表示パネルおよびその製造方法、表示装置、ならびに電子機器
【課題】信号線と共通電極との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極を駆動するために必要な電圧も低く抑えることの可能な表示パネルおよびその製造方法と、上記の表示パネルを備えた表示装置および電子機器とを提供する。
【解決手段】ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｂ）と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている。具体的には、部分ソース線３６Ｂは透光性基板２２の表面上に形成されており、画素電極２４は絶縁膜２３の表面上に形成されている。
【解決手段】ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｂ）と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている。具体的には、部分ソース線３６Ｂは透光性基板２２の表面上に形成されており、画素電極２４は絶縁膜２３の表面上に形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、横電界によって液晶分子の配向を制御することの可能な表示パネルおよびその製造方法に関する。また、本発明は、上記の表示パネルを備えた表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話やノート型パーソナルコンピュータなどのモバイル機器において、液晶パネルが広く用いられている。液晶パネルとして従来から広く利用されているものとしては、ＴＮ（Twisted Nematic）液晶を用いた液晶パネルに代表される縦電界型の液晶パネルが挙げられる。この液晶パネルでは、基板に対して垂直方向に電界を形成することにより液晶分子が電界方向に配向するので、液晶分子の配向方向に対応した光透過率変化を利用した表示が行われる。
【０００３】
しかし、縦電界型の液晶パネルでは、観察者が液晶パネルの表示面を見る角度により、液晶分子を違う方向から見ることなり、視野角が狭いという問題があった。この問題を解決する方法として、例えば、特許文献１に記載されているように、横電界型の液晶パネルが提案されている。
【０００４】
横電界型の液晶パネルでは、基板に対して平行方向に電界を形成することにより液晶分子が基板面と平行な面内で回転し、その液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用した表示が行われる。この液晶パネルでは、観察者が液晶パネルの表示面を見る角度が変わっても、液晶分子を見る方向は同じであるので、広い視野角が得られる。
【０００５】
横電界を生じさせる方式としては、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）（特許文献２，３参照）と、ＩＰＳ（In-Plain Switching）が挙げられる。後者のＩＰＳでは、電界は主に基板面と平行な横方向のみに発生し、画素電極の上方領域には電界が形成されにくいので、互いに隣接する電極間に在る液晶分子しか駆動することができず、開口率が低くなる傾向にあった。これに対し、前者のＦＦＳでは、電極間に横方向の電界が発生し、画素電極の上方領域には、横斜め電界または放物線電界が発生するので、互いに隣接する電極間に在る液晶分子はもとより、画素電極の上方に在る液晶分子をも十分に駆動することができる。従って、ＦＦＳの方が、ＩＰＳよりも、高い開口率が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１８２２３０号公報
【特許文献２】特開２００８−５２１６１号公報
【特許文献３】特開２００８−１６５２３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ＦＦＳモードの液晶パネルにおいて、更なる高開口率化と工程数の削減のために、例えば、特許文献２に記載されているように、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子のドレイン電極と同一面に画素電極を形成し、共通電極を、各画素電極との対向領域を含む表示領域全体に渡って面状に形成することが開示されている。しかし、特許文献２に記載の方法では、信号線と画素電極とが同一面に形成されるので、信号線と共通電極との間に形成される配線容量が大きくなってしまうという問題があった。
【０００８】
特許文献３では、信号線と共通電極との間の層を厚くすることにより、信号線と共通電極との間に形成される配線容量を低減することが開示されている。しかし、そのようにした場合には、画素電極と共通電極との間の距離が大きくなり、画素電極を駆動するために必要な電圧が上昇してしまうという問題があった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、信号線と共通電極との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極を駆動するために必要な電圧も低く抑えることの可能な表示パネルおよびその製造方法を提供することにある。第２の目的は、そのような表示パネルを備えた表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の表示パネルは、第１基板上に形成されるゲート線と、ゲート線と交差して形成される信号線と、前記ゲート線および前記信号線に接続されるトランジスタとを備えたものである。信号線では、ゲート線との交差部分以外の部分がゲート線と同一面上に形成されており、ゲート線との交差部分が絶縁膜を介してゲート線と対向する位置に形成されている。トランジスタは、ゲート線に接続されるゲート電極と、信号線に接続され、かつ絶縁膜上に形成されるソース電極と、絶縁膜上に形成されるドレイン電極とを有している。本発明の表示パネルは、さらに、ドレイン電極に接続され、かつ絶縁膜上に形成される画素電極と、トランジスタおよび画素電極を被う保護膜と、保護膜上に形成される共通電極とを備えている。
【００１１】
本発明の表示装置は、上記の表示パネルを表示部として備えたものである。本発明の電子機器は、上記の表示装置を備えたものである。
【００１２】
本発明の表示パネル、表示装置および電子機器では、信号線のうちゲート線との交差部分以外の部分と、画素電極とが互いに異なる面上に形成されている。これにより、絶縁膜を厚くすることにより、信号線のうちゲート線との交差部分以外の部分と、共通電極とを離すことができる。また、保護膜を薄くすることにより、画素電極と共通電極とを近づけることができる。つまり、本発明では、信号線のうちゲート線との交差部分以外の部分と、共通電極との距離と、画素電極と共通電極との距離とを独立に調整することが可能となっている。
【００１３】
本発明の表示パネルの製造方法は、以下の５つの工程を含むものである。
（Ａ１）基板の同一面上に、ゲート線と、ゲート線と交差する方向に延在する複数の部分信号線とを形成する工程
（Ａ２）ゲート線および部分信号線を含む面上に、部分信号線のうちゲート線に近接する部分の表面が露出する複数の開口を有する絶縁膜を形成する工程
（Ａ３）開口を介して、互いに近接する部分信号線同士を接続する接続部を形成するとともに、絶縁膜上に、接続部に接するソース電極と、ソース電極とは分離されたドレイン電極とを形成する工程
（Ａ４）絶縁膜上に、ドレイン電極と接する画素電極を形成したのち、ソース電極、ドレイン電極および画素電極を被う保護膜を形成する工程
（Ａ５）保護膜上に共通電極を形成する工程
【００１４】
参考例に係る表示パネルの製造方法は、以下の５つの工程を含むものである。
（Ｂ１）基板上に、ゲート線を形成する工程
（Ｂ２）ゲート線を含む面上に、ゲート線と交差する方向に延在する複数の信号線を形成することとなる領域のうちゲート線との交差領域以外の領域に複数の開口を有する絶縁膜を形成する工程
（Ｂ３）開口の底面から、絶縁膜のうちゲート線と対向する領域の表面に渡ってソース電極を形成するとともに、絶縁膜上にソース電極とは分離されたドレイン電極とを形成する工程
（Ｂ４）絶縁膜上に、ドレイン電極と接する画素電極を形成したのち、ソース電極、ドレイン電極および画素電極を被う保護膜を形成する工程
（Ｂ５）保護膜上に共通電極を形成する工程
【００１５】
本発明の表示パネルの製造方法および参考例に係る表示パネルの製造方法では、部分信号線（信号線のうちゲート線との交差部分以外の部分）と画素電極とが互いに異なる面上に形成されている。これにより、絶縁膜を厚くすることにより、部分信号線と共通電極とを離すことができる。また、保護膜を薄くすることにより、画素電極と共通電極とを近づけることができる。つまり、本発明および参考例では、部分信号線（信号線のうちゲート線との交差部分以外の部分）と共通電極との距離と、画素電極と共通電極との距離とを独立に調整することが可能となっている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の表示パネル、表示装置および電子機器、ならびに本発明の表示パネルの製造方法および参考例に係る表示パネルの製造方法によれば、信号線のうちゲート線との交差部分以外の部分（または部分信号線）と共通電極との距離と、画素電極と共通電極との距離とを独立に調整することができるようにしたので、信号線と共通電極との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極を駆動するために必要な電圧も低く抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成の一例を表す断面図である。
【図２】図１の表示装置の一部を拡大して表す平面図である。
【図３】図１の共通電極の構成の一例を表す平面図である。
【図４】図２のＡ−Ａ，Ｂ−Ｂ矢視方向の構成の一例を表す断面図である。
【図５】図２のＣ−Ｃ矢視方向の構成の一例を表す断面図である。
【図６】図１の下側パネルの製造工程について説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程について説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程について説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程について説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程について説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程について説明するための断面図である。
【図１２】図１の表示装置の構成の他の例における、図２のＡ−Ａ線，Ｂ−Ｂ線に相当する部分の断面図である。
【図１３】図１２の表示装置における、図２のＣ−Ｃ線に相当する部分の断面図である。
