【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】 製造歩留まりの低下を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の表示画素ＰＸを含む表示領域２５と、複数の表示画素ＰＸを駆動する駆動配線１１、１２と、駆動配線１１、１２の上層に配置されパターン端部に膜厚の薄い薄膜部２３が設けられている平坦化膜２０と、平坦化膜２０上において平坦化膜２０のパターン端部を横切って配置された第１電極３０と、を備えたアレイ基板１１０と、アレイ基板１１０と対向して配置された対向基板１２０と、アレイ基板１１０と対向基板１２０との間に挟持された液晶層７０と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの枚数を増やすことなく、酸化物半導体の半導体層を用いたＴＦＴの特性の低下を抑制することにある。
【解決手段】マトリクス状の複数の画素電極Ｐと、各画素電極Ｐに接続されたＴＦＴ５と、互いに平行に延びる複数のソース線１５ａとを備え、ＴＦＴ５が、絶縁基板１０上のゲート電極１１ａと、ゲート電極１１ａを覆うゲート絶縁膜１２ａと、ゲート絶縁膜１２ａ上でゲート電極１１ａに重なる酸化物半導体層１３ａと、酸化物半導体層１３ａに接続されたソース電極１７ａ及びドレイン電極１７ｂとを備え、ソース電極１７ａ及びドレイン電極１７ｂと酸化物半導体層１３ａとの間には、酸化物半導体層１３ａを覆う保護絶縁膜１４ａが設けられ、各ソース線１５ａは、金属材料により形成され、ソース電極１７ａ及びドレイン電極１７ｂは、各画素電極Ｐと同一材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】高いコストパフォーマンスを有する電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】表示領域の周辺部に引き廻される、画素のトランジスターを構成するゲート電極と同じ配線層に設けられた検査配線７１と、ゲート電極と第１層間絶縁膜４５を挟んで配置されたビデオ信号配線７２と、を有し、検査配線７１とビデオ信号配線７２とが平面的に交差する部分では、ビデオ信号配線７２が異なる配線層に設けられた中継配線７２ａを経由して接続されている。 （もっと読む）

【課題】横電界モードを用いた液晶表示装置において、配線の抵抗の抑制を図り、画素数を増加させても液晶表示装置の駆動速度の低下を抑えることができる、液晶表示装置とその作製方法を提案する。
【解決手段】第１の配線と第２の配線の交差部において、一方の配線を分断し、分断した配線を絶縁膜上の接続電極で架橋し、寄生容量を低減することができる。また、画素電極である第１の電極層、共通電極である第２の電極層と同時に接続電極を形成し、これらの膜厚を厚くし、配線抵抗の小さい金属を用いることで配線による抵抗を小さくすることができ、液晶表示装置の駆動速度の低下を抑制することができる液晶表示装置および液晶表示装置の作製方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】信号線と共通電極との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極を駆動するために必要な電圧も低く抑えることの可能な表示パネルおよびその製造方法と、上記の表示パネルを備えた表示装置および電子機器とを提供する。
【解決手段】ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｂ）と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている。具体的には、部分ソース線３６Ｂは透光性基板２２の表面上に形成されており、画素電極２４は絶縁膜２３の表面上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、寄生容量を低減し、高品位な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、第１導電層（６）と、第１導電層の上層側に絶縁膜（６２）を介して配置され、基板上で平面的に見て第１導電層に少なくとも部分的に重なるように設けられた第２導電層（４００）とを備え、絶縁膜には、基板上で平面的に見て、第１導電層と第２導電層とが互いに重なる領域内に空洞部（２１０）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 絶縁表面上に形成されたゲート電極と、前記絶縁表面上に形成された第１の配線と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、第１の配線上に形成された第２の配線と、を有し、前記第１の配線は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、表面に前記ゲート電極よりも低抵抗な材料を有し、前記第２の配線を介して前記半導体層と電気的に接続し、前記第１の配線の低抵抗化を図る。 （もっと読む）

【課題】クロストーク等が生じにくい、電力消費量が小さい、静電破壊を防止した、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板２上において、行列状に配置された複数の走査電極８および複数の信号電極９と走査電極８と信号電極９との交点近傍に配置された複数の画素電極１０と、各走査電極８と各信号電極９と各画素電極１０に接続された各スイッチング素子１１と、第１絶縁基板上に配置された複数の第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０と、各画素電極１０と各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０との間に接続された各補助コンデンサ１２と、各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０に接続された第２共通電極１３とを備え、各走査電極８と第２共通電極１３との交点において、両基板８，１３との間に、第１絶縁層および第２絶縁層が積層された。 （もっと読む）

