半導体装置
【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯＸ膜と、ＳｉＯＸ膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯＸ膜と、ＳｉＯＸ膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はチャネル形成領域に酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと
いう）で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶
表示パネルに代表される電気光学装置や有機発光素子を有する発光表示装置を部品として
搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
近年、マトリクス状に配置された表示画素毎にＴＦＴからなるスイッチング素子を設けた
アクティブマトリクス型の表示装置（液晶表示装置や発光表示装置や電気泳動式表示装置
）が盛んに開発されている。アクティブマトリクス型の表示装置は、画素（又は１ドット
）毎にスイッチング素子が設けられており、単純マトリクス方式に比べて画素密度が増え
た場合に低電圧駆動できるので有利である。
【０００４】
また、チャネル形成領域に酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを作
製し、電子デバイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば、酸化物半導
体膜として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いるＴＦＴや、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍを用いるＴ
ＦＴが挙げられる。これらの酸化物半導体膜を用いたＴＦＴを、透光性を有する基板上に
形成し、画像表示装置のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献１及び特許文献２
で開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献２】特開２００７−９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
チャネル形成領域に酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタには、動作速度が速く、製
造工程が比較的簡単であり、十分な信頼性が求められている。
【０００７】
薄膜トランジスタを形成するにあたり、ソース電極及びドレイン電極は、低抵抗な金属材
料を用いる。特に、大面積の表示を行う表示装置を製造する際、配線の抵抗による信号の
遅延問題が顕著になってくる。従って、配線や電極の材料としては、電気抵抗値の低い金
属材料を用いることが望ましい。電気抵抗値の低い金属材料からなるソース電極及びドレ
イン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト
抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン
電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つと
考えられる。
【０００８】
加えて、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する部分には容量が
形成され、周波数特性（ｆ特性と呼ばれる）が低くなり、薄膜トランジスタの高速動作を
妨げる恐れがある。
【０００９】
本発明の一態様は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸
化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコン
タクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つと
する。
【００１０】
また、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタの動作特性
や信頼性を向上させることも課題の一つとする。
【００１１】
また、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタの電気特性
のバラツキを低減することも課題の一つとする。特に、液晶表示装置においては、個々の
素子間でのバラツキが大きい場合、そのＴＦＴ特性のバラツキに起因する表示むらが発生
する恐れがある。
【００１２】
また、発光素子を有する表示装置においても、画素電極に一定の電流が流れるように配置
されたＴＦＴ（駆動回路または画素に配置される発光素子に電流を供給するＴＦＴ）のオ
ン電流（Ｉｏｎ）のバラツキが大きい場合、表示画面において輝度のバラツキが生じる恐
れがある。
【００１３】
以上、本発明の一態様は、上記課題の少なくとも一つを解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一態様は、半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、
半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型
（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。
【００１５】
本明細書において、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用いて形成された半導
体層を「ＩＧＺＯ半導体層」とも記す。
【００１６】
ソース電極層とＩＧＺＯ半導体層とはオーミック性のコンタクトが必要であり、さらに、
そのコンタクト抵抗は極力低減することが望まれる。同様に、ドレイン電極層とＩＧＺＯ
半導体層とはオーミック性のコンタクトが必要であり、さらに、そのコンタクト抵抗は極
力低減することが望まれる。
【００１７】
そこで、ソース電極層及びドレイン電極層とＩＧＺＯ半導体層との間に、ＩＧＺＯ半導体
層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコ
ンタクトを形成する。
【００１８】
バッファ層としては、ｎ型の導電型を有する金属酸化物層を用いる。金属酸化物層として
、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化タングステン、酸化マ
グネシウム、酸化カルシウム、酸化スズ、酸化ガリウム、等を用いることができる。また
、金属酸化物層の替わりに活性層に用いるインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物
半導体層よりもキャリア濃度の高いインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体
層を用いることもできる。
また、バッファ層にｎ型又はｐ型を付与する不純物元素を含ませてもよい。不純物元素
として、例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛、マグネシウム、アルミニウム、チタン、
鉄、錫、カルシウム、スカンジウム、イットリウム、ジルコニウム、ハフニウム、ホウ素
、タリウム、ゲルマニウム、鉛などを用いることができる。これらの不純物元素などをバ
ッファ層に含ませると、成膜後の加熱処理によって半導体層から酸素が抜け出ることを防
ぐ効果がある。また、不純物添加により金属酸化物中のキャリア濃度を高めることができ
る。
【００１９】
バッファ層は、ｎ＋層として機能し、ドレイン領域またはソース領域とも呼ぶことができ
る。
【００２０】
本発明の一態様に係る半導体装置は、ゲート電極層と、ゲート電極層上にゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上に半導体層と、半導体層上にｎ型の導電型を有するバッファ層と、バッ
ファ層上にソース電極層及びドレイン電極層とを含む薄膜トランジスタを有し、半導体層
はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、バッファ層は金属酸化
物層であり、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層とはバッファ層を介して電気的
に接続する。
【００２１】
本発明の一態様に係る半導体装置は、ゲート電極層と、ゲート電極層上にゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上に半導体層と、半導体層上にｎ型の導電型を有するバッファ層と、バッ
ファ層上にソース電極層及びドレイン電極層とを含む薄膜トランジスタを有し、半導体層
はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、半導体層はソース電極
層とドレイン電極層との間に膜厚の薄い領域を含み、バッファ層は金属酸化物層であり、
半導体層とソース電極層及びドレイン電極層とはバッファ層を介して電気的に接続する。
【００２２】
本発明の一態様において、金属酸化物層として、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化亜鉛
、酸化インジウム、酸化タングステン、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化スズ又
は酸化ガリウムを用いることが好ましく、特に酸化チタンが好適である。
【００２３】
上記構成において、半導体層とバッファ層との間にキャリア濃度が半導体層より高く、バ
ッファ層より低い第２のバッファ層を設けてもよい。第２のバッファ層はｎ−層として機
能する。第２のバッファ層として、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層と金属酸
化物層との混合層を用いることができる。第２のバッファ層に含まれる金属酸化物層は、
バッファ層に用いることができる金属酸化物層と同一材料のものを用いることができる。
【００２４】
Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜（ＩＧＺＯ膜）はキャリア濃度が高くなるに
つれ、ホール移動度も高くなる特性を有している。よって、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む
酸化物半導体膜のキャリア濃度とホール移動度の関係は図２７に示すようになる。本発明
の一態様において、半導体層のチャネルとして適するＩＧＺＯ膜のキャリア濃度範囲（チ
ャネル用濃度範囲１）は１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満（より好ましくは１×１０
１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上）であることが好ましい。一方、ＩＧＺＯ膜をバッファ層と
して用いる場合には、ＩＧＺＯ膜のキャリア濃度範囲（バッファ層濃度範囲２）は、１×
１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上（１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下）とすることが
好ましい。上記ＩＧＺＯ膜のキャリア濃度は、半導体層として用いた場合、室温で、ソー
ス、ドレイン、及びゲート電圧を印加しない状態での値である。
【００２５】
チャネル用のＩＧＺＯ膜のキャリア濃度範囲が上記範囲を越えると、薄膜トランジスタと
してノーマリーオンになる恐れがある。よって本発明の一態様のキャリア濃度範囲のＩＧ
ＺＯ膜を半導体層のチャネルとして用いることでより信頼性の高い薄膜トランジスタとす
ることができる。
【００２６】
また、ソース電極層及びドレイン電極層にチタン膜を用いることが好ましい。例えば、チ
タン膜、アルミニウム膜、チタン膜の積層を用いると低抵抗であり、かつアルミニウム膜
にヒロックが発生しにくい。
【００２７】
本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法は、基板上にゲート電極層を形成し、ゲート
電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、半導体層上にｎ
型の導電型を有するバッファ層を形成し、バッファ層上にソース電極層及びドレイン電極
層を形成し、半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を用いて
形成し、バッファ層は金属酸化物層を用いて形成し、半導体層とソース電極層及びドレイ
ン電極層とはバッファ層を介して電気的に接続する。
【００２８】
ゲート絶縁層、半導体層、ｎ型の導電型を有するバッファ層、ソース電極層及びドレイン
電極層は大気に曝さずに連続的に形成することができる。連続して成膜すると、ごみとな
る大気中の不純物が界面に混入することによる不良を軽減することができる。
【００２９】
ゲート絶縁層、半導体層、ｎ型の導電型を有するバッファ層、ソース電極層及びドレイン
電極層はスパッタリング法で形成すればよい。ゲート絶縁層及び半導体層は酸素雰囲気下
（又は酸素９０％以上、希ガス（アルゴン又はヘリウム）１０％以下）で、ｎ型の導電型
を有するバッファ層は希ガス（アルゴン又はヘリウム）雰囲気下で成膜することが好まし
い。
【００３０】
このようにスパッタリング法を用いて連続的に成膜すると、生産性が高く、薄膜界面の信
頼性が安定する。また、ゲート絶縁層と半導体層を酸素雰囲気下で成膜し、酸素を多く含
ませるようにすると、劣化による信頼性の低下や、薄膜トランジスタ特性のノーマリーオ
ン側へのシフトなどを軽減することができる。
【００３１】
本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法は、基板上にゲート電極層を形成し、ゲート
電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、半導体層上にｎ
型の導電型を有するバッファ層を形成し、バッファ層上にソース電極層及びドレイン電極
層を形成し、半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を用いて
形成し、バッファ層は金属酸化物層を用いて形成し、半導体層とソース電極層及びドレイ