【図１４】図１２の下側パネルの製造工程について説明するための断面図である。
【図１５】図１４に続く工程について説明するための断面図である。
【図１６】図１５に続く工程について説明するための断面図である。
【図１７】図１６に続く工程について説明するための断面図である。
【図１８】図１７に続く工程について説明するための断面図である。
【図１９】図１８に続く工程について説明するための断面図である。
【図２０】図１、図１２の表示装置の構成の一変形例を表す模式図である。
【図２１】一適用例に係る電子機器の構成の一例を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
信号線が複数の工程に分けて形成されている例（図１〜図１１）
２．変形例
信号線が１つの工程で一括して形成されている例（図１２〜図１９）
構造を特定せず数値だけが限定されている例（図２０）
３．適用例
上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置が
電子機器に適用されている例（図２１）
【００１９】
＜１．実施の形態＞
図１は、本発明の一実施の形態に係る表示装置１の断面構成の一例を表すものである。図２は、図１の表示装置１における１つの画素近傍（領域α）の平面的な構成の一例を表すものである。なお、図１，図２は、模式的に表したものであり、実際の寸法や形状と同一であるとは限らない。
【００２０】
表示装置１は、横電界型の液晶パネル、具体的には、ＦＦＳモードの液晶パネルを表示パネルとして備えたものである。表示装置１は、例えば、図１に示したように、バックライト１０と、バックライト１０上に配置された液晶パネル２０と、バックライト１０および液晶パネル２０を駆動する駆動回路（図示せず）とを備えている。
【００２１】
バックライト１０は、液晶パネル２０を背後から照明するものである。バックライト１０は、例えば、図示しないが、導光板と、導光板の側面に配置された光源と、導光板の裏面側に配置された反射板と、導光板の上面側に配置された拡散板とを有するエッジライト方式の面発光源である。また、バックライト１０は、例えば、図示しないが、光源と、光源の背後に配置された反射板と、光源の上方に配置された拡散板とを有する直下型の面発光源であってもよい。なお、必要に応じて、反射板や、拡散板などを省略したり、他の光学素子をさらに設けたりすることが可能である。
【００２２】
液晶パネル２０は、バックライト１０の光を、映像信号に応じて変調し、画像光Ｌ1を生成し、映像表示面１Ａから出力するものである。液晶パネル２０は、例えば、図１に示したように、バックライト１０側のパネル基板（下側パネル基板２０Ａ）と映像表示面１Ａ側のパネル基板（上側パネル基板２０Ｂ）との間に液晶層２８を挟み込んだ積層構造を備えている。さらに、液晶パネル２０は、下側パネル基板２０Ａの裏面と、上側パネル基板２０Ｂの上面とに、一対の偏光板２１，３３を備えている。
【００２３】
液晶パネル２０は、例えば、図１に示したように、バックライト１０側から順に、偏光板２１、透光性基板２２、絶縁膜２３、画素電極２４、保護膜２５、共通電極２６、配向膜２７、液晶層２８、配向膜２９、オーバーコート層３０、カラーフィルタ３１、透光性基板３２および偏光板３３を有している。カラーフィルタ３１と同一面には、遮光膜３４が部分的に設けられている。なお、透光性基板２２、絶縁膜２３、画素電極２４、保護膜２５、共通電極２６および配向膜２７からなる積層部分が上述の下側パネル基板２０Ａに相当する。また、配向膜２９、オーバーコート層３０、カラーフィルタ３１、透光性基板３２および遮光膜３４からなる積層部分が上述の上側パネル基板２０Ｂに相当する。
【００２４】
偏光板２１，３３は、光学シャッタの一種であり、ある一定の振動方向の光（偏光）のみを通過させるものである。これら偏光板２１，３３はそれぞれ、偏光軸（透過軸）が互いに９０度異なるように配置されており、これにより表示装置１からの射出光が、液晶層２８を介して透過し、あるいは遮断されるようになっている。なお、偏光板２１，３３のうちいずれか一方の透過軸が配向膜２７，２９のラビング方向と平行となっている。
【００２５】
透光性基板２２，３２は、可視光に対して透明な基板、例えば、板ガラスまたは透光性の樹脂基板からなる。画素電極２４および共通電極２６は、可視光に対して透明な導電性材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）からなる。画素電極２４は、絶縁膜２３上に規則的に配置されており、各ドット（ピクセル）ごとの電極として機能する。画素電極２４の配列としては、例えば、格子配列またはデルタ配列などが採り得る。画素電極２４は、例えば、図２に示したように、長方形状となっている。他方、共通電極２６は、画素電極２４よりも液晶層２８側に配置されており、具体的には、画素電極２４を覆う保護膜２５上に配置されている。共通電極２６は、保護膜２５を介して各画素電極２４と対向する位置に形成されており、保護膜２５全体（具体的には、各画素電極２４によって形成される表示領域全体）に渡って面状に形成されている。従って、共通電極２６は、各画素電極２４に対して対向する共通電極として機能する。共通電極２６は、例えば、図３に示したように、各画素電極２４と対向する領域に、複数の開口２６Ａを有している。各開口２６Ａは、例えば、Ｙ軸方向に延在する長方形状となっており、スリット状となっている。なお、各開口２６Ａの面内での延在方向は、上記以外の方向となっていてもよい。なお、画素電極２４および共通電極２６についての更なる説明は、後述のＴＦＴ素子３７の説明と併せて行うものとする。
【００２６】
絶縁膜２３は、後述のＴＦＴ素子３７のゲート絶縁膜として機能するものであり、例えば、４００ｎｍ（４０００オングストローム）程度の厚さを有している。保護膜２５は、ＴＦＴ素子３７および画素電極２４などを保護するものである。保護膜２５は、例えば、透光性および絶縁性を有する無機絶縁物質からなる。そのような無機絶縁物質としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などが挙げられる。
【００２７】
ここで、保護膜２５が窒化シリコン（誘電率６．５）からなる場合には、絶縁膜２３および保護膜２５を介して後述のソース線３６と共通電極２６との間に発生する配線容量を低減するために、絶縁膜２３および保護膜２５の合計膜厚が、６００ｎｍ（６０００オングストローム）以上となっていることが好ましい。なお、保護膜２５があまり厚くなり過ぎると、製造過程において後述の開口２３Ａを形成することが容易ではなくなるので、保護膜２５の厚さは、４００ｎｍ（４０００オングストローム）以下となっていることが好ましい。つまり、ソース線３６と共通電極２６との間に発生する配線容量の低減と、保護膜２５への開口２３Ａの形成の容易さとの関係から、保護膜２５の厚さは、２００ｎｍ（２０００オングストローム）以上４００ｎｍ（４０００オングストローム）以下の範囲内となっていることが好ましい。なお、この場合、保護膜２５の厚さは、絶縁膜２３の厚さと同一か、またはそれよりも薄くなっている。
【００２８】
配向膜２７，２９は、液晶を所定の方向に配向させるものである。配向膜２７，２９は、例えば、ポリイミドなどの高分子材料からなり、例えば、塗布したポリイミド等に対してラビング処理を施すことにより形成されたものである。液晶層２８は、例えば、ネマティック（Nematic）液晶からなり、後述するように、駆動回路からの印加電圧により、バックライト１０からの射出光をピクセルごとに透過または遮断する変調機能を有している。なお、液晶の光透過レベルを変えることによりピクセルごとの階調が調整される。なお、液晶層２８が負の誘電率異方性を有するネマティック液晶からなる場合には、配向膜２７，２９のラビング方向が、図１におけるＹ軸方向と平行となっている。また、液晶層２８が正の誘電率異方性を有するネマティック液晶からなる場合には、配向膜２７，２９のラビング方向が、図１におけるＸ軸方向と平行となっている。
【００２９】
カラーフィルタ３１は、液晶層２８を透過してきた光を、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の三原色にそれぞれ色分離したり、または、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂおよび白（Ｗ）などの四色にそれぞれ色分離したりするためのカラーフィルタを、画素電極２４の配列と対応させて配列したものである。フィルタ配列（画素配列）としては、一般的に、ストライプ配列や、ダイアゴナル配列、デルタ配列、レクタングル配列のようなものがある。遮光膜３４は、画素間のクロストークを低減するものであり、例えば、可視光を吸収する機能を有している。遮光膜３４は、画素電極２４との非対向領域に形成されており、例えば、画素電極２４との対向領域に開口を有する格子状の形状となっている。
【００３０】
次に、表示装置１のうち領域α（図１参照）内の構成について詳細に説明する。領域αは、上述したように、表示装置１における１つの画素近傍に対応する領域である。図４（Ａ）は、図２の表示装置１のうち領域αに対応する部分のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表すものであり、図４（Ｂ）は、図２の表示装置１のうち領域αに対応する部分のＢ−Ｂ矢視方向の断面構成の一例を表すものである。図５は、図２の表示装置１のうち領域αに対応する部分のＣ−Ｃ矢視方向の断面構成の一例を表すものである。
【００３１】
下側パネル基板２０Ａは、透光性基板２２上に、Ｘ軸方向に延在するゲート線３５を有している。下側パネル基板２０Ａは、さらに、ゲート線３５と交差する方向（例えば、ゲート線３５と直交するＹ軸方向）に延在するソース線３６を有している。なお、ソース線３６が本発明の「信号線」の一具体例に相当する。
【００３２】
ソース線３６において、ゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｂ）がゲート線３５と同一面（具体的には透光性基板２２の上面）上に形成されている。なお、部分ソース線３６Ｂが本発明の「部分信号線」の一具体例に相当する。一方、ソース線３６において、ゲート線３５との交差部分（ブリッジ線３６Ｃ）が絶縁膜２３を介してゲート線３５と対向する位置に形成されている。なお、ブリッジ線３６Ｃが本発明の「接続部」の一具体例に相当する。本実施の形態では、ブリッジ３６Ｃは、後述するように、部分ソース線３６Ｂとは別工程で形成されており、ゲート線３５を介して互いに近接する２つの部分ソース線３６Ｂ同士を電気的に接続するようになっている。
【００３３】
下側パネル基板２０Ａは、ゲート線３５とソース線３６との交差領域に対応して、ＴＦＴ素子３７を有している。ＴＦＴ素子３７は、ＦＥＴ（Field Effect Transistor：電界効果トランジスタ）の1種であり、例えば、ボトムゲート構造およびシングルゲート構造のチャネルエッチ型のアモルファスシリコンＴＦＴである。このＴＦＴ素子３７は、例えば、ゲート電極（図示せず）と、ゲート絶縁膜２３と、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を用いて形成される半導体膜（図示せず）と、リンをドープすることによって上記の半導体膜の両端部に形成されるＮ+−Ｓｉ膜（図示せず）と、ソース電極３６Ａと、ドレイン電極２４Ａとを有している。なお、ＴＦＴ素子３７はトップゲート構造となっていてもよい。