【課題】クロストーク等が生じにくい、電力消費量が小さい、静電破壊を防止した、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板２上において、行列状に配置された複数の走査電極８および複数の信号電極９と走査電極８と信号電極９との交点近傍に配置された複数の画素電極１０と、各走査電極８と各信号電極９と各画素電極１０に接続された各スイッチング素子１１と、第１絶縁基板上に配置された複数の第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０と、各画素電極１０と各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０との間に接続された各補助コンデンサ１２と、各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０に接続された第２共通電極１３とを備え、各走査電極８と第２共通電極１３との交点において、両基板８，１３との間に、第１絶縁層および第２絶縁層が積層された。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記アレイ基板の製造方法は、ゲートラインとゲート電極を含むパターンを形成するステップと、活性層と、データラインと、ソース電極と、ドレイン電極とを含むパターンを形成するするとともに、上記パターン以外の領域のゲート絶縁層を除去するステップと、露光・現像により、感光樹脂層に第１ビアホールと、第２ビアホールと、第３ビアホールとを含むパターンを形成するステップと、第３ビアホールを介してドレイン電極に接続する画素電極と、第１接続電極と、第２接続電極とを含むパターンを形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配向規制用構造物を備えた反射型又は半透過型の液晶表示装置に関し、セル厚むらによる表示むらが視認されず、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板２、４と、基板２、４間に封止された液晶層６と、基板２に形成され基板４側から入射する光を反射する反射板５０を有する反射領域を備えた画素領域と、反射板５０と同一の形成材料で形成されたソース／ドレイン電極を備え、基板２に形成されたＴＦＴと、ＴＦＴ上に形成された保護膜３１と、ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４と保護膜３１とが積層された領域に形成され、基板２、４の双方に接触してセルギャップを維持する柱状スペーサ４４と、基板４の反射領域に柱状スペーサ４４と同一の形成材料で形成され、液晶分子の配向を規制する突起状構造物４３とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】高開口率化及び高精細化に対応した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数の走査線１２と、走査線を覆って形成した絶縁膜２１と、各走査線１２に交差する交差部１３Ｄを有する複数の信号線１３と、走査線と信号線とに隣接して配設した画素電極と、半導体層、ゲート絶縁膜、前記走査線に接続したゲート電極と、ドレイン電極１４ｂ及びソース電極１４ａの何れかで信号線に接続された一方の電極と、画素電極に接続されたドレイン電極及びソース電極の他方の電極と、ドレイン電極及びソース電極が信号線に沿う方向に直線状に配置された複数の薄膜トランジスタ１４と、第１の重ね合わせ部１７ａが交差部１３Ｄ上に重なり第２の重ね合わせ部１７ｃが一方の電極上に重なり一方の電極と信号線とを接続する複数の中継電極１７と、を具備し、中継電極の第１の重ね合せ部は走査線１２の幅方向の両側端部１２ｂ、１２ｃに対応する絶縁膜２１の段差部１３Ｅ，１３Ｄを覆う長さを有する。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート構造およびトップゲート構造の双方の特長を兼ね備えた半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】素子基板１０上の薄膜トランジスター３０は、ボトムゲート構造を備え、かつ、ポリシリコン膜からなる島状半導体膜１ａにチャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅを備えたＧＯＬＤ構造を備えている。素子基板１０を製造する際、諧調露光により形成したレジストマスクと、かかるレジストマスクに対するエッチバックを利用して、高濃度不純物の導入、半導体膜のパターニングと、ゲート絶縁膜２ａと同層の層間絶縁膜のコンタクトホールを形成すべき領域からの半導体膜の除去、および低濃度不純物の導入とを行なう。 （もっと読む）

【課題】櫛歯状の画素電極を有するＩＰＳ方式の液晶表示装置において、スルーホール部の信頼性、端子部の信頼性を確保しつつ、残像を防止する。
【解決手段】櫛歯状の画素電極１１０を有するＩＰＳ方式の液晶表示装置において、櫛歯電極と櫛歯電極の間がラビングされないことによって残像が生ずる。画素電極１１０、画素電極に電圧を供給するスルーホール１１１、および、端子部４０１はＩＴＯによって形成されている。画素電極部１１０のＩＴＯのみをスルーホール部１１１のＩＴＯおよび端子部４０１のＩＴＯよりも膜厚を小さくすることによって、画素電極１１０の櫛歯電極間のラビングが十分に出来るようにする。 （もっと読む）

