電気光学装置および投射型表示装置
【課題】熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生することを防止することができる電気光学装置、および該電気光学装置を用いた投射型表示装置提供する。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。応力緩和膜４６は、ドープトシリコン酸化膜からなり、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。また、各層の熱膨張係数は以下の関係第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａにある。このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。応力緩和膜４６は、ドープトシリコン酸化膜からなり、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。また、各層の熱膨張係数は以下の関係第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａにある。このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射性画素電極が形成された素子基板を備えた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置等の電気光学装置では、基板本体の一方面側に画素トランジスター、層間絶縁膜、画素電極がこの順に設けられた素子基板が用いられている。例えば、電気光学装置のうち、反射型の液晶装置に用いられる素子基板は、基板本体の一方面側に画素トランジスター、層間絶縁膜、アルミニウム膜等の反射性の画素電極、配向膜がこの順に設けられた構成になっている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、液晶装置において、反射性の画素電極の表面にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる絶縁膜が形成されることがある。例えば、配向膜としてシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜が用いられる場合、反射性の画素電極の表面に、絶縁膜として、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる平坦化絶縁膜が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１３９８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、反射性の画素電極を形成した後、画素電極の上層側に絶縁膜を形成すると、絶縁膜を成膜する際の熱が原因で画素電極に大きな熱応力が発生し、かかる熱応力は、画素電極の表面にヒロック等の欠陥を低下させるという問題点がある。例えば、ノンドープシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜の上層にアルミニウム膜からなる画素電極を形成した状態で絶縁膜を形成すると、アルミニウム膜の熱膨張係数（２３．１×１０-6／℃）と、ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数（０．５×１０-6／℃）との差が大きいため、画素電極に大きな熱応力が発生する。その結果、熱応力によって、画素電極の表面にヒロック等の欠陥が発生して画素電極表面の平滑度が低下し、画素電極の反射率が低下してしまう。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生することを防止することができる電気光学装置、および該電気光学装置を用いた投射型表示装置提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、素子基板用の基板本体の一方面側に設けられた画素トランジスターと、該画素トランジスターを前記基板本体が位置する側とは反対側で覆う層間絶縁膜と、前記画素トランジスターに対応して前記層間絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に設けられ、当該層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有する反射性の画素電極と、該画素電極を前記基板本体が位置する側とは反対側で覆う透光性の絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記画素電極との層間に設けられ、当該層間絶縁膜に接する部分が当該層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有するとともに、前記画素電極と接する部分が当該画素電極と異なる熱膨張係数を有する絶縁性の応力緩和膜と、を有していることを特徴とする。
【０００８】
本発明において、「層間絶縁膜に接する部分が層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有するとともに、画素電極と接する部分が画素電極と異なる熱膨張係数を有する絶縁性の応力緩和膜」とは、応力緩和膜が単層膜である場合、かかる単層膜が層間絶縁膜および画素電極と異なる熱膨張係数を有していることを意味する。また、応力緩和膜が多層膜である場合、応力緩和膜において、層間絶縁膜に接する層が層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有しており、画素電極に接する層が画素電極と異なる熱膨張係数を有していることを意味する。
【０００９】
本発明では、層間絶縁膜と画素電極との間には応力緩和膜が介在しており、かかる応力緩和膜は、層間絶縁膜と異なる熱膨張係数をもって層間絶縁膜に接するとともに、画素電極と異なる熱膨張係数をもって画素電極に接している。このため、絶縁膜を形成する際、層間絶縁膜の熱膨張係数と画素電極の熱膨張係数との差に起因する熱応力が画素電極に発生する場合でも、層間絶縁膜と画素電極とが直接、接している場合と比較して、熱応力の発生を軽減することができる。従って、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生するのを防止することができるので、画素電極表面の平滑度が低下して画素電極の反射率が低下するのを回避することができる。
【００１０】
本発明は、前記画素電極の最表層がアルミニウム膜（アルミニウム合金膜も含む）からなる場合に適用すると、効果的である。アルミニウム膜（熱膨張係数＝２３．１×１０-6／℃）は、ノンドープシリコン酸化膜（熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃）等との熱膨張係数の差が大きいので、大きな熱応力が発生しやすく、ヒロック等の欠陥が発生しやすい。従って、画素電極の最表層がアルミニウム膜からなる場合に本発明を適用すると、画素電極の表面にヒロック等の欠陥が発生するのを効果的に防止することができる。
【００１１】
本発明においては、例えば、前記応力緩和膜が、前記層間絶縁膜の熱膨張係数と前記画素電極の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する単層膜である構成を採用することができる。かかる構成によれば、応力緩和膜が層間絶縁膜と画素電極との間において熱膨張係数の差を緩和するので、画素電極に熱応力が発生するのを防止することができる。
【００１２】
本発明において、前記応力緩和膜は、前記層間絶縁膜の熱膨張係数、および前記画素電極の熱膨張係数よりも小さな熱膨張係数を有する単層膜である構成を採用してもよい。かかる構成によれば、応力緩和膜を上下から熱膨張係数が大きな層（層間絶縁膜および画素電極）で挟んだ構造となる。従って、層間絶縁膜と応力緩和膜との熱膨張係数の差に起因する熱応力と、応力緩和膜と画素電極との熱膨張係数の差に起因する熱応力とが打ち消されるので、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生するのを防止することができる。
【００１３】
本発明において、前記応力緩和膜は、前記層間絶縁膜と異なる熱膨張係数をもって当該層間絶縁膜に接する第１応力緩和膜と、該第１応力緩和膜および前記画素電極と異なる熱膨張係数をもって前記第１応力緩和膜および前記画素電極に接する第２応力緩和膜と、を備えている構成を採用してもよい。かかる構成によれば、第１応力緩和膜を上下から層間絶縁膜および第２応力緩和膜で挟み、第２応力緩和膜を上下から第１応力緩和膜および画素電極で挟んだ構造となる。従って、層間絶縁膜と第１応力緩和膜との熱膨張係数の差に起因する熱応力と、第１応力緩和膜と第２応力緩和膜との熱膨張係数の差に起因する熱応力と、第２応力緩和膜と画素電極との熱膨張係数の差に起因する熱応力とが互いに打ち消されるので、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生するのを防止することができる。
【００１４】
この場合、前記第１応力緩和膜は、前記層間絶縁膜に比して大きな熱膨張係数を有し、前記第２応力緩和膜は、前記第１応力緩和膜および前記画素電極に比して小さな熱膨張係数を有していることが好ましい。
【００１５】
本発明においては、前記絶縁膜において少なくとも前記画素電極に接する部分が、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなることが好ましい。かかる構成によれば、ドープトシリコン酸化膜の熱膨張係数（２〜４×１０-6／℃）は、ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数（０．５×１０-6／℃）等に比して、画素電極を構成するアルミニウム膜の熱膨張係数（２３．１×１０-6／℃）や他の金属材料の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態でドープトシリコン酸化膜を成膜しても、画素電極および絶縁膜に大きな熱応力が発生しないので、画素電極の表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい。
【００１６】
本発明において電気光学装置を液晶装置として構成する場合、前記素子基板の一方面側に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、が設けられ、前記素子基板の最表面には配向膜が設けられることになる。
【００１７】
本発明において、前記配向膜は無機配向膜であることが好ましい。かかる構成によれば、有機配向膜と違ってラビング処理を行う必要がないので、ラビング処理に起因するコストの増大や配向特性のばらつき等が発生しない。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置が液晶装置であって、かかる液晶装置をライトバルブとして投射型表示装置では、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられることになる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置で用いた応力緩和膜の説明図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の画素の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置で用いた応力緩和膜の説明図である。
【図９】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の画素の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の画素の断面図である。
【図１１】本発明を適用した電気光学装置（反射型液晶装置）を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、画素トランジスターとして用いた電界効果型トランジスターは、流れる電流の方向が反転するに伴ってソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板の構成を説明するにあたって、素子基板の基板本体が位置する側を下層側とし、素子基板の基板本体が位置する側とは反対側を上層側として説明する。また、素子基板に形成された層において、表面および表層とは、基板本体が位置する側とは反対側の面や層を意味する。
【００２１】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、本形態の電気光学装置１００は、反射型の液晶装置であり、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの反射型の液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ａ（画像表示領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画素領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２２】
素子基板１０において、画素領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２３】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃに導通している。
【００２４】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００２５】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画素領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０において、画素領域１０ａの外側では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２６】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面側において、画素領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に対応して設けられた画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。なお、素子基板１０の一方面側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画素領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を揃え、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画素領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００２７】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されている。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる領域等にも形成されることがある。
