【課題】結晶性シリコン薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、表示コントラストを向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板ＳＵＢ１上に形成されるゲート絶縁膜ＧＩを介してゲート電極ＧＴの上層に形成される第１の半導体層ＭＳＦと、第１の半導体層ＭＳＦの上面に形成され、凹部が形成される第２の半導体層ＡＳＦとからなる活性層と、凹部を挟んで対向配置される一対のコンタクト層ＣＮＬと、コンタクト層ＣＮＬの一方の上層に形成されるドレイン電極ＤＴと、他方の上層に形成されるソース電極ＳＴと、活性層の上面及び前記ドレイン電極ＤＴと前記ソース電極ＳＴの上面に連続して形成される保護膜ＰＡＳｉとを有する薄膜トランジスタを備え、凹部が形成されている領域の膜厚は１６０ｎｍ以上である装置。 （もっと読む）

【課題】
工程を複雑にすることなく、多結晶シリコン膜に回路特性に適したｎチャネル型ＴＦＴ
とｐチャネル型ＴＦＴを形成することができる薄膜半導体装置及び差動増幅回路及び表示装置の提供。
【解決手段】
入力対に与えられた信号電圧を差動で受ける差動対（１０１、１０２）と、前記差動対の出力対と第１の電源間に接続される負荷素子対（１０３、１０４）と、前記差動対と第２の電源間に接続され、前記差動対に定電流を供給する電流源（１０６）と、を有する差動段（２３）を備えた差動増幅回路において、前記差動対、及び／又は、前記負荷素子対は、相対的に低閾値のトランジスタよりなり、前記差動段の電流パスに挿入され、前記電流パスの導通・遮断を制御するスイッチ機能として、前記低閾値のトランジスタよりも高い閾値を有し、制御端子に入力される制御信号によってオン・オフ制御される少なくとも１つのトランジスタ（５０３）を備える。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を確保し、低い電圧で液晶を駆動して消費電力を低減し、また、開口率を大きくし、さらに色相による透過率の差を補償する。
【解決手段】第１基板と、第２基板と、第１基板及び第２基板の間に封止されており、複数の液晶分子で構成される液晶物質層と、第１基板上に形成される面形電極と、第１基板上に形成され、画素領域において面形電極と重畳する少なくとも２つの線形電極とを含み、線形電極と面形電極との間に電圧を印加することにより電気場が生成され、線形電極の境界における電気場の平均水平成分は、２つの線形電極の中間における電気場の平均水平要素よりも大きい、液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、工程を単純化することのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、第１及び第２基板と、第１基板上のゲートラインと、ゲートライン１０２とゲート絶縁膜１４４を間に置いて交差された画素領域を定義するデータライン１０４と、この画素領域でゲート絶縁膜１４４を貫通する画素ホールに透明導電膜で形成された画素電極１１８及び、ゲート電極とソース電極とドレイン電極及びソース電極とドレイン電極の間にチャネルを定義する半導体層を含む薄膜トランジスタを含み、この半導体層は、データライン１０４と、ソース電極及びドレイン電極を含むソース・ドレイン金属パターンと重畳され、ドレイン電極は上記半導体層から画素電極１１８の内側に突出され画素電極１１８と接続される。 （もっと読む）

【課題】光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを用いた表示装置であって、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供。
【解決手段】ＴＦＴの少なくとも一端において、ソース領域やドレイン領域となる高濃度領域と、チャネル領域との間に、順に、高濃度領域の不純物濃度が低濃度の第１低濃度領域と、第１低濃度領域の不純物濃度よりさらに低濃度の第２低濃度領域とを、設ける。 （もっと読む）

