説明

Fターム[2H092MA19]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 製造方法 (16,988) | 製法、工程 (14,676) | パターン形成 (6,228) | エッチング (2,565) | 物理的エッチング (431)

Fターム[2H092MA19]に分類される特許

61 - 80 / 431


【課題】特性のバラツキが少なく、電気特性が良好なトランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体を含む半導体層を形成し、半導体層上に不純物半導体層を形成し、不純物半導体層上にマスクを形成した後、マスクを用いて半導体層及び不純物半導体層をエッチングして、半導体積層体を形成し、マスクを除去した後に半導体積層体を希ガスを含む雰囲気で発生させたプラズマに曝して半導体積層体の側面に障壁領域を形成し、半導体積層体の不純物半導体層に接する配線を形成する。 (もっと読む)


【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のSiO膜と、SiO膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを用いて、高速動作が可能で、信頼性も高い半導体装置を歩留まりよく作製する。
【解決手段】絶縁膜上にマスクを形成し、該マスクを微細化する。微細化されたマスクを用いて凸部を有する絶縁層を形成し、これを用いて、微細なチャネル長(L)を有するトランジスタを形成する。また、トランジスタを作製する際に、微細化された凸部の上面と重なるゲート絶縁膜の表面に平坦化処理を行う。これにより、トランジスタの高速化を達成しつつ、信頼性を向上させることが可能となる。また、絶縁膜を凸部を有する形状とすることで、自己整合的にソース電極及びドレイン電極を形成することができ、製造工程の簡略化、また生産性を向上させることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】画素部や信号線駆動回路が形成された基板と、ドライバICとの接続配線数を低減させる。
【解決手段】信号線駆動回路は第1乃至第3のトランジスタを有し、第1乃至第3のトランジスタは第1乃至第3の信号線と電気的に接続している。第1乃至第3の信号線は画素部へ延びている。第1乃至第3のトランジスタは共通して、ドライバICの第1端子と電気的に接続している。このような構成により、接続配線数を1/3に低減することができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に膜厚が1nm以上10nm以下の第1の材料膜(六方晶の結晶構造を有する膜)を形成し、第1の材料膜を核として、六方晶の結晶構造を有する第2の材料膜(結晶性酸化物半導体膜)を形成し、第1の材料膜と第2の材料膜の積層を形成する。第1の材料膜としては、ウルツ鉱型結晶構造を有する材料膜(例えば窒化ガリウム、或いは窒化アルミニウム)、或いはコランダム型結晶構造を有する材料膜(α−Al、α−Ga、In、Ti、V、Cr、或いはα−Fe)を用いる。 (もっと読む)


