【課題】多階調フォトマスクを用いた被処理体の加工において、レジスト残膜値を精緻に制御すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透光領域、遮光領域、及び半透光領域を持つ転写パターンを備え、前記転写パターンにおける半透光領域は、第１実効透過率を持つ第１半透光部と、前記第１実効透過率と異なる第２実効透過率を持つ第２半透光部と、を有し、前記転写パターンは、前記多階調フォトマスクを用いて被転写体上のレジスト膜に露光して前記転写パターンを転写した後、前記レジスト膜を現像して形成されるレジストパターンの、前記第１半透光部と前記第２半透光部に対応する部分に、実質的に同一のレジスト残膜値を形成するように、前記第１実効透過率及び第２実効透過率が設定されている。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０上に走査線３ａなどの配線を形成するにあたって、ネオジウムを２ａｔｍ％未満含有するアルミニウム合金膜を用いるとともに、走査線３ａの上面および側面を酸化して表面保護膜３１ａを形成する。このため、走査線３ａは、耐ヒロック性が高いとともに、表面保護膜３１ａ、３１ｅによってアルカリ性の剥離液から保護される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上で上側導電膜にドライエッチングを行って開口パターンを形成する場合でも、開口パターンと重なる領域に適正な膜厚の絶縁膜を残すことのできる電気的固体装置の製造方法、電気的固体装置、および該電気的固体装置を素子基板として備えた液晶装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板の製造工程において、スリット７ｂを備えた透光性の画素電極７ａを絶縁膜８上に形成するにあたって、上側導電膜７の上にレジストマスク９６を形成した後、ドライエッチングを行なう。絶縁膜８については必要膜厚よりも厚く形成しておき、ドライエッチングの際、絶縁膜８に有底の凹部８ａを形成する。その結果、凹部８ａの底部８ｂに、必要膜厚の絶縁膜８を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられる共通接続部として適した構造を提供することを目的の一とする。
【解決手段】画素部の外側領域に設けられる共通接続部は、ゲート絶縁層と同じ層で形成された絶縁層上に、第２酸化物半導体層と同じ層で形成された酸化物半導体層と、導電層と同じ層で形成された導電層（共通電位線とも呼ぶ）とが積層された構成を有し、第１酸化物半導体層上に設けられた層間絶縁層の開口部を介して導電層（共通電位線とも呼ぶ）が共通電極と接続しており、画素電極と対向する電極が導電性粒子を介して共通電極と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層上にＩＧＺＯ半導体層を設け、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート絶縁層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりも酸素濃度の低いソース領域及びドレイン領域を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ用薄膜トランジスタ基板の製造工程を単純化する。
【解決手段】ゲート線及びゲート電極を含むゲート配線と、共通電極を含む共通配線とを絶縁基板の上に形成し、前記ゲート配線及び共通配線を覆うゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜の上に半導体パターン、前記半導体パターンの上に接触層パターン、前記接触層の上にソース電極及びドレーン電極をそれぞれ形成し、前記ソース電極と連結されたデータ線を含むデータ配線とを形成し、前記ドレーン電極の一部以外の前記データ配線を覆う保護膜パターンを形成し、前記データ配線と異なる層に画素電極を形成する段階とを含み、前記ソース及びドレーン電極の分離は、前記ソース電極及びドレーン電極の間に位置する第１部分と前記第１部分より厚い第２部分と前記第１部分より薄い第３部分とを含む感光膜パターンを用いた写真エッチングによって行う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決することを課題の一とする。高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層と、ソース領域及びドレイン領域との間であって、且つ少なくともソース領域及びドレイン領域側に、窒素、ＮＨ基、またはＮＨ_２基を有する非晶質半導体層をバッファ層として有する。非晶質半導体をチャネル形成領域に有する薄膜トランジスタと比較して、薄膜トランジスタのオン電流を高めると共に、微結晶半導体をチャネル形成領域に有する薄膜トランジスタと比較して、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の大きさばらつきを低減し、均質な半導体膜を提供することを目的の一とする。又は、均質な半導体膜を提供すると共に、低コスト化を図ることを目的の一とする。
【解決手段】非晶質半導体膜を形成したガラス基板を、結晶化に必要な温度以上の処理雰囲気内に導入することにより、処理雰囲気からの熱伝導による急速加熱を行って、非晶質半導体膜を結晶化させる。より具体的には、例えば、あらかじめ処理雰囲気の温度を結晶化に必要な温度まで上昇させた後、半導体膜が形成された基板を上記処理雰囲気に投入する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、水分などの不純物を混入させずに良好な界面特性を提供することを課題の一つとする。電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁層表面に酸素ラジカル処理を行うことを要旨とする。よってゲート絶縁層と半導体層との界面に酸素濃度のピークを有し、かつゲート絶縁層の酸素濃度は濃度勾配を有し、その酸素濃度はゲート絶縁層と半導体層との界面に近づくにつれて増加する。 （もっと読む）