【課題】高動作マージン・高信頼性・狭額縁・小型・低コストの駆動回路一体型アクティブマトリクス型の表示装置を提供する。
【解決手段】図１４［２］を参照すると、ゲート線駆動回路１２と対向電極２１とが対面していないことがわかる。このことから、対向電極２１とシール材１１とが重なっている領域における電気的な影響は、少なくともゲート線駆動回路１２には及ばない。これが本発明の特徴である。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）に、トランジスタの半導体層（１ａ）を形成する半導体層形成工程と、半導体層のチャネル部（１ａ’）に不純物を導入する不純物導入工程と、基板を平面的に見て、チャネル部に重なるようにゲート電極（３ｂ）を形成するゲート電極形成工程とを備える。不純物導入工程においては、不純物は、チャネル幅方向においてチャネル部の端部に位置する第１領域、及びチャネル長方向において第１領域よりも幅が狭いチャネル部の第２領域にそれぞれ導入される。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記アレイ基板の製造方法は、ゲートラインとゲート電極を含むパターンを形成するステップと、活性層と、データラインと、ソース電極と、ドレイン電極とを含むパターンを形成するするとともに、上記パターン以外の領域のゲート絶縁層を除去するステップと、露光・現像により、感光樹脂層に第１ビアホールと、第２ビアホールと、第３ビアホールとを含むパターンを形成するステップと、第３ビアホールを介してドレイン電極に接続する画素電極と、第１接続電極と、第２接続電極とを含むパターンを形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気によ
る不良の発生を抑制する。
【解決手段】 本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接し
て、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成され
ていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の
周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パ
ターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピ
ッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマトリ
クス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】画像の表示を明るくするとともに、表示品位の良好な電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置は、一対の基板３２，５０と、一対の基板３２，５０間に挟持された電気光学層４６と、を有し、一方の基板３２に、トランジスター３８と、トランジスター３８に対応して設けられた反射電極４０ａと、隣り合う反射電極４０ａ間に、一対の基板３２，５０間のギャップを規定し、誘電体多層膜からなるスペーサー７２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の一つの目的は、金属イオンの拡散によって半導体パターンの長さが短くなることを防止する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに表示基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ソース領域、ドレーン領域、チャンネル領域及び拡散抑制部を含む半導体パターンと、半導体パターン上に形成された第１絶縁膜パターンと、半導体パターンに対応して第１絶縁膜パターン上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された第２絶縁膜パターンと、第２絶縁膜パターン上に形成され、半導体パターンのソース領域及びドレーン領域がそれぞれ接続されるソース電極及びドレーン電極とが設けられ、拡散抑制部はソース電極又はドレーン電極からチャンネル領域へ金属イオンが拡散することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に混入する不純物濃度を制御した活性層を有する半導体回路を備えた半
導体装置を提供するものである。
【解決手段】上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の
第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪
素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上の画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第１の開口部を有し、第２の絶縁膜は第２の開口部を有し、第２の開口部は第１の開口部の内側に設けられ、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介してソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイン電極に接触しない。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジスタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタのＬＤＤ領域を、テーパー部を有するゲート電極及びテーパー部を有するゲート絶縁膜に対応させて設ける。具体的には、第１のＬＤＤ領域はゲート電極のテーパー部の下に設けられ、第２のＬＤＤ領域はゲート絶縁膜のテーパー部の下に設けられる。 （もっと読む）

【課題】色再現性を高め、かつインクの充填率を高めることのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１絶縁基板と、第１絶縁基板の上に形成されているゲート線と、ゲート線と交差するデータ線と、ゲート線及びデータ線と接続される薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ、ゲート線及びデータ線の上に形成され、断面の形状が上部ａと下部ａ’の幅が中心部ｂの幅より大きいことを特徴とする隔壁と、薄膜トランジスタと接続される画素電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された複数のゲートライン及び複数のデータラインを含み、ゲートラインとデータラインにより複数の画素領域が画定され、画素領域ごとに画素電極及びスイッチング素子としての薄膜トランジスタが形成されるＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板を提供する。
【解決手段】本発明は、ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関する。アレイ基板には、基板に形成された複数のゲートライン及び複数のデータラインが含まれる。前記ゲートラインとデータラインにより複数の画素領域が画定され、画素領域ごとに画素電極及びスイッチング素子としての薄膜トランジスタが形成されている。前記薄膜トランジスタのゲート電極は連結電極を介して対応したゲートラインに電気的に接続され、前記ゲート電極と前記ゲートラインは異なる材料層により形成される。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールと、反射電極のための凹凸とが同時に形成された電気光学装置を提供する。
【解決手段】同一フォトマスクを用いたことにより、コンタクトホールと、反射電極のための凹凸とは同時に形成される。凹凸を形成するためのフォトマスクが有する遮光部又は透光部を上面から見ると、複数の円、複数の楕円、複数の正方形、複数の長方形が備えられており、これらは大きさが異なり、且つ互いの距離が異なる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の表示領域と駆動回路に設けられたＴＦＴの構造を機能に応じて適切なものとするとき、ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、チャネル形成領域と、不純物領域との接合に欠陥が形成され、オフ電流が増加することを防止する。
【解決手段】表示領域に第１のｎチャネル型ＴＦＴが配置され、駆動回路に第２のｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴが配置された半導体装置であって、ｐチャネル型ＴＦＴはチャネル形成領域と、これに隣接した不純物領域を有し、不純物領域にはｎチャネル型ＴＦＴのために添加された不純物元素を含ませない。そのために、ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル長はｎチャネル型ＴＦＴのチャネル長より短くなる。 （もっと読む）

【課題】Ｄ／Ａ変換回路の構成を複雑にすることなく、小型化された表示装置を提供する。
【解決手段】赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤとが順次点灯する期間を有することによりフィールドシーケンシャル駆動が行われ、赤のＬＥＤが点灯する期間、緑のＬＥＤが点灯する期間、及び青のＬＥＤが点灯する期間のそれぞれにおいて、複数のサブフレーム期間を有し、サブフレーム期間に書き込まれたアナログビデオデータの階調電圧の総和を時間平均したものを用いて表示を行う。 （もっと読む）