【００３４】
ドレイン電極２４Ａは接続用端子としての機能を有し、その一端がＮ+−Ｓｉ膜を介して上記の半導体膜に接続されている。ドレイン電極２４Ａの他端には、画素電極２４の一部が積層されており、ドレイン電極２４Ａと画素電極２４とが互いに電気的に接続されている。また、ソース電極３６Ａは、図２に示すように、ソース線３６から分岐して形成されたものである。ゲート電極は、ゲート線３５の一部であって、特にソース線３６から延びたソース電極３６Ａと交差する部分のことである。
【００３５】
次に、駆動回路について説明する。駆動回路は、バックライト１０内の光源を点灯させ、その光をバックライト１０の上面から面状の光として射出させるようになっている。この光は、下側パネル基板２０Ａ内の各画素を通って液晶層２８へ供給される。また、駆動回路は、液晶層２８へ光が供給される間、複数のゲート線３５を順次選択するとともに、各ソース線３６に映像信号に対応する信号電圧を印加し、さらに、共通電極２６に所定の基準電圧を印加するようになっている。これにより、駆動回路は、画素電極２４と共通電極２６との間に所定の電圧を印加し、液晶層２８内の液晶分子の配光を画素ごとに制御するようになっている。
【００３６】
ここで、複数の開口２６Ａを有する共通電極２６の下方位置に、複数の画素電極２４が規則的に配置されており、開口２６Ａと画素電極２４とが積層方向において互いに対向している。そのため、画素電極２４と共通電極２６との間に所定の電圧が印加されると、液晶層２８のうち開口２６Ａの直上部分においては、横方向に電界が発生し、さらに、液晶層２８のうち開口２６Ａの直上以外の部分（共通電極２６のうち開口２６Ａ以外の部分の直上部分）においては、横斜め電界Ｅ（図５参照）が発生する。つまり、駆動回路は、画素電極２４と共通電極２６との間に所定の電圧を印加することにより、ＦＦＳモードを実現するようになっている。
【００３７】
次に、バックライト１０に含まれる下側パネル基板２０Ａの製造方法の一例について説明する。図６（Ａ），（Ｂ）〜図１１（Ａ），（Ｂ）は、下側パネル基板２０Ａの製造過程の一例を説明するための断面図を表すものである。図６（Ａ），図７（Ａ），図８（Ａ），図９（Ａ），図１０（Ａ），図１１（Ａ）は、図２のＡ−Ａ矢視線に対応する部分の断面構成の一例を表している。一方、図６（Ｂ），図７（Ｂ），図８（Ｂ），図９（Ｂ），図１０（Ｂ），図１１（Ｂ）は、図２のＢ−Ｂ矢視線に対応する部分の断面構成の一例を表している。
【００３８】
まず、透過性基板２２上に、ゲート線３５と、部分ソース線３６Ｂとを形成する（図６（Ａ），（Ｂ））。次に、ゲート線３５および部分ソース線３６Ｂを含む表面全体に渡って絶縁膜２３を形成したのち、部分ソース線３６Ｂのうちゲート線３５に近接する部分の表面が露出する複数の開口２３Ａを形成する（図７（Ａ），（Ｂ））。次に、開口２３Ａを介して、互いに近接する部分ソース線３６Ｂ同士を接続するブリッジ線３６Ｃを形成する（図８（Ａ），（Ｂ））。このようにして、ソース線３６が形成される。さらに、ソース線３６の形成とともに、絶縁膜２３上に、ブリッジ線３６Ｃに接するソース電極３６Ａと、ソース電極３６Ａとは分離されたドレイン電極２４Ａとを形成する（図８（Ａ），（Ｂ））。なお、このとき、絶縁膜２３と、ソース電極３６Ａおよびドレイン電極２４Ａとの間に、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を用いて形成される半導体膜（図示せず）と、リンをドープすることによって上記の半導体膜の両端部に形成されるＮ+−Ｓｉ膜（図示せず）とを形成する。このようにして、ゲート線３５とソース線３６との交差部分にＴＦＴ素子３７が形成される。
【００３９】
次に、絶縁膜２３の上面のうち、ゲート線３５とソース線３６とで囲まれた表面領域に、画素電極２４を形成する（図９（Ａ），（Ｂ））。このとき、画素電極２４の一部をドレイン電極２４Ａに積層することにより、画素電極２４をドレイン電極２４Ａに電気的に接合させる。次に、ソース電極３６Ａ、ドレイン電極２４Ａおよび画素電極２４を被う保護膜２５を形成する（図１０（Ａ），（Ｂ））。次に、表面全体に、共通電極２６を形成したのち、共通電極２６のうち各画素電極２４との対向領域に複数の開口２６Ａを形成する（図１１（Ａ），（Ｂ））。最後に、表面全体に、配向膜２７を形成する（図１１（Ａ），（Ｂ））。このようにして、本実施の形態の下側パネル基板２０Ａが製造される。
【００４０】
次に、本実施の形態の表示装置１の作用および効果について説明する。
【００４１】
本実施の形態の表示装置１では、バックライト１０内の光源が点灯し、光源からの光がバックライト１０の上面から面状の光となって液晶パネル２０の背面を射出する。この光が、下側パネル基板２０Ａ内の各画素を通って液晶層２８へ供給される間、複数のゲート線３５が順次選択されるとともに、各ソース線３６に映像信号に対応する信号電圧が印加され、さらに、共通電極２６に所定の基準電圧が印加される。これにより、画素電極２４と共通電極２６との間に所定の電圧が印加され、液晶層２８内の液晶分子の配光が画素ごとに制御され、画像光Ｌ1が映像表示面１Ａから出力される。
【００４２】
このとき、複数の開口２６Ａを有する共通電極２６の下方位置に、複数の画素電極２４が規則的に配置されており、開口２６Ａと画素電極２４とが積層方向において互いに対向している。そのため、画素電極２４と共通電極２６との間に所定の電圧が印加されると、液晶層２８のうち開口２６Ａの直上部分においては、横方向に電界が発生し、さらに、液晶層２８のうち開口２６Ａの直上以外の部分（共通電極２６のうち開口２６Ａ以外の部分の直上部分）においては、横斜め電界Ｅ（図５参照）が発生する。その結果、ＦＦＳモードが実現され、広い視野角と、高い開口率が得られる。
【００４３】
ところで、本実施の形態では、ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｂ）と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている。具体的には、図４（Ａ），（Ｂ）に示したように、部分ソース線３６Ｂは透光性基板２２の表面上に形成されており、画素電極２４は絶縁膜２３の表面上に形成されている。これにより、絶縁膜２３を厚くすることにより、部分ソース線３６Ｂと、共通電極２６とを離すことができる。また、保護膜２５を薄くすることにより、画素電極２４と共通電極２６とを近づけることができる。つまり、本実施の形態では、部分ソース線３６Ｂと共通電極２６との距離と、画素電極２４と共通電極２６との距離とを独立に調整することが可能となっている。その結果、ソース線３６と共通電極２６との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極２４を駆動するために必要な電圧も低く抑えることができる。従って、低消費電力の表示装置１を実現することができる。
【００４４】
＜２．変形例＞
[第１変形例]
上記実施の形態では、ソース線３６において、部分ソース線３６Ｂと、ブリッジ線３６Ｃとが別工程で形成されていたが、これらが同一工程で一括して形成されていてもよい。
【００４５】
図１２（Ａ）は、本変形例に係る表示装置１のうち図２のＡ−Ａ線に相当する部分の断面構成の一例を表すものであり、図１２（Ｂ）は、本変形例に係る表示装置１のうち図２のＢ−Ｂ矢視方向に相当する部分の断面構成の一例を表すものである。図１３は、本変形例に係る表示装置１のうち図２のＣ−Ｃ矢視方向に相当する部分の断面構成の一例を表すものである。
【００４６】
図１２（Ａ），（Ｂ）、図１３に示したように、絶縁膜２３は、ソース線３６と対向する帯状の領域のうち、ゲート線３５と対向する領域以外の領域に、開口２３Ａを有している。ソース線３６は、この開口２３Ａの底面（透光性基板２２の表面）から、絶縁膜２３のうちゲート線３５の直上の部分の表面に渡って連続して形成されている。つまり、ソース線３６では、当該ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分が開口２３Ａの底面（透光性基板２２の表面）上に形成されており、当該ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分が絶縁膜２３上に形成されている。そして、ソース線３６、ドレイン電極２４Ａおよび画素電極２４を覆うとともに、開口２３Ａの内部を充填するように、保護膜２５が形成されている。
【００４７】
次に、本変形例における下側パネル基板２０Ａの製造方法の一例について説明する。図１４（Ａ），（Ｂ）〜図１９（Ａ），（Ｂ）は、本変形例における下側パネル基板２０Ａの製造過程の一例を説明するための断面図を表すものである。図１４（Ａ），図１５（Ａ），図１６（Ａ），図１７（Ａ），図１８（Ａ），図１９（Ａ）は、本変形例に係る表示装置１のうち図２のＡ−Ａ線に相当する部分の断面構成の一例を表している。一方、図１４（Ｂ），図１５（Ｂ），図１６（Ｂ），図１７（Ｂ），図１８（Ｂ），図１９（Ｂ）は、本変形例に係る表示装置１のうち図２のＢ−Ｂ矢視方向に相当する部分の断面構成の一例を表している。
【００４８】
まず、透過性基板２２上に、ゲート線３５を形成する（図１４（Ａ），（Ｂ））。次に、ゲート線３５を含む表面全体に渡って絶縁膜２３を形成したのち、ソース線３６を形成することとなる帯状の領域のうちゲート線３５との交差領域以外の領域に、透過性基板２２の表面が露出する複数の開口２３Ａを形成する（図１５（Ａ），（Ｂ））。次に、開口２３Ａの底面（透光性基板２２の表面）から、絶縁膜３５のうちゲート線３５と対向する領域（ゲート線３５の直上）の表面に渡って連続してソース線３６を形成する（図１６（Ａ），（Ｂ））。このようにして、ソース線３６が１つの工程で一括して形成される。さらに、ソース線３６の形成とともに、絶縁膜２３上に、ソース線３６に接するソース電極３６Ａと、ソース電極３６Ａとは分離されたドレイン電極２４Ａとを形成する（図１６（Ａ），（Ｂ））。なお、このとき、絶縁膜２３と、ソース電極３６Ａおよびドレイン電極２４Ａとの間に、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を用いて形成される半導体膜（図示せず）と、リンをドープすることによって上記の半導体膜の両端部に形成されるＮ+−Ｓｉ膜（図示せず）とを形成する。このようにして、ゲート線３５とソース線３６との交差部分にＴＦＴ素子３７が形成される。
【００４９】
