電気光学装置、及び電子機器
【課題】高いコストパフォーマンスを有する電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】表示領域の周辺部に引き廻される、画素のトランジスターを構成するゲート電極と同じ配線層に設けられた検査配線７１と、ゲート電極と第１層間絶縁膜４５を挟んで配置されたビデオ信号配線７２と、を有し、検査配線７１とビデオ信号配線７２とが平面的に交差する部分では、ビデオ信号配線７２が異なる配線層に設けられた中継配線７２ａを経由して接続されている。
【解決手段】表示領域の周辺部に引き廻される、画素のトランジスターを構成するゲート電極と同じ配線層に設けられた検査配線７１と、ゲート電極と第１層間絶縁膜４５を挟んで配置されたビデオ信号配線７２と、を有し、検査配線７１とビデオ信号配線７２とが平面的に交差する部分では、ビデオ信号配線７２が異なる配線層に設けられた中継配線７２ａを経由して接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置がある。この液晶装置の製造方法としては、例えば、上記トランジスターを含む画素回路が形成された素子基板が複数面付けされた素子側マザー基板と、素子基板に対向配置される対向基板が同じく複数面付けされた対向側マザー基板とを液晶層を介して貼り合わせる。その後、上記一対のマザー基板を分断して個々の液晶装置を取り出す。
【０００３】
一方、上記液晶装置の製造過程や検査時において、絶縁膜を挟んで重畳された配線間に電位差が生じることによって、これらの間で放電し、絶縁膜の絶縁破壊が生じる場合がある。そこで、例えば、特許文献１に記載のように、絶縁膜を挟んで重畳される配線部分の面積差を小さくすることにより、該配線間での放電を抑制し、絶縁破壊を低減する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開ＷＯ０８／０１０３４２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、一定の電位が与えられる電源配線は、電気的な損失をできるだけ少なくするために、他の配線に比べて幅広に形成されることが多く、上記特許文献１に示されたように絶縁膜を挟んで重畳される配線部分の面積差を小さくすることが難しかった。また、画素に設けられたトランジスターへの遮光性を向上させるべく、電源配線と同じ配線層に設けられた配線をトランジスターに近づけるため、当該配線とトランジスターとの間の絶縁膜の厚みを薄くする必要があった。これらにより、液晶装置の製造過程において、電源配線に蓄えられた静電気により、少なくとも一方が電源配線に接続された配線間で放電が起り、薄くなった絶縁膜が破壊されるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、複数の画素が配置された画素領域の周辺部に、前記画素のトランジスターを構成するゲート電極と同じ配線層に設けられた第１信号配線と、前記ゲート電極と絶縁膜を挟んで配置され前記トランジスターを遮光する遮光層と同じ配線層に設けられた第２信号配線と、を有し、前記第２信号配線は、前記第１信号配線と重ならないように、前記遮光層とは異なる配線層に設けられ前記第１信号配線と交差するように設けられた中継配線を経由して電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、２つの信号配線のうち第２信号配線が、第１信号配線と平面的に交差する部分において遮光層とは異なる配線層に設けられた中継配線を経由して接続されているので、第１信号配線と第２信号配線とにおける厚み方向の距離を、中継配線を用いない場合と比較して、遠くすることができる（第１信号配線と第２信号配線との間の絶縁膜を厚くすることができる）。よって、２つの信号配線が重なる交差部分において絶縁性が向上し、製造過程において、２つの信号配線間の絶縁膜が静電破壊されることを低減できる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１信号配線と前記中継配線との間に２つ以上の絶縁膜が設けられていることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、第１信号配線から多くの絶縁膜を介して中継配線を設けることにより、第１信号配線と第２信号配線（中継配線）との距離を遠くすることが可能となり、交差部分における絶縁性をより向上させることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記トランジスターに画像信号を供給するデータ線駆動回路と外部接続端子とが前記周辺部に設けられ、前記第１信号配線は、前記データ線駆動回路のシフトレジスターの一の段からの出力と前記外部接続端子とを電気的に接続する配線であることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、第１信号配線と第２信号配線（中継配線）との距離を遠くすることができるので、絶縁膜が絶縁破壊されることを抑えることが可能となり、シフトレジスターの一の段からの出力を確実に検査することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２信号配線は、定電位配線であることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、第２信号配線が定電位配線であり、他の配線と比較して面積が大きく電荷の帯電量が多い傾向にあるものの、第１信号配線との交差部では、いずれか一方が一旦分断された後に異なる配線層に設けられた中継配線を経由して接続されているので、第１信号配線と第２信号配線とにおける厚み方向の距離を遠くすることが可能となり、交差部分における絶縁性を向上させることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２信号配線は、前記データ線駆動回路に供給されるクロック信号配線であることが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、第２信号配線がクロック信号配線として用いられるので、クロック信号の出力を確実に検査することができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、製造過程における絶縁膜の静電破壊が低減され、歩留まりよく製造可能な電気光学装置を備えているので、高いコストパフォーマンスを有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】マザー基板の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示すマザー基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図。
【図３】液晶装置の構造を示す模式平面図。
【図４】図３に示す液晶装置のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。
【図５】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図６】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図７】図３に示す液晶装置のＣ部の構造を具体的に示す拡大図であり、（ａ）はＣ部の構造を具体的に示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＥ−Ｅ'線に沿う拡大断面図。
【図８】図３に示す液晶装置のＤ部の構造を具体的に示す拡大図であり、（ａ）はＤ部の構造を具体的に示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＦ−Ｆ'線に沿う拡大断面図。
【図９】図３に示す液晶装置の電気的な構成をより具体的に示す等価回路図。
【図１０】図９に示す液晶装置のＨ部を拡大して示す等価回路図。
【図１１】液晶装置を備えた電子機器の一例として液晶プロジェクターの構成を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２１】
＜マザー基板の構成＞
図１は、マザー基板の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示すマザー基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図である。以下、マザー基板の構成を、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２２】
図１に示すように、マザー基板１００は、例えば、液晶装置１１（図３参照）を製造するために用いられるものであり、液晶装置１１を構成する一対の基板のうち一方の基板（例えば、素子基板）が複数個分、マトリクス状に面付けされる。マザー基板１００の大きさは、例えば、８インチである。マザー基板１００の厚みは、例えば、１．２ｍｍである。マザー基板１００の材質は、例えば、石英である。
【００２３】
なお、マザー基板１００は、平面的に円形であることに限定されず、円周の一部が切り欠かれたオリフラを有する形状であってもよい。
【００２４】
図２に示すように、各液晶装置１１には、表示領域１９の周辺に、周辺回路としてのデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４、及び外部接続用端子２３が形成されている。データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と外部接続用端子２３とは、互いに信号配線２９によって、電気的に接続されている。以下、マザー基板１００に処理を施し、最終的に形成される液晶装置１１の構造について説明する。