ン電極層とはバッファ層を介して電気的に接続し、ゲート絶縁層、半導体層、バッファ層
、ソース電極層、及びドレイン電極層は大気に曝さずに連続的に形成する。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の一態様によって、光電流が少なく、寄生容量が小さく、オンオフ比の高い薄膜ト
ランジスタを得ることができ、良好な動特性を有する薄膜トランジスタを作製できる。よ
って、電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図２】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図３】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する図。
【図４】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する図。
【図５】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図６】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図７】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図８】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図９】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図１０】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する図。
【図１１】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図１２】本発明の一態様に係るマルチチャンバー型の製造装置の上面模式図。
【図１３】本発明の一態様に係る表示装置のブロック図を説明する図。
【図１４】本発明の一態様に係る信号線駆動回路の構成を説明する図。
【図１５】本発明の一態様に係る信号線駆動回路の動作を説明するタイミングチャート。
【図１６】本発明の一態様に係る信号線駆動回路の動作を説明するタイミングチャート。
【図１７】本発明の一態様に係るシフトレジスタの構成を説明する図。
【図１８】図１７に示すフリップフロップの接続構成を説明する図。
【図１９】本発明の一態様に係るアクティブマトリクス型の液晶表示装置を説明する図。
【図２０】本発明の一態様に係る液晶表示パネルを説明する図。
【図２１】本発明の一態様に係る液晶表示モジュールを説明する図。
【図２２】本発明の一態様に係るアクティブマトリクス型の発光表示装置を説明する図。
【図２３】図２２に示す発光表示装置の等価回路を説明する図。
【図２４】本発明の一態様に係る発光素子の構成を説明する図。
【図２５】本発明の一態様に係る発光表示パネルを説明する図。
【図２６】本発明の一態様に係るアクティブマトリクス型の電子ペーパーを説明する図。
【図２７】Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜のキャリア濃度とホール移動度の関係を説明する図。
【図２８】電子ペーパーの使用形態の例を説明する図。
【図２９】電子書籍の一例を示す外観図。
【図３０】テレビジョン装置およびデジタルフォトフレームの例を示す外観図。
【図３１】遊技機の例を示す外観図。
【図３２】携帯電話機の一例を示す外観図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々
に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構
成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通
して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００３５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、薄膜トランジスタ及びその作製工程について、図１乃至図４を用いて
説明する。
【００３６】
本実施の形態のボトムゲート構造の薄膜トランジスタ１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃを図
１及び図２に示す。図１（Ａ１）は平面図であり、図１（Ａ２）は図１（Ａ１）における
線Ａ１−Ａ２の断面図である。図１（Ｂ１）は平面図であり、図１（Ｂ２）は図１（Ｂ１
）における線Ｂ１−Ｂ２の断面図である。図２（Ａ１）は平面図であり、図２（Ａ２）は
図２（Ａ１）における線Ｃ１−Ｃ２の断面図である。
【００３７】
図１において、基板１００上に、ゲート電極層１０１、ゲート絶縁層１０２、半導体層１
０３、ｎ型の導電型を有するバッファ層１０４ａ、１０４ｂ、ソース電極層又はドレイン
電極層１０５ａ、１０５ｂを有する薄膜トランジスタ１７０ａ、１７０ｂが設けられてい
る。
【００３８】
半導体層１０３としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、ソース電極層
又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂとＩＧＺＯ半導体層である半導体層１０３との間
に、半導体層１０３よりもキャリア濃度の高いバッファ層１０４ａ、１０４ｂを意図的に
設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。薄膜トランジスタの電気特性
のバラツキを低減するためには、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層はアモルフ
ァス状態であることが好ましい。
【００３９】
バッファ層１０４ａ、１０４ｂとしては、ｎ型の導電型を有する金属酸化物層を用いる。
金属酸化物層として、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化タ
ングステン、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化スズ、酸化ガリウム等を用いるこ
とができる。また、金属酸化物層の替わりに半導体層１０３よりもキャリア濃度の高いイ
ンジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を用いることもできる。
また、バッファ層にｎ型又はｐ型を付与する不純物元素を含ませてもよい。不純物元素
として、例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛、マグネシウム、アルミニウム、チタン、
鉄、錫、カルシウムなどを用いることができる。これらの不純物元素などをバッファ層に
含ませると、成膜後の加熱処理によって半導体層から酸素が抜け出ることを防ぐ効果があ
る。また、不純物添加により金属酸化物中のキャリア濃度を高めることができる。
【００４０】
バッファ層１０４ａ、１０４ｂは、ｎ＋層として機能し、ドレイン領域またはソース領域
とも呼ぶことができる。
【００４１】
図１（Ａ１）（Ａ２）の薄膜トランジスタ１７０ａは、バッファ層１０４ａ、１０４ｂと
ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂとを別のマスクを用いてエッチング
加工した例であり、バッファ層１０４ａ、１０４ｂとソース電極層又はドレイン電極層１
０５ａ、１０５ｂとは形状が異なる。
【００４２】
図１（Ｂ１）（Ｂ２）の薄膜トランジスタ１７０ｂは、バッファ層１０４ａ、１０４ｂと
ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂとを同じマスクを用いてエッチング
加工した例であり、バッファ層１０４ａ、１０４ｂとソース電極層又はドレイン電極層１
０５ａ、１０５ｂとは同様な形状を反映している。
【００４３】
また、図１（Ａ１）（Ａ２）（Ｂ１）（Ｂ２）の薄膜トランジスタ１７０ａ、１７０ｂは
、半導体層１０３上において、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂの端
部とバッファ層１０４ａ、１０４ｂの端部が一致せず、バッファ層１０４ａ、１０４ｂが
一部露出している例である。
【００４４】
一方、図２（Ａ１）（Ａ２）の薄膜トランジスタ１７０ｃは、半導体層１０３とバッファ
層１０４ａ、１０４ｂとを同じマスクを用いてエッチング加工する例であり半導体層１０
３とバッファ層１０４ａ、１０４ｂの端部は一致している。なお、図２（Ａ１）（Ａ２）
の薄膜トランジスタ１７０ｃは、半導体層１０３上において、ソース電極層又はドレイン
電極層１０５ａ、１０５ｂの端部とバッファ層１０４ａ、１０４ｂの端部も一致する例で
ある。
【００４５】
さらに、ソース電極層又はドレイン電極層が積層構造である薄膜トランジスタ１７０ｄを
図１１に示す。薄膜トランジスタ１７０ｄはソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ１
、１０５ａ２、１０５ａ３の積層、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ｂ１、１０５
ｂ２、１０５ｂ３の積層を有している。例えば、ソース電極層又はドレイン電極層１０５
ａ１、１０５ｂ１としてチタン膜、１０５ａ２、１０５ｂ２としてアルミニウム膜、１０
５ａ３、１０５ｂ３としてチタン膜を用いることができる。
【００４６】
薄膜トランジスタ１７０ｄでは、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ１、１０５ｂ
１をエッチングストッパーとして用いて、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ２、
１０５ａ３、１０５ｂ２、１０５ｂ３をウエットエッチングによってエッチングして形成
する。上記ウエットエッチングと同じマスクを用いて、ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ａ１、１０５ｂ１、バッファ層１０４ａ、１０４ｂをドライエッチングによってエ
ッチングして形成する。
【００４７】
したがって、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ１はバッファ層１０４ａの端部と
、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ｂ１はバッファ層１０４ｂの端部とそれぞれ一
致しており、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ２、１０５ａ３、ソース電極層又
はドレイン電極層１０５ｂ２、１０５ｂ３は、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ
１、１０５ｂ１より端部が後退している。
【００４８】
このように、ソース電極層及びドレイン電極層に用いる導電膜と、バッファ層及び半導体
層とがエッチング工程において選択比が低い場合は、エッチングストッパーとして機能す
る導電膜を積層して別のエッチング条件で複数回エッチング工程を行えばよい。
【００４９】
図１（Ａ１）（Ａ２）の薄膜トランジスタ１７０ａの作製方法を図３（Ａ）乃至（Ｇ）を
用いて説明する。
【００５０】
基板１００上にゲート電極層１０１、ゲート絶縁層１０２、半導体膜１１１を形成する（
図３（Ａ）参照。）。基板１００は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガ
ラス、若しくはアルミノシリケートガラスなど、フュージョン法やフロート法で作製され
る無アルカリガラス基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性
を有するプラスチック基板等を用いることができる。また、ステンレス合金などの金属基
板の表面に絶縁膜を設けた基板を適用しても良い。基板１００の大きさは、３２０ｍｍ×
４００ｍｍ、３７０ｍｍ×４７０ｍｍ、５５０ｍｍ×６５０ｍｍ、６００ｍｍ×７２０ｍ
ｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、７３０ｍｍ×９２０ｍｍ、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、
１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍ、１５００ｍｍ×１８００ｍ
ｍ、１９００ｍｍ×２２００ｍｍ、２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ、２４００ｍｍ×２８０
０ｍｍ、又は２８５０ｍｍ×３０５０ｍｍ等を用いることができる。
【００５１】
また基板１００上に下地膜として絶縁膜を形成してもよい。下地膜としては、ＣＶＤ法や
スパッタリング法等を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸
化珪素膜の単層、又は積層で形成すればよい。
【００５２】
ゲート電極層１０１は、チタン、モリブデン、クロム、タンタル、タングステン、アルミ
ニウムなどの金属材料またはその合金材料を用いて形成する。ゲート電極層１０１は、ス
パッタリング法や真空蒸着法で基板１００上に導電膜を形成し、当該導電膜上にフォトリ
ソグラフィ技術またはインクジェット法によりマスクを形成し、当該マスクを用いて導電
膜をエッチングすることで、形成することができる。また、銀、金、銅などの導電性ナノ
ペーストを用いてインクジェット法により吐出し焼成して、ゲート電極層１０１を形成す
ることができる。なお、ゲート電極層１０１の密着性向上と基板や下地膜への拡散を防ぐ
バリアメタルとして、上記金属材料の窒化物膜を、基板１００及びゲート電極層１０１の
間に設けてもよい。また、ゲート電極層１０１は単層構造としても積層構造としてもよく
、例えば基板１００側からモリブデン膜とアルミニウム膜との積層、モリブデン膜とアル
ミニウムとネオジムとの合金膜との積層、チタン膜とアルミニウム膜との積層、チタン膜
、アルミニウム膜及びチタン膜との積層などを用いることができる。
【００５３】
なお、ゲート電極層１０１上には半導体膜や配線を形成するので、段切れ防止のため端部
がテーパー状になるように加工することが望ましい。
【００５４】
ゲート絶縁層１０２、及び半導体膜１１１は大気に曝さずに連続的に形成することができ