次に、絶縁膜２３の上面のうち、ゲート線３５とソース線３６とで囲まれた表面領域に、画素電極２４を形成する（図１７（Ａ），（Ｂ））。このとき、画素電極２４の一部をドレイン電極２４Ａに積層することにより、画素電極２４をドレイン電極２４Ａに電気的に接合させる。次に、ソース電極３６Ａ、ドレイン電極２４Ａおよび画素電極２４を被う保護膜２５を形成する（図１８（Ａ），（Ｂ））。このとき、ソース線３６を埋め込むとともに、開口２３Ａの内部を充填するように、保護膜２５が形成される。次に、表面全体に、共通電極２６を形成したのち、共通電極２６のうち各画素電極２４との対向領域に複数の開口２６Ａを形成する（図１９（Ａ），（Ｂ））。最後に、表面全体に、配向膜２７を形成する（図１９（Ａ），（Ｂ））。このようにして、本変形例における下側パネル基板２０Ａが製造される。
【００５０】
本変形例では、上記実施の形態と同様、ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている。これにより、本変形例においても、絶縁膜２３を厚くすることにより、部分ソース線３６Ｂと、共通電極２６とを離すことができる。また、保護膜２５を薄くすることにより、画素電極２４と共通電極２６とを近づけることができる。つまり、本変形例でも、部分ソース線３６Ｂと共通電極２６との距離と、画素電極２４と共通電極２６との距離とを独立に調整することが可能となっている。その結果、ソース線３６と共通電極２６との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極２４を駆動するために必要な電圧も低く抑えることができる。従って、本変形例においても、低消費電力の表示装置１を実現することができる。
【００５１】
[第２変形例]
上記実施の形態およびその変形例では、表示装置１は、ＦＦＳモードの液晶パネルを表示パネルとして備えていたが、ＩＳＰモードの液晶パネルを表示パネルとして備えていてもよい。また、上記実施の形態およびその変形例では、ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分が透明性基板２２の表面上に形成され、画素電極２４が絶縁膜２３の表面上に形成されていたが、ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている限りにおいて、上記とは異なる面上に形成されていてもよい。このとき、下側パネル基板２０Ａの内部構成は、上記実施の形態およびその変形例に記載の構成に限定されない。なお、以下では、便宜的に各構成要素に対して、上記実施の形態およびその変形例で使用した符号と同一符号を付しているが、そのことが、各構成要素の下側パネル基板２０Ａ内での位置が上記実施の形態およびその変形例に記載の位置に限定されることを示唆するものではない。
【００５２】
例えば、図２０に示したように、ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｄ）が、下側パネル基板２０Ａ内の第１面４１上に形成されている。さらに、例えば、図２０に示したように、下側パネル基板２０Ａ内において、画素電極２４が第１面４１よりも液晶層２８側に設けられた第２面４２上に形成され、共通電極２６が第２面４２よりも液晶層２８側に設けられた第３面４３上に形成されている。このとき、部分ソース線３６Ｄと共通電極２６との距離Ｄ１と、画素電極２４と共通電極２６との距離Ｄ２とが互いに独立して調整することが可能となっている。距離Ｄ１は６００ｎｍ（６０００オングストローム）以上となっており、距離Ｄ２は２００ｎｍ（２０００オングストローム）以上４００ｎｍ（４０００オングストローム）以下となっている。距離Ｄ１，Ｄ２が上述の範囲内となっていることから、ソース線３６と共通電極２６との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極２４を駆動するために必要な電圧も低く抑えることができる。その結果、本変形例においても、低消費電力の表示装置１を実現することができる。
【００５３】
＜３．適用例＞
次に、上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置１の一適用例について説明する。図２１は、本適用例に係る電子機器１００の概略構成の一例を表す斜視図である。電子機器２は、携帯電話機であり、例えば、図２１に示したように、本体部１１１と、本体部１１１に対して開閉可能に設けられた表示体部１１２とを備えている。本体部１１１は、操作ボタン１１５と、送話部１１６を有している。表示体部１１２は、表示装置１１３と、受話部１１７とを有している。表示装置１１３は、電話通信に関する各種表示を、表示装置１１３の表示画面１１４に表示するようになっている。電子機器１００は、表示装置１１３の動作を制御するための制御部（図示せず）を備えている。この制御部は、電子機器１００全体の制御を司る制御部の一部として、またはその制御部とは別に、本体部１１１または表示体部１１２の内部に設けられている。
【００５４】
表示装置１１３は、上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置１と同一の構成を備えている。これにより、表示装置１１３において、ソース線３６と共通電極２６との間に形成される配線容量が低く抑えられており、かつ画素電極２４を駆動するために必要な電圧も低く抑えられているので、低消費電力の電子機器１００を実現することができる。
【００５５】
なお、上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置１を適用可能な電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００５６】
１…表示装置、１Ａ…映像表示面、１０…バックライト、２０…液晶パネル、２０Ａ…下側パネル基板、２０Ｂ…上側パネル基板、２１，３３…偏光板、２２，３２…透光性基板、２３…絶縁膜、２３Ａ，２６Ａ…開口、２４…画素電極、２４Ａ…ドレイン電極、２５…保護膜、２６…共通電極、２７，２９…配光膜、２８…液晶層、３０…オーバーコート層、３１…カラーフィルタ、３４…遮光膜、３５…ゲート線、３６…ソース線、３６Ａ…ソース電極、３６Ｂ，３６Ｄ…部分ソース線、３６Ｃ…ブリッジ線、３７…ＴＦＴ素子、４１…第１面、４２…第２面、４３…第３面、１００…電子機器、１１１…本体部、１１２…表示体部、１１３…表示装置、１１４…表示画面、１１５…操作ボタン、１１６…送話部、１１７…受話部、Ｄ1，Ｄ2…距離、Ｅ…電界、Ｌ1…画像光、α…領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、横電界によって液晶分子の配向を制御することの可能な表示パネルおよびその製造方法に関する。また、本発明は、上記の表示パネルを備えた表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話やノート型パーソナルコンピュータなどのモバイル機器において、液晶パネルが広く用いられている。液晶パネルとして従来から広く利用されているものとしては、ＴＮ（Twisted Nematic）液晶を用いた液晶パネルに代表される縦電界型の液晶パネルが挙げられる。この液晶パネルでは、基板に対して垂直方向に電界を形成することにより液晶分子が電界方向に配向するので、液晶分子の配向方向に対応した光透過率変化を利用した表示が行われる。
【０００３】
しかし、縦電界型の液晶パネルでは、観察者が液晶パネルの表示面を見る角度により、液晶分子を違う方向から見ることなり、視野角が狭いという問題があった。この問題を解決する方法として、例えば、特許文献１に記載されているように、横電界型の液晶パネルが提案されている。
【０００４】
横電界型の液晶パネルでは、基板に対して平行方向に電界を形成することにより液晶分子が基板面と平行な面内で回転し、その液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用した表示が行われる。この液晶パネルでは、観察者が液晶パネルの表示面を見る角度が変わっても、液晶分子を見る方向は同じであるので、広い視野角が得られる。
【０００５】
横電界を生じさせる方式としては、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）（特許文献２，３参照）と、ＩＰＳ（In-Plain Switching）が挙げられる。後者のＩＰＳでは、電界は主に基板面と平行な横方向のみに発生し、画素電極の上方領域には電界が形成されにくいので、互いに隣接する電極間に在る液晶分子しか駆動することができず、開口率が低くなる傾向にあった。これに対し、前者のＦＦＳでは、電極間に横方向の電界が発生し、画素電極の上方領域には、横斜め電界または放物線電界が発生するので、互いに隣接する電極間に在る液晶分子はもとより、画素電極の上方に在る液晶分子をも十分に駆動することができる。従って、ＦＦＳの方が、ＩＰＳよりも、高い開口率が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１８２２３０号公報
【特許文献２】特開２００８−５２１６１号公報
【特許文献３】特開２００８−１６５２３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ＦＦＳモードの液晶パネルにおいて、更なる高開口率化と工程数の削減のために、例えば、特許文献２に記載されているように、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子のドレイン電極と同一面に画素電極を形成し、共通電極を、各画素電極との対向領域を含む表示領域全体に渡って面状に形成することが開示されている。しかし、特許文献２に記載の方法では、信号線と画素電極とが同一面に形成されるので、信号線と共通電極との間に形成される配線容量が大きくなってしまうという問題があった。
【０００８】
特許文献３では、信号線と共通電極との間の層を厚くすることにより、信号線と共通電極との間に形成される配線容量を低減することが開示されている。しかし、そのようにした場合には、画素電極と共通電極との間の距離が大きくなり、画素電極を駆動するために必要な電圧が上昇してしまうという問題があった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、信号線と共通電極との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極を駆動するために必要な電圧も低く抑えることの可能な表示パネルおよびその製造方法を提供することにある。第２の目的は、そのような表示パネルを備えた表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の表示パネルは、第１基板上に形成されるゲート線と、ゲート線と交差して形成される信号線と、前記ゲート線および前記信号線に接続されるトランジスタとを備えたものである。信号線では、ゲート線との交差部分以外の部分がゲート線と同一面上に形成されており、ゲート線との交差部分が絶縁膜を介してゲート線と対向する位置に形成されている。トランジスタは、ゲート線に接続されるゲート電極と、信号線に接続され、かつ絶縁膜上に形成されるソース電極と、絶縁膜上に形成されるドレイン電極とを有している。本発明の表示パネルは、さらに、ドレイン電極に接続され、かつ絶縁膜上に形成される画素電極と、トランジスタおよび画素電極を被う保護膜と、保護膜上に形成される共通電極とを備えている。