【００２５】
＜電気光学装置の構成＞
図３は、電気光学装置としての液晶装置の構造を示す模式平面図である。図４は、図３に示す液晶装置のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図３及び図４を参照しながら説明する。
【００２６】
図３及び図４に示すように、液晶装置１１は、例えば、薄膜トランジスター（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１１は、一対の基板を構成する素子基板２００と対向基板３００とが、平面視略矩形枠状のシール材１４を介して貼り合わされている。
【００２７】
素子基板２００を構成する第１基板１２及び対向基板３００を構成する第２基板１３は、例えば、ガラスや石英などの透光性材料から構成されている。液晶装置１１は、シール材１４に囲まれた領域内に液晶層１５が封入された構成になっている。なお、シール材１４には液晶を注入するための注入口１６が設けられ、注入口１６は封止材１７により封止されている。
【００２８】
液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置１１は、シール材１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁遮光膜１８が第２基板１３に形成されており、この額縁遮光膜１８の内側の領域が表示領域１９となっている。
【００２９】
額縁遮光膜１８は、例えば、遮光性材料であるアルミ（Ａｌ）で形成されており、第２基板１３側の表示領域１９の外周を区画するように設けられている。
【００３０】
表示領域１９内には、画素領域２１がマトリクス状に設けられている。画素領域２１は、表示領域１９の最小表示単位となる１画素を構成している。シール材１４の外側の領域には、データ線駆動回路２２及び外部接続用端子２３が第１基板１２の一辺（図３における下側）に沿って形成されている。
【００３１】
また、シール材１４の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路２４がそれぞれ形成されている。第１基板１２の残る一辺（図３における上側）には、検査回路２５が形成されている。第２基板１３側に形成された額縁遮光膜１８は、例えば、第１基板１２上に形成された走査線駆動回路２４及び検査回路２５に対向する位置（言い換えれば、平面的に重なる位置）に形成されている。
【００３２】
一方、対向基板３００の各角部（例えば、シール材１４のコーナー部の４箇所）には、素子基板２００と対向基板３００との間の電気的導通をとるための上下導通端子２６が配設されている。
【００３３】
また、図４に示すように、第１基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極２７が形成されており、これら画素電極２７を覆うように第１配向膜２８が形成されている。画素電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３４】
一方、第２基板１３の液晶層１５側には、格子状の遮光膜（ＢＭ：ブラックマトリクス）（図示せず）が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極３１が形成されている。そして、共通電極３１上には、第２配向膜３２が形成されている。共通電極３１は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３５】
液晶装置１１は透過型であって、素子基板２００及び対向基板３００における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１１の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。
【００３６】
図５は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図５を参照しながら説明する。
【００３７】
図５に示すように、液晶装置１１は、表示領域１９を構成する複数の画素領域２１を有している。各画素領域２１には、それぞれ画素電極２７が配置されている。また、画素領域２１には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。
【００３８】
ＴＦＴ素子３３は、画素電極２７へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素子３３のソース側には、データ線３４が電気的に接続されている。各データ線３４には、例えば、データ線駆動回路２２（図３参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるようになっている。
【００３９】
また、ＴＦＴ素子３３のゲート電極には、走査線４１が電気的に接続されている。走査線４１には、例えば、走査線駆動回路２４（図３参照）から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３３のドレイン側には、画素電極２７が電気的に接続されている。
【００４０】
走査線４１から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３３が一定期間だけオン状態となることで、データ線３４から供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２７を介して画素領域２１に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００４１】
画素領域２１に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極２７と共通電極３１（図４参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電極２７と容量線３６との間に蓄積容量３７が形成されている。
【００４２】
このように、液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。
【００４３】
図６は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図６を参照しながら説明する。なお、図６は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。また、図６は、液晶装置を構成する素子基板及び対向基板のうち素子基板のみを示している。
【００４４】
図６に示すように、液晶装置１１は、素子基板２００と、図示しない対向基板３００とを有する。素子基板２００の第１基板１２上には、Ｔｉ（チタン）やＣｒ（クロム）等からなる下側遮光膜（走査線）４１が形成されている。下側遮光膜４１は、後に述べるゲート電極３５とコンタクトホールを介して電気的に接続され、平面的にストライプ状にパターニングされており、前述の走査線として機能すると共に、各画素領域２１の開口領域の一部を規定している。第１基板１２及び下側遮光膜４１上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜４２が形成されている。
【００４５】
下地絶縁膜４２上には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。ＴＦＴ素子３３は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層４３と、半導体層４３上に形成されたゲート絶縁膜４４と、ゲート絶縁膜４４上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３５とを有する。
【００４６】
半導体層４３は、チャネル領域４３ａと、低濃度ソース領域４３ｂと、低濃度ドレイン領域４３ｃと、高濃度ソース領域４３ｄと、高濃度ドレイン領域４３ｅとを備えている。チャネル領域４３ａは、ゲート電極３５からの電界によりチャネルが形成される。ゲート絶縁膜４４上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜４５が形成されている。なお、第１層間絶縁膜４５は、ＴＦＴ素子３３への遮光性を向上させるべく、アルミニウムなどからなる中継層５１をＴＦＴ素子３３に近づけて、遮光層として機能させるため、他の絶縁膜と比較して薄く形成されている。
【００４７】
ＴＦＴ素子３３の高濃度ソース領域４３ｄは、第１層間絶縁膜４５上に形成された中継層４６と、コンタクトホール４７を介して電気的に接続されている。一方、高濃度ドレイン領域４３ｅは、中継層４６と同層に形成された中継層５１に、コンタクトホール５２を介して電気的に接続されている。
【００４８】
中継層４６は、第２層間絶縁膜５３上に形成されたデータ線３４と、コンタクトホール５４を介して電気的に接続されている。一方、中継層５１は、データ線３４と同層に形成された中継層５５に、コンタクトホール５６を介して電気的に接続されている。
【００４９】
中継層５５は、更に、コンタクトホール５６を介して、後述する容量電極５７と同層に設けられた中継層５８と電気的に接続されている。また中継層５８は、コンタクトホール５９を介して、画素電極２７と電気的に接続されている。即ち、ＴＦＴ素子３３の高濃度ドレイン領域４３ｅと画素電極２７とは、中継層５１、中継層５５、及び中継層５８を順に介して、電気的に中継接続されている。
