【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】不対結合手に代表される欠陥を多く含む絶縁層を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を間に介して、酸化物半導体層上に形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を通過させて欠陥を含む絶縁層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 （もっと読む）

【課題】表示パネルにおける光透過率を向上させることができる平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平板表示装置は、第１基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域を含む活性層と、活性層を含む第１基板上に形成されたゲート絶縁層と、チャネル領域上のゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を含むゲート絶縁層上に形成された第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜及びゲート絶縁層に形成されたコンタクトホールを介してソース領域及びドレイン領域の活性層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、第１層間絶縁膜とソース電極及びドレイン電極との間に介在する第２層間絶縁膜と、ソース電極及びドレイン電極を含む第１層間絶縁膜上に形成された保護層と、保護層に形成されたビアホールを介してソース電極またはドレイン電極に接続された画素電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】微結晶半導体層を量産性良く作製する技術を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内に、互いに向かい合って概略平行に配置された上部電極と下部電極が備えられ、上部電極は中空部が形成され、かつ、下部電極と向かい合う面に複数の孔を有するシャワー板を有し、下部電極上には基板が配置され、堆積性気体と水素を含むガスを上部電極の中空部を通ってシャワー板から反応室内に供給し、希ガスを上部電極と異なる部位から反応室内に供給し、上部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、基板上に微結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタをスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法に関し、製造コストを低減させることができる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明絶縁基板１上に金属薄膜を成膜し、第１のマスクを用いてエッチングによりゲートバスライン２を形成する工程と、ゲート絶縁膜３と、動作半導体層４と、ソース／ドレイン電極６、７形成用金属薄膜とを積層し、第２のマスクを用いてソース／ドレイン電極形状に動作半導体層４の一部まで一括エッチングする工程と、第３のマスクを用いてエッチングにより、動作半導体層４を画素領域毎に分離するのと同時に、ゲートバスライン２の外部接続端子２０上部を開口する工程とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１０６、及び画素電極１０５を有する複数の画素を有し、画素は、走査線として機能する第１の配線１０１に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配線１０１上にゲート絶縁膜１１３を介して設けられた酸化物半導体層１０３を有し、酸化物半導体層１０３は、第１の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、画素電極１０５と、酸化物半導体層１０３とが重畳して設けられる。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ又は該シフトレジスタを有する表示装置の消費電力を低減すること。
【解決手段】シフトレジスタは、クロック信号が１本の配線によって供給されるのではなく、複数の配線によって供給される。さらに、該複数の配線のいずれか一は、シフトレジスタの動作期間を通してクロック信号を供給するのではなく一部の期間においてのみクロック信号を供給する。そのため、クロック信号の供給に伴い駆動される容量負荷を低減することができる。その結果、シフトレジスタの消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】蒸着温度が高い場合であってもリフトオフプロセスにおいて十分に剥離することのできるフォトレジストを用いた３Ｍａｓｋ方式の表示素子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にアルカリ可溶性樹脂（Ａ）、感放射線性化合物（Ｂ）、酸化防止剤（Ｃ）、及び溶剤（Ｄ）を含むフォトレジストによりレジストパターンを形成する工程（ａ）と、前記工程（ａ）で得られたレジストパターンが形成された基板に対して金属を物理蒸着する工程（ｂ）と、前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に蒸着した金属を除去するリフトオフ工程（ｃ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】容易にパターニングが可能で、かつ低コストで実現可能な低抵抗で透明性に優れた酸化スズ膜からなる透明電極の製造方法の提供。
【解決手段】基板上にパターニングされた酸化スズ膜を形成した透明電極の製造方法であって、
基板上にＳｎＯ_２−ｘ膜（０．３≦ｘ≦１．９５）を形成する工程、前記ＳｎＯ_２−ｘ膜の一部を除去してパターニングする工程、パターニングされた前記ＳｎＯ_２−ｘ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含む透明電極の製造方法、または、
基板上に膜の密度が６．５グラム／ｃｍ^３以下の酸化スズ膜を形成する工程、前記膜の密度が６．５グラム／ｃｍ^３以下の酸化スズ膜の一部を除去してパターニングする工程、パターニングされた前記膜の密度が６．５グラム／ｃｍ^３以下の酸化スズ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含む透明電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】銅配線層の接着性を改善するとともに、銅配線層の抵抗値が大きくなることを抑制する配線構造を提供する。
【解決手段】配線構造１０では、ガラス基板１１上に、チタンからなる接着層１２と、酸化銅からなるバリア層１３と、純銅からなる銅配線層１４とが順に積層されている。接着層１２は、銅配線層１４をガラス基板１１に確実に接着させて、銅配線層１４がガラス基板１１から剥がれるのを防止する。バリア層１３は、配線構造１０を熱処理したときに、接着層１２を構成するチタン原子が銅配線層１４内に拡散しないようにして、銅配線層１４の抵抗値が大きくならないようにする。このため、銅配線層１４は、熱処理された後も、比抵抗を小さな値に保つことができるので、信号の遅延を防止できる。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記アレイ基板の製造方法は、ゲートラインとゲート電極を含むパターンを形成するステップと、活性層と、データラインと、ソース電極と、ドレイン電極とを含むパターンを形成するするとともに、上記パターン以外の領域のゲート絶縁層を除去するステップと、露光・現像により、感光樹脂層に第１ビアホールと、第２ビアホールと、第３ビアホールとを含むパターンを形成するステップと、第３ビアホールを介してドレイン電極に接続する画素電極と、第１接続電極と、第２接続電極とを含むパターンを形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気によ
る不良の発生を抑制する。
【解決手段】 本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接し
て、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成され
ていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の
周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パ
ターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピ
ッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマトリ
クス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクを使用して斜方蒸着層を形成する限り、ハードマスク起因の合わせずれや寸法誤差によるずれを解決することは困難である。特に、上下導通領域の構成要素である素子電極を覆うように蒸着粒子が回り込んだ場合、上下導通領域は蒸着粒子の付着により電気抵抗値が高くなり、液晶装置の表示にむらが発生するという課題がある。
【解決手段】素子電極１２２を覆うよう付着した斜方蒸着層前駆体１８ａ’を除去して斜方蒸着層１８ａを形成する。素子電極１２２を覆う斜方蒸着層前駆体１８ａ’の除去にはＣＭＰ法が好適な手段となる。自己整合的に位置合わせが行えるため、アライメントずれ等が発生せず、高い形状精度を持った状態で斜方蒸着層前駆体１８ａ’を除去でき、液晶装置の表示むらが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、作製プロセスの簡略化のため使用するマスク枚数が減らされてきた。この様な従来のプロセスでは、ゲート信号線が液晶部（配向膜を含む）に直接接触するような構造をとることになり、ゲート信号電圧の影響による液晶部の劣化が問題となっていた。そこで、ゲート信号電圧の液晶部への影響を抑えることを課題とする。
【解決手段】ゲート信号線を絶縁膜で覆い、液晶部に直接触れないようにした。
その画素部の構成を図１に示す。上記絶縁膜を有する表示装置は、ゲート信号線とその上の絶縁膜を同時にパターニング形成することで、用いるマスクの枚数を増やすことなく作製することができる。
また、対向基板上にＢＭ層を作製する代わりにゲート信号線周辺をＢＭで覆い、このＢＭを上記絶縁層として用いることもできる。この際も使用マスクの枚数の増加はない。 （もっと読む）