【００２８】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる領域に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通部１０９が形成されている。かかる基板間導通部１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａを介して素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通部１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００２９】
かかる構成の電気光学装置１００において、本形態では、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａを反射性導電膜により形成してある。このため、本形態の電気光学装置１００では、対向基板２０側から入射した光は、素子基板１０側で反射して対向基板２０側から出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３０】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３１】
以下、本形態の電気光学装置１００では、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いれられ、液晶パネル１００ｐがＶＡモード用に構成されている場合を中心に説明する。
【００３２】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた素子基板１０において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａは太くて長い破線で示し、下電極層４ａは細い実線で示してある。
【００３３】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。素子基板１０上には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３４】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されており、対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３５】
素子基板１０において、複数の画素１００ａの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、基板本体１０ｗ上に、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２上に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化してなるシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との２層構造を有する場合もある。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。
【００３６】
走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層には下電極層４ａが形成されている。下電極層４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。下電極層４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。
【００３７】
下電極層４ａの上層側には、シリコン窒化膜等からなる誘電体層４２が形成されている。誘電体層４２の上層側には、誘電体層４２を介して下電極層４ａと対向するように容量線５ｂ（上電極層）が形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２および下電極層４ａによって、保持容量５５が形成されている。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。ここで、下電極層４ａ、誘電体層４２および容量線５ｂ（上電極層）は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。このため、保持容量５５は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、少なくとも画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。
【００３８】
容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール７ｂを介して下電極層４ａに電気的に接続し、下電極層４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００３９】
（画素電極９ａ周辺の構成）
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、厚さが６００ｎｍ程度のシリコン酸化膜等からなる第３層間絶縁膜４４が形成されており、かかる第３層間絶縁膜４４の上層側には、アルミニウム膜等の反射性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａの厚さは２００ｎｍ程度である。
【００４０】
本形態では、第３層間絶縁膜４４の上層に、後述する絶縁性の応力緩和膜４６が積層されており、かかる応力緩和膜４６の上層に画素電極９ａが積層されている。応力緩和膜４６の厚さは例えば、第３層間絶縁膜４４の厚さの１／１０程度であり、本形態において、応力緩和膜４６の厚さは５０ｎｍ程度である。第３層間絶縁膜４４および応力緩和膜４６には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール７ｄが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール７ｄを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。本形態において、応力緩和膜４６の表面は連続した平坦面になっており、かかる平坦面上に画素電極９ａが形成されている。かかる平坦面は、後述する製造方法のように、第３層間絶縁膜４４の表面および応力緩和膜４６の表面のうちの少なくとも一方を研磨により平坦化することにより構成することができる。なお、応力緩和膜４６の表面には、図２（ｂ）を参照して説明したダミー画素電極９ｂ（図３には図示せず）が形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成された反射性導電膜からなる。
【００４１】
本形態において、画素電極９ａとしては、アルミニウム膜の単層膜、チタン窒化膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜、チタン膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜等が用いられている。かかる画素電極９ａのうち、アルミニウム膜の下層側にチタン窒化膜やチタン膜を形成すれば、画素電極９ａの下面側での反射を防止でき、迷光の発生を防止できるという利点や、アルミニウム膜表面が平滑となり、アルミニウム膜の反射率が向上するという利点がある。
【００４２】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。配向膜１６と画素電極９ａとの層間には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる平坦化絶縁膜１７が透光性の絶縁膜として形成されており、画素電極９ａは平坦化絶縁膜１７によって覆われている。かかる平坦化絶縁膜１７は、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部９ｅや、画素電極９ａにおいてコンタクトホール７ｄに起因して形成された凹部９ｆを埋めている。また、平坦化絶縁膜１７の表面は平坦面になっており、隣り合う画素電極９ａの間（凹部９ｅ）と重なる部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成している。このため、平坦面上に斜方蒸着を行って配向膜１６を形成することができるので、配向膜１６を構成する斜方蒸着膜を好適に形成することができる。
【００４３】
（第３層間絶縁膜４４および応力緩和膜４６の膜構成）
本形態の電気光学装置１００において、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接しているとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。また、第３層間絶縁膜４４、応力緩和膜４６、および画素電極９ａの熱膨張係数は以下の関係
熱膨張係数
第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａ
を有しており、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４の熱膨張係数と画素電極９ａの熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する単層膜である。
【００４４】
より具体的には、第３層間絶縁膜４４は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜（ＮＳＧ膜）からなる。応力緩和膜４６は、リンがドープされたリンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンがドープされたボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、ボロンおよびリンがドープされたボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなる。従って、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４に比して、画素電極９ａを構成する材料との熱膨張係数の差が小さい。
【００４５】
すなわち、画素電極９ａを構成する材料の熱膨張係数は以下のレベル
アルミニウム膜の熱膨張係数＝２３．１×１０-6／℃
チタン窒化膜の熱膨張係数＝９．３×１０-6／℃
チタン膜の熱膨張係数＝１１．０×１０-6／℃
である。これに対して、応力緩和膜４６および第３層間絶縁膜４４の熱膨張係数は以下のレベル
応力緩和膜４６（ドープトシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝２〜４×１０-6／℃
第３層間絶縁膜４４（ノンドープシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃
である。
【００４６】
（対向基板２０等の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜２６と共通電極２１との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜２７が形成されている。保護膜２７は、表面が平坦面になっており、かかる平坦面上に配向膜２６が形成されている。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００４７】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、Ｎチャネル型の駆動用トランジスターとＰチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００４８】
（電気光学装置１００の製造方法）
図４および図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。本形態の電気光学装置１００を製造するにあたって、素子基板１０の製造方法では、図４（ａ）に示すように、画素トランジスター３０、保持容量５５、データ線６ａを形成した後、第３層間絶縁膜４４を形成するためのシリコン酸化膜（ノンドープシリコン酸化膜）を減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等により形成する（層間絶縁膜形成工程）。かかるノンドープシリコン酸化膜を形成する際に減圧ＣＶＤ法を採用する場合、成膜温度は、例えば６５０〜７５０℃であり、使用する原料ガスはＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4等である。また、ノンドープシリコン酸化膜を形成する際にプラズマＣＶＤ法を採用する場合、成膜温度は、例えば２５０〜４５０℃であり、使用する原料ガスはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ等である。また、ノンドープシリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法により形成する際、使用する原料ガスがＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4、Ｏ2等である場合、成膜温度は、例えば３５０〜４５０℃である。
【００４９】
次に、図４（ｂ）に示す平坦化工程では、第３層間絶縁膜４４の表面を研磨し、その表面を平坦化する。かかる平坦化工程では、化学機械研磨を利用でき、化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と素子基板１０との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、素子基板１０を保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と素子基板１０との間に供給する。