【００５０】
データ線３４及び中継層５５の上層側には、第３層間絶縁膜６１を介して蓄積容量６２が形成されている。蓄積容量６２を液晶容量に並列に電気的に接続することで、画素電極２７の電圧を、実際に画像信号が印加されている時間よりも、例えば３桁も長い時間だけ保持することが可能となり、液晶素子の保持特性が改善されるため、高コントラスト比を有する液晶装置１１を実現することができる。
【００５１】
容量電極５７は、液晶容量に電気的に並列に接続された蓄積容量６２の片方の電極として機能すると共に、固定電位に保持されている。容量電極５７は、例えばＩＴＯ等の透明電極によって構成されている。このため、容量電極５７を、開口領域を含む表示領域１９に重なるように形成しても、開口領域における光透過率が低下することを抑えることができる。
【００５２】
容量電極５７上には、誘電体膜６３が形成されている。誘電体膜６３は、容量電極５７上を覆うようにベタ状に形成されている。尚、誘電体膜６３は透明な誘電性材料である窒化シリコン等で構成されるため、誘電体膜６３を、開口領域を含む表示領域１９に広く形成しても、開口領域における光透過率が低下することを抑えることができる。尚、誘電体膜６３の膜厚が薄いほうが、蓄積容量６２の容量値を高めるためにはより好ましい。
【００５３】
また容量電極５７上には、蓄積容量６２を画素間で分離するための容量分離膜６４が形成されている。蓄積容量６２の容量値は、容量分離膜６４の面積を増減させることによって、調整することができる。
【００５４】
容量分離膜６４上には、画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、データ線３４及び走査線４１によってマトリクス状に区分けされた画素毎に、島状に形成されている。尚、ここでの図示は省略しているが、画素電極２７上には、液晶層１５（図４参照）に含まれる液晶分子の配向状態を規制するための第１配向膜２８（図４参照）が形成されている。
【００５５】
蓄積容量６２は、各々が透明な容量電極５７、誘電体膜６３及び画素電極２７によって構成されているため、開口領域を狭めることもなく、画素のうち開口領域が占める割合である開口率を低下させることもない。加えて、このような蓄積容量６２によれば、開口領域に蓄積容量６２を形成可能であるため、非開口領域にのみ蓄積容量を形成する場合に比べてその容量値を増大させることが可能である。
【００５６】
図示しないが、対向基板３００における第２基板１３の液晶層１５に面する側には、アルミニウム等からなるブラックマトリクス（ＢＭ）が形成されており、その上には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）が形成されている。更に、シリコン酸化膜上には、透明な共通電極３１（図４参照）が全面に形成されており、ＩＴＯなどからなる共通電極３１を覆って第２配向膜３２（図４参照）が形成されている。
【００５７】
図７は、図３に示す液晶装置のＣ部の構造を具体的に示す拡大図である。（ａ）は、Ｃ部の構造を具体的に示す拡大平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す液晶装置のＥ−Ｅ'線に沿う拡大断面図である。図８は、図３に示す液晶装置のＤ部の構造を具体的に示す拡大図である。（ａ）は、Ｄ部の構造を具体的に示す拡大平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す液晶装置のＦ−Ｆ'線に沿う拡大断面図である。
【００５８】
また、図９は、図３に示す液晶装置の電気的な構成をより具体的に示す等価回路図である。図１０は、図９に示す液晶装置のＨ部を拡大して示す等価回路図である。以下、液晶装置の周縁部の構造を、図７〜図１０を参照しながら説明する。
【００５９】
図７（ａ）に示すように、液晶装置１１の周縁部（Ｃ部）には、例えば、画素領域２１におけるゲート電極３５と同層に設けられた第１信号配線としてのデータ線駆動回路検査配線（以下、「検査配線７１」と称する。）と、検査配線７１と第１層間絶縁膜４５を介して平面的に交差して設けられた複数の第２信号配線としてのビデオ信号配線７２（上記した、中継層５１と同層）とが設けられている。検査配線７１は、外部接続用端子２３に接続されると共に、データ線駆動回路２２から検査信号を外部に取り出すための配線であり、また、ビデオ信号配線７２は、データ線駆動回路２２によってサンプリングされてデータ線３４に画像信号を供給するための配線である。
【００６０】
検査配線７１（図９、図１０参照）とビデオ信号配線７２（図７参照）とが平面的に交差する部分Ｋ（図１０参照）では、ビデオ信号配線７２がその上層の第２層間絶縁膜５３を介して設けられた中継配線７２ａ（上記した、データ線３４と同層）を経由して接続されている。ビデオ信号配線７２及び中継配線７２ａの材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）が挙げられる。
【００６１】
具体的には、図７（ｂ）に示すように、ビデオ信号配線７２は、検査配線７１とビデオ信号配線７２とが交差する部分において途切れている。途切れているビデオ信号配線７２は、ビデオ信号配線７２上の第２層間絶縁膜５３を介して設けられた中継配線７２ａと、コンタクトホール７４ａ，７４ｂによって電気的に接続されている。
【００６２】
ビデオ信号配線７２と中継配線７２ａとを電気的に接続するコンタクトホール７４ａ，７４ｂは、中継配線７２ａを介すことによってビデオ信号配線７２の抵抗値が極端に増えないように複数設けられている。具体的には、ビデオ信号配線７２と中継配線７２ａとが平面的に重なる領域では、例えば、１０個程度のコンタクトホールが設けられている。
【００６３】
また、コンタクトホール７４ａ，７４ｂの下方における検査配線７１が設けられた層には、その上層の第１層間絶縁膜４５表面の凹凸を抑えるために、コンタクトホール下地膜７５ａ，７５ｂが設けられている。これにより、検査配線７１とビデオ信号配線７２との距離が近くなることを抑えることができる。
【００６４】
このように、ビデオ信号配線７２と検査配線７１とが交差する部分において、中継配線７２ａを介してビデオ信号配線７２を接続することにより、検査配線７１とビデオ信号配線７２（中継配線７２ａ）との距離Ｆを、中継配線７２ａを介さない場合（距離Ｅ）と比較して、第２層間絶縁膜５３の厚み分遠くすることができる。よって、検査配線７１とビデオ信号配線７２との距離が最も近くなる、互いが交差する部分において、絶縁性を向上させることが可能となり、製造過程において、２つの配線間の第１層間絶縁膜４５が絶縁破壊することを抑えることができる。
【００６５】
また、図８（ａ）に示すように、液晶装置１１の周縁部（Ｄ部）には、上記したように、画素領域２１におけるゲート電極３５と同層に設けられた検査配線７１と、検査配線７１と第１層間絶縁膜４５を介して平面的に交差して設けられたＶＤＤ電源配線８１（例えば、駆動電圧１５Ｖ程度）、複数の駆動信号配線８２、ＶＳＳＹ電源配線８３（基準電位）、及びＬＣＣＯＭ配線８４とが設けられている。ＶＤＤ電源配線８１およびＶＳＳＹ電源配線８３は定電位配線である。
【００６６】
これらの配線は、外部接続用端子２３に接続されると共に、データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４等に信号が入力される前の配線である。また、これらの配線は、上記した、中継層５１と同層に設けられている。複数の駆動信号配線８２は、例えば、走査線駆動回路のシフトレジスターを駆動するためのクロック信号（ＣＬＹ）やその極性反転信号（ＣＬＹＢ）、あるいはシフトレジスターの出力パルスのパルス幅を規定して所望の走査信号パルスを形成するためのイネーブル信号等を含む。また、ＬＣＣＯＭ配線８４は、対向基板に設けられた共通電極に上下導通端子２６を介して共通電位であるＬＣＣＯＭを供給するための配線である。
【００６７】
上記配線（ＶＤＤ電源配線８１、複数の駆動信号配線８２、ＶＳＳＹ電源配線８３、及びＬＣＣＯＭ配線８４）と検査配線７１とが交差する部分では、上記配線がその上層の第２層間絶縁膜５３を介して設けられた中継配線８３ａ（上記した、データ線３４と同層）を経由して接続されている。これらの配線の材料としては、上記したように、例えば、アルミニウム（Ａｌ）が挙げられる。以下、上記配線のうちＶＳＳＹ電源配線８３と検査配線７１との交差部分について、図８（ｂ）を参照しながら説明する。
【００６８】
図８（ｂ）に示すように、ＶＳＳＹ電源配線８３は、検査配線７１とＶＳＳＹ電源配線８３とが交差する部分において途切れている。途切れているＶＳＳＹ電源配線８３は、ＶＳＳＹ電源配線８３上の第２層間絶縁膜５３を介して設けられた中継配線８３ａと、コンタクトホール７４ｃ，７４ｄによって電気的に接続されている。
【００６９】
コンタクトホール７４ｃ，７４ｄは、上記したように、中継配線８３ａを介すことによってＶＳＳＹ電源配線８３の抵抗値が極端に増えないように複数設けられている。また、コンタクトホール７４ｃ，７４ｄの下方における検査配線７１が設けられた層には、その上層の第１層間絶縁膜４５表面の凹凸を抑えるために、コンタクトホール下地膜７５ｃ，７５ｄが設けられている。これにより、検査配線７１とＶＳＳＹ電源配線８３との距離が近くなることを抑えることができる。
【００７０】
このように、検査配線７１とＶＳＳＹ電源配線８３とが交差する部分において、中継配線８３ａを介してＶＳＳＹ電源配線８３を接続することにより、検査配線７１とＶＳＳＹ電源配線８３（中継配線８３ａ）との距離Ｆを、中継配線８３ａを介さない場合（距離Ｅ）と比較して、第２層間絶縁膜５３の厚み分遠くすることができる。なお、その他の配線（ＶＤＤ電源配線８１、駆動信号配線８２、及びＬＣＣＯＭ配線８４）においても、中継配線を用いて同様の構造にすることにより、製造過程において、配線間の第１層間絶縁膜４５が絶縁破壊することを抑えることができる。