【課題】簡単なプロセスを以って、コントラストと明るさを向上させることができる電気光学装置及び電気光学装置の製造方法並びに電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板上に第１導電膜９ｂをパターニング形成する工程と、基板及び第１導電膜９ｂ上に絶縁膜８ｂを形成する工程と、絶縁膜８ｂを平坦化処理して、絶縁膜８ｂから第１導電膜９ｂの上面を露出させる工程と、絶縁膜８ｂ上であって、平面視で第１導電膜９ｂの上面と重なり、第１導電膜９ｂと電気的に接続するように第２導電膜９を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減した表示装置を提供すること。
【解決手段】１つのダミー画素Ｐｄに対して、複数のダミーコンタクトホールＤｃが形成されており、１つはダミー画素遮光膜９ｄの角部に配置され、２つは走査線８３の幹線に沿って角部のダミーコンタクトホールと連続して配置されている。換言すれば、ダミーコンタクトホールＤｃは、ダミー領域における第１遮光膜としての走査線８３に沿って形成されており、走査線８３近傍の下地絶縁膜１２の強度を下げる役割を荷っている。つまり、後続の層間絶縁膜の形成工程において熱衝撃が加わった場合、ダミーコンタクトホールＤｃが形成されたダミー画素領域における走査線８３部分が、衝撃吸収部分として機能することになる。よって、有効画素領域における画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】画素部の開口率を高くしながら、駆動回路部の特性を向上させた半導体装置を提供することを課題とする。または、消費電力の低い半導体装置を提供することを課題とする。または、しきい値電圧を制御できる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁面を有する基板と、基板上に設けられた画素部と、画素部を駆動する駆動回路の少なくとも一部を有し、画素部を構成するトランジスタおよび駆動回路を構成するトランジスタは、トップゲートボトムコンタクト型のトランジスタであって、画素部においては、電極および半導体層が透光性を有し、駆動回路における電極は、画素部のトランジスタが有するいずれの電極よりも低抵抗である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】微細化によってキャパシタが小型化された場合であっても、キャパシタの実効的なキャパシタ容量の低下を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極に形成した凹部開口の内周面を含む下部電極上に誘電膜を形成し、凹部開口内を含む誘電膜上に下部電極と対向する上部電極を形成する。さらに、下部電極を、第１導電膜と、絶縁膜と、不純物がドープされた低抵抗の第２導電膜とを順次積層して形成し、第１導電膜と第２導電膜とを接続する。 （もっと読む）

【課題】透明基板との高い密着性、および低い電気抵抗率を有する、Ｃｕ合金膜を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、前記合金膜は、Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｗ，ＮｂおよびＭｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で２〜２０原子％含むＣｕ合金からなる第一層（Ｙ）と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層（Ｙ）よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第二層（Ｘ）と、を含む積層構造を有し、前記第一層（Ｙ）が前記透明基板と接触している表示装置である。 （もっと読む）

【課題】 酸化物半導体においてはイオン注入法による拡散層形成が難しいため、バルクシリコンＭＯＳトランジスタや多結晶シリコンＴＦＴのようなイオン注入法を用いた自己整合プロセスを組むことができない。本願では、リフトオフを用いる場合のような不都合の生じない自己整合プロセスを酸化物半導体において実現することを課題とする。
【解決手段】 裏面露光により製造される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）において、チャネル層として酸化物半導体を用い、基板上の電極をマスクとして、基板の裏面側から導電膜上のネガレジストを露光し、ネガレジストの露光部分を残し前記ネガレジストを除去し、露光部分をエッチングマスクとする導電膜のエッチングにより、電極を加工する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。 （もっと読む）