【００５０】
次に、図４（ｃ）に示す応力緩和膜形成工程では、第３層間絶縁膜４４の上層に常圧ＣＶＤ法等によりドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６を形成する。かかる応力緩和膜４６を形成した際、第３層間絶縁膜４４の表面が連続した平坦面になっているので、応力緩和膜４６の表面も連続した平坦面となる。応力緩和膜４６を形成する際の成膜温度は、例えば３５０〜４５０℃である。また、応力緩和膜４６（ドープトシリコン酸化膜）として、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）を形成する場合、使用する原料ガスはＳｉＨ4、ＰＨ3、Ｏ3等であり、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）を形成する場合、使用する原料ガスはＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、Ｏ3等であり、ボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）を形成する場合、使用する原料ガスはＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3、Ｏ3等である。
【００５１】
次に、図４（ｄ）に示すコンタクトホール形成工程では、応力緩和膜４６および第３層間絶縁膜４４を貫通してドレイン電極６ｂに到達するコンタクトホール７ｄを形成する。
【００５２】
次に、図５（ａ）に示す画素電極形成工程では、応力緩和膜４６の上層に画素電極９ａを形成するための反射性導電膜を形成した後、反射性導電膜をパターニングし、画素電極９ａを形成する。
【００５３】
次に、図５（ｂ）に示す平坦化膜形成工程では、減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等により、ノンドープシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる透光性の平坦化絶縁膜１７を厚く形成した後、図５（ｃ）に示す平坦化工程において、平坦化絶縁膜１７の表面に化学機械研磨を行って、平坦化絶縁膜１７の表面を平坦化する。その際、画素電極９ａの表面が露出しない程度に平坦化絶縁膜１７を残す。その結果、平坦化絶縁膜１７では、隣り合う画素電極９ａの間（凹部９ｅ）と重なる部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成することになる。なお、平坦化絶縁膜１７をノンドープシリコン酸化膜により形成する方法は上記の通りである。また、平坦化絶縁膜１７をシリコン窒化膜により形成するにあたって、減圧ＣＶＤ法を採用する場合、成膜温度は、例えば、６５０〜８５０℃であり、使用する原料ガスはＳｉＨ2Ｃｌ2、ＮＨ3等である。また、シリコン窒化膜を形成する際にプラズマＣＶＤ法を採用する場合、成膜温度は、例えば、２５０〜４００℃であり、使用する原料ガスはＳｉＨ4、ＮＨ3等である。
【００５４】
このようにして平坦化絶縁膜１７を形成した後は、図５（ｃ）には図示しない外部接続端子等を形成したのち、平坦化絶縁膜１７の表面に斜方蒸着を行い、図３に示すように配向膜１６を形成する。
【００５５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００においては、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間には応力緩和膜４６が介在しており、かかる応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。このため、平坦化絶縁膜１７（絶縁膜）を形成する際、第３層間絶縁膜４４の熱膨張係数と画素電極９ａの熱膨張係数との差に起因する熱応力が画素電極９ａに発生する場合でも、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとが直に接している場合と比較して、熱応力の発生を軽減することができる。すなわち、本形態では、応力緩和膜４６が、第３層間絶縁膜４４（ノンドープシリコン酸化膜）の熱膨張係数と画素電極９ａ（アルミニウム膜等）の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する単層膜（ドープトシリコン酸化膜）であるため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。従って、熱膨張係数の差に起因する熱応力が画素電極９ａに発生するのを防止することができる。それ故、本形態によれば、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極９ａの表面に発生するのを防止することができるので、画素電極９ａ表面の平滑度が低下して画素電極９ａの反射率が低下するのを回避することができる。
【００５６】
また、本形態では、配向膜１６、２６が無機配向膜であるため、有機配向膜と違ってラビング処理を行う必要がない。それ故、ラビング処理に起因するコストの増大や配向特性のばらつき等が発生しない。
【００５７】
なお、図４および図５に示す製造方法では、第３層間絶縁膜４４の表面を平坦化したが、応力緩和膜４６の表面を平坦化してもよく、第３層間絶縁膜４４の表面および応力緩和膜４６の表面の双方を平坦化してもよい。
【００５８】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００で用いた応力緩和膜４６の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。また、本形態の基本的な構成の説明にあたっては、図３（ｂ）を参照する。
【００５９】
図３（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間には応力緩和膜４６が形成されており、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接しているとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。
【００６０】
本形態では、第３層間絶縁膜４４、応力緩和膜４６、および画素電極９ａの熱膨張係数は以下の関係
熱膨張係数
第３層間絶縁膜４４＞応力緩和膜４６＜画素電極９ａ
を有している。
【００６１】
より具体的には、第３層間絶縁膜４４は、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、ボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等のドープトシリコン酸化膜からなり、応力緩和膜４６はノンドープシリコン酸化膜（ＮＳＧ膜）からなる。従って、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４および画素電極９ａより熱膨張係数が小さい単層膜からなる。
【００６２】
すなわち、画素電極９ａを構成する材料の熱膨張係数は以下のレベル
アルミニウム膜の熱膨張係数＝２３．１×１０-6／℃
チタン窒化膜の熱膨張係数＝９．３×１０-6／℃
チタン膜の熱膨張係数＝１１．０×１０-6／℃
である。これに対して、応力緩和膜４６および第３層間絶縁膜４４の熱膨張係数は以下のレベル
応力緩和膜４６（ノンドープシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃
第３層間絶縁膜４４（ドープトシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝２〜４×１０-6／℃
であり、応力緩和膜４６を上下から熱膨張係数が大きな層（第３層間絶縁膜４４および画素電極９ａ）で挟んだ構造になっている。
【００６３】
従って、本形態では、図６（ａ）に示すように、応力緩和膜４６と画素電極９ａとの間では、画素電極９ａの方が応力緩和膜４６に比して熱膨張係数が大きいため、高温雰囲気では上方に反るような応力が発生する。これに対して、図６（ｂ）に示すように、第３層間絶縁膜４４と応力緩和膜４６との間では、第３層間絶縁膜４４の方が応力緩和膜４６に比して熱膨張係数が大きいため、高温雰囲気では下方に反るような応力が発生する。このため、第３層間絶縁膜４４と応力緩和膜４６との熱膨張係数の差に起因する熱応力と、応力緩和膜４６と画素電極９ａとの熱膨張係数の差に起因する熱応力とが打ち消されるので、画素電極９ａに発生する熱応力が緩和される。それ故、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極９ａの表面に発生するのを防止することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６４】
［実施の形態３］
図７は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の画素の断面図である。図８は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００で用いた応力緩和膜４６の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。図７に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間には応力緩和膜４６が形成されている。
【００６５】
本形態において、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接する下層側の第１応力緩和膜４６１と、第１応力緩和膜４６１および画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって第１応力緩和膜４６１および画素電極９ａに接する上層側の第２応力緩和膜４６２とを備えている。このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接しているとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。本形態において、応力緩和膜４６の厚さは５０ｎｍ程度であり、第１応力緩和膜４６１および第２応力緩和膜４６２の厚さは各々、２５ｎｍ程度である。
【００６６】
また、本形態では、第３層間絶縁膜４４、応力緩和膜４６（第１応力緩和膜４６１および第２応力緩和膜４６２）の熱膨張係数は以下の関係
熱膨張係数
第３層間絶縁膜４４＜第１応力緩和膜４６１＞第２応力緩和膜４６２＜画素電極９ａ
を有している。
【００６７】
より具体的には、第３層間絶縁膜４４はノンドープシリコン酸化膜（ＮＳＧ膜）からなり、第１応力緩和膜４６１は、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、ボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等のドープトシリコン酸化膜からなり、第２応力緩和膜４６２はノンドープシリコン酸化膜（ＮＳＧ膜）からなる。従って、第１応力緩和膜４６１は、第３層間絶縁膜４４に比して大きな熱膨張係数を有し、第２応力緩和膜４６２は、第１応力緩和膜４６１および画素電極９ａに比して小さな熱膨張係数を有している。
【００６８】
すなわち、画素電極９ａを構成する材料の熱膨張係数は以下のレベル
アルミニウム膜の熱膨張係数＝２３．１×１０-6／℃
チタン窒化膜の熱膨張係数＝９．３×１０-6／℃
チタン膜の熱膨張係数＝１１．０×１０-6／℃
である。これに対して、応力緩和膜４６（第１応力緩和膜４６１および第２応力緩和膜４６２）および第３層間絶縁膜４４の熱膨張係数は以下のレベル
第２応力緩和膜４６２（ノンドープシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃
第１応力緩和膜４６１（ドープトシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝２〜４×１０-6／℃
第３層間絶縁膜４４（ノンドープシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃
であり、第１応力緩和膜４６１を上下から第３層間絶縁膜４４および第２応力緩和膜４６２で挟み、第２応力緩和膜４６２を上下から第１応力緩和膜４６１および画素電極９ａで挟んだ構造になっている。
【００６９】
従って、本形態では、図８（ａ）に示すように、第２応力緩和膜４６２と画素電極９ａとの間では、画素電極９ａの方が第２応力緩和膜４６２に比して熱膨張係数が大きいため、高温雰囲気では上方に反るような応力が発生する。また、図８（ｂ）に示すように、第１応力緩和膜４６１と第２応力緩和膜４６２との間では、第１応力緩和膜４６１の方が第２応力緩和膜４６２に比して熱膨張係数が大きいため、高温雰囲気では下方に反るような応力が発生する。また、図８（ｃ）に示すように、第３層間絶縁膜４４と第１応力緩和膜４６１との間では、第１応力緩和膜４６１の方が第３層間絶縁膜４４に比して熱膨張係数が大きいため、高温雰囲気では上方に反るような応力が発生する。このため、第３層間絶縁膜４４と第１応力緩和膜４６１との熱膨張係数の差に起因する熱応力と、第１応力緩和膜４６１と第２応力緩和膜４６２との熱膨張係数の差に起因する熱応力と、第２応力緩和膜４６２と画素電極９ａとの熱膨張係数の差に起因する熱応力とが打ち消されるので、画素電極９ａに発生する熱応力が緩和される。それ故、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極９ａの表面に発生するのを防止することができる等、実施の形態１、２と同様な効果を奏する。
【００７０】
［実施の形態４］
本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。また、本形態の基本的な構成の説明にあたっては、図３（ｂ）を参照する。
【００７１】
図３（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間には応力緩和膜４６が形成されており、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接しているとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。
【００７２】