【００７１】
＜電子機器の構成＞
図１１は、上記した液晶装置を備えた電子機器の一例として液晶プロジェクターの構成を示す模式図である。以下、液晶装置を備えた液晶プロジェクターの構成を、図１１を参照しながら説明する。
【００７２】
図１１に示すように、液晶プロジェクター９０１は、上記した液晶装置１１が採用された液晶モジュールを３つ配置し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ９１１Ｒ，９１１Ｇ，９１１Ｂとして用いた構造となっている。
【００７３】
詳しくは、メタルハイドロランプ等の白色光源のランプユニット９１２から投射光が発せられると、３枚のミラー９１３及び２枚のダイクロイックミラー９１４によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ，Ｇ，Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ９１１Ｒ，９１１Ｇ，９１１Ｂにそれぞれ導かれる。特に光成分Ｂは、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ９１５、リレーレンズ９１６、出射レンズ９１７からなるリレーレンズ系９１８を介して導かれる。
【００７４】
ライトバルブ９１１Ｒ，９１１Ｇ，９１１Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分Ｒ，Ｇ，Ｂは、ダイクロイックプリズム９１９により再度合成された後、投射レンズ９２０を介して、スクリーン９２１にカラー画像として投射される。
【００７５】
なお、上記したように、３つの液晶モジュールを配置した液晶プロジェクター９０１に限定されず、例えば、１つの液晶モジュールを配置した液晶プロジェクターに適用するようにしてもよい。
【００７６】
このような構成の液晶プロジェクター９０１は、上記した液晶装置１１が採用された液晶モジュールを介すことによって、かかるコストを抑え、効率よく組み立てることができる。なお、液晶装置１１を備えた電子機器は、上記した液晶プロジェクター９０１の他、高精細ＥＶＦ（Electric View Finder）、携帯電話機、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、テレビ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、照明機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００７７】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１１及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７８】
（１）本実施形態の液晶装置１１によれば、電源配線（定電位配線）であるビデオ信号配線７２と検査配線７１とのうちビデオ信号配線７２が平面的に交差する部分において異なる配線層に設けられた中継配線７２ａを経由して接続されているので、検査配線７１とビデオ信号配線７２とにおける厚み方向の距離を、中継配線７２ａを用いない場合と比較して、遠くすることができる（検査配線７１とビデオ信号配線７２との間の絶縁膜を厚くすることができる）。よって、２つの信号配線（検査配線７１、ビデオ信号配線７２）が重なる交差部分において絶縁性が向上し、製造過程において、２つの信号配線間の絶縁膜（第１層間絶縁膜４５）が静電破壊されることを低減できる。
【００７９】
（２）本実施形態の液晶装置１１によれば、ビデオ信号配線７２が定電位配線であり、他の配線と比較して面積が大きく電荷の帯電量が多い傾向にあるものの、検査配線７１との交差部では、ビデオ信号配線７２が一旦分断された後に異なる配線層に設けられた中継配線７２ａを経由して接続されているので、検査配線７１とビデオ信号配線７２とにおける厚み方向の距離を遠くすることが可能となり、交差部分における絶縁性を向上させることができる。また、定電位配線側（ビデオ信号配線７２）を分断して接続しているので、蓄えられる電荷の帯電量を少なくすることが可能となり、交差部分における絶縁性を向上させることができる。
【００８０】
（３）本実施形態の電子機器によれば、製造過程における絶縁膜の静電破壊が低減され、歩留まりよく製造可能な電気光学装置を備えているので、高いコストパフォーマンスを有する電子機器を提供することができる。
【００８１】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００８２】
（変形例１）
上記したように、ビデオ信号配線７２と中継配線７２ａとを電気的に接続するコンタクトホール７４ａ，７４ｂは、１０個程度であることに限定されず、平面的に配線が交差する配線幅に応じてコンタクトホールの数量を設定するようにしてもよい。例えば、配線幅の太い部分に、他の配線と比べてコンタクトホールを多く設けることによって、中継配線を介すことによる配線抵抗が増加することを抑えることができる。
【００８３】
（変形例２）
上記したように、ビデオ信号配線７２やＶＳＳＹ電源配線８３は、第２層間絶縁膜５３を挟んで設けられた中継配線７２ａ，８３ａを介して電気的に接続されることに限定されず、例えば、ビデオ信号配線７２やＶＳＳＹ電源配線８３上において２つ以上の層間絶縁膜を介して設けられた中継配線を介して電気的に接続されるようにしてもよい。
【００８４】
これによれば、２つ以上の層間絶縁膜を介して設けられた中継配線と電気的に接続するので、検査配線７１と中継配線７２ａ，８３ａとの間の絶縁膜の厚みを厚くすることが可能となる。よって、２つの配線の交差部分において絶縁性を高めることができ、上記した実施形態と比較して、絶縁膜が絶縁破壊することを抑えることができる。
【符号の説明】
【００８５】
１１…電気光学装置としての液晶装置、１２…第１基板、１３…第２基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…注入口、１７…封止材、１８…額縁遮光膜、１９…表示領域、２１…画素領域、２２…データ線駆動回路、２３…外部接続用端子、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通端子、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…信号配線、３１…共通電極、３２…第２配向膜、３３…ＴＦＴ素子、３４…データ線、３５…ゲート電極、３６…容量線、３７…蓄積容量、４１…走査線（下側遮光膜）、４２…下地絶縁膜、４３…半導体層、４３ａ…チャネル領域、４３ｂ…低濃度ソース領域、４３ｃ…低濃度ドレイン領域、４３ｄ…高濃度ソース領域、４３ｅ…高濃度ドレイン領域、４４…ゲート絶縁膜、４５…第１層間絶縁膜、４６，５１，５５，５８…中継層、４７，５２，５４，５６，５９…コンタクトホール、５３…第２層間絶縁膜、５７…容量電極、６１…第３層間絶縁膜、６２…蓄積容量、６３…誘電体膜、６４…容量分離膜、７１…第１信号配線としての検査配線、７２…第２信号配線としてのビデオ信号配線、７２ａ，８３ａ…中継配線、７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，７４ｄ…コンタクトホール、７５ａ，７５ｂ，７５ｃ，７５ｄ…コンタクトホール下地膜、８１…ＶＤＤ電源配線、８２…駆動信号配線、８３…ＶＳＳＹ電源配線、８４…ＬＣＣＯＭ配線、１００…マザー基板、２００…素子基板、３００…対向基板、９０１…液晶プロジェクター、９１１Ｒ，９１１Ｇ，９１１Ｂ…ライトバルブ、９１２…ランプユニット、９１３…ミラー、９１４…ダイクロイックミラー、９１５…入射レンズ、９１６…リレーレンズ、９１７…出射レンズ、９１８…リレーレンズ系、９１９…ダイクロイックプリズム、９２０…投射レンズ、９２１…スクリーン。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置がある。この液晶装置の製造方法としては、例えば、上記トランジスターを含む画素回路が形成された素子基板が複数面付けされた素子側マザー基板と、素子基板に対向配置される対向基板が同じく複数面付けされた対向側マザー基板とを液晶層を介して貼り合わせる。その後、上記一対のマザー基板を分断して個々の液晶装置を取り出す。
【０００３】