る。連続して成膜すると、大気成分や大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されること
なく各積層界面を形成することができる。
【００５５】
アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気
特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。特に、薄膜トランジスタ
の電気特性のうち、しきい値電圧（Ｖｔｈ）が重要である。電界効果移動度が高くともし
きい値電圧値が高い、或いはしきい値電圧値がマイナスであると、回路として制御するこ
とが困難である。しきい値電圧値が高く、しきい値電圧の絶対値が大きい薄膜トランジス
タの場合には、駆動電圧が低い状態では薄膜トランジスタとしてのスイッチング機能を果
たすことができず、負荷となる恐れがある。また、しきい値電圧値がマイナスであると、
ゲート電圧が０Ｖでもソース電極とドレイン電極の間に電流が流れる、所謂ノーマリーオ
ンとなりやすい。
【００５６】
ｎチャネル型の薄膜トランジスタの場合、ゲート電圧に正の電圧を印加してはじめてチャ
ネルが形成されて、ドレイン電流が流れ出すトランジスタが望ましい。駆動電圧を高くし
ないとチャネルが形成されないトランジスタや、負の電圧状態でもチャネルが形成されて
ドレイン電流が流れるトランジスタは、回路に用いる薄膜トランジスタとしては不向きで
ある。
【００５７】
よって、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのゲート
電圧が０Ｖにできるだけ近い正のしきい値電圧でチャネルが形成されることが望ましい。
【００５８】
薄膜トランジスタのしきい電圧値は、酸化物半導体層の界面、即ち、酸化物半導体層とゲ
ート絶縁層の界面に大きく影響すると考えられる。
【００５９】
そこで、これらの界面を清浄な状態で形成することによって、薄膜トランジスタの電気特
性を向上させるとともに、製造工程の複雑化を防ぐことができ、量産性と高性能の両方を
備えた薄膜トランジスタを実現する。
【００６０】
特に酸化物半導体層とゲート絶縁層との界面に大気中の水分が存在すると、薄膜トランジ
スタの電気的特性の劣化、しきい値電圧のばらつき、ノーマリーオンになりやすいといっ
た問題を招く。酸化物半導体層とゲート絶縁層とを連続成膜することで、このような水素
化合物を排除することができる。
【００６１】
よって、大気に曝すことなくゲート絶縁層１０２と、半導体膜１１１をスパッタリング法
により、減圧下で連続成膜することで良好な界面を有し、リーク電流が低く、且つ、電流
駆動能力の高い薄膜トランジスタを実現することができる。
【００６２】
また、ゲート絶縁層１０２及びＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜である半導体
膜１１１は酸素雰囲気下（又は酸素９０％以上、希ガス（アルゴン）１０％以下）で成膜
することが好ましい。
【００６３】
このようにスパッタリング法を用いて連続的に成膜すると、生産性が高く、薄膜界面の信
頼性が安定する。また、ゲート絶縁層と半導体層を酸素雰囲気下で成膜し、酸素を多く含
ませるようにすると、劣化による信頼性の低下や、薄膜トランジスタがノーマリーオンと
なることを軽減することができる。
【００６４】
ゲート絶縁層１０２は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素
膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜で形成することができる。図２（Ａ１）（Ａ
２）に示す薄膜トランジスタ１７０ｃはゲート絶縁層１０２を積層する例である。
【００６５】
ゲート絶縁層１０２として、窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜と、酸化珪素膜または酸化
窒化珪素膜との順に積層して形成することができる。なお、ゲート絶縁層を２層とせず、
基板側から窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜と、酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜と、窒
化珪素膜または窒化酸化珪素膜との順に３層積層して形成することができる。また、ゲー
ト絶縁層を、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜の単層で
形成することができる。
【００６６】
また、ゲート絶縁層１０２として、プラズマＣＶＤ法によりゲート電極層１０１上に窒化
珪素膜を形成し、窒化珪素膜上にスパッタリング法により酸化珪素膜を積層してもよい。
プラズマＣＶＤ法によりゲート電極層１０１上に窒化珪素膜と酸化珪素膜を順に積層し、
酸化珪素膜上にさらにスパッタリング法により酸化珪素膜を積層してもよい。
【００６７】
ここでは、酸化窒化珪素膜とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いもので
あって、濃度範囲として酸素が５５〜６５原子％、窒素が１〜２０原子％、Ｓｉが２５〜
３５原子％、水素が０．１〜１０原子％の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化珪
素膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、濃度範囲とし
て酸素が１５〜３０原子％、窒素が２０〜３５原子％、Ｓｉが２５〜３５原子％、水素が
１５〜２５原子％の範囲で含まれるものをいう。
【００６８】
また、ゲート絶縁層１０２として、アルミニウム、イットリウム、マグネシウム又はハフ
ニウムの酸化物、窒化物、酸化窒化物、又は窒化酸化物の一種又はそれらの化合物を少な
くとも２種以上含む化合物を用いることもできる。
【００６９】
また、ゲート絶縁層１０２に、塩素、フッ素などのハロゲン元素を含ませてもよい。ゲー
ト絶縁層１０２中のハロゲン元素の濃度は、濃度ピークにおいて１×１０１５ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３以上１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすればよい。
【００７０】
半導体膜１１１としては、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を形成する。半導
体膜１１１はエッチング後の膜厚のうち、薄い領域の膜厚が２ｎｍ以上２００ｎｍ以下（
好ましくは２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下）の厚さとなるように形成するとよい。例えば、
半導体膜１１１として、スパッタリング法を用いて、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物
半導体膜を膜厚５０ｎｍで形成すればよい。具体的な条件例としては、直径８インチのＩ
ｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲットを用いて、基板とターゲットの間との
距離を１７０ｍｍ、圧力０．４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、アルゴン又は酸素雰
囲気下で成膜することができる。また、パルス直流（ＤＣ）電源を用いると、ゴミが軽減
でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。
【００７１】
次に半導体膜１１１をマスク１１３を用いてエッチングにより加工し、半導体層１０３を
形成する（図３（Ｂ）参照。）。半導体層１０３は、フォトリソグラフィ技術または液滴
吐出法によりマスク１１３を形成し、当該マスク１１３を用いて半導体膜１１１をエッチ
ングすることで、形成することができる。
【００７２】
半導体層１０３の端部をテーパーを有する形状にエッチングすることで、段差形状による
配線の段切れを防ぐことができる。
【００７３】
次に、ゲート絶縁層１０２、半導体層１０３上にｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１
４を形成する（図３（Ｃ）参照。）。ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１４上にマス
ク１１６を形成する。マスク１１６は、フォトリソグラフィ技術またはインクジェット法
により形成する。ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１４をマスク１１６を用いてエッ
チングにより加工し、ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１５を形成する（図３（Ｄ）
参照。）。ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１５は膜厚２ｎｍ以上１００ｎｍ以下（
好ましくは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下）とすればよい。ｎ型の導電型を有する金属酸化物
膜１１４は希ガス（好ましくはアルゴン）雰囲気下で成膜することが好ましい。ここでは
、金属酸化物膜１１４に酸化チタン膜を用いる。そのエッチング方法の一例として、希釈
したフッ酸、塩酸又は硫酸もしくは、アンモニア水と過酸化水素水と純水を１：１：５の
体積比で混合した溶液をエッチャントに用いることができる。
【００７４】
半導体膜１１１やｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１５などのスパッタリング法以外
の他の成膜方法としては、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）及び電子ビーム蒸着法など
の気相法を用いることができる。気相法の中でも、材料系の組成を制御しやすい点では、
ＰＬＤ法が、量産性の点からは、上述したようにスパッタリング法が適している。
【００７５】
ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１５上に導電膜１１７を形成する（図３（Ｅ）参照
。）。
【００７６】
導電膜１１７は、アルミニウム、若しくは銅、シリコン、チタン、ネオジム、スカンジウ
ム、モリブデンなどの耐熱性向上元素若しくはヒロック防止元素が添加されたアルミニウ
ム合金の単層または積層で形成することが好ましい。また、ｎ型の導電型を有する金属酸
化物膜と接する側の膜を、チタン、タンタル、モリブデン、タングステン、またはこれら
の元素の窒化物で形成し、その上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を形成した積層
構造としても良い。更には、アルミニウムまたはアルミニウム合金の上面及び下面を、チ
タン、タンタル、モリブデン、タングステン、またはこれらの元素の窒化物で挟んだ積層
構造としてもよい。ここでは、導電膜１１７として、チタン膜、アルミニウム膜、及びチ
タン膜の積層導電膜を用いる。かかる積層導電膜は過酸化水素水または加熱塩酸をエッチ
ャントとしてエッチングできる。
【００７７】
チタン膜、アルミニウム膜、チタン膜の積層を用いると低抵抗であり、かつアルミニウム
膜にヒロックが発生しにくい。
【００７８】
導電膜１１７は、スパッタリング法や真空蒸着法で形成する。また、導電膜１１７は、銀
、金、銅などの導電性ナノペーストを用いてスクリーン印刷法、インクジェット法等を用
いて吐出し焼成して形成しても良い。
【００７９】
次に、導電膜１１７上にマスク１１８を形成する。マスク１１８を用いて導電膜１１７を
エッチングし分離して、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂを形成する
（図３（Ｆ）参照。）。本実施の形態の図３（Ｆ）のように導電膜１１７をウエットエッ
チングすると、導電膜１１７は等方的にエッチングされるため、ソース電極層又はドレイ
ン電極層１０５ａ、１０５ｂの端部はマスク１１８の端部と一致せずより後退している。
次に、マスク１１８を用いてｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１５をエッチングして
、バッファ層１０４ａ、１０４ｂを形成する（図３（Ｇ）参照。）。なお、エッチング条
件にもよるがｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１５のエッチング工程において、半導
体層１０３の露出領域も一部エッチングされ得る。この場合、図示しないがバッファ層１
０４ａ、１０４ｂの間の半導体層１０３のチャネル領域は膜厚の薄い領域となる。なお、
本実施の形態においては、バッファ層１０４ａ、１０４ｂの形成とソース電極層及びドレ
イン電極層１０５ａ、１０５ｂの形成を分けて行うため、バッファ層１０４ａ、１０４ｂ
とソース電極層及びドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂの端部における重ならない領域の
長さを容易に制御できる。
【００８０】
さらに、半導体層１０３にプラズマ処理を行ってもよい。プラズマ処理を行うことにより
、半導体層１０３のエッチングによるダメージを回復することができる。プラズマ処理は
Ｏ２、Ｎ２Ｏ、好ましくは酸素を含むＮ２、Ｈｅ、Ａｒ雰囲気下で行うことが好ましい。
また、上記雰囲気にＣｌ２、ＣＦ４を加えた雰囲気下で行ってもよい。なお、プラズマ処
理は、無バイアスで行うことが好ましい。
【００８１】
半導体層１０３上のソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂの端部と、バッ
ファ層１０４ａ、１０４ｂの端部は一致せずずれており、ソース電極層又はドレイン電極
層１０５ａ、１０５ｂの端部の外側に、バッファ層１０４ａ、１０４ｂの端部が形成され
る。
【００８２】
この後、マスク１１８を除去する。以上の工程により、薄膜トランジスタ１７０ａを形成
することができる。
【００８３】
次に図１（Ｂ１）（Ｂ２）に示す薄膜トランジスタ１７０ｂの作製工程を図４に示す。
【００８４】
図４（Ａ）は図３（Ｂ）の工程においてマスク１１３を除去した状態である。半導体層１
０３上にｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１４と導電膜１２１とを順に積層する（図