【００１１】
本発明の表示装置は、上記の表示パネルを表示部として備えたものである。本発明の電子機器は、上記の表示装置を備えたものである。
【００１２】
本発明の表示パネル、表示装置および電子機器では、信号線のうちゲート線との交差部分以外の部分と、画素電極とが互いに異なる面上に形成されている。これにより、絶縁膜を厚くすることにより、信号線のうちゲート線との交差部分以外の部分と、共通電極とを離すことができる。また、保護膜を薄くすることにより、画素電極と共通電極とを近づけることができる。つまり、本発明では、信号線のうちゲート線との交差部分以外の部分と、共通電極との距離と、画素電極と共通電極との距離とを独立に調整することが可能となっている。
【００１３】
本発明の表示パネルの製造方法は、以下の５つの工程を含むものである。
（Ａ１）基板の同一面上に、ゲート線と、ゲート線と交差する方向に延在する複数の部分信号線とを形成する工程
（Ａ２）ゲート線および部分信号線を含む面上に、部分信号線のうちゲート線に近接する部分の表面が露出する複数の開口を有する絶縁膜を形成する工程
（Ａ３）開口を介して、互いに近接する部分信号線同士を接続する接続部を形成するとともに、絶縁膜上に、接続部に接するソース電極と、ソース電極とは分離されたドレイン電極とを形成する工程
（Ａ４）絶縁膜上に、ドレイン電極と接する画素電極を形成したのち、ソース電極、ドレイン電極および画素電極を被う保護膜を形成する工程
（Ａ５）保護膜上に共通電極を形成する工程
【００１４】
参考例に係る表示パネルの製造方法は、以下の５つの工程を含むものである。
（Ｂ１）基板上に、ゲート線を形成する工程
（Ｂ２）ゲート線を含む面上に、ゲート線と交差する方向に延在する複数の信号線を形成することとなる領域のうちゲート線との交差領域以外の領域に複数の開口を有する絶縁膜を形成する工程
（Ｂ３）開口の底面から、絶縁膜のうちゲート線と対向する領域の表面に渡ってソース電極を形成するとともに、絶縁膜上にソース電極とは分離されたドレイン電極とを形成する工程
（Ｂ４）絶縁膜上に、ドレイン電極と接する画素電極を形成したのち、ソース電極、ドレイン電極および画素電極を被う保護膜を形成する工程
（Ｂ５）保護膜上に共通電極を形成する工程
【００１５】
本発明の表示パネルの製造方法および参考例に係る表示パネルの製造方法では、部分信号線（信号線のうちゲート線との交差部分以外の部分）と画素電極とが互いに異なる面上に形成されている。これにより、絶縁膜を厚くすることにより、部分信号線と共通電極とを離すことができる。また、保護膜を薄くすることにより、画素電極と共通電極とを近づけることができる。つまり、本発明および参考例では、部分信号線（信号線のうちゲート線との交差部分以外の部分）と共通電極との距離と、画素電極と共通電極との距離とを独立に調整することが可能となっている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の表示パネル、表示装置および電子機器、ならびに本発明の表示パネルの製造方法および参考例に係る表示パネルの製造方法によれば、信号線のうちゲート線との交差部分以外の部分（または部分信号線）と共通電極との距離と、画素電極と共通電極との距離とを独立に調整することができるようにしたので、信号線と共通電極との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極を駆動するために必要な電圧も低く抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成の一例を表す断面図である。
【図２】図１の表示装置の一部を拡大して表す平面図である。
【図３】図１の共通電極の構成の一例を表す平面図である。
【図４】図２のＡ−Ａ，Ｂ−Ｂ矢視方向の構成の一例を表す断面図である。
【図５】図２のＣ−Ｃ矢視方向の構成の一例を表す断面図である。
【図６】図１の下側パネルの製造工程について説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程について説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程について説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程について説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程について説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程について説明するための断面図である。
【図１２】図１の表示装置の構成の他の例における、図２のＡ−Ａ線，Ｂ−Ｂ線に相当する部分の断面図である。
【図１３】図１２の表示装置における、図２のＣ−Ｃ線に相当する部分の断面図である。
【図１４】図１２の下側パネルの製造工程について説明するための断面図である。
【図１５】図１４に続く工程について説明するための断面図である。
【図１６】図１５に続く工程について説明するための断面図である。
【図１７】図１６に続く工程について説明するための断面図である。
【図１８】図１７に続く工程について説明するための断面図である。
【図１９】図１８に続く工程について説明するための断面図である。
【図２０】図１、図１２の表示装置の構成の一変形例を表す模式図である。
【図２１】一適用例に係る電子機器の構成の一例を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
信号線が複数の工程に分けて形成されている例（図１〜図１１）
２．変形例
信号線が１つの工程で一括して形成されている例（図１２〜図１９）
構造を特定せず数値だけが限定されている例（図２０）
３．適用例
上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置が
電子機器に適用されている例（図２１）
【００１９】
＜１．実施の形態＞
図１は、本発明の一実施の形態に係る表示装置１の断面構成の一例を表すものである。図２は、図１の表示装置１における１つの画素近傍（領域α）の平面的な構成の一例を表すものである。なお、図１，図２は、模式的に表したものであり、実際の寸法や形状と同一であるとは限らない。
【００２０】
表示装置１は、横電界型の液晶パネル、具体的には、ＦＦＳモードの液晶パネルを表示パネルとして備えたものである。表示装置１は、例えば、図１に示したように、バックライト１０と、バックライト１０上に配置された液晶パネル２０と、バックライト１０および液晶パネル２０を駆動する駆動回路（図示せず）とを備えている。
【００２１】
バックライト１０は、液晶パネル２０を背後から照明するものである。バックライト１０は、例えば、図示しないが、導光板と、導光板の側面に配置された光源と、導光板の裏面側に配置された反射板と、導光板の上面側に配置された拡散板とを有するエッジライト方式の面発光源である。また、バックライト１０は、例えば、図示しないが、光源と、光源の背後に配置された反射板と、光源の上方に配置された拡散板とを有する直下型の面発光源であってもよい。なお、必要に応じて、反射板や、拡散板などを省略したり、他の光学素子をさらに設けたりすることが可能である。
【００２２】
液晶パネル２０は、バックライト１０の光を、映像信号に応じて変調し、画像光Ｌ1を生成し、映像表示面１Ａから出力するものである。液晶パネル２０は、例えば、図１に示したように、バックライト１０側のパネル基板（下側パネル基板２０Ａ）と映像表示面１Ａ側のパネル基板（上側パネル基板２０Ｂ）との間に液晶層２８を挟み込んだ積層構造を備えている。さらに、液晶パネル２０は、下側パネル基板２０Ａの裏面と、上側パネル基板２０Ｂの上面とに、一対の偏光板２１，３３を備えている。
【００２３】
液晶パネル２０は、例えば、図１に示したように、バックライト１０側から順に、偏光板２１、透光性基板２２、絶縁膜２３、画素電極２４、保護膜２５、共通電極２６、配向膜２７、液晶層２８、配向膜２９、オーバーコート層３０、カラーフィルタ３１、透光性基板３２および偏光板３３を有している。カラーフィルタ３１と同一面には、遮光膜３４が部分的に設けられている。なお、透光性基板２２、絶縁膜２３、画素電極２４、保護膜２５、共通電極２６および配向膜２７からなる積層部分が上述の下側パネル基板２０Ａに相当する。また、配向膜２９、オーバーコート層３０、カラーフィルタ３１、透光性基板３２および遮光膜３４からなる積層部分が上述の上側パネル基板２０Ｂに相当する。
【００２４】
偏光板２１，３３は、光学シャッタの一種であり、ある一定の振動方向の光（偏光）のみを通過させるものである。これら偏光板２１，３３はそれぞれ、偏光軸（透過軸）が互いに９０度異なるように配置されており、これにより表示装置１からの射出光が、液晶層２８を介して透過し、あるいは遮断されるようになっている。なお、偏光板２１，３３のうちいずれか一方の透過軸が配向膜２７，２９のラビング方向と平行となっている。
【００２５】
透光性基板２２，３２は、可視光に対して透明な基板、例えば、板ガラスまたは透光性の樹脂基板からなる。画素電極２４および共通電極２６は、可視光に対して透明な導電性材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）からなる。画素電極２４は、絶縁膜２３上に規則的に配置されており、各ドット（ピクセル）ごとの電極として機能する。画素電極２４の配列としては、例えば、格子配列またはデルタ配列などが採り得る。画素電極２４は、例えば、図２に示したように、長方形状となっている。他方、共通電極２６は、画素電極２４よりも液晶層２８側に配置されており、具体的には、画素電極２４を覆う保護膜２５上に配置されている。共通電極２６は、保護膜２５を介して各画素電極２４と対向する位置に形成されており、保護膜２５全体（具体的には、各画素電極２４によって形成される表示領域全体）に渡って面状に形成されている。従って、共通電極２６は、各画素電極２４に対して対向する共通電極として機能する。共通電極２６は、例えば、図３に示したように、各画素電極２４と対向する領域に、複数の開口２６Ａを有している。各開口２６Ａは、例えば、Ｙ軸方向に延在する長方形状となっており、スリット状となっている。なお、各開口２６Ａの面内での延在方向は、上記以外の方向となっていてもよい。なお、画素電極２４および共通電極２６についての更なる説明は、後述のＴＦＴ素子３７の説明と併せて行うものとする。
【００２６】
絶縁膜２３は、後述のＴＦＴ素子３７のゲート絶縁膜として機能するものであり、例えば、４００ｎｍ（４０００オングストローム）程度の厚さを有している。保護膜２５は、ＴＦＴ素子３７および画素電極２４などを保護するものである。保護膜２５は、例えば、透光性および絶縁性を有する無機絶縁物質からなる。そのような無機絶縁物質としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などが挙げられる。