一方、上記液晶装置の製造過程や検査時において、絶縁膜を挟んで重畳された配線間に電位差が生じることによって、これらの間で放電し、絶縁膜の絶縁破壊が生じる場合がある。そこで、例えば、特許文献１に記載のように、絶縁膜を挟んで重畳される配線部分の面積差を小さくすることにより、該配線間での放電を抑制し、絶縁破壊を低減する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開ＷＯ０８／０１０３４２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、一定の電位が与えられる電源配線は、電気的な損失をできるだけ少なくするために、他の配線に比べて幅広に形成されることが多く、上記特許文献１に示されたように絶縁膜を挟んで重畳される配線部分の面積差を小さくすることが難しかった。また、画素に設けられたトランジスターへの遮光性を向上させるべく、電源配線と同じ配線層に設けられた配線をトランジスターに近づけるため、当該配線とトランジスターとの間の絶縁膜の厚みを薄くする必要があった。これらにより、液晶装置の製造過程において、電源配線に蓄えられた静電気により、少なくとも一方が電源配線に接続された配線間で放電が起り、薄くなった絶縁膜が破壊されるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、複数の画素が配置された画素領域の周辺部に、前記画素のトランジスターを構成するゲート電極と同じ配線層に設けられた第１信号配線と、前記ゲート電極と絶縁膜を挟んで配置され前記トランジスターを遮光する遮光層と同じ配線層に設けられた第２信号配線と、を有し、前記第２信号配線は、前記第１信号配線と重ならないように、前記遮光層とは異なる配線層に設けられ前記第１信号配線と交差するように設けられた中継配線を経由して電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、２つの信号配線のうち第２信号配線が、第１信号配線と平面的に交差する部分において遮光層とは異なる配線層に設けられた中継配線を経由して接続されているので、第１信号配線と第２信号配線とにおける厚み方向の距離を、中継配線を用いない場合と比較して、遠くすることができる（第１信号配線と第２信号配線との間の絶縁膜を厚くすることができる）。よって、２つの信号配線が重なる交差部分において絶縁性が向上し、製造過程において、２つの信号配線間の絶縁膜が静電破壊されることを低減できる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１信号配線と前記中継配線との間に２つ以上の絶縁膜が設けられていることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、第１信号配線から多くの絶縁膜を介して中継配線を設けることにより、第１信号配線と第２信号配線（中継配線）との距離を遠くすることが可能となり、交差部分における絶縁性をより向上させることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記トランジスターに画像信号を供給するデータ線駆動回路と外部接続端子とが前記周辺部に設けられ、前記第１信号配線は、前記データ線駆動回路のシフトレジスターの一の段からの出力と前記外部接続端子とを電気的に接続する配線であることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、第１信号配線と第２信号配線（中継配線）との距離を遠くすることができるので、絶縁膜が絶縁破壊されることを抑えることが可能となり、シフトレジスターの一の段からの出力を確実に検査することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２信号配線は、定電位配線であることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、第２信号配線が定電位配線であり、他の配線と比較して面積が大きく電荷の帯電量が多い傾向にあるものの、第１信号配線との交差部では、いずれか一方が一旦分断された後に異なる配線層に設けられた中継配線を経由して接続されているので、第１信号配線と第２信号配線とにおける厚み方向の距離を遠くすることが可能となり、交差部分における絶縁性を向上させることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２信号配線は、前記データ線駆動回路に供給されるクロック信号配線であることが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、第２信号配線がクロック信号配線として用いられるので、クロック信号の出力を確実に検査することができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、製造過程における絶縁膜の静電破壊が低減され、歩留まりよく製造可能な電気光学装置を備えているので、高いコストパフォーマンスを有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】マザー基板の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示すマザー基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図。
【図３】液晶装置の構造を示す模式平面図。
【図４】図３に示す液晶装置のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。
【図５】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図６】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図７】図３に示す液晶装置のＣ部の構造を具体的に示す拡大図であり、（ａ）はＣ部の構造を具体的に示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＥ−Ｅ'線に沿う拡大断面図。
【図８】図３に示す液晶装置のＤ部の構造を具体的に示す拡大図であり、（ａ）はＤ部の構造を具体的に示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＦ−Ｆ'線に沿う拡大断面図。
【図９】図３に示す液晶装置の電気的な構成をより具体的に示す等価回路図。
【図１０】図９に示す液晶装置のＨ部を拡大して示す等価回路図。
【図１１】液晶装置を備えた電子機器の一例として液晶プロジェクターの構成を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２１】
＜マザー基板の構成＞
図１は、マザー基板の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示すマザー基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図である。以下、マザー基板の構成を、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２２】
図１に示すように、マザー基板１００は、例えば、液晶装置１１（図３参照）を製造するために用いられるものであり、液晶装置１１を構成する一対の基板のうち一方の基板（例えば、素子基板）が複数個分、マトリクス状に面付けされる。マザー基板１００の大きさは、例えば、８インチである。マザー基板１００の厚みは、例えば、１．２ｍｍである。マザー基板１００の材質は、例えば、石英である。
【００２３】
なお、マザー基板１００は、平面的に円形であることに限定されず、円周の一部が切り欠かれたオリフラを有する形状であってもよい。
【００２４】
図２に示すように、各液晶装置１１には、表示領域１９の周辺に、周辺回路としてのデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４、及び外部接続用端子２３が形成されている。データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と外部接続用端子２３とは、互いに信号配線２９によって、電気的に接続されている。以下、マザー基板１００に処理を施し、最終的に形成される液晶装置１１の構造について説明する。
【００２５】
＜電気光学装置の構成＞
図３は、電気光学装置としての液晶装置の構造を示す模式平面図である。図４は、図３に示す液晶装置のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図３及び図４を参照しながら説明する。
【００２６】
図３及び図４に示すように、液晶装置１１は、例えば、薄膜トランジスター（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１１は、一対の基板を構成する素子基板２００と対向基板３００とが、平面視略矩形枠状のシール材１４を介して貼り合わされている。
【００２７】
素子基板２００を構成する第１基板１２及び対向基板３００を構成する第２基板１３は、例えば、ガラスや石英などの透光性材料から構成されている。液晶装置１１は、シール材１４に囲まれた領域内に液晶層１５が封入された構成になっている。なお、シール材１４には液晶を注入するための注入口１６が設けられ、注入口１６は封止材１７により封止されている。
【００２８】
液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置１１は、シール材１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁遮光膜１８が第２基板１３に形成されており、この額縁遮光膜１８の内側の領域が表示領域１９となっている。
【００２９】
額縁遮光膜１８は、例えば、遮光性材料であるアルミ（Ａｌ）で形成されており、第２基板１３側の表示領域１９の外周を区画するように設けられている。
【００３０】
表示領域１９内には、画素領域２１がマトリクス状に設けられている。画素領域２１は、表示領域１９の最小表示単位となる１画素を構成している。シール材１４の外側の領域には、データ線駆動回路２２及び外部接続用端子２３が第１基板１２の一辺（図３における下側）に沿って形成されている。
【００３１】
また、シール材１４の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路２４がそれぞれ形成されている。第１基板１２の残る一辺（図３における上側）には、検査回路２５が形成されている。第２基板１３側に形成された額縁遮光膜１８は、例えば、第１基板１２上に形成された走査線駆動回路２４及び検査回路２５に対向する位置（言い換えれば、平面的に重なる位置）に形成されている。