本形態において、平坦化絶縁膜１７（絶縁膜）は、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、ボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等のドープトシリコン酸化膜からなる。かかるドープトシリコン酸化膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜に比して、画素電極９ａを構成する材料との熱膨張係数の差が小さい。
【００７３】
すなわち、画素電極９ａを構成する材料の熱膨張係数は以下のレベル
アルミニウム膜の熱膨張係数＝２３．１×１０-6／℃
チタン窒化膜の熱膨張係数＝９．３×１０-6／℃
チタン膜の熱膨張係数＝１１．０×１０-6／℃
である。これに対して、ドープトシリコン酸化膜およびノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数は以下のレベル
ドープトシリコン酸化膜１７０＝２〜４×１０-6／℃
ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃
である。
【００７４】
このため、本形態によれば、実施の形態１と同様な効果に加えて、平坦化絶縁膜１７と画素電極９ａを構成する材料との熱膨張係数の差が小さいので、加熱した状態で平坦化絶縁膜１７を成膜しても、画素電極９ａおよび平坦化絶縁膜１７に大きな熱応力が発生せず、画素電極９ａの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくいという効果を奏する。従って、ヒロック等の欠陥が原因で画素電極９ａの表面の平滑度が低下して画素電極９ａの反射率が低下するのを回避することができる。また、ドープトシリコン酸化膜１７０は、段差被覆性に優れているため、画素電極９ａの表面にコンタクトホール７ｄに起因する凹部９ｆが形成されている場合でも、ドープトシリコン酸化膜１７０において凹部９ｆを埋める部分に空洞が発生しにくい。それ故、空洞が平坦化絶縁膜１７の表面で露出することが原因で画素電極９ａでの反射方向が乱れて表示画像のコントラストが低下するのを防止することができる。なお、本形態では、画素電極９ａの下層側は実施の形態１で説明した構造を採用したが、画素電極９ａの下層側については実施の形態２、３で説明した構造を採用してもよい。
【００７５】
［実施の形態５］
図９は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の画素の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００７６】
図９に示すように、本形態の電気光学装置１００に用いた素子基板１０でも、実施の形態１と同様、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間には応力緩和膜４６が形成されており、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接しているとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。
【００７７】
また、本形態では、実施の形態４と同様、平坦化絶縁膜１７（絶縁膜）は、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、ボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等のドープトシリコン酸化膜からなる。かかるドープトシリコン酸化膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜に比して、画素電極９ａを構成する材料との熱膨張係数の差が小さい。
【００７８】
また、本形態では、平坦化絶縁膜１７の上層にノンドープシリコン酸化膜からなる保護膜１８が積層されており、かかる保護膜１８の上層に配向膜１６（無機配向膜／斜方蒸着膜）が積層されている。かかる構成では、平坦化絶縁膜１７では、隣り合う画素電極９ａの間（凹部９ｅ）と重なる部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成しているため、保護膜１８の表面は研磨処理を行わなくても平坦面になっている。
【００７９】
このような構成によれば、実施の形態１や実施の形態４で説明した効果に加えて、ドープトシリコン酸化膜からなる平坦化絶縁膜１７の上層にノンドープシリコン酸化膜からなる保護膜１８が形成されているため、電気光学装置１００の信頼性が高い。すなわち、ドープトシリコン酸化膜は、画素電極９ａでのヒロックの発生防止や空洞の発生防止という点では優れているが、水分を吸着しやすい。このため、ドープトシリコン酸化膜から水分が放出されると、かかる水分が液晶層５０に侵入する可能性があるが、平坦化絶縁膜１７（ドープトシリコン酸化膜）の表面にノンドープシリコン酸化膜（保護膜１８）を積層すれば、かかる水分の液晶層への進入をノンドープシリコン酸化膜（保護膜１８）によって防止できるという利点がある。なお、本形態では、画素電極９ａの下層側は実施の形態１で説明した構造を採用したが、画素電極９ａの下層側については実施の形態２、３で説明した構造を採用してもよい。
【００８０】
［実施の形態６］
図１０は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の画素の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００８１】
図１０に示すように、本形態の電気光学装置１００に用いた素子基板１０でも、実施の形態１と同様、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間には応力緩和膜４６が形成されており、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接しているとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。
【００８２】
本形態において、平坦化絶縁膜１７（絶縁膜）は、画素電極９ａ上に積層された第１絶縁膜１７ａと、第１絶縁膜１７ａ上に積層された第２絶縁膜１７ｂとを備えており、第１絶縁膜１７ａはドープトシリコン酸化膜である。ここで、第２絶縁膜１７ｂはノンドープシリコン酸化膜からなる。かかる平坦化絶縁膜１７では、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜）と第２絶縁膜１７ｂ（ドープトシリコン酸化膜）の２層構造になっているが、平坦化絶縁膜１７において少なくとも画素電極９ａに接する最下層が、ドープトシリコン酸化膜からなる。
【００８３】
ここで、第１絶縁膜１７ａは、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部９ｅや、画素電極９ａにおいてコンタクトホール７ｄに起因して形成された凹部９ｆを概ね埋めている。但し、第１絶縁膜１７ａの表面には、下層側の凹凸に起因する凹凸が形成されている。これに対して、第２絶縁膜１７ｂは、ノンドープシリコン酸化膜であって、第２絶縁膜１７ｂは、画素電極９ａに重なる部分の表面と、隣り合う画素電極９ａの間に重なる部分の表面とが連続した平坦面を形成している。かかる構成は、第１絶縁膜１７ａおよび第２絶縁膜１７ｂをこの順に成膜した後、第２絶縁膜１７ｂの表面を化学機械研磨により平坦化することにより実現することができる。
【００８４】
このような構成によれば、実施の形態１や実施の形態４で説明した効果に加えて、ドープトシリコン酸化膜（第１絶縁膜１７ａ）の上層にノンドープシリコン酸化膜（第２絶縁膜１７ｂ）が形成されているため、実施の形態５と同様、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜）からの水分の放出を第２絶縁膜１７ｂ（ノンドープシリコン酸化膜）によって防止できるという利点がある。
【００８５】
また、本形態では、第２絶縁膜１７ｂ（ノンドープシリコン酸化膜）の表面を研磨するが、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜）の表面は研磨しない。このため、研磨装置がリンやボロンで汚染されることを防止することができる。なお、本形態では、画素電極９ａの下層側は実施の形態１で説明した構造を採用したが、画素電極９ａの下層側については実施の形態２、３で説明した構造を採用してもよい。
【００８６】
［実施の形態６の変形例］
上記実施の形態６では、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜）の表面については研磨せずに、第２絶縁膜１７ｂ（ノンドープシリコン酸化膜）の表面のみを研磨したが、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜）の表面および第２絶縁膜１７ｂ（ノンドープシリコン酸化膜）の表面の双方を研磨してもよい。
【００８７】
［他の電気光学装置への適用例］
上記実施の形態では、電気光学装置１００の素子基板１０として、反射型の液晶装置の素子基板１０に本発明を適用したが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置やプラズマ表示装置等、他の電気光学装置の素子基板に本発明を適用してもよい。
【００８８】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図１１は、本発明を適用した電気光学装置１００（反射型液晶装置）を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【００８９】
図１１に示す投射型表示装置１０００において、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って光源８１０、インテグレーターレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００を有している。また、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッター８４０と、偏光ビームスプリッター８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。
【００９０】
また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３つの反射型の電気光学装置１００（反射型の液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えており、光源部８９０は、３つの電気光学装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）に所定の色光を供給する。
【００９１】
かかる投射型表示装置１０００においては、３つの液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッター８４０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０等の被投射部材に投射する。
【００９２】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００９３】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９４】
９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１６・・配向膜、１７・・平坦化絶縁膜（絶縁膜）、２０・・対向基板、２１・・共通電極、４４・・第３層間絶縁膜（層間絶縁膜）、４６・・応力緩和膜、５０・・液晶層、１００・・電気光学装置、４６１・・第１応力緩和膜、４６２・・第２応力緩和膜、１０００・・投射型表示装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射性画素電極が形成された素子基板を備えた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置等の電気光学装置では、基板本体の一方面側に画素トランジスター、層間絶縁膜、画素電極がこの順に設けられた素子基板が用いられている。例えば、電気光学装置のうち、反射型の液晶装置に用いられる素子基板は、基板本体の一方面側に画素トランジスター、層間絶縁膜、アルミニウム膜等の反射性の画素電極、配向膜がこの順に設けられた構成になっている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、液晶装置において、反射性の画素電極の表面にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる絶縁膜が形成されることがある。例えば、配向膜としてシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜が用いられる場合、反射性の画素電極の表面に、絶縁膜として、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる平坦化絶縁膜が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１３９８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、反射性の画素電極を形成した後、画素電極の上層側に絶縁膜を形成すると、絶縁膜を成膜する際の熱が原因で画素電極に大きな熱応力が発生し、かかる熱応力は、画素電極の表面にヒロック等の欠陥を低下させるという問題点がある。例えば、ノンドープシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜の上層にアルミニウム膜からなる画素電極を形成した状態で絶縁膜を形成すると、アルミニウム膜の熱膨張係数（２３．１×１０-6／℃）と、ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数（０．５×１０-6／℃）との差が大きいため、画素電極に大きな熱応力が発生する。その結果、熱応力によって、画素電極の表面にヒロック等の欠陥が発生して画素電極表面の平滑度が低下し、画素電極の反射率が低下してしまう。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生することを防止することができる電気光学装置、および該電気光学装置を用いた投射型表示装置提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、素子基板用の基板本体の一方面側に設けられた画素トランジスターと、該画素トランジスターを前記基板本体が位置する側とは反対側で覆う層間絶縁膜と、前記画素トランジスターに対応して前記層間絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に設けられ、当該層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有する反射性の画素電極と、該画素電極を前記基板本体が位置する側とは反対側で覆う透光性の絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記画素電極との層間に設けられ、当該層間絶縁膜に接する部分が当該層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有するとともに、前記画素電極と接する部分が当該画素電極と異なる熱膨張係数を有する絶縁性の応力緩和膜と、を有していることを特徴とする。