４（Ｂ）参照。）。この場合ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１４と導電膜１２１と
を大気に曝さないでスパッタリング法で連続的に成膜することができる。
【００８５】
ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１４と導電膜１２１上にマスク１２２を形成し、マ
スク１２２を用いて導電膜１２１をウエットエッチング加工してソース電極層又はドレイ
ン電極層１０５ａ、１０５ｂを形成する（図４（Ｃ）参照。）。
【００８６】
次に、ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１４をドライエッチング加工してバッファ層
１０４ａ、１０４ｂを形成する（図４（Ｄ）参照。）。図４のように、バッファ層１０４
ａ、１０４ｂとソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂとを形成するエッチ
ングに同じマスクを用いると、マスク数を減らすことができるため、工程簡略化、低コス
ト化が計れる。
【００８７】
薄膜トランジスタ１７０ａ、１７０ｂ上に保護膜として絶縁膜を形成してもよい。保護膜
としてはゲート絶縁層と同様に形成することができる。なお、保護膜は、大気中に浮遊す
る有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が
好ましい。例えば、薄膜トランジスタ１７０ａ、１７０ｂ上に保護膜として酸化珪素膜と
窒化珪素膜との積層を形成すればよい。
【００８８】
また、半導体層１０３は成膜後に加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理は成膜後であ
ればどの工程で行ってもよいが、成膜直後、導電膜１１７の形成後、保護膜の形成後など
で行うことができる。また、他の加熱処理と兼ねて行ってもよい。また加熱温度は３００
℃以上４００℃以下、好ましくは３５０℃とすればよい。図２のように半導体層１０３及
びバッファ層１０４ａ、１０４ｂを連続成膜する場合、積層した後に加熱処理を行っても
よい。加熱処理は半導体層１０３とバッファ層１０４ａ、１０４ｂと別工程で複数回行っ
てもよい。
【００８９】
ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂの端部と、バッファ層１０４ａ、１
０４ｂの端部は一致せずずれた形状となることで、ソース電極層又はドレイン電極層１０
５ａ、１０５ｂの端部の距離が離れるため、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、
１０５ｂ間のリーク電流やショートを防止することができる。このため、信頼性が高く、
且つ耐圧の高い薄膜トランジスタを作製することができる。
【００９０】
また、図２（Ａ１）（Ａ２）の薄膜トランジスタ１７０ｃのようにバッファ層１０４ａ、
１０４ｂの端部とソース電極及びドレイン電極の端部を一致する形状としてもよい。ソー
ス電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂを形成するためのエッチング及びバッフ
ァ層１０４ａ、１０４ｂを形成するためのエッチングをドライエッチングで行うと図２（
Ａ１）（Ａ２）の薄膜トランジスタ１７０ｃのような形状にすることができる。また、ｎ
型の導電型を有する金属酸化物膜１１４をソース電極及びドレイン電極をマスクとしてエ
ッチングし、バッファ層１０４ａ、１０４ｂを形成しても図２（Ａ１）（Ａ２）の薄膜ト
ランジスタ１７０ｃのような形状にすることができる。
【００９１】
バッファ層（ｎ型の導電型を有する金属酸化物層）を設けない、ゲート電極層、ゲート絶
縁層、半導体層（Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層）、ソース電極層及びドレ
イン電極層という積層構造であると、ゲート電極層とソース電極層又はドレイン電極層と
の距離が近くなり、間に生じる寄生容量が増加してしまう。さらに、この寄生容量の増加
は、半導体層の薄膜化によってより顕著になる。本実施の形態では、ｎ型の導電型を有す
る金属酸化物層というようなキャリア濃度が高いバッファ層を設ける、ゲート電極層、ゲ
ート絶縁層、半導体層、バッファ層、ソース電極層及びドレイン電極層という積層構造を
有する薄膜トランジスタとしているため、半導体層の膜厚が薄膜であっても寄生容量を抑
制することができる。
【００９２】
本実施の形態によって、光電流が少なく、寄生容量が小さく、オンオフ比の高い薄膜トラ
ンジスタを得ることができ、良好な動特性を有する薄膜トランジスタを作製できる。よっ
て、電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供することが
できる。
【００９３】
（実施の形態２）
本実施の形態は、本発明の一態様に係るマルチゲート構造の薄膜トランジスタの例である
。従って、他は実施の形態１と同様に行うことができ、実施の形態１と同一部分又は同様
な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する。
【００９４】
本実施の形態では、半導体装置に用いられる薄膜トランジスタについて、図５乃至図７（
Ａ）（Ｂ）を用いて説明する。
【００９５】
図５（Ａ）は、薄膜トランジスタ１７１ａを示す平面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ
）における線Ｅ１−Ｅ２の薄膜トランジスタ１７１ａを示す断面図に相当する。
【００９６】
図５（Ａ）（Ｂ）に示すように、基板１５０上に、ゲート電極層１５１ａ、１５１ｂ、半
導体層１５３ａ、１５３ｂ、バッファ層１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ、ソース電極層又
はドレイン電極層１５５ａ、１５５ｂを含むマルチゲート構造の薄膜トランジスタ１７１
ａが設けられている。
【００９７】
半導体層１５３ａ、１５３ｂは、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層であり、バ
ッファ層１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃはｎ型の導電型を有する金属酸化物層である。ソ
ース領域又はドレイン領域（ｎ＋層）として機能するバッファ層１５４ａ、１５４ｂ、１
５４ｃは、半導体層１５３ａ、１５３ｂよりキャリア濃度が高い。
【００９８】
半導体層１５３ａと半導体層１５３ｂとは、一方をバッファ層１５４ｃを介して電気的に
接続しており、他方でそれぞれ半導体層１５３ａはバッファ層１５４ａを介してソース電
極層又はドレイン電極層１５５ａと、半導体層１５３ｂはバッファ層１５４ｂを介してソ
ース電極層又はドレイン電極層１５５ｂと電気的に接続している。
【００９９】
図６に他の構成のマルチゲート構造の薄膜トランジスタ１７１ｂを示す。図６（Ａ）は、
薄膜トランジスタ１７１ｂを示す平面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）における線Ｆ
１−Ｆ２の薄膜トランジスタ１７１ｂを示す断面図に相当する。図６の薄膜トランジスタ
１７１ｂにおいてはバッファ層１５４ｃ上にソース電極層又はドレイン電極層１５５ａ、
１５５ｂと同工程で形成される配線層１５６が設けられ、半導体層１５３ａと半導体層１
５３ｂとはバッファ層１５４ｃと配線層１５６によって電気的に接続されている。
【０１００】
図７に他の構成のマルチゲート構造の薄膜トランジスタ１７１ｃを示す。図７（Ａ）は、
薄膜トランジスタ１７１ｃを示す平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）における線Ｇ
１−Ｇ２の薄膜トランジスタ１７１ｃを示す断面図に相当する。図７の薄膜トランジスタ
１７１ｃにおいては、半導体層１５３ａと半導体層１５３ｂとが連続した一層の半導体層
１５３として形成されている例である。半導体層１５３はゲート絶縁層１５２を介して、
ゲート電極層１５１ａ、１５１ｂを跨るように設けられる。
【０１０１】
このように、本発明の一態様に係るマルチゲート構造の薄膜トランジスタにおいては、各
ゲート電極層上に形成される半導体層は連続して設けられてもよいし、バッファ層及び配
線層などを介して複数の半導体層が電気的に接続して設けられてもよい。
【０１０２】
本発明の一態様に係るマルチゲート構造の薄膜トランジスタは、オフ電流が少なく、その
ような薄膜トランジスタを含む半導体装置は高い電気特性及び高信頼性を付与することが
できる
【０１０３】
本実施の形態では、マルチゲート構造としてゲート電極層が２つのダブルゲート構造の例
を示すが、本発明はより多くのゲート電極層を有するトリプルゲート構造などにも適用す
ることができる。
【０１０４】
（実施の形態３）
本実施の形態は、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいてバッファ層を積層する
例である。従って、他は実施の形態１又は実施の形態２と同様に行うことができ、実施の
形態１又は実施の形態２と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの
説明は省略する。
【０１０５】
本実施の形態では、半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ１７３について、図８を用
いて説明する。
【０１０６】
図８に示すように、基板１００上に、ゲート電極層１０１、半導体層１０３、バッファ層
１０６ａ、１０６ｂ、バッファ層１０４ａ、１０４ｂ、ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ａ、１０５ｂを含む薄膜トランジスタ１７３が設けられている。
【０１０７】
本実施の形態の薄膜トランジスタ１７３は、半導体層１０３とバッファ層１０４ａ、１０
４ｂとの間にそれぞれ第２のバッファ層としてバッファ層１０６ａ、１０６ｂが設けられ
ている。
【０１０８】
半導体層１０３は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層であり、バッファ層１０
４ａ、１０４ｂは金属酸化物層であり、バッファ層１０６ａ、１０６ｂはＩｎ、Ｇａ、及
びＺｎを含む酸化物半導体層と金属酸化物層との混合層である。バッファ層１０６ａ、１
０６ｂは、金属酸化物ターゲットとＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲット
の共スパッタリングにより形成することができる。金属酸化物層として、酸化チタン、酸
化モリブデン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化タングステン、酸化マグネシウム、酸化
カルシウム、酸化錫、酸化ガリウム等を用いることができるが、特に酸化チタンが好適で
ある。また、バッファ層１０４ａ、１０４ｂ、バッファ層１０６ａ、１０６ｂにはｎ型又
はｐ型の不純物元素を含ませてもよい。不純物元素として例えば、インジウム、ガリウム
、亜鉛、マグネシウム、アルミニウム、チタン、鉄、錫、カルシウム、スカンジウム、イ
ットリウム、ジルコニウム、ハフニウム、ホウ素、タリウム、ゲルマニウム、鉛などを挙
げることができる。異種金属により金属酸化物中のキャリア濃度を高めることができる。
【０１０９】
半導体層１０３とバッファ層１０４ａ、１０４ｂとの間に設けられる第２のバッファ層（
バッファ層１０６ａ、１０６ｂ）は、キャリア濃度が半導体層１０３より高く、バッファ
層１０４ａ、１０４ｂより低い。バッファ層１０４ａ、１０４ｂがｎ＋層として機能する
のに対して、第２のバッファ層（バッファ層１０６ａ、１０６ｂ）はｎ−層として機能す
る。
【０１１０】
このように、半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間に設けられるバッファ層
は積層構造としてもよく、そのキャリア濃度は半導体層からソース電極層又はドレイン電
極層へ向かって高くなるように制御する。
【０１１１】
本発明の一態様に係る積層バッファ層を有する薄膜トランジスタは、オフ電流が少なく、
そのような薄膜トランジスタを含む半導体装置は高い電気特性及び高信頼性を付与するこ
とができる。また、半導体層１０３からソース電極層又はドレイン電極層に向かってキャ
リア密度が上昇するように勾配をつけることにより、半導体層１０３とソース電極層又は
ドレイン電極層との間の接触抵抗を低減することができる。また、第２のバッファ層を設
けることにより半導体層１０３との接合界面に集中する電界をより緩和することができる
。
【０１１２】
本実施の形態は他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１１３】
（実施の形態４）
本実施の形態は、実施の形態１において、薄膜トランジスタの形状及び作製方法が一部異
なる例である。従って、他は実施の形態１と同様に行うことができ、実施の形態１と同一
部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する。
【０１１４】
本実施の形態では、表示装置に用いられる薄膜トランジスタ１７４及びその作製工程につ
いて、図９及び図１０を用いて説明する。図９（Ａ１）は薄膜トランジスタ１７４の平面
図、図９（Ａ２）及び図１０は図９（Ａ１）における線Ｄ１−Ｄ２の薄膜トランジスタ及
びその作製工程を示す断面図に相当する。
【０１１５】
図９（Ａ）（Ｂ）に示すように、基板１００上に、ゲート電極層１０１、半導体層１０３
、バッファ層１０４ａ、１０４ｂ、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂ
を含む薄膜トランジスタ１７４が設けられている。
【０１１６】
半導体層１０３は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層であり、バッファ層１０
４ａ、１０４ｂはｎ型の導電型を有する金属酸化物層である。ソース領域又はドレイン領
域（ｎ＋層）として機能するバッファ層１０４ａ、１０４ｂは、半導体層１０３よりキャ
リア濃度が高い。
【０１１７】
半導体層１０３はバッファ層１０４ａを介してソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ
と、バッファ層１０４ｂを介してソース電極層又はドレイン電極層１０５ｂと電気的に接
続している。
【０１１８】
図１０を用いて薄膜トランジスタ１７４の作製工程を説明する。基板１００上にゲート電