【００３２】
一方、対向基板３００の各角部（例えば、シール材１４のコーナー部の４箇所）には、素子基板２００と対向基板３００との間の電気的導通をとるための上下導通端子２６が配設されている。
【００３３】
また、図４に示すように、第１基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極２７が形成されており、これら画素電極２７を覆うように第１配向膜２８が形成されている。画素電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３４】
一方、第２基板１３の液晶層１５側には、格子状の遮光膜（ＢＭ：ブラックマトリクス）（図示せず）が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極３１が形成されている。そして、共通電極３１上には、第２配向膜３２が形成されている。共通電極３１は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３５】
液晶装置１１は透過型であって、素子基板２００及び対向基板３００における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１１の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。
【００３６】
図５は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図５を参照しながら説明する。
【００３７】
図５に示すように、液晶装置１１は、表示領域１９を構成する複数の画素領域２１を有している。各画素領域２１には、それぞれ画素電極２７が配置されている。また、画素領域２１には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。
【００３８】
ＴＦＴ素子３３は、画素電極２７へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素子３３のソース側には、データ線３４が電気的に接続されている。各データ線３４には、例えば、データ線駆動回路２２（図３参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるようになっている。
【００３９】
また、ＴＦＴ素子３３のゲート電極には、走査線４１が電気的に接続されている。走査線４１には、例えば、走査線駆動回路２４（図３参照）から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３３のドレイン側には、画素電極２７が電気的に接続されている。
【００４０】
走査線４１から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３３が一定期間だけオン状態となることで、データ線３４から供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２７を介して画素領域２１に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００４１】
画素領域２１に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極２７と共通電極３１（図４参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電極２７と容量線３６との間に蓄積容量３７が形成されている。
【００４２】
このように、液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。
【００４３】
図６は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図６を参照しながら説明する。なお、図６は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。また、図６は、液晶装置を構成する素子基板及び対向基板のうち素子基板のみを示している。
【００４４】
図６に示すように、液晶装置１１は、素子基板２００と、図示しない対向基板３００とを有する。素子基板２００の第１基板１２上には、Ｔｉ（チタン）やＣｒ（クロム）等からなる下側遮光膜（走査線）４１が形成されている。下側遮光膜４１は、後に述べるゲート電極３５とコンタクトホールを介して電気的に接続され、平面的にストライプ状にパターニングされており、前述の走査線として機能すると共に、各画素領域２１の開口領域の一部を規定している。第１基板１２及び下側遮光膜４１上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜４２が形成されている。
【００４５】
下地絶縁膜４２上には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。ＴＦＴ素子３３は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層４３と、半導体層４３上に形成されたゲート絶縁膜４４と、ゲート絶縁膜４４上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３５とを有する。
【００４６】
半導体層４３は、チャネル領域４３ａと、低濃度ソース領域４３ｂと、低濃度ドレイン領域４３ｃと、高濃度ソース領域４３ｄと、高濃度ドレイン領域４３ｅとを備えている。チャネル領域４３ａは、ゲート電極３５からの電界によりチャネルが形成される。ゲート絶縁膜４４上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜４５が形成されている。なお、第１層間絶縁膜４５は、ＴＦＴ素子３３への遮光性を向上させるべく、アルミニウムなどからなる中継層５１をＴＦＴ素子３３に近づけて、遮光層として機能させるため、他の絶縁膜と比較して薄く形成されている。
【００４７】
ＴＦＴ素子３３の高濃度ソース領域４３ｄは、第１層間絶縁膜４５上に形成された中継層４６と、コンタクトホール４７を介して電気的に接続されている。一方、高濃度ドレイン領域４３ｅは、中継層４６と同層に形成された中継層５１に、コンタクトホール５２を介して電気的に接続されている。
【００４８】
中継層４６は、第２層間絶縁膜５３上に形成されたデータ線３４と、コンタクトホール５４を介して電気的に接続されている。一方、中継層５１は、データ線３４と同層に形成された中継層５５に、コンタクトホール５６を介して電気的に接続されている。
【００４９】
中継層５５は、更に、コンタクトホール５６を介して、後述する容量電極５７と同層に設けられた中継層５８と電気的に接続されている。また中継層５８は、コンタクトホール５９を介して、画素電極２７と電気的に接続されている。即ち、ＴＦＴ素子３３の高濃度ドレイン領域４３ｅと画素電極２７とは、中継層５１、中継層５５、及び中継層５８を順に介して、電気的に中継接続されている。
【００５０】
データ線３４及び中継層５５の上層側には、第３層間絶縁膜６１を介して蓄積容量６２が形成されている。蓄積容量６２を液晶容量に並列に電気的に接続することで、画素電極２７の電圧を、実際に画像信号が印加されている時間よりも、例えば３桁も長い時間だけ保持することが可能となり、液晶素子の保持特性が改善されるため、高コントラスト比を有する液晶装置１１を実現することができる。
【００５１】
容量電極５７は、液晶容量に電気的に並列に接続された蓄積容量６２の片方の電極として機能すると共に、固定電位に保持されている。容量電極５７は、例えばＩＴＯ等の透明電極によって構成されている。このため、容量電極５７を、開口領域を含む表示領域１９に重なるように形成しても、開口領域における光透過率が低下することを抑えることができる。
【００５２】
容量電極５７上には、誘電体膜６３が形成されている。誘電体膜６３は、容量電極５７上を覆うようにベタ状に形成されている。尚、誘電体膜６３は透明な誘電性材料である窒化シリコン等で構成されるため、誘電体膜６３を、開口領域を含む表示領域１９に広く形成しても、開口領域における光透過率が低下することを抑えることができる。尚、誘電体膜６３の膜厚が薄いほうが、蓄積容量６２の容量値を高めるためにはより好ましい。
【００５３】
また容量電極５７上には、蓄積容量６２を画素間で分離するための容量分離膜６４が形成されている。蓄積容量６２の容量値は、容量分離膜６４の面積を増減させることによって、調整することができる。
【００５４】
容量分離膜６４上には、画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、データ線３４及び走査線４１によってマトリクス状に区分けされた画素毎に、島状に形成されている。尚、ここでの図示は省略しているが、画素電極２７上には、液晶層１５（図４参照）に含まれる液晶分子の配向状態を規制するための第１配向膜２８（図４参照）が形成されている。
【００５５】
蓄積容量６２は、各々が透明な容量電極５７、誘電体膜６３及び画素電極２７によって構成されているため、開口領域を狭めることもなく、画素のうち開口領域が占める割合である開口率を低下させることもない。加えて、このような蓄積容量６２によれば、開口領域に蓄積容量６２を形成可能であるため、非開口領域にのみ蓄積容量を形成する場合に比べてその容量値を増大させることが可能である。
【００５６】