【０００８】
本発明において、「層間絶縁膜に接する部分が層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有するとともに、画素電極と接する部分が画素電極と異なる熱膨張係数を有する絶縁性の応力緩和膜」とは、応力緩和膜が単層膜である場合、かかる単層膜が層間絶縁膜および画素電極と異なる熱膨張係数を有していることを意味する。また、応力緩和膜が多層膜である場合、応力緩和膜において、層間絶縁膜に接する層が層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有しており、画素電極に接する層が画素電極と異なる熱膨張係数を有していることを意味する。
【０００９】
本発明では、層間絶縁膜と画素電極との間には応力緩和膜が介在しており、かかる応力緩和膜は、層間絶縁膜と異なる熱膨張係数をもって層間絶縁膜に接するとともに、画素電極と異なる熱膨張係数をもって画素電極に接している。このため、絶縁膜を形成する際、層間絶縁膜の熱膨張係数と画素電極の熱膨張係数との差に起因する熱応力が画素電極に発生する場合でも、層間絶縁膜と画素電極とが直接、接している場合と比較して、熱応力の発生を軽減することができる。従って、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生するのを防止することができるので、画素電極表面の平滑度が低下して画素電極の反射率が低下するのを回避することができる。
【００１０】
本発明は、前記画素電極の最表層がアルミニウム膜（アルミニウム合金膜も含む）からなる場合に適用すると、効果的である。アルミニウム膜（熱膨張係数＝２３．１×１０-6／℃）は、ノンドープシリコン酸化膜（熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃）等との熱膨張係数の差が大きいので、大きな熱応力が発生しやすく、ヒロック等の欠陥が発生しやすい。従って、画素電極の最表層がアルミニウム膜からなる場合に本発明を適用すると、画素電極の表面にヒロック等の欠陥が発生するのを効果的に防止することができる。
【００１１】
本発明においては、例えば、前記応力緩和膜が、前記層間絶縁膜の熱膨張係数と前記画素電極の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する単層膜である構成を採用することができる。かかる構成によれば、応力緩和膜が層間絶縁膜と画素電極との間において熱膨張係数の差を緩和するので、画素電極に熱応力が発生するのを防止することができる。
【００１２】
本発明において、前記応力緩和膜は、前記層間絶縁膜の熱膨張係数、および前記画素電極の熱膨張係数よりも小さな熱膨張係数を有する単層膜である構成を採用してもよい。かかる構成によれば、応力緩和膜を上下から熱膨張係数が大きな層（層間絶縁膜および画素電極）で挟んだ構造となる。従って、層間絶縁膜と応力緩和膜との熱膨張係数の差に起因する熱応力と、応力緩和膜と画素電極との熱膨張係数の差に起因する熱応力とが打ち消されるので、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生するのを防止することができる。
【００１３】
本発明において、前記応力緩和膜は、前記層間絶縁膜と異なる熱膨張係数をもって当該層間絶縁膜に接する第１応力緩和膜と、該第１応力緩和膜および前記画素電極と異なる熱膨張係数をもって前記第１応力緩和膜および前記画素電極に接する第２応力緩和膜と、を備えている構成を採用してもよい。かかる構成によれば、第１応力緩和膜を上下から層間絶縁膜および第２応力緩和膜で挟み、第２応力緩和膜を上下から第１応力緩和膜および画素電極で挟んだ構造となる。従って、層間絶縁膜と第１応力緩和膜との熱膨張係数の差に起因する熱応力と、第１応力緩和膜と第２応力緩和膜との熱膨張係数の差に起因する熱応力と、第２応力緩和膜と画素電極との熱膨張係数の差に起因する熱応力とが互いに打ち消されるので、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生するのを防止することができる。
【００１４】
この場合、前記第１応力緩和膜は、前記層間絶縁膜に比して大きな熱膨張係数を有し、前記第２応力緩和膜は、前記第１応力緩和膜および前記画素電極に比して小さな熱膨張係数を有していることが好ましい。
【００１５】
本発明においては、前記絶縁膜において少なくとも前記画素電極に接する部分が、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなることが好ましい。かかる構成によれば、ドープトシリコン酸化膜の熱膨張係数（２〜４×１０-6／℃）は、ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数（０．５×１０-6／℃）等に比して、画素電極を構成するアルミニウム膜の熱膨張係数（２３．１×１０-6／℃）や他の金属材料の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態でドープトシリコン酸化膜を成膜しても、画素電極および絶縁膜に大きな熱応力が発生しないので、画素電極の表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい。
【００１６】
本発明において電気光学装置を液晶装置として構成する場合、前記素子基板の一方面側に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、が設けられ、前記素子基板の最表面には配向膜が設けられることになる。
【００１７】
本発明において、前記配向膜は無機配向膜であることが好ましい。かかる構成によれば、有機配向膜と違ってラビング処理を行う必要がないので、ラビング処理に起因するコストの増大や配向特性のばらつき等が発生しない。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置が液晶装置であって、かかる液晶装置をライトバルブとして投射型表示装置では、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられることになる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置で用いた応力緩和膜の説明図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の画素の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置で用いた応力緩和膜の説明図である。
【図９】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の画素の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の画素の断面図である。
【図１１】本発明を適用した電気光学装置（反射型液晶装置）を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、画素トランジスターとして用いた電界効果型トランジスターは、流れる電流の方向が反転するに伴ってソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板の構成を説明するにあたって、素子基板の基板本体が位置する側を下層側とし、素子基板の基板本体が位置する側とは反対側を上層側として説明する。また、素子基板に形成された層において、表面および表層とは、基板本体が位置する側とは反対側の面や層を意味する。
【００２１】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、本形態の電気光学装置１００は、反射型の液晶装置であり、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの反射型の液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ａ（画像表示領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画素領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２２】
素子基板１０において、画素領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２３】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃに導通している。
【００２４】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００２５】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画素領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０において、画素領域１０ａの外側では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２６】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面側において、画素領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に対応して設けられた画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。なお、素子基板１０の一方面側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画素領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を揃え、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画素領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００２７】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されている。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる領域等にも形成されることがある。
【００２８】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる領域に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通部１０９が形成されている。かかる基板間導通部１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａを介して素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通部１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００２９】
かかる構成の電気光学装置１００において、本形態では、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａを反射性導電膜により形成してある。このため、本形態の電気光学装置１００では、対向基板２０側から入射した光は、素子基板１０側で反射して対向基板２０側から出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３０】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３１】
以下、本形態の電気光学装置１００では、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いれられ、液晶パネル１００ｐがＶＡモード用に構成されている場合を中心に説明する。
【００３２】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた素子基板１０において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａは太くて長い破線で示し、下電極層４ａは細い実線で示してある。
【００３３】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。素子基板１０上には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３４】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されており、対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３５】
素子基板１０において、複数の画素１００ａの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、基板本体１０ｗ上に、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２上に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化してなるシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との２層構造を有する場合もある。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。
【００３６】