【課題】溶剤乾燥や熱硬化のための熱処理工程を用いずに形成した欠陥の少ない絶縁層を有する薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】バンプ１０７と、バンプ１０７により貫通される層間絶縁層１０５とを含む薄膜トランジスタにおいて、バンプ１０７がフッ素化合物を含み、層間絶縁層１０５がフィルム状ホットメルト接着剤の加熱圧着により形成され、バンプがフッ素化合物を含み、フッ素含有量が、０．０１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】狭額縁で表示品質の高い表示装置を提供すること。
【解決手段】 本発明にかかる液晶表示装置は、表示領域１０と、額縁領域９とが設けられた液晶パネル１と、表示領域内に設けられた複数のゲート配線１４０ａ、１４０ｂと、ゲート配線１４０と交差する複数のソース配線１３０とを備え、ゲートドライバＩＣ１４とソースドライバＩＣ１３とが、液晶パネル１の同じ辺に配置されている表示装置であって、表示領域１０が、第１のゲート配線１４０ａに対応する第１の領域１０ａと、ゲート配線１４０ｂと対応し、第１の領域１０ａよりも下側に配置された第２の領域１０ｂとを有し、第２の引回し配線１４１ｂ群と絶縁膜を介して交差し、第１の引回し配線１４１ａ群と前記第２の引回し配線群との配線容量の差を低減する交差電極１５ｃとを備えている。 （もっと読む）

【課題】配線交差部におけるショートを回避できる液晶表示装置の提供。
【解決手段】対向配置される一対の基板の間に、非表示領域を囲む内側シール材ＳＬｉと、前記内側シール材を囲む外側シール材と、前記内側シール材と外側シール材との間に充填された液晶領域により形成された表示領域とを備える液晶表示装置であって、前記一対の基板の一方に、第１の方向に延在する複数のゲート信号線ＧＬと第２の方向に延在する複数のドレイン信号線ＤＬとが形成され、前記複数のゲート信号線およびドレイン信号線の延長配線部が前記非表示領域ＨＬを迂回して配置されるとともに、それぞれ、前記内側シール材の形成領域内に形成されており、前記内側シール材の形成領域に形成された第１の柱状スペーサＰＳＰが、前記ゲート信号線と前記ドレイン信号線との交差部に重畳する位置を回避して形成されている。 （もっと読む）

【課題】窓部の形成に伴う迂回配線を使用した場合であっても、表示領域内の面内実効電圧差で生じる表示輝度差を低減させることのできる表示装置を提供することである。
【解決手段】
複数本のドレイン線と、前記ドレイン線と交差する複数本のゲート線とを備え、前記ドレイン線と前記ゲート線とに囲まれた領域を画素の領域とする第１基板と、前記第１基板と対向配置され、前記画素に対応する遮光膜が形成される第２基板とを有し、ノーマリブラックモードの表示を行う表示装置であって、前記画素の集合体である表示領域内の一部に前記ドレイン線及び前記ゲート線並びに前記画素が形成されない非表示領域と、前記非表示領域で分断されたドレイン線及びゲート線をそれぞれ迂回して接続する迂回配線とを備え、前記迂回配線を経由せずに信号が供給される場所に位置する画素に対応する遮光膜が、前記迂回配線を経由した後に信号が供給される場所に位置する画素に対応する遮光膜よりも太い表示装置である。 （もっと読む）

【課題】非表示領域の周辺において、信号線の配置に占める面積を小さくできる表示装置の提供。
【解決手段】基板上に、一方向に並設される複数のゲート信号線と、前記一方向と交差する方向に並設される複数のドレイン信号線と、前記ゲート信号線とドレイン信号線とのうちの一方の信号線のそれぞれの間に前記一方の信号線に沿って配置される複数の共通信号線とを備え、共通信号線と交差して配置される接続配線に電気的に接続され、接続配線は、複数の共通信号線うち、仮想的にそのまま延長した場合でも非表示領域を横切ることなく配置されている第２の共通信号線に電気的に接続されている。 （もっと読む）