【課題】金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つである。
【解決手段】酸化物半導体膜とソース電極及びドレイン電極の間に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下のサイズの結晶粒を有し、チャネル形成領域となる酸化物半導体膜よりキャリア濃度が高い酸素欠乏酸化物半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】余分なフォトリソグラフィー工程を省略し高生産性を実現すると同時に高品質の多層薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】透明導電膜が成膜された基板を配置し、局所排気を行う排気孔が開けられた局所排気手段の一面を、上記基板に成膜された透明導電膜に近接して設置する。そして、透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を排気孔より排気し、この排気により局所的に減圧された雰囲気下でレーザ光を照射し、透明導電膜のレーザ光照射部分を基板上から除去してパターニングする。 （もっと読む）

【課題】液晶パネル等の電気光学装置において、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を効率よく抑制しつつ、動作の安定化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、チャネル領域、ソースドレイン領域及びＬＤＤ領域を有する半導体層（３０ａ）と、チャネル領域に対向するゲート電極（３０ｂ）と、半導体層より上層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された上側遮光膜（１）と、半導体層より下層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された下側遮光膜（１１）と、半導体層及び下側遮光膜間に積層され、少なくともＬＤＤ領域に重なる領域における膜厚よりソースドレイン領域に重なる領域における膜厚の方が小さくなるように形成された下側層間絶縁膜（１２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の制御が可能で、スイッチング特性が良好な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】第１のゲート電極層と、半導体層と、第１のゲート電極層と半導体層との間に設けられた第１のゲート絶縁層と、半導体層とオーミック接触する層を介して半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極層と、第１のゲート電極層の一部と重畳して第１のゲート絶縁層と半導体層により覆われた導電層と、少なくとも半導体層のバックチャネル部を覆って設けられた第２のゲート絶縁層と、半導体層のバックチャネル部と重畳する、第２のゲート絶縁層上に第２のゲート電極層と、を有する薄膜トランジスタを提供する。または、導電層は、第１のゲート電極層の一部と重畳して半導体層の下に存在し、且つ前記半導体層よりも移動度の高い半導体により形成されていてもよい。第２のゲート電極層は、所謂バックゲートとして機能する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を設け、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極及びドレイン電極と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側
において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】凹凸が形成された反射面上において存在する液晶層の厚さが、凹凸の形状に応じて異なることになる。従って、液晶層を通過する光に凹凸に応じた光路差が生じ、この結果、液晶層のリタデーションに起因する色づきが発生する。
【解決手段】反射層１８によって覆われた凹部１７Ｓが形成された反射表示領域Ｒは、光回折現象を呈する所謂回折光学素子（ＤＯＥ）が組み込まれた領域として機能することから、光を乱反射する領域となり表示の視角特性を改善させることができる。このとき、光回折現象を呈する凹部１７Ｓの平坦面と垂直方向への深さは、液晶層４０の厚さＤＤに比較して小さい値であることから、凹部１７Ｓが形成されている領域はおおよそ平坦とみなせる状態になる。この結果、この領域に存在する液晶層４０の厚さは実質的にほぼ一定になる。従って、液晶層のリタデーションに起因する色づきなど光学特性のズレが抑制される。 （もっと読む）

【課題】接触孔を形成するための乾式エッチング工程を容易にする。
【解決手段】第１基板上にゲート電極を含むゲート線及び高さ上向部材を形成する段階、ゲート線及び高さ上向部材上にゲート絶縁膜を形成する段階、ゲート絶縁膜上に半導体とソース電極を含むデータ線、及びソース電極と対向して、高さ上向部材と少なくとも一部が重畳するドレイン電極を形成する段階、ゲート絶縁膜及びデータ線上に第１絶縁膜を形成する段階、第１絶縁膜上のゲート線及びデータ線に対応する部分に画素領域を区画するように遮光部材を形成する段階、遮光部材によって区画された画素領域に色フィルターを形成する段階、遮光部材及び前記色フィルター上に第２絶縁膜を形成する段階、第２絶縁膜、遮光部材または色フィルター、及び第１絶縁膜を写真エッチングして、ドレイン電極の高さ上向部材と重畳する部分を露出させる接触孔を形成する段階、及び第２絶縁膜上に接触孔を通じてドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの縁部のバリの形成方法とアレイ基板の製造方法に関する。
【解決手段】当該アレイ基板の製造方法は、基板にゲート・ラインとゲート電極パターンを形成するステップと、データ・ラインと、ソース電極と、ドレイン電極と、ＴＦＴチャネル領域パターンとを形成し、フォトレジストを残し、パッシべーション層を堆積し、剥離工程によってフォトレジスト及びその上のパッシべーション層を除去するステップと、フォトレジストを塗布し、フォトレジストに山状の縁部のバリを形成し、透明導電薄膜を堆積し、剥離工程によってドレイン電極に直接に接続する画素電極パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板が設置されたステージをＸ方向やＹ方向に移動させるレーザー照射装置は、基板が大型化した場合、比例してフットプリント（処理に必要とされる平面での面積）が格段に大きくなり、装置全体の巨大化を招く問題が生じてしまう。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 （もっと読む）