走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層には下電極層４ａが形成されている。下電極層４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。下電極層４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。
【００３７】
下電極層４ａの上層側には、シリコン窒化膜等からなる誘電体層４２が形成されている。誘電体層４２の上層側には、誘電体層４２を介して下電極層４ａと対向するように容量線５ｂ（上電極層）が形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２および下電極層４ａによって、保持容量５５が形成されている。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。ここで、下電極層４ａ、誘電体層４２および容量線５ｂ（上電極層）は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。このため、保持容量５５は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、少なくとも画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。
【００３８】
容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール７ｂを介して下電極層４ａに電気的に接続し、下電極層４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００３９】
（画素電極９ａ周辺の構成）
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、厚さが６００ｎｍ程度のシリコン酸化膜等からなる第３層間絶縁膜４４が形成されており、かかる第３層間絶縁膜４４の上層側には、アルミニウム膜等の反射性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａの厚さは２００ｎｍ程度である。
【００４０】
本形態では、第３層間絶縁膜４４の上層に、後述する絶縁性の応力緩和膜４６が積層されており、かかる応力緩和膜４６の上層に画素電極９ａが積層されている。応力緩和膜４６の厚さは例えば、第３層間絶縁膜４４の厚さの１／１０程度であり、本形態において、応力緩和膜４６の厚さは５０ｎｍ程度である。第３層間絶縁膜４４および応力緩和膜４６には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール７ｄが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール７ｄを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。本形態において、応力緩和膜４６の表面は連続した平坦面になっており、かかる平坦面上に画素電極９ａが形成されている。かかる平坦面は、後述する製造方法のように、第３層間絶縁膜４４の表面および応力緩和膜４６の表面のうちの少なくとも一方を研磨により平坦化することにより構成することができる。なお、応力緩和膜４６の表面には、図２（ｂ）を参照して説明したダミー画素電極９ｂ（図３には図示せず）が形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成された反射性導電膜からなる。
【００４１】
本形態において、画素電極９ａとしては、アルミニウム膜の単層膜、チタン窒化膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜、チタン膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜等が用いられている。かかる画素電極９ａのうち、アルミニウム膜の下層側にチタン窒化膜やチタン膜を形成すれば、画素電極９ａの下面側での反射を防止でき、迷光の発生を防止できるという利点や、アルミニウム膜表面が平滑となり、アルミニウム膜の反射率が向上するという利点がある。
【００４２】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。配向膜１６と画素電極９ａとの層間には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる平坦化絶縁膜１７が透光性の絶縁膜として形成されており、画素電極９ａは平坦化絶縁膜１７によって覆われている。かかる平坦化絶縁膜１７は、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部９ｅや、画素電極９ａにおいてコンタクトホール７ｄに起因して形成された凹部９ｆを埋めている。また、平坦化絶縁膜１７の表面は平坦面になっており、隣り合う画素電極９ａの間（凹部９ｅ）と重なる部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成している。このため、平坦面上に斜方蒸着を行って配向膜１６を形成することができるので、配向膜１６を構成する斜方蒸着膜を好適に形成することができる。
【００４３】
（第３層間絶縁膜４４および応力緩和膜４６の膜構成）
本形態の電気光学装置１００において、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接しているとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。また、第３層間絶縁膜４４、応力緩和膜４６、および画素電極９ａの熱膨張係数は以下の関係
熱膨張係数
第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａ
を有しており、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４の熱膨張係数と画素電極９ａの熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する単層膜である。
【００４４】
より具体的には、第３層間絶縁膜４４は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜（ＮＳＧ膜）からなる。応力緩和膜４６は、リンがドープされたリンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンがドープされたボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、ボロンおよびリンがドープされたボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなる。従って、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４に比して、画素電極９ａを構成する材料との熱膨張係数の差が小さい。
【００４５】
すなわち、画素電極９ａを構成する材料の熱膨張係数は以下のレベル
アルミニウム膜の熱膨張係数＝２３．１×１０-6／℃
チタン窒化膜の熱膨張係数＝９．３×１０-6／℃
チタン膜の熱膨張係数＝１１．０×１０-6／℃
である。これに対して、応力緩和膜４６および第３層間絶縁膜４４の熱膨張係数は以下のレベル
応力緩和膜４６（ドープトシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝２〜４×１０-6／℃
第３層間絶縁膜４４（ノンドープシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃
である。
【００４６】
（対向基板２０等の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜２６と共通電極２１との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜２７が形成されている。保護膜２７は、表面が平坦面になっており、かかる平坦面上に配向膜２６が形成されている。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００４７】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、Ｎチャネル型の駆動用トランジスターとＰチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００４８】
（電気光学装置１００の製造方法）
図４および図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。本形態の電気光学装置１００を製造するにあたって、素子基板１０の製造方法では、図４（ａ）に示すように、画素トランジスター３０、保持容量５５、データ線６ａを形成した後、第３層間絶縁膜４４を形成するためのシリコン酸化膜（ノンドープシリコン酸化膜）を減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等により形成する（層間絶縁膜形成工程）。かかるノンドープシリコン酸化膜を形成する際に減圧ＣＶＤ法を採用する場合、成膜温度は、例えば６５０〜７５０℃であり、使用する原料ガスはＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4等である。また、ノンドープシリコン酸化膜を形成する際にプラズマＣＶＤ法を採用する場合、成膜温度は、例えば２５０〜４５０℃であり、使用する原料ガスはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ等である。また、ノンドープシリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法により形成する際、使用する原料ガスがＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4、Ｏ2等である場合、成膜温度は、例えば３５０〜４５０℃である。
【００４９】
次に、図４（ｂ）に示す平坦化工程では、第３層間絶縁膜４４の表面を研磨し、その表面を平坦化する。かかる平坦化工程では、化学機械研磨を利用でき、化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と素子基板１０との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、素子基板１０を保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と素子基板１０との間に供給する。
【００５０】
次に、図４（ｃ）に示す応力緩和膜形成工程では、第３層間絶縁膜４４の上層に常圧ＣＶＤ法等によりドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６を形成する。かかる応力緩和膜４６を形成した際、第３層間絶縁膜４４の表面が連続した平坦面になっているので、応力緩和膜４６の表面も連続した平坦面となる。応力緩和膜４６を形成する際の成膜温度は、例えば３５０〜４５０℃である。また、応力緩和膜４６（ドープトシリコン酸化膜）として、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）を形成する場合、使用する原料ガスはＳｉＨ4、ＰＨ3、Ｏ3等であり、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）を形成する場合、使用する原料ガスはＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、Ｏ3等であり、ボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）を形成する場合、使用する原料ガスはＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3、Ｏ3等である。
【００５１】
次に、図４（ｄ）に示すコンタクトホール形成工程では、応力緩和膜４６および第３層間絶縁膜４４を貫通してドレイン電極６ｂに到達するコンタクトホール７ｄを形成する。
【００５２】
次に、図５（ａ）に示す画素電極形成工程では、応力緩和膜４６の上層に画素電極９ａを形成するための反射性導電膜を形成した後、反射性導電膜をパターニングし、画素電極９ａを形成する。
【００５３】
次に、図５（ｂ）に示す平坦化膜形成工程では、減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等により、ノンドープシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる透光性の平坦化絶縁膜１７を厚く形成した後、図５（ｃ）に示す平坦化工程において、平坦化絶縁膜１７の表面に化学機械研磨を行って、平坦化絶縁膜１７の表面を平坦化する。その際、画素電極９ａの表面が露出しない程度に平坦化絶縁膜１７を残す。その結果、平坦化絶縁膜１７では、隣り合う画素電極９ａの間（凹部９ｅ）と重なる部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成することになる。なお、平坦化絶縁膜１７をノンドープシリコン酸化膜により形成する方法は上記の通りである。また、平坦化絶縁膜１７をシリコン窒化膜により形成するにあたって、減圧ＣＶＤ法を採用する場合、成膜温度は、例えば、６５０〜８５０℃であり、使用する原料ガスはＳｉＨ2Ｃｌ2、ＮＨ3等である。また、シリコン窒化膜を形成する際にプラズマＣＶＤ法を採用する場合、成膜温度は、例えば、２５０〜４００℃であり、使用する原料ガスはＳｉＨ4、ＮＨ3等である。
【００５４】
このようにして平坦化絶縁膜１７を形成した後は、図５（ｃ）には図示しない外部接続端子等を形成したのち、平坦化絶縁膜１７の表面に斜方蒸着を行い、図３に示すように配向膜１６を形成する。
