【課題】 マトリクス構造における進行性のある欠陥を容易に検出可能にする。
【解決手段】 マトリクス構造で格子状に交差する複数のゲート線４ｃ、４ｄ及び複数のデータ線３ａを有する。複数のゲート線４ｃ、４ｄ及び複数のデータ線３ａの交差部毎に配置された画素部２ａに所定の駆動電圧が印加される。駆動電圧よりも大きな電圧を画素部に印加して欠陥１１０の進行を加速させる工程と、駆動電圧を画素部２ａに連続的に印加して欠陥１１０の進行を加速させる工程との少なくともいずれか一方の工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスにおける半導体層の熱的制限の影響が少なく、低コスト化に有利な画素構造を提供する。
【解決手段】 画素構造は、画素電極２０と、この画素電極２０に対応するスイッチング素子１０とを有する。画素電極２０とスイッチング素子１０とが同一の基板Ｐ上に形成されており、スイッチング素子１０における半導体層１１に比べて基板Ｐ側の層（第１層Ｌ１）に画素電極２０が配されている。 （もっと読む）

【課題】 第１支持基板から第２支持基板に転写する際に、アクティブマトリクス素子の構造や機能を破壊することがなく、信頼性の高いアクティブマトリクス基板の製造方法及びこの製造方法によって得られるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】 第１支持基板２１と、この第１支持基板２１上に設けられた、この第１支持基板２１とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第１成膜層２２と、この第１成膜層２２上に設けられた、この第１成膜層２２とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第２成膜層１３と、この第２成膜層１３上に設けられた、この第２成膜層１３とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第３成膜層１４と、この第３成膜層１４上に設けられた薄膜トランジスタ（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ，１６，１７，１９，２０）を有する画素のマトリクスとを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体層を挟んだ両側にそれぞれゲート電極が配された薄膜トランジスタにおける前記両ゲート電極の電圧印加効果を良好なものとして薄膜トランジスタのスイッチング特性を十分に発揮させ、もって良好な高精細表示を得られるようにした電気光学装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、半導体層４２と、該半導体層４２のチャネル領域の一面側に下地絶縁膜１２（第１絶縁膜）を介して対向する第１ゲート配線１５ｂ（第１ゲート電極）と、前記チャネル領域の他面側に絶縁薄膜２（第２絶縁膜）を介して対向するゲート電極３２（第２ゲート電極）とを具備したＴＦＴ３０を備えており、前記半導体層４２は、前記第１ゲート配線１５ｂと対向する第１ポリシリコン膜４２ａと、前記ゲート電極３２（３３）と対向する第２ポリシリコン膜４２ｂとの積層膜からなるものとされている。 （もっと読む）

【課題】 同一基板上に高速動作可能な周辺駆動回路と高耐圧な画素回路の双方を備えた電気光学装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、同一基板１０上に画素回路と周辺駆動回路とを備えた電気光学装置であって、前記画素回路と前記周辺駆動回路はそれぞれ多結晶半導体層３０ｓ，３２ｓを備えたトランジスタ３０，３２を含み、前記画素回路のトランジスタ３０はトップゲート型の構造を有し、前記周辺駆動回路用のトランジスタ３２はボトムゲート型の構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブ基板上に柱状スペーサを形成し、液晶表示装置の生産コストの低減を図る。
【解決手段】アクティブ基板を保護する機能を有するパシベーション絶縁層またはソース・ドレイン配線上に形成された感光性有機絶縁層パターンの形成にあたり、ハーフトーン露光技術を併用して、パシベーション絶縁層上に局所的に感光性有機絶縁層パターンを形成する、感光性有機絶縁層よりなるパシベーション絶縁層の一部の膜厚を厚く形成する、あるいはソース・ドレイン配線上に形成された感光性有機絶縁層の一部の膜厚を厚く形成する等の手段によりアクティブ基板上に柱状スペーサを形成する。 （もっと読む）

【課題】半透過型液晶表示装置の光漏れを抑制する。
【解決手段】半透過型液晶表示装置は、所定の間隙を介してお互いに接合した一対の基板１と、間隙に保持された液晶とからなる。片方の基板１には行状の走査線４と列状の信号線５とこれらを被覆する平坦化膜６とこれら走査線４及び信号線５によって駆動される行列状の画素７とが形成されている。各画素７は上下の走査線４と左右の信号線５とで区画されている。各画素７は反射電極が形成された反射領域８と透明電極が形成された透過領域９とに上下で分かれている。信号線５より幅の太い遮光膜１０が信号線５と基板１の表面との間に介在しており、透過領域９で信号線５の脇からの光漏れを防止する。 （もっと読む）

