【課題】 外部接続部品の接続を良好に行え、しかも狭額縁化が図れる表示装置を提供する。
【解決手段】 複数の配線、絶縁膜、及び、複数の外部接続用端子がこの順に積層配置された回路基板を備える表示装置であって、回路基板は、複数設けられた外部接続用端子の上層に導電性粒子を含む異方性導電膜を更に備え、外部接続用端子は、絶縁膜に形成された複数のコンタクトホールを介して複数の配線に接続されており、複数の配線は、外部接続用端子を横切って並走するとともに外側の配線から順に同一方向側に屈曲し、コンタクトホールは、基板面に対して法線方向から見たときに、導電部材と上記外部接続用端子とが重なる領域であって、配線の屈曲した先の部分に配置されており、開口幅が、導電性粒子の最大径よりも大きい部分と上記最大径よりも小さい部分とを有する。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜１０２と、絶縁膜１０４と、半導体膜１０６と、不純物半導体膜１０８と、第２の導電膜１１０とを積層し、この上に多階調マスクを用いて凹部を有するレジストマスク１１２を形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、第１の導電膜１０２がエッチングされた膜１１３に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層１１６Ａを形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。半導体膜としては結晶性半導体膜１０６を用いる。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物を用いたマスクパターンを用いることなくＴＦＴ及びそれを用いた表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】ロールツーロール方式により加工処理を行う表示装置の製造方法であって、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第１の液滴吐出手段により、可撓性を有する基板上に開口部を有する絶縁性樹脂膜を形成し、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第２の液滴吐出手段により、開口部にゲート電極を形成し、プラズマの噴出口が一軸方向に複数個配列したノズル体を備えた被膜形成手段により、ゲート電極および絶縁性樹脂膜上にゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に、ゲート電極と重畳して設けられた半導体層と、半導体層上の一部に設けられてソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、不純物半導体層上に設けられた配線層と、を有し、ソース領域及びドレイン領域の幅は、半導体層の幅よりも小さく、半導体層の幅は、少なくともソース領域とドレイン領域の間において拡大された薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される補助容量の容量を大きく、かつ、その変動を防止する。
【解決手段】ＴＦＴ４と補助容量５を有するＴＦＴ基板１の半導体層１３、１７を形成するときに、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を主成分とするＩＧＺＯを使用する。ＴＦＴ基板１を製造するときには、補助容量半導体層１７を低抵抗化する処理として、パシベーション層２０を形成した後で絵素電極２１を形成する前にプラズマ処理を行う。これにより、補助容量半導体層１７を導体化し、補助容量５の容量を大きくすると共に、補助容量５の容量変動を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される補助容量の容量変動を防止する。
【解決手段】ＴＦＴ５と補助容量６を有するＴＦＴ基板１の半導体層１３、１７を形成するときに、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を主成分とするＩＧＺＯを使用する。ＴＦＴ基板１を製造するときには、ＴＦＴ５の閾値を変動させる処理として、酸素不足の条件下でＩＧＺＯ層を成膜する処理、ＩＧＺＯ層に対するプラズマ処理、あるいは、窒素下でのベーク処理を行う。これにより、補助容量６の容量が変動する電圧の範囲を補助容量６の電極間電圧が取り得る範囲と重ならないように移動させて、補助容量６の容量変動を防止する。 （もっと読む）