極層１０１を形成する。次に、ゲート電極層１０１上に、ゲート絶縁層１０２、Ｉｎ、Ｇ
ａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜である半導体膜１３１、ｎ型の導電型を有する金属酸
化物膜１３２、導電膜１３３を順に形成する（図１０（Ａ）参照。）。
【０１１９】
ゲート絶縁層１０２、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜である半導体膜１３１
、ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１３２、導電膜１３３を大気に触れさせることなく
連続的に形成することができる。大気に触れさせることなく連続成膜することで、大気成
分や大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されることなく各積層界面を形成することが
できるので、薄膜トランジスタ特性のばらつきを低減することができる。
【０１２０】
本実施の形態では、マスク１３５を形成するために高階調マスクを用いた露光を行う例を
示す。マスク１３５を形成するためレジストを形成する。レジストは、ポジ型レジストま
たはネガ型レジストを用いることができる。ここでは、ポジ型レジストを用いて示す。
【０１２１】
次に、フォトマスクとして多階調マスクを用いて、レジストに光を照射して、レジストを
露光する。
【０１２２】
多階調マスクとは、露光部分、中間露光部分、及び未露光部分に３つの露光レベルを行う
ことが可能なマスクであり、一度の露光及び現像工程により、複数（代表的には二種類）
の厚さの領域を有するレジストマスクを形成することが可能である。このため、多階調マ
スクを用いることで、フォトマスクの枚数を削減することが可能である。
【０１２３】
多階調マスクの代表例としては、グレートーンマスク、ハーフトーンマスクがある。
【０１２４】
グレートーンマスクは、透光性を有する基板及びその上に形成される遮光部並びに回折格
子で構成される。遮光部においては、光の透過率が０％である。一方、回折格子はスリッ
ト、ドット、メッシュ等の光透過部の間隔を、露光に用いる光の解像度限界以下の間隔と
することにより、光の透過率を制御することができる。なお、回折格子は、周期的なスリ
ット、ドット、メッシュ、または非周期的なスリット、ドット、メッシュどちらも用いる
ことができる。
【０１２５】
透光性を有する基板は、石英等の透光性を有する基板を用いることができる。遮光部及び
回折格子は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材料を用いて形成することができ
る。
【０１２６】
グレートーンマスクに露光光を照射した場合、遮光部においては、光の透過率は０％であ
り、遮光部及び回折格子が設けられていない領域では光の透過率は１００％である。また
、回折格子においては、１０〜７０％の範囲で調整可能である。回折格子における光の透
過率の調整は、回折格子のスリット、ドット、またはメッシュの間隔及びピッチの調整に
より可能である。
【０１２７】
ハーフトーンマスクは、透光性を有する基板及びその上に形成される半透過部並びに遮光
部で構成される。半透過部は、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＯＮ、Ｃｒ
Ｓｉなどを用いることができる。遮光部は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材
料を用いて形成することができる。
【０１２８】
ハーフトーンマスクに露光光を照射した場合、遮光部においては、光の透過率は０％であ
り、遮光部及び半透過部が設けられていない領域では光の透過率は１００％である。また
、半透過部においては、１０〜７０％の範囲で調整可能である。半透過部に於ける光の透
過率の調整は、半透過部の材料により調整により可能である。
【０１２９】
多階調マスクを用いて露光した後、現像することで、図１０（Ｂ）に示すように、膜厚の
異なる領域を有するマスク１３５を形成することができる。
【０１３０】
次に、マスク１３５により、半導体膜１３１、金属酸化物膜１３２、導電膜１３３をエッ
チングし分離する。この結果、半導体層１０３、ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１３
７、及び導電膜１３８を形成することができる（図１０（Ｂ）参照。）。
【０１３１】
次に、マスク１３５をアッシングする。この結果、マスクの面積が縮小し、厚さが薄くな
る。このとき、膜厚の薄い領域のマスクのレジスト（ゲート電極層１０１の一部と重畳す
る領域）は除去され、分離されたマスク１３９を形成することができる（図１０（Ｃ）参
照。）。
【０１３２】
マスク１３９を用いて導電膜１３８をエッチングし、ソース電極層又はドレイン電極層１
０５ａ、１０５ｂを形成する。本実施の形態のように導電膜１３８をウエットエッチング
すると、導電膜１３８は等方的にエッチングされるため、マスク１３９の端部と、ソース
電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂの端部は一致せずより後退し、ソース電極
層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂの外側にｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１
３７及び半導体層１０３が突出した形状となる。次に、マスク１３９を用いてｎ型の導電
型を有する金属酸化物膜１３７をエッチングして、バッファ層１０４ａ、１０４ｂを形成
する（図１０（Ｄ）参照。）。なお、半導体層１０３に対する金属酸化物膜１３７のエッ
チング選択比が小さい場合には、金属酸化物膜１３７がエッチングされる際に半導体層１
０３の露出する領域が一部エッチングされ、図示しない溝部を有する。
【０１３３】
この後、マスク１３９を除去する。
【０１３４】
以上の工程で、図９（Ａ）（Ｂ）に示す薄膜トランジスタ１７４を作製することができる
。
【０１３５】
本実施の形態のように、多階調マスクにより形成した複数（代表的には二種類）の厚さの
領域を有するレジストマスクを用いると、レジストマスクの数を減らすことができるため
、工程簡略化、低コスト化が計れる。
【０１３６】
本実施の形態は他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１３７】
（実施の形態５）
ここでは、少なくともゲート絶縁膜と酸化物半導体層の積層を大気に触れることなく、連
続成膜を行う逆スタガ型の薄膜トランジスタの作製例を以下に示す。ここでは、連続成膜
を行う工程までの工程を示し、その後の工程は、実施の形態１乃至４のいずれか一に従っ
て薄膜トランジスタを作製すればよい。
【０１３８】
本明細書中で連続成膜とは、スパッタ法で行う第１の成膜工程からスパッタ法で行う第２
の成膜工程までの一連のプロセス中、被処理基板の置かれている雰囲気が大気等の汚染雰
囲気に触れることなく、常に真空中または不活性ガス雰囲気（窒素雰囲気または希ガス雰
囲気）で制御されていることを言う。連続成膜を行うことにより、清浄化された被処理基
板の水分等の再付着を回避して成膜を行うことができる。
【０１３９】
同一チャンバー内で第１の成膜工程から第２の成膜工程までの一連のプロセスを行うこと
は本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
【０１４０】
また、異なるチャンバーで第１の成膜工程から第２の成膜工程までの一連のプロセスを行
う場合、第１の成膜工程を終えた後、大気にふれることなくチャンバー間を基板搬送して
第２の成膜を施すことも本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
【０１４１】
なお、第１の成膜工程と第２の成膜工程の間に、基板搬送工程、アライメント工程、徐冷
工程、または第２の工程に必要な温度とするため基板を加熱または冷却する工程等を有し
ても、本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
【０１４２】
ただし、洗浄工程、ウエットエッチング、レジスト形成といった液体を用いる工程が第１
の成膜工程と第２の成膜工程の間にある場合、本明細書でいう連続成膜の範囲には当ては
まらないとする。
【０１４３】
大気に触れることなく連続成膜を行う場合、図１２に示すようなマルチチャンバー型の製
造装置を用いることが好ましい。
【０１４４】
製造装置の中央部には、基板を搬送する搬送機構（代表的には搬送ロボット８１）を備え
た搬送室８０が設けられ、搬送室８０には、搬送室８０内へ搬入および搬出する基板を複
数枚収納するカセットケースをセットするカセット室８２が連結されている。
【０１４５】
また、搬送室８０には、それぞれゲートバルブ８４〜８８を介して複数の処理室が連結さ
れる。ここでは、上面形状が六角形の搬送室８０に５つの処理室を連結する例を示す。な
お、搬送室の上面形状を変更することで、連結できる処理室の数を変えることができ、例
えば、四角形とすれば３つの処理室が連結でき、八角形とすれば７つの処理室が連結でき
る。
【０１４６】
５つの処理室のうち、少なくとも１つの処理室はスパッタリングを行うスパッタチャンバ
ーとする。スパッタチャンバーは、少なくともチャンバー内部に、スパッタターゲット、
ターゲットをスパッタするための電力印加機構やガス導入手段、所定位置に基板を保持す
る基板ホルダー等が設けられている。また、スパッタチャンバー内を減圧状態とするため
、チャンバー内の圧力を制御する圧力制御手段がスパッタチャンバーに設けられている。
【０１４７】
スパッタ法にはスパッタ用電源に高周波電源を用いるＲＦスパッタ法と、ＤＣスパッタ法
があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスＤＣスパッタ法もある。ＲＦスパッタ
法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、ＤＣスパッタ法は主に金属膜を成膜する場合
に用いられる。
【０１４８】
また、材料の異なるターゲットを複数設置できる多元スパッタ装置もある。多元スパッタ
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
【０１４９】
また、チャンバー内部に磁石機構を備えたマグネトロンスパッタ法を用いるスパッタ装置
や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるＥＣＲスパッタ
法を用いるスパッタ装置がある。
【０１５０】
スパッタチャンバーとしては、上述した様々なスパッタ法を適宜用いる。
【０１５１】
また、成膜方法として、成膜中にターゲット物質とスパッタガス成分とを化学反応させて
それらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタ法や、成膜中に基板にも電圧をかけ
るバイアススパッタ法もある。
【０１５２】
また、５つの処理室のうち、他の処理室の一つはスパッタリングの前に基板の予備加熱な
どを行う加熱チャンバー、スパッタリング後に基板を冷却する冷却チャンバー、或いはプ
ラズマ処理を行うチャンバーとする。
【０１５３】
次に製造装置の動作の一例について説明する。
【０１５４】
被成膜面を下向きとした基板９４を収納した基板カセットをカセット室８２にセットして
、カセット室８２に設けられた真空排気手段によりカセット室を減圧状態とする。なお、
予め、各処理室および搬送室８０内部をそれぞれに設けられた真空排気手段により減圧し
ておく。こうしておくことで、各処理室間を基板が搬送されている間、大気に触れること
なく清浄な状態を維持することができる。
【０１５５】
なお、被成膜面を下向きとした基板９４は、少なくともゲート電極が予め設けられている
。例えば、基板とゲート電極の間にプラズマＣＶＤ法で得られる窒化シリコン膜、窒化酸
化シリコン膜などの下地絶縁膜を設けてもよい。基板９４としてアルカリ金属を含むガラ
ス基板を用いる場合、下地絶縁膜は、基板からナトリウム等の可動イオンがその上の半導
体領域中に侵入して、ＴＦＴの電気特性が変化することを抑制する作用を有する。
【０１５６】
ここでは、ゲート電極を覆う窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法で形成し、１層目のゲー
ト絶縁膜を形成した基板を用いる。プラズマＣＶＤ法で成膜された窒化シリコン膜は緻密
であり、１層目のゲート絶縁膜とすることでピンホールなどの発生を抑えることができる
。なお、ここではゲート絶縁膜を積層とする例を示すが特に限定されず、単層または３層
以上の積層を用いてもよい。
【０１５７】
次いで、ゲートバルブ８３を開いて搬送ロボット８１により１枚目の基板９４をカセット
から抜き取り、ゲートバルブ８４を開いて第１の処理室８９内に搬送し、ゲートバルブ８
４を閉める。第１の処理室８９では、加熱ヒータやランプ加熱で基板を加熱して基板９４
に付着している水分などを除去する。特に、ゲート絶縁膜に水分が含まれるとＴＦＴの電
気特性が変化する恐れがあるため、スパッタ成膜前の加熱は有効である。なお、カセット
室８２に基板をセットした段階で十分に水分が除去されている場合には、この加熱処理は
不要である。
【０１５８】
また、第１の処理室８９にプラズマ処理手段を設け、１層目のゲート絶縁膜の表面にプラ
ズマ処理を行ってもよい。また、カセット室８２に加熱手段を設けてカセット室８２で水
分を除去する加熱を行ってもよい。
【０１５９】
次いで、ゲートバルブ８４を開いて搬送ロボット８１により基板を搬送室８０に搬送し、
ゲートバルブ８５を開いて第２の処理室９０内に搬送し、ゲートバルブ８５を閉める。
【０１６０】
ここでは、第２の処理室９０は、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いたスパッタチャンバ
ーとする。第２の処理室９０では、２層目のゲート絶縁膜として酸化シリコン膜（ＳｉＯ
ｘ膜）の成膜を行う。２層目のゲート絶縁膜として、酸化シリコン膜の他に、酸化アルミ
ニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）、酸化マグネシウム膜（ＭｇＯｘ膜）、窒化アルミニウム膜（
ＡｌＮｘ膜）、酸化イットリウム膜（ＹＯｘ膜）などを用いることができる。
【０１６１】
また、２層目のゲート絶縁膜にハロゲン元素、例えばフッ素、塩素などを膜中に少量添加
し、ナトリウム等の可動イオンの固定化をさせてもよい。その方法としては、チャンバー
内にハロゲン元素を含むガスを導入してスパッタリングを行う。ただし、ハロゲン元素を
