を作製することを目的とする。
【解決手段】凸部は、フォトマスクを用いて作製すると再現性の高いものが得られるため、画素ＴＦＴ１２０３の作製工程にしたがって作製すればよい。画素ＴＦＴ１２０３の作製と同様に積層される半導体層、ゲート絶縁膜および導電膜を積層して凸部を形成する。こうして形成された凸部および同一工程で形成された画素ＴＦＴ、駆動回路に含まれるＴＦＴを覆うように層間絶縁膜を形成する。凹凸を有する層間絶縁膜が形成されたら、その上に画素電極を形成する。画素電極の表面も絶縁膜の凹凸の影響を受け表面が凹凸化する。 （もっと読む）

【課題】垂直配向型液晶表示装置の画質を改善する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板上にゲート線と共に共通電極線が形成されており、共通電極線には分枝として保持容量電極が形成されている。ゲート線と共通電極線の上にはゲート絶縁膜が形成されており、ゲート絶縁膜の上にはデータ線が形成されている。データ線の上には保護膜が形成されており、保護膜の上には第１開口パターンを有する画素電極が形成されている。薄膜トランジスタ基板と対向する上部基板にはブラックマトリックスと第２開口パターンを有する共通電極が形成されている。この時、画素電極は、第２開口パターンと画素電極の辺とが重なる部分において、保持容量電極を完全に覆うように形成する。 （もっと読む）

【課題】球状のスペーサを用いずに、セルギャップを保持する。
【解決手段】第１の基板と、第１の基板に対向する第２の基板201とを有し、第１の基板は、画素電極と、薄膜トランジスタと、画素電極の上方に設けられた第１の配向膜と、を有し、第２の基板201は、選択的に設けられたカラーフィルタと、複数のギャップ保持部材220と、複数のギャップ保持部材220を覆って設けられた第２の配向膜230とを有し、ギャップ保持部材220の材料は感光性樹脂であり、ギャップ保持部材220は、カラーフィルタが設けられた領域及びカラーフィルタが設けられていない領域にそれぞれ設けられ、かつカラーフィルタが設けられていない領域に設けられたギャップ保持部材220は、カラーフィルタが設けられた領域に設けられたギャップ保持部材220よりも高い。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性を均一に確保できる結晶化用光マスク及びそれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による結晶化用光マスクは、スリットが一定に配列されている一つ以上のスリット領域を含み、前記スリットはマスクの移動方向に対し一定角度で傾斜して設けられ、スリット領域は、第１の長さを有する第１部分と第１の長さよりも長い第２の長さを有する第２部分とを含む。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側
において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶にかかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）