【課題】表面がＭｏで形成された金属配線の表面を被覆する絶縁膜として従来の保護絶縁
膜よりも極めて薄い絶縁膜を使用しながらも、トップゲート型ＴＦＴの耐湿性を確保し、
更に、層間樹脂膜の浮きや剥がれを抑制することができる液晶表示パネル及びその製造方
法を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示パネル１は信号線１６の表面がＭｏで形成されており、信
号線１６の表面は厚さが０．００５μｍ以上、０．０２μｍ以下の窒化ケイ素からなる絶
縁膜１９で被覆され、更に絶縁膜１９の表面は層間樹脂膜２０で被覆されている。画素電
極２１とＴＦＴのドレイン電極Ｄは層間樹脂膜２０に設けられたコンタクトホール２２を
経て電気的に接続されており、この第２開口部１９ａは画素電極形成前のフッ酸溶液によ
る洗浄工程により洗浄と同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、高性能なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタ、表示装置、及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の第１の態様にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、ＳｉＮ膜からなる第１ゲート絶縁膜３１及び第１ゲート絶縁膜３１上に形成されたＳｉＮ酸化層からなる第２ゲート絶縁膜３３を含み、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に配置され、少なくとも第２ゲート絶縁膜３３と接する界面部に微結晶半導体膜（第１半導体層４１）が形成された半導体層４と、半導体層４上に、オーミックコンタクト膜６を介して形成された、ソース電極７及びドレイン電極８と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯなどの透明電極層と直接接合が可能なＡｌ系合金配線材料であって、現像液への耐食性に優れ、コンタクトホール形成時における耐食性にも優れ、大面積のガラス基板において素子を形成した場合においても、そのガラス基板面内に形成された素子の接合抵抗値をより均一にすることができるＡｌ−Ｎｉ系合金配線材料を提供する。
【解決手段】アルミニウムにニッケルを含有したＡｌ−Ｎｉ系合金配線材料において、セリウムとボロンとを含有し、各濃度は、ニッケル含有量をニッケルの原子百分率Ｘａｔ％とし、セリウム含有量をセリウムの原子百分率Ｙａｔ％とし、ボロン含有量をボロンの原子百分率Ｚａｔ％とした場合、式０．５≦Ｘ≦５．０、０．０１≦Ｙ≦１．０、０．０１≦Ｚ≦１．０の各式を満足する領域の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スイッチング素子が形成されたアレイ基板側にカラーフィルタを形成したＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造の液晶表示装置用基板に関し、フォトリソグラフィ工程を代表とする製造プロセスを簡略化でき、且つ高い信頼性を有する液晶表示装置用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板３上にマトリクス状に配列された複数の画素領域Ｐから引き出されたゲートバスライン６に電気的に接続された第１の端子電極５２ａと、画素電極の形成材料でガラス基板３上に直接形成された第２の端子電極５２ｂと、第１及び第２の端子電極５２ａ、５２ｂを電気的に接続する電極繋ぎ換え領域５２ｃとを備え、外部回路とゲートバスライン６とを電気的に接続する外部接続端子を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層とで積層されたゲート電極を含むゲート配線と、半導体層と前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層とで積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】少ないマスク数で表示特性が良好な表示装置を作製する。
【解決手段】第１の導電膜と、該第１の導電膜上に絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜をこの順に積層した薄膜積層体と、を形成し、第１のエッチングにより前記第１の導電膜を露出させつつ、少なくとも前記薄膜積層体のパターンを形成し、第２のエッチングにより第１の導電膜のパターンを形成し、第３のエッチングにより第２の導電膜を所望の形状とすることでソース電極及びドレイン電極層を形成することで薄膜トランジスタを作製し、この薄膜トランジスタを覆って保護膜を形成し、該保護膜に開口部を形成し、該保護膜上に画素電極層を選択的に形成することで前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極層と画素電極層を接続させる。そして、前記開口部の形成に際して不要な半導体層等をエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスによるコスト増を抑えつつ、必要なオン電流を確保しながらオフ電流を抑制した薄膜トランジスタを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に積層されるドレイン電極ＤＴ及びソース電極ＳＴと、ゲート電極ＧＴの上側でドレイン電極ＤＴ及びソース電極ＳＴの下側に積層される半導体膜Ｓと、半導体膜Ｓの上側に接してテーパ状に形成されて、半導体膜Ｓのドレイン電極ＤＴの側の第１端部ＤＲとソース電極ＳＴ側の第２端部ＳＲを露出させる絶縁膜ＥＳを含み、ドレイン電極ＤＴは、絶縁膜ＥＳの一部に跨って第１端部ＤＲを上側から覆うように配置され、ソース電極ＳＴは、絶縁膜ＥＳの一部に跨って第２端部ＳＲを上側から覆うように配置され、半導体膜Ｓとゲート電極ＧＴは、第１端部ＤＲから所定間隔を離された領域において平面的に重複する、ことを特徴とする薄膜トランジスタＴＦＴを有した表示装置。 （もっと読む）