含むガスを導入する場合にはチャンバーの排気手段に除害設備を設ける必要がある。ゲー
ト絶縁膜に含ませるハロゲン元素の濃度は、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析計）を用いた
分析により得られる濃度ピークが１×１０１５ｃｍ−３以上１×１０２０ｃｍ−３以下の
範囲内とすることが好ましい。
【０１６２】
ＳｉＯｘ膜を得る場合、ターゲットとして人工石英を用い、希ガス、代表的にはアルゴン
を用いるスパッタ方法や、ターゲットとして単結晶シリコンを用い、酸素ガスと化学反応
させてＳｉＯｘ膜を得るリアクティブスパッタ法を用いることができる。ここでは酸素を
限りなく多くＳｉＯｘ膜中に含ませるために、ターゲットとして人工石英を用い、酸素の
みの雰囲気下、または酸素が９０％以上、且つ、Ａｒが１０％以下の雰囲気下でスパッタ
リングを行い、酸素過剰のＳｉＯｘ膜を形成する。
【０１６３】
ＳｉＯｘ膜の成膜後、大気に触れることなく、ゲートバルブ８５を開いて搬送ロボット８
１により基板を搬送室８０に搬送し、ゲートバルブ８６を開いて第３の処理室９１内に搬
送し、ゲートバルブ８６を閉める。
【０１６４】
ここでは、第３の処理室９１は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いたスパッタチャンバ
ーとする。第３の処理室９１では、半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半
導体膜（ＩＧＺＯ膜）の成膜を行う。Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲッ
トを用いて、希ガス雰囲気下、または酸素雰囲気下で成膜することができる。ここでは酸
素を限りなく多くＩＧＺＯ膜中に含ませるために、ターゲットとしてＩｎ、Ｇａ、及びＺ
ｎを含む酸化物半導体を用い、酸素のみの雰囲気下、または酸素が９０％以上、且つ、Ａ
ｒが１０％以下の雰囲気下でパルスＤＣスパッタ法のスパッタリングを行い、酸素過剰の
ＩＧＺＯ膜を形成する。
【０１６５】
このように、大気に触れることなく、酸素過剰のＳｉＯｘ膜と酸素過剰のＩＧＺＯ膜とを
連続成膜することにより、酸素過剰の膜同士のため界面状態を安定させ、ＴＦＴの信頼性
を向上させることができる。ＩＧＺＯ膜の成膜前に基板が大気に触れた場合、水分などが
付着し、界面状態に悪影響を与え、しきい値のバラツキや、電気特性の劣化、ノーマリー
オンのＴＦＴになってしまう症状などを引き起こす恐れがある。水分は水素化合物であり
、大気に触れることなく、連続成膜することによって、水素化合物が界面に存在すること
を排除することができる。従って、連続成膜することにより、しきい値のバラツキの低減
や、電気特性の劣化の防止や、ＴＦＴがノーマリーオン側にシフトすることを低減、望ま
しくはシフトをなくすことができる。
【０１６６】
また、第２の処理室９０のスパッタチャンバーに人工石英のターゲットと、Ｉｎ、Ｇａ、
及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲットとの両方を設置し、シャッターを用いて順次積層
して連続成膜することによって同一チャンバー内で積層を行うこともできる。シャッター
は、ターゲットと基板の間に設け、成膜を行うターゲットはシャッターを開け、成膜を行
わないターゲットはシャッターにより閉じる。同一チャンバー内で積層する利点としては
、使用するチャンバーの数を減らせる点と、異なるチャンバー間を基板搬送する間にパー
ティクル等が基板に付着することを防止できる点である。
【０１６７】
次いで、大気に触れることなく、ゲートバルブ８６を開いて搬送ロボット８１により基板
を搬送室８０に搬送する。
【０１６８】
グレートーンマスクを用いる工程でなければ、この段階で製造装置からカセット室を介し
て基板を搬出し、フォトリソグラフィ技術を用いて酸素過剰のＩＧＺＯ膜のパターニング
を行うが、グレートーンマスクを用いる工程であれば引き続き、以下に示す連続成膜を行
う。
【０１６９】
次いで、大気に触れることなく、ゲートバルブ８７を開いて第４の処理室９２内に搬送し
、ゲートバルブ８７を閉める。
【０１７０】
ここでは、第４の処理室９２は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いたスパッタチャンバ
ーとする。第４の処理室９２では、バッファ層の成膜を行う。ここでは、バッファ層に用
いるｎ型の導電型を示す金属酸化物膜として酸化チタン膜（ＴｉＯｘ膜）を成膜する例を
示す。第４の処理室９２のスパッタチャンバーに酸素ガスを導入してチタンのターゲット
を用いてリアクティブスパッタリングを行い、ＴｉＯｘ膜を形成する。チタンのターゲッ
トにＩｎ、Ｇａ、またはＺｎを添加したターゲットを用いてもよい。また、チタンのター
ゲットにＭｇやＡｌを添加したターゲットを用いてもよい。このＴｉＯｘ膜はソース領域
またはドレイン領域として機能する。
【０１７１】
なお、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜とバッファ層との間に、半導体層より
もキャリア濃度が高く、かつ、バッファ層よりもキャリア濃度の低い第２のバッファ層（
ｎ−層）を連続成膜により形成してもよい。第２のバッファ層として、Ｉｎ、Ｇａ、及び
Ｚｎを含む酸化物半導体層とバッファ層の混合層を用いる場合、同一処理室内にＩｎ、Ｇ
ａ、及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲットと、チタンのターゲットの両方を設置し、シ
ャッターを用いて順次積層して連続成膜する。まずチタンターゲットのシャッターを閉め
、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を成膜する。次いで、チタンターゲットの
シャッターを開いてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜とＴｉＯｘを同時に成膜
する。次いで、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体のターゲットのシャッターを閉
じ、ＴｉＯｘを成膜することにより、半導体層上にｎ−層、ｎ＋層を順に形成することが
できる。
【０１７２】
次いで、大気に触れることなく、ゲートバルブ８７を開いて搬送ロボット８１により基板
を搬送室８０に搬送し、ゲートバルブ８８を開いて第５の処理室９３内に搬送し、ゲート
バルブ８８を閉める。
【０１７３】
ここでは、第５の処理室９３は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いたスパッタチャンバ
ーとする。第５の処理室９３では、ソース電極またはドレイン電極となる金属多層膜の成
膜を行う。第５の処理室９３のスパッタチャンバーにチタンのターゲットと、アルミニウ
ムのターゲットとの両方を設置し、シャッターを用いて順次積層して連続成膜することに
よって同一チャンバー内で積層を行う。ここでは、チタン膜上にアルミニウム膜を積層し
、さらにアルミニウム膜上にチタン膜を積層する。
【０１７４】
このように、グレートーンマスクを用いる場合、大気に触れることなく、酸素過剰のＳｉ
Ｏｘ膜と酸素過剰のＩＧＺＯ膜と金属酸化物膜と金属多層膜とを連続成膜することができ
る。特に、酸素過剰のＩＧＺＯ膜の界面状態がより安定し、ＴＦＴの信頼性を向上させる
ことができる。ＩＧＺＯ膜の成膜前後に基板が大気に触れた場合、水分などが付着し、界
面状態に悪影響を与え、しきい値のバラツキや、電気特性の劣化、ノーマリーオンのＴＦ
Ｔになってしまう症状などを引き起こす恐れがある。水分は水素化合物であり、大気に触
れることなく、連続成膜することによって、水素化合物がＩＧＺＯ膜の界面に存在するこ
とを排除することができる。従って、４層を連続成膜することにより、しきい値のバラツ
キの低減や、電気特性の劣化の防止や、ＴＦＴがノーマリーオン側にシフトすることを低
減、望ましくはシフトをなくすことができる。
【０１７５】
また、大気に触れることなく、金属酸化物膜と金属多層膜とを連続成膜することにより、
金属酸化物膜と金属多層膜との間で良好な界面状態を実現でき、接触抵抗を低減できる。
【０１７６】
また、第４の処理室９２を用いずに、第５の処理室９３でＴｉＯｘ膜と金属多層膜の成膜
とを連続成膜することもできる。この場合、シャッターを用いて順次積層して連続成膜す
ることによって同一チャンバー内で積層を行う。ここでは、シャッターでアルミニウムの
ターゲットを遮蔽し、酸素ガスを導入してリアクティブスパッタリングを行い、酸化チタ
ン膜（ＴｉＯｘ膜）を形成する。次いで、第５の処理室９３から酸素ガスを排出し、アル
ゴンガスを導入して、スパッタリングを行い、チタン膜を成膜する。次いで、チタンのタ
ーゲットをシャッターで遮蔽し、チタン膜上にアルミニウム膜を積層し、その後、シャッ
ターでアルミニウムのターゲットを遮蔽し、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する。同
一チャンバー内で積層する利点としては、使用するチャンバーの数を減らせる点と、異な
るチャンバー間を基板搬送する間にパーティクル等が基板に付着することを防止できる点
である。
【０１７７】
以上の工程を繰り返してカセットケース内の基板に成膜処理を行って複数の基板の処理を
終えた後、カセット室の真空を大気に開放して、基板およびカセットを取り出す。
【０１７８】
また、第１の処理室８９で、酸素過剰のＩＧＺＯ膜の成膜後の加熱処理、具体的には３０
０℃〜４００℃の加熱処理、好ましくは３５０℃以上の加熱処理を行うことができる。こ
の加熱処理を行うことにより逆スタガ型の薄膜トランジスタの電気特性を向上させること
ができる。この加熱処理は、酸素過剰のＩＧＺＯ膜の成膜後であれば特に限定されず、例
えば、酸素過剰のＩＧＺＯ膜の成膜直後や、金属多層膜成膜直後に行うことができる。
【０１７９】
次いで、グレートーンマスクを用いて各積層膜をパターニングする。ドライエッチングや
ウェットエッチングを用いて形成してもよいし、複数回のエッチングに分けてそれぞれ選
択的にエッチングしてもよい。
【０１８０】
以降の工程は、上述した実施の形態４に従えば、逆スタガ型の薄膜トランジスタが作製で
きる。
【０１８１】
ここではマルチチャンバー方式の製造装置を例に説明を行ったが、スパッタチャンバーを
直列に連結するインライン方式の製造装置を用いて大気に触れることなく連続成膜を行っ
てもよい。
【０１８２】
また、図１２に示す装置は被成膜面を下向きに基板をセットする、所謂フェイスダウン方
式の処理室としたが、基板を垂直に立て、縦置き方式の処理室としてもよい。縦置き方式
の処理室は、フェイスダウン方式の処理室よりもフットプリントが小さいメリットがあり
、さらに基板の自重により撓む恐れのある大面積の基板を用いる場合に有効である。
【０１８３】
（実施の形態６）
本実施の形態では、同一基板上に少なくとも駆動回路の一部と、画素部に配置する薄膜
トランジスタを作製する例について以下に説明する。
【０１８４】
画素部に配置する薄膜トランジスタは、実施の形態１乃至４に従って形成する。また、実
施の形態１乃至４に示す薄膜トランジスタはｎチャネル型ＴＦＴであるため、駆動回路の
うち、ｎチャネル型ＴＦＴで構成することができる駆動回路の一部を画素部の薄膜トラン
ジスタと同一基板上に形成する。
【０１８５】
アクティブマトリクス型液晶表示装置のブロック図の一例を図１３（Ａ）に示す。図１３
（Ａ）に示す表示装置は、基板５３００上に表示素子を備えた画素を複数有する画素部５
３０１と、各画素を選択する走査線駆動回路５３０２と、選択された画素へのビデオ信号
の入力を制御する信号線駆動回路５３０３とを有する。画素部５３０１は、信号線駆動回
路５３０３から列方向に伸張して配置された複数の信号線Ｓ１〜Ｓｍ（図示せず。）によ
り信号線駆動回路５３０３と接続され、走査線駆動回路５３０２から行方向に伸張して配
置された複数の走査線Ｇ１〜Ｇｎ（図示せず。）により走査線駆動回路５３０２と接続さ
れ、信号線Ｓ１〜Ｓｍ並びに走査線Ｇ１〜Ｇｎに対応してマトリクス状に配置された複数
の画素（図示せず。）を有する。そして、各画素は、信号線Ｓｊ（信号線Ｓ１〜Ｓｍのう
ちいずれか一）、走査線Ｇｉ（走査線Ｇ１〜Ｇｎのうちいずれか一）と接続される。
【０１８６】
また、実施の形態１乃至４に示す薄膜トランジスタは、ｎチャネル型ＴＦＴであり、ｎチ
ャネル型ＴＦＴで構成する信号線駆動回路について図１４を用いて説明する。
【０１８７】
図１４に示す信号線駆動回路は、ドライバＩＣ５６０１、スイッチ群５６０２＿１〜５６
０２＿Ｍ、第１の配線５６１１、第２の配線５６１２、第３の配線５６１３及び配線５６
２１＿１〜５６２１＿Ｍを有する。スイッチ群５６０２＿１〜５６０２＿Ｍそれぞれは、
第１の薄膜トランジスタ５６０３ａ、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂ及び第３の薄膜
トランジスタ５６０３ｃを有する。
【０１８８】
ドライバＩＣ５６０１は第１の配線５６１１、第２の配線５６１２、第３の配線５６１３
及び配線５６２１＿１〜５６２１＿Ｍに接続される。そして、スイッチ群５６０２＿１〜
５６０２＿Ｍそれぞれは、第１の配線５６１１、第２の配線５６１２、第３の配線５６１
３及びスイッチ群５６０２＿１〜５６０２＿Ｍそれぞれに対応した配線５６２１＿１〜５
６２１＿Ｍに接続される。そして、配線５６２１＿１〜５６２１＿Ｍそれぞれは、第１の
薄膜トランジスタ５６０３ａ、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂ及び第３の薄膜トラン
ジスタ５６０３ｃを介して、３つの信号線に接続される。例えば、Ｊ列目の配線５６２１
＿Ｊ（配線５６２１＿１〜配線５６２１＿Ｍのうちいずれか一）は、スイッチ群５６０２
＿Ｊが有する第１の薄膜トランジスタ５６０３ａ、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂ及
び第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃを介して、信号線Ｓｊ−１、信号線Ｓｊ、信号線Ｓ
ｊ＋１に接続される。
【０１８９】
なお、第１の配線５６１１、第２の配線５６１２、第３の配線５６１３には、それぞれ信
号が入力される。
【０１９０】
なお、ドライバＩＣ５６０１は、単結晶基板上に形成されていることが望ましい。さらに
、スイッチ群５６０２＿１〜５６０２＿Ｍは、実施の形態１乃至４に示した画素部と同一
基板上に形成されていることが望ましい。したがって、ドライバＩＣ５６０１とスイッチ