【００２７】
ここで、保護膜２５が窒化シリコン（誘電率６．５）からなる場合には、絶縁膜２３および保護膜２５を介して後述のソース線３６と共通電極２６との間に発生する配線容量を低減するために、絶縁膜２３および保護膜２５の合計膜厚が、６００ｎｍ（６０００オングストローム）以上となっていることが好ましい。なお、保護膜２５があまり厚くなり過ぎると、製造過程において後述の開口２３Ａを形成することが容易ではなくなるので、保護膜２５の厚さは、４００ｎｍ（４０００オングストローム）以下となっていることが好ましい。つまり、ソース線３６と共通電極２６との間に発生する配線容量の低減と、保護膜２５への開口２３Ａの形成の容易さとの関係から、保護膜２５の厚さは、２００ｎｍ（２０００オングストローム）以上４００ｎｍ（４０００オングストローム）以下の範囲内となっていることが好ましい。なお、この場合、保護膜２５の厚さは、絶縁膜２３の厚さと同一か、またはそれよりも薄くなっている。
【００２８】
配向膜２７，２９は、液晶を所定の方向に配向させるものである。配向膜２７，２９は、例えば、ポリイミドなどの高分子材料からなり、例えば、塗布したポリイミド等に対してラビング処理を施すことにより形成されたものである。液晶層２８は、例えば、ネマティック（Nematic）液晶からなり、後述するように、駆動回路からの印加電圧により、バックライト１０からの射出光をピクセルごとに透過または遮断する変調機能を有している。なお、液晶の光透過レベルを変えることによりピクセルごとの階調が調整される。なお、液晶層２８が負の誘電率異方性を有するネマティック液晶からなる場合には、配向膜２７，２９のラビング方向が、図１におけるＹ軸方向と平行となっている。また、液晶層２８が正の誘電率異方性を有するネマティック液晶からなる場合には、配向膜２７，２９のラビング方向が、図１におけるＸ軸方向と平行となっている。
【００２９】
カラーフィルタ３１は、液晶層２８を透過してきた光を、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の三原色にそれぞれ色分離したり、または、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂおよび白（Ｗ）などの四色にそれぞれ色分離したりするためのカラーフィルタを、画素電極２４の配列と対応させて配列したものである。フィルタ配列（画素配列）としては、一般的に、ストライプ配列や、ダイアゴナル配列、デルタ配列、レクタングル配列のようなものがある。遮光膜３４は、画素間のクロストークを低減するものであり、例えば、可視光を吸収する機能を有している。遮光膜３４は、画素電極２４との非対向領域に形成されており、例えば、画素電極２４との対向領域に開口を有する格子状の形状となっている。
【００３０】
次に、表示装置１のうち領域α（図１参照）内の構成について詳細に説明する。領域αは、上述したように、表示装置１における１つの画素近傍に対応する領域である。図４（Ａ）は、図２の表示装置１のうち領域αに対応する部分のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表すものであり、図４（Ｂ）は、図２の表示装置１のうち領域αに対応する部分のＢ−Ｂ矢視方向の断面構成の一例を表すものである。図５は、図２の表示装置１のうち領域αに対応する部分のＣ−Ｃ矢視方向の断面構成の一例を表すものである。
【００３１】
下側パネル基板２０Ａは、透光性基板２２上に、Ｘ軸方向に延在するゲート線３５を有している。下側パネル基板２０Ａは、さらに、ゲート線３５と交差する方向（例えば、ゲート線３５と直交するＹ軸方向）に延在するソース線３６を有している。なお、ソース線３６が本発明の「信号線」の一具体例に相当する。
【００３２】
ソース線３６において、ゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｂ）がゲート線３５と同一面（具体的には透光性基板２２の上面）上に形成されている。なお、部分ソース線３６Ｂが本発明の「部分信号線」の一具体例に相当する。一方、ソース線３６において、ゲート線３５との交差部分（ブリッジ線３６Ｃ）が絶縁膜２３を介してゲート線３５と対向する位置に形成されている。なお、ブリッジ線３６Ｃが本発明の「接続部」の一具体例に相当する。本実施の形態では、ブリッジ３６Ｃは、後述するように、部分ソース線３６Ｂとは別工程で形成されており、ゲート線３５を介して互いに近接する２つの部分ソース線３６Ｂ同士を電気的に接続するようになっている。
【００３３】
下側パネル基板２０Ａは、ゲート線３５とソース線３６との交差領域に対応して、ＴＦＴ素子３７を有している。ＴＦＴ素子３７は、ＦＥＴ（Field Effect Transistor：電界効果トランジスタ）の1種であり、例えば、ボトムゲート構造およびシングルゲート構造のチャネルエッチ型のアモルファスシリコンＴＦＴである。このＴＦＴ素子３７は、例えば、ゲート電極（図示せず）と、ゲート絶縁膜２３と、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を用いて形成される半導体膜（図示せず）と、リンをドープすることによって上記の半導体膜の両端部に形成されるＮ+−Ｓｉ膜（図示せず）と、ソース電極３６Ａと、ドレイン電極２４Ａとを有している。なお、ＴＦＴ素子３７はトップゲート構造となっていてもよい。
【００３４】
ドレイン電極２４Ａは接続用端子としての機能を有し、その一端がＮ+−Ｓｉ膜を介して上記の半導体膜に接続されている。ドレイン電極２４Ａの他端には、画素電極２４の一部が積層されており、ドレイン電極２４Ａと画素電極２４とが互いに電気的に接続されている。また、ソース電極３６Ａは、図２に示すように、ソース線３６から分岐して形成されたものである。ゲート電極は、ゲート線３５の一部であって、特にソース線３６から延びたソース電極３６Ａと交差する部分のことである。
【００３５】
次に、駆動回路について説明する。駆動回路は、バックライト１０内の光源を点灯させ、その光をバックライト１０の上面から面状の光として射出させるようになっている。この光は、下側パネル基板２０Ａ内の各画素を通って液晶層２８へ供給される。また、駆動回路は、液晶層２８へ光が供給される間、複数のゲート線３５を順次選択するとともに、各ソース線３６に映像信号に対応する信号電圧を印加し、さらに、共通電極２６に所定の基準電圧を印加するようになっている。これにより、駆動回路は、画素電極２４と共通電極２６との間に所定の電圧を印加し、液晶層２８内の液晶分子の配光を画素ごとに制御するようになっている。
【００３６】
ここで、複数の開口２６Ａを有する共通電極２６の下方位置に、複数の画素電極２４が規則的に配置されており、開口２６Ａと画素電極２４とが積層方向において互いに対向している。そのため、画素電極２４と共通電極２６との間に所定の電圧が印加されると、液晶層２８のうち開口２６Ａの直上部分においては、横方向に電界が発生し、さらに、液晶層２８のうち開口２６Ａの直上以外の部分（共通電極２６のうち開口２６Ａ以外の部分の直上部分）においては、横斜め電界Ｅ（図５参照）が発生する。つまり、駆動回路は、画素電極２４と共通電極２６との間に所定の電圧を印加することにより、ＦＦＳモードを実現するようになっている。
【００３７】
次に、バックライト１０に含まれる下側パネル基板２０Ａの製造方法の一例について説明する。図６（Ａ），（Ｂ）〜図１１（Ａ），（Ｂ）は、下側パネル基板２０Ａの製造過程の一例を説明するための断面図を表すものである。図６（Ａ），図７（Ａ），図８（Ａ），図９（Ａ），図１０（Ａ），図１１（Ａ）は、図２のＡ−Ａ矢視線に対応する部分の断面構成の一例を表している。一方、図６（Ｂ），図７（Ｂ），図８（Ｂ），図９（Ｂ），図１０（Ｂ），図１１（Ｂ）は、図２のＢ−Ｂ矢視線に対応する部分の断面構成の一例を表している。
【００３８】
まず、透過性基板２２上に、ゲート線３５と、部分ソース線３６Ｂとを形成する（図６（Ａ），（Ｂ））。次に、ゲート線３５および部分ソース線３６Ｂを含む表面全体に渡って絶縁膜２３を形成したのち、部分ソース線３６Ｂのうちゲート線３５に近接する部分の表面が露出する複数の開口２３Ａを形成する（図７（Ａ），（Ｂ））。次に、開口２３Ａを介して、互いに近接する部分ソース線３６Ｂ同士を接続するブリッジ線３６Ｃを形成する（図８（Ａ），（Ｂ））。このようにして、ソース線３６が形成される。さらに、ソース線３６の形成とともに、絶縁膜２３上に、ブリッジ線３６Ｃに接するソース電極３６Ａと、ソース電極３６Ａとは分離されたドレイン電極２４Ａとを形成する（図８（Ａ），（Ｂ））。なお、このとき、絶縁膜２３と、ソース電極３６Ａおよびドレイン電極２４Ａとの間に、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を用いて形成される半導体膜（図示せず）と、リンをドープすることによって上記の半導体膜の両端部に形成されるＮ+−Ｓｉ膜（図示せず）とを形成する。このようにして、ゲート線３５とソース線３６との交差部分にＴＦＴ素子３７が形成される。
【００３９】
次に、絶縁膜２３の上面のうち、ゲート線３５とソース線３６とで囲まれた表面領域に、画素電極２４を形成する（図９（Ａ），（Ｂ））。このとき、画素電極２４の一部をドレイン電極２４Ａに積層することにより、画素電極２４をドレイン電極２４Ａに電気的に接合させる。次に、ソース電極３６Ａ、ドレイン電極２４Ａおよび画素電極２４を被う保護膜２５を形成する（図１０（Ａ），（Ｂ））。次に、表面全体に、共通電極２６を形成したのち、共通電極２６のうち各画素電極２４との対向領域に複数の開口２６Ａを形成する（図１１（Ａ），（Ｂ））。最後に、表面全体に、配向膜２７を形成する（図１１（Ａ），（Ｂ））。このようにして、本実施の形態の下側パネル基板２０Ａが製造される。
【００４０】
次に、本実施の形態の表示装置１の作用および効果について説明する。
【００４１】
本実施の形態の表示装置１では、バックライト１０内の光源が点灯し、光源からの光がバックライト１０の上面から面状の光となって液晶パネル２０の背面を射出する。この光が、下側パネル基板２０Ａ内の各画素を通って液晶層２８へ供給される間、複数のゲート線３５が順次選択されるとともに、各ソース線３６に映像信号に対応する信号電圧が印加され、さらに、共通電極２６に所定の基準電圧が印加される。これにより、画素電極２４と共通電極２６との間に所定の電圧が印加され、液晶層２８内の液晶分子の配光が画素ごとに制御され、画像光Ｌ1が映像表示面１Ａから出力される。
【００４２】
このとき、複数の開口２６Ａを有する共通電極２６の下方位置に、複数の画素電極２４が規則的に配置されており、開口２６Ａと画素電極２４とが積層方向において互いに対向している。そのため、画素電極２４と共通電極２６との間に所定の電圧が印加されると、液晶層２８のうち開口２６Ａの直上部分においては、横方向に電界が発生し、さらに、液晶層２８のうち開口２６Ａの直上以外の部分（共通電極２６のうち開口２６Ａ以外の部分の直上部分）においては、横斜め電界Ｅ（図５参照）が発生する。その結果、ＦＦＳモードが実現され、広い視野角と、高い開口率が得られる。