【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】島状半導体層を形成するためのフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省略し、ゲート電極(同一層で形成される配線等を含む)を形成する工程、ソース電極及びドレイン電極(同一層で形成される配線等含む)を形成する工程、コンタクトホールを形成する(コンタクトホール以外の絶縁層等の除去を含む)工程、画素電極(同一層で形成される配線等を含む)を形成する工程の4つのフォトリソグラフィ工程で液晶表示装置を作製する。コンタクトホールを形成する工程において、半導体層が除去された溝部を形成することで、寄生チャネルの形成を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】画素内に容量の大きな保持容量を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、前記第1の基板上に、映像信号線が接続される第1の電極と前記画素電極と接続される第2の電極とを含む薄膜トランジスタを形成する工程と、前記第2の電極よりも上層に第1のシリコン窒化膜を形成する工程と、前記第1のシリコン窒化膜よりも上層に有機絶縁膜を形成する工程と、前記有機絶縁膜よりも上層に容量電極を形成する工程と、前記有機絶縁膜を形成した後に前記容量電極より上層かつ前記画素電極よりも下層に前記第1のシリコン窒化膜の成膜温度よりも低温で第2のシリコン窒化膜を成膜する工程と、前記第2の電極上に、前記第1のシリコン窒化膜と前記第2のシリコン窒化膜とを貫通し前記第2の電極と前記画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、1つのレジストマスクを用
いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。
【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露
光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパ
ターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金
属膜を形成する。以上により、1つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形
成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線上の一部を含む半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。これにより露出したゲート配線の一部を絶縁層で覆い、これに液晶層の間隔を維持するスペーサを兼ねさせる。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第1の膜を形成する工程と、第1の膜上に第1のマスク材料を含有する溶液を吐出して第1の膜上に第1のマスクを形成する工程と、第1のマスクを用いて第1の膜をパターニングして絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、第1のマスクを除去する工程と、塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、第2のマスク材料を含有する溶液を吐出して第2のマスクを形成する工程と、第2のマスクを用いて、パターニングされた第1の膜をエッチングするとともに絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】結晶性半導体膜に対する非晶質半導体膜のエッチング選択比が高いエッチング方法を提供する。
【解決手段】結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いてエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜の一部を露出させる。このようにエッチングを行うことで、露出された部分の膜減りを抑えることができる。更には、当該エッチング方法を薄膜トランジスタのバックチャネル部を形成するエッチングに採用することで、当該薄膜トランジスタの電気的特性を良好なものとすることができる。該薄膜トランジスタ上には絶縁層が設けられていることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の制御回路において、動画表示及び静止画表示がリフレッシュレートを切り替えて行われる際の電源回路の低消費電力化を図ることを目的とする。
【解決手段】本発明の一態様は、オペアンプにおける電流増幅回路に設けられたソース接地増幅回路を流れる電流を動画表示時と静止画表示時とで異ならせる。具体的には、本発明の一態様は、オペアンプにおける電流増幅回路に設けられた電流源回路を、動画表示の際に用いる電流源回路と、静止画表示の際に用いる電流源回路とで切り替えて動作させる。当該電流源回路の切り替えによりソース接地増幅回路での電流の増幅を制御し、電源回路での低消費電力化を図るものである。またオペアンプにおける電流源回路の切り替えは、動画表示及び静止画表示を切り替えるために液晶表示パネルの制御を行う表示制御回路により行われるものである。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス型半導体表示装置で対向コモン反転駆動を行う際に、ゲートバイアスを従来の反転駆動と同程度にすることでOFF電流の跳ね上がり範囲を回避して保持電荷のリークを抑え、かつ画素TFTのON・OFFマージンを確保する。並びに画素TFTに印可されるゲートバイアスを従来の電圧付近に保つことでゲート耐圧を確保し、駆動回路全体での低消費電力化を実現できる新たな駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体表示装置は、ゲート信号線側駆動回路にトライステートバッファを用い、対向コモン電位が+側電位をとるフレームと−側電位をとるフレームとで異なるバッファ電位を与えることによって、画素TFTのON・OFFマージンを確保しつつ対向コモン反転駆動時における電圧振幅を小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】対向電極が平面ベタで形成され、層間絶縁膜を介して櫛歯状の画素電極が形成されたIPS方式液晶表示装置において、対向電極とその上に形成された層間絶縁膜が剥離することを防止する。
【解決手段】有機パッシベーション膜107の上に平面ベタで対向電極108が形成されている。対向電極108の上に層間絶縁膜109を形成する前に、プラズマアッシャー処理を行う。プラズマアッシャー処理によって有機パッシベーション膜107の表面が削れてオーバーハング部であるA部が形成される。プラズマアッシャー処理によって有機パッシベーション膜107の表面が削れるとともに、対向電極108の表面も粗面化されるので、層間絶縁膜109の有機パッシベーション膜107あるいは対向電極108との接触面積が増大し、接着力が上昇する。また、プラズマアッシャーによって対向電極108上のレジスト残りも除去されるので、層間絶縁膜109の接着力が増大する。 (もっと読む)


【課題】微結晶シリコンを備える薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流、及び、電界起因のリーク電流を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極2上にゲート絶縁膜6を介して順に形成された微結晶シリコン膜8、非晶質シリコン膜9、及び、N型非晶質シリコン膜10を含む半導体層25と、微結晶シリコン膜8の端部8bと接触し、かつ、N型非晶質シリコン膜10と接続されたドレイン電極12とを備える。半導体層25は、平面視においてゲート電極2の外周よりも内側に形成され、微結晶シリコン膜8の端部8bは、N型非晶質シリコン膜10と同じN型の導電型を有する。 (もっと読む)


【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶にかかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 (もっと読む)


【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第1の基板及び第2の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第1の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
2の基板とは重ならない領域の第1の基板上に配置されるICチップと、シール材の外側
において、第2の基板とは重ならない領域の第1の基板上に配置される、画素部とICチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第1の基板上に設けられた画素部とICチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】半透過型液晶表示装置において、反射電極と透明電極とを構成する場合、2つの
レジストマスクを用いるため、コストが高い。
【解決手段】画素電極となる透明電極と反射電極を積層させる。反射電極上に半透部を有
する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジ
ストパターンを形成する。レジストパターンを用いて反射電極と透明電極とを形成する。
以上により、1つのレジストマスクを用いて、反射電極と透明電極を形成することが可能
となる。 (もっと読む)


【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極めて小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電界効果移動度が大きい酸化物半導体層を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。また、高速動作可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層をハロゲン元素により終端化させて、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することで、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトランジスタを作製することができる。 (もっと読む)


61 - 80 / 431