図示しないが、対向基板３００における第２基板１３の液晶層１５に面する側には、アルミニウム等からなるブラックマトリクス（ＢＭ）が形成されており、その上には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）が形成されている。更に、シリコン酸化膜上には、透明な共通電極３１（図４参照）が全面に形成されており、ＩＴＯなどからなる共通電極３１を覆って第２配向膜３２（図４参照）が形成されている。
【００５７】
図７は、図３に示す液晶装置のＣ部の構造を具体的に示す拡大図である。（ａ）は、Ｃ部の構造を具体的に示す拡大平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す液晶装置のＥ−Ｅ'線に沿う拡大断面図である。図８は、図３に示す液晶装置のＤ部の構造を具体的に示す拡大図である。（ａ）は、Ｄ部の構造を具体的に示す拡大平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す液晶装置のＦ−Ｆ'線に沿う拡大断面図である。
【００５８】
また、図９は、図３に示す液晶装置の電気的な構成をより具体的に示す等価回路図である。図１０は、図９に示す液晶装置のＨ部を拡大して示す等価回路図である。以下、液晶装置の周縁部の構造を、図７〜図１０を参照しながら説明する。
【００５９】
図７（ａ）に示すように、液晶装置１１の周縁部（Ｃ部）には、例えば、画素領域２１におけるゲート電極３５と同層に設けられた第１信号配線としてのデータ線駆動回路検査配線（以下、「検査配線７１」と称する。）と、検査配線７１と第１層間絶縁膜４５を介して平面的に交差して設けられた複数の第２信号配線としてのビデオ信号配線７２（上記した、中継層５１と同層）とが設けられている。検査配線７１は、外部接続用端子２３に接続されると共に、データ線駆動回路２２から検査信号を外部に取り出すための配線であり、また、ビデオ信号配線７２は、データ線駆動回路２２によってサンプリングされてデータ線３４に画像信号を供給するための配線である。
【００６０】
検査配線７１（図９、図１０参照）とビデオ信号配線７２（図７参照）とが平面的に交差する部分Ｋ（図１０参照）では、ビデオ信号配線７２がその上層の第２層間絶縁膜５３を介して設けられた中継配線７２ａ（上記した、データ線３４と同層）を経由して接続されている。ビデオ信号配線７２及び中継配線７２ａの材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）が挙げられる。
【００６１】
具体的には、図７（ｂ）に示すように、ビデオ信号配線７２は、検査配線７１とビデオ信号配線７２とが交差する部分において途切れている。途切れているビデオ信号配線７２は、ビデオ信号配線７２上の第２層間絶縁膜５３を介して設けられた中継配線７２ａと、コンタクトホール７４ａ，７４ｂによって電気的に接続されている。
【００６２】
ビデオ信号配線７２と中継配線７２ａとを電気的に接続するコンタクトホール７４ａ，７４ｂは、中継配線７２ａを介すことによってビデオ信号配線７２の抵抗値が極端に増えないように複数設けられている。具体的には、ビデオ信号配線７２と中継配線７２ａとが平面的に重なる領域では、例えば、１０個程度のコンタクトホールが設けられている。
【００６３】
また、コンタクトホール７４ａ，７４ｂの下方における検査配線７１が設けられた層には、その上層の第１層間絶縁膜４５表面の凹凸を抑えるために、コンタクトホール下地膜７５ａ，７５ｂが設けられている。これにより、検査配線７１とビデオ信号配線７２との距離が近くなることを抑えることができる。
【００６４】
このように、ビデオ信号配線７２と検査配線７１とが交差する部分において、中継配線７２ａを介してビデオ信号配線７２を接続することにより、検査配線７１とビデオ信号配線７２（中継配線７２ａ）との距離Ｆを、中継配線７２ａを介さない場合（距離Ｅ）と比較して、第２層間絶縁膜５３の厚み分遠くすることができる。よって、検査配線７１とビデオ信号配線７２との距離が最も近くなる、互いが交差する部分において、絶縁性を向上させることが可能となり、製造過程において、２つの配線間の第１層間絶縁膜４５が絶縁破壊することを抑えることができる。
【００６５】
また、図８（ａ）に示すように、液晶装置１１の周縁部（Ｄ部）には、上記したように、画素領域２１におけるゲート電極３５と同層に設けられた検査配線７１と、検査配線７１と第１層間絶縁膜４５を介して平面的に交差して設けられたＶＤＤ電源配線８１（例えば、駆動電圧１５Ｖ程度）、複数の駆動信号配線８２、ＶＳＳＹ電源配線８３（基準電位）、及びＬＣＣＯＭ配線８４とが設けられている。ＶＤＤ電源配線８１およびＶＳＳＹ電源配線８３は定電位配線である。
【００６６】
これらの配線は、外部接続用端子２３に接続されると共に、データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４等に信号が入力される前の配線である。また、これらの配線は、上記した、中継層５１と同層に設けられている。複数の駆動信号配線８２は、例えば、走査線駆動回路のシフトレジスターを駆動するためのクロック信号（ＣＬＹ）やその極性反転信号（ＣＬＹＢ）、あるいはシフトレジスターの出力パルスのパルス幅を規定して所望の走査信号パルスを形成するためのイネーブル信号等を含む。また、ＬＣＣＯＭ配線８４は、対向基板に設けられた共通電極に上下導通端子２６を介して共通電位であるＬＣＣＯＭを供給するための配線である。
【００６７】
上記配線（ＶＤＤ電源配線８１、複数の駆動信号配線８２、ＶＳＳＹ電源配線８３、及びＬＣＣＯＭ配線８４）と検査配線７１とが交差する部分では、上記配線がその上層の第２層間絶縁膜５３を介して設けられた中継配線８３ａ（上記した、データ線３４と同層）を経由して接続されている。これらの配線の材料としては、上記したように、例えば、アルミニウム（Ａｌ）が挙げられる。以下、上記配線のうちＶＳＳＹ電源配線８３と検査配線７１との交差部分について、図８（ｂ）を参照しながら説明する。
【００６８】
図８（ｂ）に示すように、ＶＳＳＹ電源配線８３は、検査配線７１とＶＳＳＹ電源配線８３とが交差する部分において途切れている。途切れているＶＳＳＹ電源配線８３は、ＶＳＳＹ電源配線８３上の第２層間絶縁膜５３を介して設けられた中継配線８３ａと、コンタクトホール７４ｃ，７４ｄによって電気的に接続されている。
【００６９】
コンタクトホール７４ｃ，７４ｄは、上記したように、中継配線８３ａを介すことによってＶＳＳＹ電源配線８３の抵抗値が極端に増えないように複数設けられている。また、コンタクトホール７４ｃ，７４ｄの下方における検査配線７１が設けられた層には、その上層の第１層間絶縁膜４５表面の凹凸を抑えるために、コンタクトホール下地膜７５ｃ，７５ｄが設けられている。これにより、検査配線７１とＶＳＳＹ電源配線８３との距離が近くなることを抑えることができる。
【００７０】
このように、検査配線７１とＶＳＳＹ電源配線８３とが交差する部分において、中継配線８３ａを介してＶＳＳＹ電源配線８３を接続することにより、検査配線７１とＶＳＳＹ電源配線８３（中継配線８３ａ）との距離Ｆを、中継配線８３ａを介さない場合（距離Ｅ）と比較して、第２層間絶縁膜５３の厚み分遠くすることができる。なお、その他の配線（ＶＤＤ電源配線８１、駆動信号配線８２、及びＬＣＣＯＭ配線８４）においても、中継配線を用いて同様の構造にすることにより、製造過程において、配線間の第１層間絶縁膜４５が絶縁破壊することを抑えることができる。
【００７１】
＜電子機器の構成＞
図１１は、上記した液晶装置を備えた電子機器の一例として液晶プロジェクターの構成を示す模式図である。以下、液晶装置を備えた液晶プロジェクターの構成を、図１１を参照しながら説明する。
【００７２】
図１１に示すように、液晶プロジェクター９０１は、上記した液晶装置１１が採用された液晶モジュールを３つ配置し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ９１１Ｒ，９１１Ｇ，９１１Ｂとして用いた構造となっている。
【００７３】
詳しくは、メタルハイドロランプ等の白色光源のランプユニット９１２から投射光が発せられると、３枚のミラー９１３及び２枚のダイクロイックミラー９１４によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ，Ｇ，Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ９１１Ｒ，９１１Ｇ，９１１Ｂにそれぞれ導かれる。特に光成分Ｂは、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ９１５、リレーレンズ９１６、出射レンズ９１７からなるリレーレンズ系９１８を介して導かれる。
【００７４】
ライトバルブ９１１Ｒ，９１１Ｇ，９１１Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分Ｒ，Ｇ，Ｂは、ダイクロイックプリズム９１９により再度合成された後、投射レンズ９２０を介して、スクリーン９２１にカラー画像として投射される。
【００７５】
なお、上記したように、３つの液晶モジュールを配置した液晶プロジェクター９０１に限定されず、例えば、１つの液晶モジュールを配置した液晶プロジェクターに適用するようにしてもよい。
【００７６】