【００４３】
ところで、本実施の形態では、ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｂ）と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている。具体的には、図４（Ａ），（Ｂ）に示したように、部分ソース線３６Ｂは透光性基板２２の表面上に形成されており、画素電極２４は絶縁膜２３の表面上に形成されている。これにより、絶縁膜２３を厚くすることにより、部分ソース線３６Ｂと、共通電極２６とを離すことができる。また、保護膜２５を薄くすることにより、画素電極２４と共通電極２６とを近づけることができる。つまり、本実施の形態では、部分ソース線３６Ｂと共通電極２６との距離と、画素電極２４と共通電極２６との距離とを独立に調整することが可能となっている。その結果、ソース線３６と共通電極２６との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極２４を駆動するために必要な電圧も低く抑えることができる。従って、低消費電力の表示装置１を実現することができる。
【００４４】
＜２．変形例＞
[第１変形例]
上記実施の形態では、ソース線３６において、部分ソース線３６Ｂと、ブリッジ線３６Ｃとが別工程で形成されていたが、これらが同一工程で一括して形成されていてもよい。
【００４５】
図１２（Ａ）は、本変形例に係る表示装置１のうち図２のＡ−Ａ線に相当する部分の断面構成の一例を表すものであり、図１２（Ｂ）は、本変形例に係る表示装置１のうち図２のＢ−Ｂ矢視方向に相当する部分の断面構成の一例を表すものである。図１３は、本変形例に係る表示装置１のうち図２のＣ−Ｃ矢視方向に相当する部分の断面構成の一例を表すものである。
【００４６】
図１２（Ａ），（Ｂ）、図１３に示したように、絶縁膜２３は、ソース線３６と対向する帯状の領域のうち、ゲート線３５と対向する領域以外の領域に、開口２３Ａを有している。ソース線３６は、この開口２３Ａの底面（透光性基板２２の表面）から、絶縁膜２３のうちゲート線３５の直上の部分の表面に渡って連続して形成されている。つまり、ソース線３６では、当該ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分が開口２３Ａの底面（透光性基板２２の表面）上に形成されており、当該ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分が絶縁膜２３上に形成されている。そして、ソース線３６、ドレイン電極２４Ａおよび画素電極２４を覆うとともに、開口２３Ａの内部を充填するように、保護膜２５が形成されている。
【００４７】
次に、本変形例における下側パネル基板２０Ａの製造方法の一例について説明する。図１４（Ａ），（Ｂ）〜図１９（Ａ），（Ｂ）は、本変形例における下側パネル基板２０Ａの製造過程の一例を説明するための断面図を表すものである。図１４（Ａ），図１５（Ａ），図１６（Ａ），図１７（Ａ），図１８（Ａ），図１９（Ａ）は、本変形例に係る表示装置１のうち図２のＡ−Ａ線に相当する部分の断面構成の一例を表している。一方、図１４（Ｂ），図１５（Ｂ），図１６（Ｂ），図１７（Ｂ），図１８（Ｂ），図１９（Ｂ）は、本変形例に係る表示装置１のうち図２のＢ−Ｂ矢視方向に相当する部分の断面構成の一例を表している。
【００４８】
まず、透過性基板２２上に、ゲート線３５を形成する（図１４（Ａ），（Ｂ））。次に、ゲート線３５を含む表面全体に渡って絶縁膜２３を形成したのち、ソース線３６を形成することとなる帯状の領域のうちゲート線３５との交差領域以外の領域に、透過性基板２２の表面が露出する複数の開口２３Ａを形成する（図１５（Ａ），（Ｂ））。次に、開口２３Ａの底面（透光性基板２２の表面）から、絶縁膜３５のうちゲート線３５と対向する領域（ゲート線３５の直上）の表面に渡って連続してソース線３６を形成する（図１６（Ａ），（Ｂ））。このようにして、ソース線３６が１つの工程で一括して形成される。さらに、ソース線３６の形成とともに、絶縁膜２３上に、ソース線３６に接するソース電極３６Ａと、ソース電極３６Ａとは分離されたドレイン電極２４Ａとを形成する（図１６（Ａ），（Ｂ））。なお、このとき、絶縁膜２３と、ソース電極３６Ａおよびドレイン電極２４Ａとの間に、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を用いて形成される半導体膜（図示せず）と、リンをドープすることによって上記の半導体膜の両端部に形成されるＮ+−Ｓｉ膜（図示せず）とを形成する。このようにして、ゲート線３５とソース線３６との交差部分にＴＦＴ素子３７が形成される。
【００４９】
次に、絶縁膜２３の上面のうち、ゲート線３５とソース線３６とで囲まれた表面領域に、画素電極２４を形成する（図１７（Ａ），（Ｂ））。このとき、画素電極２４の一部をドレイン電極２４Ａに積層することにより、画素電極２４をドレイン電極２４Ａに電気的に接合させる。次に、ソース電極３６Ａ、ドレイン電極２４Ａおよび画素電極２４を被う保護膜２５を形成する（図１８（Ａ），（Ｂ））。このとき、ソース線３６を埋め込むとともに、開口２３Ａの内部を充填するように、保護膜２５が形成される。次に、表面全体に、共通電極２６を形成したのち、共通電極２６のうち各画素電極２４との対向領域に複数の開口２６Ａを形成する（図１９（Ａ），（Ｂ））。最後に、表面全体に、配向膜２７を形成する（図１９（Ａ），（Ｂ））。このようにして、本変形例における下側パネル基板２０Ａが製造される。
【００５０】
本変形例では、上記実施の形態と同様、ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている。これにより、本変形例においても、絶縁膜２３を厚くすることにより、部分ソース線３６Ｂと、共通電極２６とを離すことができる。また、保護膜２５を薄くすることにより、画素電極２４と共通電極２６とを近づけることができる。つまり、本変形例でも、部分ソース線３６Ｂと共通電極２６との距離と、画素電極２４と共通電極２６との距離とを独立に調整することが可能となっている。その結果、ソース線３６と共通電極２６との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極２４を駆動するために必要な電圧も低く抑えることができる。従って、本変形例においても、低消費電力の表示装置１を実現することができる。
【００５１】
[第２変形例]
上記実施の形態およびその変形例では、表示装置１は、ＦＦＳモードの液晶パネルを表示パネルとして備えていたが、ＩＳＰモードの液晶パネルを表示パネルとして備えていてもよい。また、上記実施の形態およびその変形例では、ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分が透明性基板２２の表面上に形成され、画素電極２４が絶縁膜２３の表面上に形成されていたが、ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている限りにおいて、上記とは異なる面上に形成されていてもよい。このとき、下側パネル基板２０Ａの内部構成は、上記実施の形態およびその変形例に記載の構成に限定されない。なお、以下では、便宜的に各構成要素に対して、上記実施の形態およびその変形例で使用した符号と同一符号を付しているが、そのことが、各構成要素の下側パネル基板２０Ａ内での位置が上記実施の形態およびその変形例に記載の位置に限定されることを示唆するものではない。
【００５２】
例えば、図２０に示したように、ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｄ）が、下側パネル基板２０Ａ内の第１面４１上に形成されている。さらに、例えば、図２０に示したように、下側パネル基板２０Ａ内において、画素電極２４が第１面４１よりも液晶層２８側に設けられた第２面４２上に形成され、共通電極２６が第２面４２よりも液晶層２８側に設けられた第３面４３上に形成されている。このとき、部分ソース線３６Ｄと共通電極２６との距離Ｄ１と、画素電極２４と共通電極２６との距離Ｄ２とが互いに独立して調整することが可能となっている。距離Ｄ１は６００ｎｍ（６０００オングストローム）以上となっており、距離Ｄ２は２００ｎｍ（２０００オングストローム）以上４００ｎｍ（４０００オングストローム）以下となっている。距離Ｄ１，Ｄ２が上述の範囲内となっていることから、ソース線３６と共通電極２６との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極２４を駆動するために必要な電圧も低く抑えることができる。その結果、本変形例においても、低消費電力の表示装置１を実現することができる。
【００５３】
＜３．適用例＞
次に、上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置１の一適用例について説明する。図２１は、本適用例に係る電子機器１００の概略構成の一例を表す斜視図である。電子機器２は、携帯電話機であり、例えば、図２１に示したように、本体部１１１と、本体部１１１に対して開閉可能に設けられた表示体部１１２とを備えている。本体部１１１は、操作ボタン１１５と、送話部１１６を有している。表示体部１１２は、表示装置１１３と、受話部１１７とを有している。表示装置１１３は、電話通信に関する各種表示を、表示装置１１３の表示画面１１４に表示するようになっている。電子機器１００は、表示装置１１３の動作を制御するための制御部（図示せず）を備えている。この制御部は、電子機器１００全体の制御を司る制御部の一部として、またはその制御部とは別に、本体部１１１または表示体部１１２の内部に設けられている。
【００５４】
表示装置１１３は、上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置１と同一の構成を備えている。これにより、表示装置１１３において、ソース線３６と共通電極２６との間に形成される配線容量が低く抑えられており、かつ画素電極２４を駆動するために必要な電圧も低く抑えられているので、低消費電力の電子機器１００を実現することができる。
【００５５】
なお、上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置１を適用可能な電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００５６】