導電部所有体５００の表面に被覆膜１００を形成する工程と、上記被覆膜１００が形成された導電体５００上に感光性膜１１０を形成する工程と、上記感光性膜１１０を、凹部又は凸部のパターンに対応するパターンに露光する工程と、上記露光された感光性膜１１０を現像する工程と、上記現像された感光性膜１１０をベーキングする工程とを有する電子装置の製造方法。該製造方法により、金属膜が必要以上に除去されてしまう現象を防止又は緩和する。
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【課題】高速動作が可能であり、小型化が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、透明なサファイア基板１０と、サファイア基板１０の所定領域を覆うＳｉ０₂膜と、Ｓｉ０₂膜上に形成されており、ソース領域２０ａ１、ドレイン領域２０ａ３及びチャンネル領域２０ａ２を備える単結晶シリコン層２０ａと、
単結晶シリコン層２０ａのチャンネル領域２０ａ２上に順次積層されたゲート絶縁膜２６及びゲート電極２８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴ等の薄膜半導体装置において、耐電圧性を高め、オフリーク電流を低減する。
【解決手段】 チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含むと共に島状の平面パターンを有する半導体膜と、この上又は下に積層されたゲート絶縁膜と、これを介してチャネル領域に対向配置されたゲート電極とを備える。ゲート絶縁膜は、半導体膜における島状の平面パターンの周辺領域とゲート電極との層間に挟持される第１部分において、局所的に厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する液晶表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 同一基板上に形成されたＴＦＴと容量素子に対して、高い耐電圧を確保するとともに、容量素子の静電容量を向上可能な薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板１０において、誘電体膜２ｃは、第１領域１ｃの外側領域には、第１領域２０１ｃよりも膜厚が厚い第２領域２０２ｃを備えているので、蓄積容量７０の耐電圧が高い。従って、蓄積容量７０では、高い耐電圧が得られるとともに、耐電圧を高くするために誘電体膜２ｃの膜厚を厚くしたことに起因する静電容量の低下を最小限に止めることができる。よって、同一基板上に形成されたＴＦＴ３０と蓄積容量７０に対して、高い耐電圧を確保するとともに、蓄積容量７０の静電容量を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】透過型液晶表示装置として使用したとき、及び反射型液晶表示装置として使用したときのいずれにおいても良好な表示品質が得られる半透過型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】１つの画素毎に、反射電極１２０と、透明電極１２２と、反射電極１２０に接続されたＴＦＴ１１６と、透明電極１２２に接続されたＴＦＴ１１７とを形成する。そして、反射電極１２０にＴＦＴ１１６を介して第１のデータ信号を書き込み、透明電極１２２にＴＦＴ１１７を介して第２のデータ信号を書き込む。このように、反射電極１２０及び透明電極１２２に個別のデータ信号を書き込むことにより、透過型液晶表示装置として使用したとき、及び反射型液晶表示装置として使用したときのいずれにおいても良好な表示品質が得られる。 （もっと読む）

【課題】透過型液晶装置として使用したとき、及び反射型液晶表示装置として使用したときのいずれの場合であっても良好な表示品質を得ることができ、且つ製造が容易な半透過型液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲートバスライン１１１と同じ層に制御電極１１３を形成する。また、ゲートバスライン１１１及び制御電極１１３を覆う絶縁膜１１５の上に反射電極１２０を形成する。制御電極１１３はＴＦＴのソース電極１１８ｓと電気的に接続し、反射電極１２０は制御電極１１３と容量結合する。ＴＦＴ及び反射電極の上に絶縁膜１２１を形成し、反射電極１２０が露出する開口部を形成した後、全面に透明導電体膜を形成し、この透明導電体膜をパターニングして、透明電極１２２ａ〜１２２ｃを形成する。透過領域の透明電極１１２ａ，１１２ｃは、ＴＦＴのソース電極１１８ｓと電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。
【解決手段】 アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４２を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。これにより、半導体薄膜４２を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４９、５２、５５、５８は、トップゲート電極８を覆う層間絶縁膜４０上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。
【解決手段】 アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。これにより、半導体薄膜４１を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３５、３６とを接続する接続配線の一部である上層接続配線４８、５１、５４は、トップゲート電極８が設けられたトップゲート絶縁膜３９上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリングのための構造として、電極としても用いることができ、かつ遮光を実現する構造としての、半導体素子の支持体及び半導体素子の支持体の駆動方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の支持体１００上に形成されているＭＯＳトランジスタ３０２や、保持容量３０３等の半導体素子に印加されている最低電位を０Ｖとしたとき、半導体素子の支持体１００の構成要素であるタングステン膜１０３には、−３Ｖの電位を与えて駆動する。タングステン膜１０３に半導体素子の最低電位０Ｖよりも低い電圧が与えられているため、珪酸ガラス基体１０１や酸化珪素膜１０２、１０４に存在している正の電荷を有する可動性のあるナトリウムイオン等のアルカリ金属は、低い電位に保たれているタングステン膜１０３の方へ移動し、タングステン膜１０３に捕らえられることで固定される。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】 ＯＣＢ液晶表示装置の黒表示時の青味を低減する。
【解決手段】 対向電極Ｅｃｏｍを配置した対向基板１３０および画素電極Ｄｐｉｘを配置したアレイ基板１２０間にベンド配列される液晶層１４０を挟持し、前記基板の一方に赤、緑、青の各色フィルタ層を備える液晶表示セル１１において、対向電極は青色フィルタ層に対応する部分Ｅｃｏｍ（Ｂ）の膜厚ｔＢが正面反射率の分光スペクトルにおける最小値が３８０ｎｍ〜４８０ｎｍ内になるように、かつ、 １００ｎｍ＜ｔＢ≦１４０ｎｍに設定される。 （もっと読む）