【課題】表層がＴｉからなる金属配線の表面に形成される絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法
により形成された窒化ケイ素膜を用いても、金属配線と導電部材との間の接触抵抗が抑制
された電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも表層がＴｉからなる金属配線１７、１８の表面に、プラズマＣＶ
Ｄ法によって、第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを形成した後に窒化ケイ素からなる第２
の絶縁膜３７ｂないし３８ｂを形成し、第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂ及び第１の絶縁
膜３７ａないし３８ａにプラズマエッチング法によってコンタクトホール５１、５２を形
成して前記Ｔｉからなる金属配線１７、１８の表面を露出させる工程を備える電気光学装
置の製造方法であって、前記第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを、前記窒化ケイ素からな
る第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂの形成時にボール状窒化ケイ素が形成しない材料で形
成する。 （もっと読む）

【課題】工数の増加を伴うことなく、寄生容量を抑制できるとともに、高開口率および高透過率を示すアクティブ素子基板の製造方法を実現する。
【解決手段】画素ＴＦＴ７および信号配線上に、コンタクトホール９ａ・１０ａを有する透明な絶縁層９・１０を形成する工程を備え、該工程は、画素ＴＦＴ７および信号配線を覆うように、感光性を有さない第１の絶縁層９を形成する工程と、第１の絶縁層９を覆うように、感光性を有する第２の絶縁層１０を形成する工程と、第２の絶縁層１０を露光および現像により、パターニングする工程と、第２の絶縁層１０をマスクとして上記第１の絶縁層９をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】オン電流を低下させることなくオフ電流を低減し、画素回路やゲート駆動回路の制御に適用可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１００は、中央部がチャネルとなる微結晶シリコン層４と、この微結晶シリコン層４上に設けられた非晶質シリコン層５とを備え、ソース電極７およびドレイン電極８を、コンタクト層６ａ、６ｂにそれぞれ接続された下部ソース電極７ａおよび下部ドレイン電極８ａと、この下部ソース電極７ａおよび下部ドレイン電極７ｂの上面に形成された上部ソース電極７ｂおよび上部ドレイン電極８ｂとの２層で構成するとともに、上部ソース電極７ｂおよび上部ドレイン電極８ｂのチャネル側端部をそれぞれ下部ソース電極７ａおよび下部ドレイン電極８ａのチャネル側端部に対して庇状に突出するように構成した。 （もっと読む）

【課題】表示欠陥を完全にリペアすることができ、開口率の低下を伴わない液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】紫外線の照射によって高導電率化されたＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物のソース領域及びドレイン領域を有する主ＴＦＴ及び冗長ＴＦＴを備え、冗長ＴＦＴの透明なドレイン領域を画素電極と重なり合うようにして信号線に設けられたリペア領域にまで延ばして形成する。リペア領域と冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部とは絶縁層によって絶縁されている。表示欠陥の生じた画素部に対して、主ＴＦＴを画素電極から切り離すとともに、冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部と信号線とをリペア領域において溶着させる。これにより、冗長ＴＦＴがスイッチング素子として機能し表示欠陥が完全にリペアされる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜の腐食を抑制でき、透明導電膜との接触電気抵抗も低減された表示デバイスを製造する。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程によってＡｌ合金膜を透明導電膜と直接接触させる。（１）Ａｌよりも貴な金属元素を含むＡｌ合金膜を形成する第１の工程、（２）フォトリソグラフィおよびドライエッチングによってコンタクトホールを形成する第２の工程、（３）フォトリソグラフィで生成したフォトレジストの剥離を行なう第３の工程、（４）透明導電膜を形成する第４の工程と、をこの順序で包含し、第２の工程は、オーバーエッチングにおけるガスの流量比を、ＳＦ₆／（ＳＦ₆＋Ｏ₂）の比率で３０％以下に制御して前記Ａｌ合金膜の表面をＡｌの酸化物で覆う工程を含み、第３の工程は、ｐＨ１０．５以上のアルカリ溶液に接触させて前記Ａｌの酸化物を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型表示装置等の半導体装置において、トランジスタの駆動能力を低下させることなく寄生容量の容量値を低減することを課題の一とする。または、寄生容量の容量値を低減した半導体装置を低コストに提供することを課題の一とする。
【解決手段】トランジスタのゲート電極と同一の材料層で形成される配線と、ソース電極またはドレイン電極と同一の材料層で形成される配線との間に、ゲート絶縁層以外の絶縁層を設ける。 （もっと読む）

【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）