このような構成の液晶プロジェクター９０１は、上記した液晶装置１１が採用された液晶モジュールを介すことによって、かかるコストを抑え、効率よく組み立てることができる。なお、液晶装置１１を備えた電子機器は、上記した液晶プロジェクター９０１の他、高精細ＥＶＦ（Electric View Finder）、携帯電話機、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、テレビ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、照明機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００７７】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１１及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７８】
（１）本実施形態の液晶装置１１によれば、電源配線（定電位配線）であるビデオ信号配線７２と検査配線７１とのうちビデオ信号配線７２が平面的に交差する部分において異なる配線層に設けられた中継配線７２ａを経由して接続されているので、検査配線７１とビデオ信号配線７２とにおける厚み方向の距離を、中継配線７２ａを用いない場合と比較して、遠くすることができる（検査配線７１とビデオ信号配線７２との間の絶縁膜を厚くすることができる）。よって、２つの信号配線（検査配線７１、ビデオ信号配線７２）が重なる交差部分において絶縁性が向上し、製造過程において、２つの信号配線間の絶縁膜（第１層間絶縁膜４５）が静電破壊されることを低減できる。
【００７９】
（２）本実施形態の液晶装置１１によれば、ビデオ信号配線７２が定電位配線であり、他の配線と比較して面積が大きく電荷の帯電量が多い傾向にあるものの、検査配線７１との交差部では、ビデオ信号配線７２が一旦分断された後に異なる配線層に設けられた中継配線７２ａを経由して接続されているので、検査配線７１とビデオ信号配線７２とにおける厚み方向の距離を遠くすることが可能となり、交差部分における絶縁性を向上させることができる。また、定電位配線側（ビデオ信号配線７２）を分断して接続しているので、蓄えられる電荷の帯電量を少なくすることが可能となり、交差部分における絶縁性を向上させることができる。
【００８０】
（３）本実施形態の電子機器によれば、製造過程における絶縁膜の静電破壊が低減され、歩留まりよく製造可能な電気光学装置を備えているので、高いコストパフォーマンスを有する電子機器を提供することができる。
【００８１】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００８２】
（変形例１）
上記したように、ビデオ信号配線７２と中継配線７２ａとを電気的に接続するコンタクトホール７４ａ，７４ｂは、１０個程度であることに限定されず、平面的に配線が交差する配線幅に応じてコンタクトホールの数量を設定するようにしてもよい。例えば、配線幅の太い部分に、他の配線と比べてコンタクトホールを多く設けることによって、中継配線を介すことによる配線抵抗が増加することを抑えることができる。
【００８３】
（変形例２）
上記したように、ビデオ信号配線７２やＶＳＳＹ電源配線８３は、第２層間絶縁膜５３を挟んで設けられた中継配線７２ａ，８３ａを介して電気的に接続されることに限定されず、例えば、ビデオ信号配線７２やＶＳＳＹ電源配線８３上において２つ以上の層間絶縁膜を介して設けられた中継配線を介して電気的に接続されるようにしてもよい。
【００８４】
これによれば、２つ以上の層間絶縁膜を介して設けられた中継配線と電気的に接続するので、検査配線７１と中継配線７２ａ，８３ａとの間の絶縁膜の厚みを厚くすることが可能となる。よって、２つの配線の交差部分において絶縁性を高めることができ、上記した実施形態と比較して、絶縁膜が絶縁破壊することを抑えることができる。
【符号の説明】
【００８５】
１１…電気光学装置としての液晶装置、１２…第１基板、１３…第２基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…注入口、１７…封止材、１８…額縁遮光膜、１９…表示領域、２１…画素領域、２２…データ線駆動回路、２３…外部接続用端子、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通端子、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…信号配線、３１…共通電極、３２…第２配向膜、３３…ＴＦＴ素子、３４…データ線、３５…ゲート電極、３６…容量線、３７…蓄積容量、４１…走査線（下側遮光膜）、４２…下地絶縁膜、４３…半導体層、４３ａ…チャネル領域、４３ｂ…低濃度ソース領域、４３ｃ…低濃度ドレイン領域、４３ｄ…高濃度ソース領域、４３ｅ…高濃度ドレイン領域、４４…ゲート絶縁膜、４５…第１層間絶縁膜、４６，５１，５５，５８…中継層、４７，５２，５４，５６，５９…コンタクトホール、５３…第２層間絶縁膜、５７…容量電極、６１…第３層間絶縁膜、６２…蓄積容量、６３…誘電体膜、６４…容量分離膜、７１…第１信号配線としての検査配線、７２…第２信号配線としてのビデオ信号配線、７２ａ，８３ａ…中継配線、７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，７４ｄ…コンタクトホール、７５ａ，７５ｂ，７５ｃ，７５ｄ…コンタクトホール下地膜、８１…ＶＤＤ電源配線、８２…駆動信号配線、８３…ＶＳＳＹ電源配線、８４…ＬＣＣＯＭ配線、１００…マザー基板、２００…素子基板、３００…対向基板、９０１…液晶プロジェクター、９１１Ｒ，９１１Ｇ，９１１Ｂ…ライトバルブ、９１２…ランプユニット、９１３…ミラー、９１４…ダイクロイックミラー、９１５…入射レンズ、９１６…リレーレンズ、９１７…出射レンズ、９１８…リレーレンズ系、９１９…ダイクロイックプリズム、９２０…投射レンズ、９２１…スクリーン。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配置された画素領域の周辺部に、前記画素のトランジスターを構成するゲート電極と同じ配線層に設けられた第１信号配線と、前記ゲート電極と絶縁膜を挟んで配置され前記トランジスターを遮光する遮光層と同じ配線層に設けられた第２信号配線と、を有し、
前記第２信号配線は、前記第１信号配線と重ならないように、前記遮光層とは異なる配線層に設けられ前記第１信号配線と交差するように設けられた中継配線を経由して電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記第１信号配線と前記中継配線との間に２つ以上の絶縁膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記トランジスターに画像信号を供給するデータ線駆動回路と外部接続端子とが前記周辺部に設けられ、前記第１信号配線は、前記データ線駆動回路のシフトレジスターの一の段からの出力と前記外部接続端子とを電気的に接続する配線であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置であって、
前記第２信号配線は、定電位配線であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項３に記載の電気光学装置であって、
前記第２信号配線は、前記データ線駆動回路に供給されるクロック信号配線であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
複数の画素が配置された画素領域の周辺部に、前記画素のトランジスターを構成するゲート電極と同じ配線層に設けられた第１信号配線と、前記ゲート電極と絶縁膜を挟んで配置され前記トランジスターを遮光する遮光層と同じ配線層に設けられた第２信号配線と、を有し、
前記第２信号配線は、前記第１信号配線と重ならないように、前記遮光層とは異なる配線層に設けられ前記第１信号配線と交差するように設けられた中継配線を経由して電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記第１信号配線と前記中継配線との間に２つ以上の絶縁膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記トランジスターに画像信号を供給するデータ線駆動回路と外部接続端子とが前記周辺部に設けられ、前記第１信号配線は、前記データ線駆動回路のシフトレジスターの一の段からの出力と前記外部接続端子とを電気的に接続する配線であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置であって、
前記第２信号配線は、定電位配線であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項３に記載の電気光学装置であって、
前記第２信号配線は、前記データ線駆動回路に供給されるクロック信号配線であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−２３０１５２（Ｐ２０１２−２３０１５２Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２２日（２０１２．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９６８５０（Ｐ２０１１−９６８５０）
【出願日】平成２３年４月２５日（２０１１．４．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２２日（２０１２．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２５日（２０１１．４．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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