群５６０２＿１〜５６０２＿ＭとはＦＰＣなどを介して接続するとよい。
【０１９１】
次に、図１４に示した信号線駆動回路の動作について、図１５のタイミングチャートを参
照して説明する。なお、図１５のタイミングチャートは、ｉ行目の走査線Ｇｉが選択され
ている場合のタイミングチャートを示している。さらに、ｉ行目の走査線Ｇｉの選択期間
は、第１のサブ選択期間Ｔ１、第２のサブ選択期間Ｔ２及び第３のサブ選択期間Ｔ３に分
割されている。さらに、図１４の信号線駆動回路は、他の行の走査線が選択されている場
合でも図１５と同様の動作をする。
【０１９２】
なお、図１５のタイミングチャートは、Ｊ列目の配線５６２１＿Ｊが第１の薄膜トランジ
スタ５６０３ａ、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂ及び第３の薄膜トランジスタ５６０
３ｃを介して、信号線Ｓｊ−１、信号線Ｓｊ、信号線Ｓｊ＋１に接続される場合について
示している。
【０１９３】
なお、図１５のタイミングチャートは、ｉ行目の走査線Ｇｉが選択されるタイミング、第
１の薄膜トランジスタ５６０３ａのオン・オフのタイミング５７０３ａ、第２の薄膜トラ
ンジスタ５６０３ｂのオン・オフのタイミング５７０３ｂ、第３の薄膜トランジスタ５６
０３ｃのオン・オフのタイミング５７０３ｃ及びＪ列目の配線５６２１＿Ｊに入力される
信号５７２１＿Ｊを示している。
【０１９４】
なお、配線５６２１＿１〜配線５６２１＿Ｍには第１のサブ選択期間Ｔ１、第２のサブ選
択期間Ｔ２及び第３のサブ選択期間Ｔ３において、それぞれ別のビデオ信号が入力される
。例えば、第１のサブ選択期間Ｔ１において配線５６２１＿Ｊに入力されるビデオ信号は
信号線Ｓｊ−１に入力され、第２のサブ選択期間Ｔ２において配線５６２１＿Ｊに入力さ
れるビデオ信号は信号線Ｓｊに入力され、第３のサブ選択期間Ｔ３において配線５６２１
＿Ｊに入力されるビデオ信号は信号線Ｓｊ＋１に入力される。さらに、第１のサブ選択期
間Ｔ１、第２のサブ選択期間Ｔ２及び第３のサブ選択期間Ｔ３において、配線５６２１＿
Ｊに入力されるビデオ信号をそれぞれＤａｔａ＿ｊ−１、Ｄａｔａ＿ｊ、Ｄａｔａ＿ｊ＋
１とする。
【０１９５】
図１５に示すように、第１のサブ選択期間Ｔ１において第１の薄膜トランジスタ５６０３
ａがオンし、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂ及び第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃ
がオフする。このとき、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａ＿ｊ−１が、第１の薄膜
トランジスタ５６０３ａを介して信号線Ｓｊ−１に入力される。第２のサブ選択期間Ｔ２
では、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂがオンし、第１の薄膜トランジスタ５６０３ａ
及び第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃがオフする。このとき、配線５６２１＿Ｊに入力
されるＤａｔａ＿ｊが、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂを介して信号線Ｓｊに入力さ
れる。第３のサブ選択期間Ｔ３では、第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃがオンし、第１
の薄膜トランジスタ５６０３ａ及び第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂがオフする。この
とき、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａ＿ｊ＋１が、第３の薄膜トランジスタ５６
０３ｃを介して信号線Ｓｊ＋１に入力される。
【０１９６】
以上のことから、図１４の信号線駆動回路は、１ゲート選択期間を３つに分割することで
、１ゲート選択期間中に１つの配線５６２１から３つの信号線にビデオ信号を入力するこ
とができる。したがって、図１４の信号線駆動回路は、ドライバＩＣ５６０１が形成され
る基板と、画素部が形成されている基板との接続数を信号線の数に比べて約１／３にする
ことができる。接続数が約１／３になることによって、図１４の信号線駆動回路は、信頼
性、歩留まりなどを向上できる。
【０１９７】
なお、図１４のように、１ゲート選択期間を複数のサブ選択期間に分割し、複数のサブ選
択期間それぞれにおいて、ある１つの配線から複数の信号線それぞれにビデオ信号を入力
することができれば、薄膜トランジスタの配置や数、駆動方法などは限定されない。
【０１９８】
例えば、３つ以上のサブ選択期間それぞれにおいて１つの配線から３つ以上の信号線それ
ぞれにビデオ信号を入力する場合は、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを制御する
ための配線を追加すればよい。ただし、１ゲート選択期間を４つ以上のサブ選択期間に分
割すると、１つのサブ選択期間が短くなる。したがって、１ゲート選択期間は、２つ又は
３つのサブ選択期間に分割されることが望ましい。
【０１９９】
別の例として、図１６のタイミングチャートに示すように、１つの選択期間をプリチャー
ジ期間Ｔｐ、第１のサブ選択期間Ｔ１、第２のサブ選択期間Ｔ２、第３のサブ選択期間Ｔ
３に分割してもよい。さらに、図１６のタイミングチャートは、ｉ行目の走査線Ｇｉが選
択されるタイミング、第１の薄膜トランジスタ５６０３ａのオン・オフのタイミング５８
０３ａ、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂのオン・オフのタイミング５８０３ｂ、第３
の薄膜トランジスタ５６０３ｃのオン・オフのタイミング５８０３ｃ及びＪ列目の配線５
６２１＿Ｊに入力される信号５８２１＿Ｊを示している。図１６に示すように、プリチャ
ージ期間Ｔｐにおいて第１の薄膜トランジスタ５６０３ａ、第２の薄膜トランジスタ５６
０３ｂ及び第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃがオンする。このとき、配線５６２１＿Ｊ
に入力されるプリチャージ電圧Ｖｐが第１の薄膜トランジスタ５６０３ａ、第２の薄膜ト
ランジスタ５６０３ｂ及び第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃを介してそれぞれ信号線Ｓ
ｊ−１、信号線Ｓｊ、信号線Ｓｊ＋１に入力される。第１のサブ選択期間Ｔ１において第
１の薄膜トランジスタ５６０３ａがオンし、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂ及び第３
の薄膜トランジスタ５６０３ｃがオフする。このとき、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤ
ａｔａ＿ｊ−１が、第１の薄膜トランジスタ５６０３ａを介して信号線Ｓｊ−１に入力さ
れる。第２のサブ選択期間Ｔ２では、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂがオンし、第１
の薄膜トランジスタ５６０３ａ及び第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃがオフする。この
とき、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａ＿ｊが、第２の薄膜トランジスタ５６０３
ｂを介して信号線Ｓｊに入力される。第３のサブ選択期間Ｔ３では、第３の薄膜トランジ
スタ５６０３ｃがオンし、第１の薄膜トランジスタ５６０３ａ及び第２の薄膜トランジス
タ５６０３ｂがオフする。このとき、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａ＿ｊ＋１が
、第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃを介して信号線Ｓｊ＋１に入力される。
【０２００】
以上のことから、図１６のタイミングチャートを適用した図１４の信号線駆動回路は、サ
ブ選択期間の前にプリチャージ選択期間を設けることによって、信号線をプリチャージで
きるため、画素へのビデオ信号の書き込みを高速に行うことができる。なお、図１６にお
いて、図１５と同様なものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能
を有する部分の詳細な説明は省略する。
【０２０１】
また、走査線駆動回路の構成について説明する。走査線駆動回路は、シフトレジスタ、バ
ッファを有している。また場合によってはレベルシフタを有していても良い。走査線駆動
回路において、シフトレジスタにクロック信号（ＣＬＫ）及びスタートパルス信号（ＳＰ
）が入力されることによって、選択信号が生成される。生成された選択信号はバッファに
おいて緩衝増幅され、対応する走査線に供給される。走査線には、１ライン分の画素のト
ランジスタのゲート電極が接続されている。そして、１ライン分の画素のトランジスタを
一斉にＯＮにしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが
用いられる。
【０２０２】
走査線駆動回路の一部に用いるシフトレジスタの一形態について図１７及び図１８を用い
て説明する。
【０２０３】
図１７にシフトレジスタの回路構成を示す。図１７に示すシフトレジスタは、複数のフリ
ップフロップ（フリップフロップ５７０１＿１〜５７０１＿ｎ）で構成される。また、第
１のクロック信号、第２のクロック信号、スタートパルス信号、リセット信号が入力され
て動作する。
【０２０４】
図１７のシフトレジスタの接続関係について説明する。図１７のシフトレジスタは、ｉ段
目のフリップフロップ５７０１＿ｉ（フリップフロップ５７０１＿１〜５７０１＿ｎのい
ずれか一）は、図１８に示した第１の配線５５０１が第７の配線５７１７＿ｉ−１に接続
され、図１８に示した第２の配線５５０２が第７の配線５７１７＿ｉ＋１に接続され、図
１８に示した第３の配線５５０３が第７の配線５７１７＿ｉに接続され、図１８に示した
第６の配線５５０６が第５の配線５７１５に接続される。
【０２０５】
また、図１８に示した第４の配線５５０４が奇数段目のフリップフロップでは第２の配線
５７１２に接続され、偶数段目のフリップフロップでは第３の配線５７１３に接続され、
図１８に示した第５の配線５５０５が第４の配線５７１４に接続される。
【０２０６】
ただし、１段目のフリップフロップ５７０１＿１の図１８に示す第１の配線５５０１は第
１の配線５７１１に接続され、ｎ段目のフリップフロップ５７０１＿ｎの図１８に示す第
２の配線５５０２は第６の配線５７１６に接続される。
【０２０７】
なお、第１の配線５７１１、第２の配線５７１２、第３の配線５７１３、第６の配線５７
１６を、それぞれ第１の信号線、第２の信号線、第３の信号線、第４の信号線と呼んでも
よい。さらに、第４の配線５７１４、第５の配線５７１５を、それぞれ第１の電源線、第
２の電源線と呼んでもよい。
【０２０８】
次に、図１７に示すフリップフロップの詳細について、図１８に示す。図１８に示すフリ
ップフロップは、第１の薄膜トランジスタ５５７１、第２の薄膜トランジスタ５５７２、
第３の薄膜トランジスタ５５７３、第４の薄膜トランジスタ５５７４、第５の薄膜トラン
ジスタ５５７５、第６の薄膜トランジスタ５５７６、第７の薄膜トランジスタ５５７７及
び第８の薄膜トランジスタ５５７８を有する。なお、第１の薄膜トランジスタ５５７１、
第２の薄膜トランジスタ５５７２、第３の薄膜トランジスタ５５７３、第４の薄膜トラン
ジスタ５５７４、第５の薄膜トランジスタ５５７５、第６の薄膜トランジスタ５５７６、
第７の薄膜トランジスタ５５７７及び第８の薄膜トランジスタ５５７８は、ｎチャネル型
トランジスタであり、ゲート・ソース間電圧（Ｖｇｓ）がしきい値電圧（Ｖｔｈ）を上回
ったとき導通状態になるものとする。
【０２０９】
次に、図１７に示すフリップフロップの接続構成について、以下に示す。
【０２１０】
第１の薄膜トランジスタ５５７１の第１の電極（ソース電極またはドレイン電極の一方）
が第４の配線５５０４に接続され、第１の薄膜トランジスタ５５７１の第２の電極（ソー
ス電極またはドレイン電極の他方）が第３の配線５５０３に接続される。
【０２１１】
第２の薄膜トランジスタ５５７２の第１の電極が第６の配線５５０６に接続され、第２の
薄膜トランジスタ５５７２の第２の電極が第３の配線５５０３に接続される。
【０２１２】
第３の薄膜トランジスタ５５７３の第１の電極が第５の配線５５０５に接続され、第３の
薄膜トランジスタ５５７３の第２の電極が第２の薄膜トランジスタ５５７２のゲート電極
に接続され、第３の薄膜トランジスタ５５７３のゲート電極が第５の配線５５０５に接続
される。
【０２１３】
第４の薄膜トランジスタ５５７４の第１の電極が第６の配線５５０６に接続され、第４の
薄膜トランジスタ５５７４の第２の電極が第２の薄膜トランジスタ５５７２のゲート電極
に接続され、第４の薄膜トランジスタ５５７４のゲート電極が第１の薄膜トランジスタ５
５７１のゲート電極に接続される。
【０２１４】
第５の薄膜トランジスタ５５７５の第１の電極が第５の配線５５０５に接続され、第５の
薄膜トランジスタ５５７５の第２の電極が第１の薄膜トランジスタ５５７１のゲート電極
に接続され、第５の薄膜トランジスタ５５７５のゲート電極が第１の配線５５０１に接続
される。
【０２１５】
第６の薄膜トランジスタ５５７６の第１の電極が第６の配線５５０６に接続され、第６の
薄膜トランジスタ５５７６の第２の電極が第１の薄膜トランジスタ５５７１のゲート電極
に接続され、第６の薄膜トランジスタ５５７６のゲート電極が第２の薄膜トランジスタ５
５７２のゲート電極に接続される。
【０２１６】
第７の薄膜トランジスタ５５７７の第１の電極が第６の配線５５０６に接続され、第７の
薄膜トランジスタ５５７７の第２の電極が第１の薄膜トランジスタ５５７１のゲート電極
に接続され、第７の薄膜トランジスタ５５７７のゲート電極が第２の配線５５０２に接続
される。第８の薄膜トランジスタ５５７８の第１の電極が第６の配線５５０６に接続され
、第８の薄膜トランジスタ５５７８の第２の電極が第２の薄膜トランジスタ５５７２のゲ
ート電極に接続され、第８の薄膜トランジスタ５５７８のゲート電極が第１の配線５５０
１に接続される。
【０２１７】
なお、第１の薄膜トランジスタ５５７１のゲート電極、第４の薄膜トランジスタ５５７４
のゲート電極、第５の薄膜トランジスタ５５７５の第２の電極、第６の薄膜トランジスタ