【００５５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００においては、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間には応力緩和膜４６が介在しており、かかる応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。このため、平坦化絶縁膜１７（絶縁膜）を形成する際、第３層間絶縁膜４４の熱膨張係数と画素電極９ａの熱膨張係数との差に起因する熱応力が画素電極９ａに発生する場合でも、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとが直に接している場合と比較して、熱応力の発生を軽減することができる。すなわち、本形態では、応力緩和膜４６が、第３層間絶縁膜４４（ノンドープシリコン酸化膜）の熱膨張係数と画素電極９ａ（アルミニウム膜等）の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する単層膜（ドープトシリコン酸化膜）であるため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。従って、熱膨張係数の差に起因する熱応力が画素電極９ａに発生するのを防止することができる。それ故、本形態によれば、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極９ａの表面に発生するのを防止することができるので、画素電極９ａ表面の平滑度が低下して画素電極９ａの反射率が低下するのを回避することができる。
【００５６】
また、本形態では、配向膜１６、２６が無機配向膜であるため、有機配向膜と違ってラビング処理を行う必要がない。それ故、ラビング処理に起因するコストの増大や配向特性のばらつき等が発生しない。
【００５７】
なお、図４および図５に示す製造方法では、第３層間絶縁膜４４の表面を平坦化したが、応力緩和膜４６の表面を平坦化してもよく、第３層間絶縁膜４４の表面および応力緩和膜４６の表面の双方を平坦化してもよい。
【００５８】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００で用いた応力緩和膜４６の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。また、本形態の基本的な構成の説明にあたっては、図３（ｂ）を参照する。
【００５９】
図３（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間には応力緩和膜４６が形成されており、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接しているとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。
【００６０】
本形態では、第３層間絶縁膜４４、応力緩和膜４６、および画素電極９ａの熱膨張係数は以下の関係
熱膨張係数
第３層間絶縁膜４４＞応力緩和膜４６＜画素電極９ａ
を有している。
【００６１】
より具体的には、第３層間絶縁膜４４は、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、ボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等のドープトシリコン酸化膜からなり、応力緩和膜４６はノンドープシリコン酸化膜（ＮＳＧ膜）からなる。従って、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４および画素電極９ａより熱膨張係数が小さい単層膜からなる。
【００６２】
すなわち、画素電極９ａを構成する材料の熱膨張係数は以下のレベル
アルミニウム膜の熱膨張係数＝２３．１×１０-6／℃
チタン窒化膜の熱膨張係数＝９．３×１０-6／℃
チタン膜の熱膨張係数＝１１．０×１０-6／℃
である。これに対して、応力緩和膜４６および第３層間絶縁膜４４の熱膨張係数は以下のレベル
応力緩和膜４６（ノンドープシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃
第３層間絶縁膜４４（ドープトシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝２〜４×１０-6／℃
であり、応力緩和膜４６を上下から熱膨張係数が大きな層（第３層間絶縁膜４４および画素電極９ａ）で挟んだ構造になっている。
【００６３】
従って、本形態では、図６（ａ）に示すように、応力緩和膜４６と画素電極９ａとの間では、画素電極９ａの方が応力緩和膜４６に比して熱膨張係数が大きいため、高温雰囲気では上方に反るような応力が発生する。これに対して、図６（ｂ）に示すように、第３層間絶縁膜４４と応力緩和膜４６との間では、第３層間絶縁膜４４の方が応力緩和膜４６に比して熱膨張係数が大きいため、高温雰囲気では下方に反るような応力が発生する。このため、第３層間絶縁膜４４と応力緩和膜４６との熱膨張係数の差に起因する熱応力と、応力緩和膜４６と画素電極９ａとの熱膨張係数の差に起因する熱応力とが打ち消されるので、画素電極９ａに発生する熱応力が緩和される。それ故、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極９ａの表面に発生するのを防止することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６４】
［実施の形態３］
図７は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の画素の断面図である。図８は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００で用いた応力緩和膜４６の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。図７に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間には応力緩和膜４６が形成されている。
【００６５】
本形態において、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接する下層側の第１応力緩和膜４６１と、第１応力緩和膜４６１および画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって第１応力緩和膜４６１および画素電極９ａに接する上層側の第２応力緩和膜４６２とを備えている。このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接しているとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。本形態において、応力緩和膜４６の厚さは５０ｎｍ程度であり、第１応力緩和膜４６１および第２応力緩和膜４６２の厚さは各々、２５ｎｍ程度である。
【００６６】
また、本形態では、第３層間絶縁膜４４、応力緩和膜４６（第１応力緩和膜４６１および第２応力緩和膜４６２）の熱膨張係数は以下の関係
熱膨張係数
第３層間絶縁膜４４＜第１応力緩和膜４６１＞第２応力緩和膜４６２＜画素電極９ａ
を有している。
【００６７】
より具体的には、第３層間絶縁膜４４はノンドープシリコン酸化膜（ＮＳＧ膜）からなり、第１応力緩和膜４６１は、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、ボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等のドープトシリコン酸化膜からなり、第２応力緩和膜４６２はノンドープシリコン酸化膜（ＮＳＧ膜）からなる。従って、第１応力緩和膜４６１は、第３層間絶縁膜４４に比して大きな熱膨張係数を有し、第２応力緩和膜４６２は、第１応力緩和膜４６１および画素電極９ａに比して小さな熱膨張係数を有している。
【００６８】
すなわち、画素電極９ａを構成する材料の熱膨張係数は以下のレベル
アルミニウム膜の熱膨張係数＝２３．１×１０-6／℃
チタン窒化膜の熱膨張係数＝９．３×１０-6／℃
チタン膜の熱膨張係数＝１１．０×１０-6／℃
である。これに対して、応力緩和膜４６（第１応力緩和膜４６１および第２応力緩和膜４６２）および第３層間絶縁膜４４の熱膨張係数は以下のレベル
第２応力緩和膜４６２（ノンドープシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃
第１応力緩和膜４６１（ドープトシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝２〜４×１０-6／℃
第３層間絶縁膜４４（ノンドープシリコン酸化膜）の熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃
であり、第１応力緩和膜４６１を上下から第３層間絶縁膜４４および第２応力緩和膜４６２で挟み、第２応力緩和膜４６２を上下から第１応力緩和膜４６１および画素電極９ａで挟んだ構造になっている。
【００６９】
従って、本形態では、図８（ａ）に示すように、第２応力緩和膜４６２と画素電極９ａとの間では、画素電極９ａの方が第２応力緩和膜４６２に比して熱膨張係数が大きいため、高温雰囲気では上方に反るような応力が発生する。また、図８（ｂ）に示すように、第１応力緩和膜４６１と第２応力緩和膜４６２との間では、第１応力緩和膜４６１の方が第２応力緩和膜４６２に比して熱膨張係数が大きいため、高温雰囲気では下方に反るような応力が発生する。また、図８（ｃ）に示すように、第３層間絶縁膜４４と第１応力緩和膜４６１との間では、第１応力緩和膜４６１の方が第３層間絶縁膜４４に比して熱膨張係数が大きいため、高温雰囲気では上方に反るような応力が発生する。このため、第３層間絶縁膜４４と第１応力緩和膜４６１との熱膨張係数の差に起因する熱応力と、第１応力緩和膜４６１と第２応力緩和膜４６２との熱膨張係数の差に起因する熱応力と、第２応力緩和膜４６２と画素電極９ａとの熱膨張係数の差に起因する熱応力とが打ち消されるので、画素電極９ａに発生する熱応力が緩和される。それ故、熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極９ａの表面に発生するのを防止することができる等、実施の形態１、２と同様な効果を奏する。
【００７０】
［実施の形態４］
本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。また、本形態の基本的な構成の説明にあたっては、図３（ｂ）を参照する。
【００７１】
図３（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間には応力緩和膜４６が形成されており、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接しているとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。
【００７２】
本形態において、平坦化絶縁膜１７（絶縁膜）は、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、ボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等のドープトシリコン酸化膜からなる。かかるドープトシリコン酸化膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜に比して、画素電極９ａを構成する材料との熱膨張係数の差が小さい。
【００７３】
すなわち、画素電極９ａを構成する材料の熱膨張係数は以下のレベル
アルミニウム膜の熱膨張係数＝２３．１×１０-6／℃
チタン窒化膜の熱膨張係数＝９．３×１０-6／℃
チタン膜の熱膨張係数＝１１．０×１０-6／℃
である。これに対して、ドープトシリコン酸化膜およびノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数は以下のレベル
ドープトシリコン酸化膜１７０＝２〜４×１０-6／℃
ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃
である。
【００７４】
このため、本形態によれば、実施の形態１と同様な効果に加えて、平坦化絶縁膜１７と画素電極９ａを構成する材料との熱膨張係数の差が小さいので、加熱した状態で平坦化絶縁膜１７を成膜しても、画素電極９ａおよび平坦化絶縁膜１７に大きな熱応力が発生せず、画素電極９ａの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくいという効果を奏する。従って、ヒロック等の欠陥が原因で画素電極９ａの表面の平滑度が低下して画素電極９ａの反射率が低下するのを回避することができる。また、ドープトシリコン酸化膜１７０は、段差被覆性に優れているため、画素電極９ａの表面にコンタクトホール７ｄに起因する凹部９ｆが形成されている場合でも、ドープトシリコン酸化膜１７０において凹部９ｆを埋める部分に空洞が発生しにくい。それ故、空洞が平坦化絶縁膜１７の表面で露出することが原因で画素電極９ａでの反射方向が乱れて表示画像のコントラストが低下するのを防止することができる。なお、本形態では、画素電極９ａの下層側は実施の形態１で説明した構造を採用したが、画素電極９ａの下層側については実施の形態２、３で説明した構造を採用してもよい。
【００７５】
［実施の形態５］
図９は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の画素の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００７６】
図９に示すように、本形態の電気光学装置１００に用いた素子基板１０でも、実施の形態１と同様、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間には応力緩和膜４６が形成されており、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接しているとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。
【００７７】
また、本形態では、実施の形態４と同様、平坦化絶縁膜１７（絶縁膜）は、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、ボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等のドープトシリコン酸化膜からなる。かかるドープトシリコン酸化膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜に比して、画素電極９ａを構成する材料との熱膨張係数の差が小さい。
【００７８】
また、本形態では、平坦化絶縁膜１７の上層にノンドープシリコン酸化膜からなる保護膜１８が積層されており、かかる保護膜１８の上層に配向膜１６（無機配向膜／斜方蒸着膜）が積層されている。かかる構成では、平坦化絶縁膜１７では、隣り合う画素電極９ａの間（凹部９ｅ）と重なる部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成しているため、保護膜１８の表面は研磨処理を行わなくても平坦面になっている。