１…表示装置、１Ａ…映像表示面、１０…バックライト、２０…液晶パネル、２０Ａ…下側パネル基板、２０Ｂ…上側パネル基板、２１，３３…偏光板、２２，３２…透光性基板、２３…絶縁膜、２３Ａ，２６Ａ…開口、２４…画素電極、２４Ａ…ドレイン電極、２５…保護膜、２６…共通電極、２７，２９…配光膜、２８…液晶層、３０…オーバーコート層、３１…カラーフィルタ、３４…遮光膜、３５…ゲート線、３６…ソース線、３６Ａ…ソース電極、３６Ｂ，３６Ｄ…部分ソース線、３６Ｃ…ブリッジ線、３７…ＴＦＴ素子、４１…第１面、４２…第２面、４３…第３面、１００…電子機器、１１１…本体部、１１２…表示体部、１１３…表示装置、１１４…表示画面、１１５…操作ボタン、１１６…送話部、１１７…受話部、Ｄ1，Ｄ2…距離、Ｅ…電界、Ｌ1…画像光、α…領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に形成されるゲート線と、
前記ゲート線と交差して形成され、かつ前記ゲート線との交差部分以外の部分が前記ゲート線と同一面上に形成されるとともに前記ゲート線との交差部分が絶縁膜を介して前記ゲート線と対向する位置に形成される信号線と、
前記ゲート線に接続されるゲート電極と、前記信号線に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成されるソース電極と、前記絶縁膜上に形成されるドレイン電極とを有するトランジスタと、
前記ドレイン電極に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成される画素電極と、
前記トランジスタおよび前記画素電極を被う保護膜と、
前記保護膜上に形成される共通電極と
を備えた表示パネル。
【請求項２】
前記画素電極および前記共通電極は、透光性を有する
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記共通電極は、複数の画素電極によって形成される表示領域全体に渡って面状に形成されたものである
請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記共通電極は、各画素電極との対向領域に複数の開口を有する
請求項３に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記共通電極上に形成される第１配向膜と、
所定の間隙を介して前記第１基板と対向する第２基板の、前記第１基板側に形成される第２配向膜と、
前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に形成される液晶層と
をさらに備えた
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項６】
表示パネルを表示部として備え、
前記表示パネルは、
第１基板上に形成されるゲート線と、
前記ゲート線と交差して形成され、かつ前記ゲート線との交差部分以外の部分が前記ゲート線と同一面上に形成されるとともに前記ゲート線との交差部分が絶縁膜を介して前記ゲート線と対向する位置に形成される信号線と、
前記ゲート線に接続されるゲート電極と、前記信号線に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成されるソース電極と、前記絶縁膜上に形成されるドレイン電極とを有するトランジスタと、
前記ドレイン電極に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成される画素電極と、
前記トランジスタおよび前記画素電極を被う保護膜と、
前記保護膜上に形成される共通電極と
を有する
表示装置。
【請求項７】
表示装置を備え、
前記表示装置は、表示パネルを表示部として有し、
前記表示パネルは、
第１基板上に形成されるゲート線と、
前記ゲート線と交差して形成され、かつ前記ゲート線との交差部分以外の部分が前記ゲート線と同一面上に形成されるとともに前記ゲート線との交差部分が絶縁膜を介して前記ゲート線と対向する位置に形成される信号線と、
前記ゲート線に接続されるゲート電極と、前記信号線に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成されるソース電極と、前記絶縁膜上に形成されるドレイン電極とを有するトランジスタと、
前記ドレイン電極に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成される画素電極と、
前記トランジスタおよび前記画素電極を被う保護膜と、
前記保護膜上に形成される共通電極と
を有する
電子機器。
【請求項８】
基板の同一面上に、ゲート線と、前記ゲート線と交差する方向に延在する複数の部分信号線とを形成する工程と、
前記ゲート線および前記部分信号線を含む面上に、前記部分信号線のうち前記ゲート線に近接する部分の表面が露出する複数の開口を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記開口を介して、互いに近接する部分信号線同士を接続する接続部を形成するとともに、前記絶縁膜上に、前記接続部に接するソース電極と、前記ソース電極とは分離されたドレイン電極とを形成する工程と、
前記絶縁膜上に、前記ドレイン電極と接する画素電極を形成したのち、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記画素電極を被う保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に共通電極を形成する工程と
を含む
表示パネルの製造方法。
【請求項１】
第１基板上に形成されるゲート線と、
前記ゲート線と交差して形成され、かつ前記ゲート線との交差部分以外の部分が前記ゲート線と同一面上に形成されるとともに前記ゲート線との交差部分が絶縁膜を介して前記ゲート線と対向する位置に形成される信号線と、
前記ゲート線に接続されるゲート電極と、前記信号線に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成されるソース電極と、前記絶縁膜上に形成されるドレイン電極とを有するトランジスタと、
前記ドレイン電極に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成される画素電極と、
前記トランジスタおよび前記画素電極を被う保護膜と、
前記保護膜上に形成される共通電極と
を備えた表示パネル。
【請求項２】
前記画素電極および前記共通電極は、透光性を有する
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記共通電極は、複数の画素電極によって形成される表示領域全体に渡って面状に形成されたものである
請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記共通電極は、各画素電極との対向領域に複数の開口を有する
請求項３に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記共通電極上に形成される第１配向膜と、
所定の間隙を介して前記第１基板と対向する第２基板の、前記第１基板側に形成される第２配向膜と、
前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に形成される液晶層と
をさらに備えた
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項６】
表示パネルを表示部として備え、
前記表示パネルは、
第１基板上に形成されるゲート線と、
前記ゲート線と交差して形成され、かつ前記ゲート線との交差部分以外の部分が前記ゲート線と同一面上に形成されるとともに前記ゲート線との交差部分が絶縁膜を介して前記ゲート線と対向する位置に形成される信号線と、
前記ゲート線に接続されるゲート電極と、前記信号線に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成されるソース電極と、前記絶縁膜上に形成されるドレイン電極とを有するトランジスタと、
前記ドレイン電極に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成される画素電極と、
前記トランジスタおよび前記画素電極を被う保護膜と、
前記保護膜上に形成される共通電極と
を有する
表示装置。
【請求項７】
表示装置を備え、
前記表示装置は、表示パネルを表示部として有し、
前記表示パネルは、
第１基板上に形成されるゲート線と、
前記ゲート線と交差して形成され、かつ前記ゲート線との交差部分以外の部分が前記ゲート線と同一面上に形成されるとともに前記ゲート線との交差部分が絶縁膜を介して前記ゲート線と対向する位置に形成される信号線と、
前記ゲート線に接続されるゲート電極と、前記信号線に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成されるソース電極と、前記絶縁膜上に形成されるドレイン電極とを有するトランジスタと、
前記ドレイン電極に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成される画素電極と、
前記トランジスタおよび前記画素電極を被う保護膜と、
前記保護膜上に形成される共通電極と
を有する
電子機器。
【請求項８】
基板の同一面上に、ゲート線と、前記ゲート線と交差する方向に延在する複数の部分信号線とを形成する工程と、
前記ゲート線および前記部分信号線を含む面上に、前記部分信号線のうち前記ゲート線に近接する部分の表面が露出する複数の開口を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記開口を介して、互いに近接する部分信号線同士を接続する接続部を形成するとともに、前記絶縁膜上に、前記接続部に接するソース電極と、前記ソース電極とは分離されたドレイン電極とを形成する工程と、
前記絶縁膜上に、前記ドレイン電極と接する画素電極を形成したのち、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記画素電極を被う保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に共通電極を形成する工程と
を含む
表示パネルの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２０１２−１１８２９７（Ｐ２０１２−１１８２９７Ａ）
【公開日】平成２４年６月２１日（２０１２．６．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２６８０４４（Ｐ２０１０−２６８０４４）
【出願日】平成２２年１２月１日（２０１０．１２．１）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月２１日（２０１２．６．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月１日（２０１０．１２．１）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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