【００７９】
このような構成によれば、実施の形態１や実施の形態４で説明した効果に加えて、ドープトシリコン酸化膜からなる平坦化絶縁膜１７の上層にノンドープシリコン酸化膜からなる保護膜１８が形成されているため、電気光学装置１００の信頼性が高い。すなわち、ドープトシリコン酸化膜は、画素電極９ａでのヒロックの発生防止や空洞の発生防止という点では優れているが、水分を吸着しやすい。このため、ドープトシリコン酸化膜から水分が放出されると、かかる水分が液晶層５０に侵入する可能性があるが、平坦化絶縁膜１７（ドープトシリコン酸化膜）の表面にノンドープシリコン酸化膜（保護膜１８）を積層すれば、かかる水分の液晶層への進入をノンドープシリコン酸化膜（保護膜１８）によって防止できるという利点がある。なお、本形態では、画素電極９ａの下層側は実施の形態１で説明した構造を採用したが、画素電極９ａの下層側については実施の形態２、３で説明した構造を採用してもよい。
【００８０】
［実施の形態６］
図１０は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の画素の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００８１】
図１０に示すように、本形態の電気光学装置１００に用いた素子基板１０でも、実施の形態１と同様、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間には応力緩和膜４６が形成されており、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接しているとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。
【００８２】
本形態において、平坦化絶縁膜１７（絶縁膜）は、画素電極９ａ上に積層された第１絶縁膜１７ａと、第１絶縁膜１７ａ上に積層された第２絶縁膜１７ｂとを備えており、第１絶縁膜１７ａはドープトシリコン酸化膜である。ここで、第２絶縁膜１７ｂはノンドープシリコン酸化膜からなる。かかる平坦化絶縁膜１７では、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜）と第２絶縁膜１７ｂ（ドープトシリコン酸化膜）の２層構造になっているが、平坦化絶縁膜１７において少なくとも画素電極９ａに接する最下層が、ドープトシリコン酸化膜からなる。
【００８３】
ここで、第１絶縁膜１７ａは、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部９ｅや、画素電極９ａにおいてコンタクトホール７ｄに起因して形成された凹部９ｆを概ね埋めている。但し、第１絶縁膜１７ａの表面には、下層側の凹凸に起因する凹凸が形成されている。これに対して、第２絶縁膜１７ｂは、ノンドープシリコン酸化膜であって、第２絶縁膜１７ｂは、画素電極９ａに重なる部分の表面と、隣り合う画素電極９ａの間に重なる部分の表面とが連続した平坦面を形成している。かかる構成は、第１絶縁膜１７ａおよび第２絶縁膜１７ｂをこの順に成膜した後、第２絶縁膜１７ｂの表面を化学機械研磨により平坦化することにより実現することができる。
【００８４】
このような構成によれば、実施の形態１や実施の形態４で説明した効果に加えて、ドープトシリコン酸化膜（第１絶縁膜１７ａ）の上層にノンドープシリコン酸化膜（第２絶縁膜１７ｂ）が形成されているため、実施の形態５と同様、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜）からの水分の放出を第２絶縁膜１７ｂ（ノンドープシリコン酸化膜）によって防止できるという利点がある。
【００８５】
また、本形態では、第２絶縁膜１７ｂ（ノンドープシリコン酸化膜）の表面を研磨するが、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜）の表面は研磨しない。このため、研磨装置がリンやボロンで汚染されることを防止することができる。なお、本形態では、画素電極９ａの下層側は実施の形態１で説明した構造を採用したが、画素電極９ａの下層側については実施の形態２、３で説明した構造を採用してもよい。
【００８６】
［実施の形態６の変形例］
上記実施の形態６では、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜）の表面については研磨せずに、第２絶縁膜１７ｂ（ノンドープシリコン酸化膜）の表面のみを研磨したが、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜）の表面および第２絶縁膜１７ｂ（ノンドープシリコン酸化膜）の表面の双方を研磨してもよい。
【００８７】
［他の電気光学装置への適用例］
上記実施の形態では、電気光学装置１００の素子基板１０として、反射型の液晶装置の素子基板１０に本発明を適用したが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置やプラズマ表示装置等、他の電気光学装置の素子基板に本発明を適用してもよい。
【００８８】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図１１は、本発明を適用した電気光学装置１００（反射型液晶装置）を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【００８９】
図１１に示す投射型表示装置１０００において、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って光源８１０、インテグレーターレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００を有している。また、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッター８４０と、偏光ビームスプリッター８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。
【００９０】
また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３つの反射型の電気光学装置１００（反射型の液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えており、光源部８９０は、３つの電気光学装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）に所定の色光を供給する。
【００９１】
かかる投射型表示装置１０００においては、３つの液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッター８４０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０等の被投射部材に投射する。
【００９２】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００９３】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９４】
９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１６・・配向膜、１７・・平坦化絶縁膜（絶縁膜）、２０・・対向基板、２１・・共通電極、４４・・第３層間絶縁膜（層間絶縁膜）、４６・・応力緩和膜、５０・・液晶層、１００・・電気光学装置、４６１・・第１応力緩和膜、４６２・・第２応力緩和膜、１０００・・投射型表示装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板用の基板本体の一方面側に設けられた画素トランジスターと、
該画素トランジスターを前記基板本体が位置する側とは反対側で覆う層間絶縁膜と、
前記画素トランジスターに対応して前記層間絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に設けられ、当該層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有する反射性の画素電極と、
該画素電極を前記基板本体が位置する側とは反対側で覆う透光性の絶縁膜と、
前記層間絶縁膜と前記画素電極との層間に設けられ、当該層間絶縁膜に接する部分が当該層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有するとともに、前記画素電極と接する部分が当該画素電極と異なる熱膨張係数を有する絶縁性の応力緩和膜と、
を有していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素電極は、最表層がアルミニウム膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記応力緩和膜は、前記層間絶縁膜の熱膨張係数と前記画素電極の熱膨張係数との間の
熱膨張係数を有する単層膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記応力緩和膜は、前記層間絶縁膜の熱膨張係数、および前記画素電極の熱膨張係数よりも小さな熱膨張係数を有する単層膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記応力緩和膜は、前記層間絶縁膜と異なる熱膨張係数をもって当該層間絶縁膜に接する第１応力緩和膜と、該第１応力緩和膜および前記画素電極と異なる熱膨張係数をもって前記第１応力緩和膜および前記画素電極に接する第２応力緩和膜と、を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１応力緩和膜は、前記層間絶縁膜に比して大きな熱膨張係数を有し、
前記第２応力緩和膜は、前記第１応力緩和膜および前記画素電極に比して小さな熱膨張係数を有していることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記絶縁膜において少なくとも前記画素電極に接する部分が、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記素子基板の一方面側に対向配置された対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、
を有し、
前記素子基板の最表面には配向膜が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記配向膜は無機配向膜からなることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１】
素子基板用の基板本体の一方面側に設けられた画素トランジスターと、
該画素トランジスターを前記基板本体が位置する側とは反対側で覆う層間絶縁膜と、
前記画素トランジスターに対応して前記層間絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に設けられ、当該層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有する反射性の画素電極と、
該画素電極を前記基板本体が位置する側とは反対側で覆う透光性の絶縁膜と、
前記層間絶縁膜と前記画素電極との層間に設けられ、当該層間絶縁膜に接する部分が当該層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有するとともに、前記画素電極と接する部分が当該画素電極と異なる熱膨張係数を有する絶縁性の応力緩和膜と、
を有していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素電極は、最表層がアルミニウム膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記応力緩和膜は、前記層間絶縁膜の熱膨張係数と前記画素電極の熱膨張係数との間の
熱膨張係数を有する単層膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記応力緩和膜は、前記層間絶縁膜の熱膨張係数、および前記画素電極の熱膨張係数よりも小さな熱膨張係数を有する単層膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記応力緩和膜は、前記層間絶縁膜と異なる熱膨張係数をもって当該層間絶縁膜に接する第１応力緩和膜と、該第１応力緩和膜および前記画素電極と異なる熱膨張係数をもって前記第１応力緩和膜および前記画素電極に接する第２応力緩和膜と、を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１応力緩和膜は、前記層間絶縁膜に比して大きな熱膨張係数を有し、
前記第２応力緩和膜は、前記第１応力緩和膜および前記画素電極に比して小さな熱膨張係数を有していることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記絶縁膜において少なくとも前記画素電極に接する部分が、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記素子基板の一方面側に対向配置された対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、
を有し、
前記素子基板の最表面には配向膜が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記配向膜は無機配向膜からなることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−１０８１６９（Ｐ２０１２−１０８１６９Ａ）
【公開日】平成２４年６月７日（２０１２．６．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２５４５８７（Ｐ２０１０−２５４５８７）
【出願日】平成２２年１１月１５日（２０１０．１１．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月７日（２０１２．６．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月１５日（２０１０．１１．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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