５５７６の第２の電極及び第７の薄膜トランジスタ５５７７の第２の電極の接続箇所をノ
ード５５４３とする。さらに、第２の薄膜トランジスタ５５７２のゲート電極、第３の薄
膜トランジスタ５５７３の第２の電極、第４の薄膜トランジスタ５５７４の第２の電極、
第６の薄膜トランジスタ５５７６のゲート電極及び第８の薄膜トランジスタ５５７８の第
２の電極の接続箇所をノード５５４４とする。
【０２１８】
なお、第１の配線５５０１、第２の配線５５０２、第３の配線５５０３及び第４の配線５
５０４を、それぞれ第１の信号線、第２の信号線、第３の信号線、第４の信号線と呼んで
もよい。さらに、第５の配線５５０５を第１の電源線、第６の配線５５０６を第２の電源
線と呼んでもよい。
【０２１９】
また、信号線駆動回路及び走査線駆動回路を実施の形態１乃至４に示すｎチャネル型ＴＦ
Ｔのみで作製することも可能である。実施の形態１乃至４に示すｎチャネル型ＴＦＴはト
ランジスタの移動度が大きいため、駆動回路の駆動周波数を高くすることが可能となる。
また、実施の形態１乃至４に示すｎチャネル型ＴＦＴは金属酸化物層でなるバッファ層に
より寄生容量が低減されるため、周波数特性（ｆ特性と呼ばれる）が高い。例えば、実施
の形態１乃至４に示すｎチャネル型ＴＦＴを用いた走査線駆動回路は、高速に動作させる
ことが出来るため、フレーム周波数を高くすること、または、黒画面挿入なども実現する
ことが出来る。
【０２２０】
さらに、走査線駆動回路のトランジスタのチャネル幅を大きくすることや、複数の走査線
駆動回路を配置することなどによって、さらに高いフレーム周波数を実現することが出来
る。複数の走査線駆動回路を配置する場合は、偶数行の走査線を駆動する為の走査線駆動
回路を片側に配置し、奇数行の走査線を駆動するための走査線駆動回路をその反対側に配
置することにより、フレーム周波数を高くすることを実現することが出来る。
【０２２１】
また、アクティブマトリクス型発光表示装置を作製する場合、少なくとも一つの画素に複
数の薄膜トランジスタを配置するため、走査線駆動回路を複数配置することが好ましい。
アクティブマトリクス型発光表示装置のブロック図の一例を図１３（Ｂ）に示す。
【０２２２】
図１３（Ｂ）に示す表示装置は、基板５４００上に表示素子を備えた画素を複数有する画
素部５４０１と、各画素を選択する第１の走査線駆動回路５４０２及び第２の走査線駆動
回路５４０４と、選択された画素へのビデオ信号の入力を制御する信号線駆動回路５４０
３とを有する。
【０２２３】
図１３（Ｂ）に示す表示装置の画素に入力されるビデオ信号をデジタル形式とする場合、
画素はトランジスタのオンとオフの切り替えによって、発光もしくは非発光の状態となる
。よって、面積階調法または時間階調法を用いて階調の表示を行うことができる。面積階
調法は、１画素を複数の副画素に分割し、各副画素を独立にビデオ信号に基づいて駆動さ
せることによって、階調表示を行う駆動法である。また時間階調法は、画素が発光する期
間を制御することによって、階調表示を行う駆動法である。
【０２２４】
発光素子は、液晶素子などに比べて応答速度が高いので、液晶素子よりも時間階調法に適
している。具体的に時間階調法で表示を行なう場合、１フレーム期間を複数のサブフレー
ム期間に分割する。そしてビデオ信号に従い、各サブフレーム期間において画素の発光素
子を発光または非発光の状態にする。複数のサブフレーム期間に分割することによって、
１フレーム期間中に画素が実際に発光する期間のトータルの長さを、ビデオ信号により制
御することができ、階調を表示することができる。
【０２２５】
なお、図１３（Ｂ）に示す発光装置では、一つの画素にスイッチング用ＴＦＴと、電流制
御用ＴＦＴとの２つを配置する場合、スイッチング用ＴＦＴのゲート配線である第１の走
査線に入力される信号を第１走査線駆動回路５４０２で生成し、電流制御用ＴＦＴのゲー
ト配線である第２の走査線に入力される信号を第２の走査線駆動回路５４０４で生成して
いる例を示しているが、第１の走査線に入力される信号と、第２の走査線に入力される信
号とを、共に１つの走査線駆動回路で生成するようにしても良い。また、例えば、スイッ
チング素子が有する各トランジスタの数によって、スイッチング素子の動作を制御するの
に用いられる第１の走査線が、各画素に複数設けられることもあり得る。この場合、複数
の第１の走査線に入力される信号を、全て１つの走査線駆動回路で生成しても良いし、複
数の各走査線駆動回路で生成しても良い。
【０２２６】
また、発光装置においても、駆動回路のうち、ｎチャネル型ＴＦＴで構成することができ
る駆動回路の一部を画素部の薄膜トランジスタと同一基板上に形成することができる。ま
た、信号線駆動回路及び走査線駆動回路を実施の形態１乃至４に示すｎチャネル型ＴＦＴ
のみで作製することも可能である。
【０２２７】
また、上述した駆動回路は、液晶表示装置や発光装置に限らず、スイッチング素子と電気
的に接続する素子を利用して電子インクを駆動させる電子ペーパーに用いてもよい。電子
ペーパーは、電気泳動表示装置（電気泳動ディスプレイ）も呼ばれており、紙と同じ読み
やすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を
有している。
【０２２８】
電気泳動ディスプレイは、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第１の
粒子と、マイナスの電荷を有する第２の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質
に複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイク
ロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示
するものである。なお、第１の粒子または第２の粒子は染料を含み、電界がない場合にお
いて移動しないものである。また、第１の粒子の色と第２の粒子の色は異なるもの（無色
を含む）とする。
【０２２９】
このように、電気泳動ディスプレイは、誘電定数の高い物質が高い電界領域に移動する
、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。電気泳動ディスプレイは、液
晶表示装置には必要な偏光板、対向基板も必要なく、厚さや重さが半減する。
【０２３０】
上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、
この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。ま
た、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
【０２３１】
また、アクティブマトリクス基板上に適宜、二つの電極の間に挟まれるように上記マイ
クロカプセルを複数配置すればアクティブマトリクス型の表示装置が完成し、マイクロカ
プセルに電界を印加すれば表示を行うことができる。
【０２３２】
なお、マイクロカプセル中の第１の粒子および第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料
、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレ
クトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料
を用いればよい。
【０２３３】
（実施の形態７）
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらに
は駆動回路に用いて表示機能を有する半導体装置（表示装置ともいう）を作製することが
できる。また、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタを駆動回路の一部または全体を、
画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
【０２３４】
表示装置は表示素子を含む。表示素子としては液晶素子（液晶表示素子ともいう）、発光
素子（発光表示素子ともいう）を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によ
って輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、有機ＥＬ等が含まれる。また、電子インクなど、電気
的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
【０２３５】
また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラ
を含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに本発明の一態様は、該表
示装置を作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関
し、該素子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子
基板は、具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素
電極となる導電膜を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態で
あっても良いし、あらゆる形態があてはまる。
【０２３６】
なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光
源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒ
ｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り
付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュ
ール、または表示素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回
路）が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
【０２３７】
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置として液晶表示装置の例を示す。
【０２３８】
図１９（Ａ）（Ｂ）に、本発明の一態様を適用したアクティブマトリクス型の液晶表示装
置を示す。図１９（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり、図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）に
おける線Ｖ−Ｘの断面図である。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ２０１として
は、実施の形態２で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、ＩＧＺＯ半導体層及びｎ型
の導電型を有する金属酸化物層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施
の形態１、実施の形態３、又は実施の形態４で示す薄膜トランジスタも本実施の形態の薄
膜トランジスタ２０１として適用することもできる。
【０２３９】
図１９（Ａ）の本実施の形態の液晶表示装置は、ソース配線層２０２、マルチゲート構造
の逆スタガ型の薄膜トランジスタ２０１、ゲート配線層２０３、容量配線層２０４を含む
。
【０２４０】
また、図１９（Ｂ）において、本実施の形態の液晶表示装置は、マルチゲート構造の薄膜
トランジスタ２０１、保護膜として機能する絶縁層２１１、保護膜として機能する絶縁層
２１２、平坦化膜として機能する絶縁層２１３、及び表示素子に用いる電極層２５５、配
向膜として機能する絶縁層２６１、偏光板２６８が設けられた基板２００と、配向膜とし
て機能する絶縁層２６３、表示素子に用いる電極層２６５、カラーフィルタとして機能す
る着色層２６４、偏光板２６７が設けられた基板２６６とが液晶層２６２を挟持して対向
しており、液晶表示素子２６０を有している。
【０２４１】
ここでは、薄膜トランジスタ２０１の表面凹凸を低減するため、及び薄膜トランジスタ
２０１の信頼性を向上させるため、実施の形態２で得られた薄膜トランジスタを保護膜と
して機能する絶縁層２１１、２１２または平坦化膜として機能する絶縁層２１３で覆う。
なお、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防
ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、ＣＶＤ法等を用いて、酸化珪素膜
、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜の単層、又は積層で形成すればよ
い。また、保護膜として、プロセスガスに有機シランガスと酸素を用いて、プラズマＣＶ
Ｄ法で酸化珪素膜を形成してもよい。
【０２４２】
有機シランとは、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、テトラメチ
ルシラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（
ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシ
ラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、またはトリスジ
メチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）などの化合物である。
【０２４３】
保護膜の一層目として絶縁層２１１を形成する。絶縁層２１１は、アルミニウム膜のヒロ
ック防止に効果がある。ここでは、絶縁層２１１として、プラズマＣＶＤ法を用いて酸化
珪素膜を形成する。酸化珪素膜の成膜用プロセスガスには、ＴＥＯＳ、およびＯ２を用い
、その流量比は、ＴＥＯＳ＼Ｏ２＝１５（ｓｃｃｍ）＼７５０（ｓｃｃｍ）である。成膜
工程の基板温度は３００℃である。
【０２４４】
また、保護膜の二層目として絶縁層２１２を形成する。ここでは、絶縁層２１２として、
プラズマＣＶＤ法を用いて窒化珪素膜を形成する。窒化珪素膜の成膜用プロセスガスには
、ＳｉＨ４、Ｎ２、ＮＨ３およびＨ２を用いる。保護膜の一層として窒化珪素膜を用いる
と、ナトリウム等の可動イオンが半導体領域中に侵入して、ＴＦＴの電気特性を変化させ
ることを抑制することができる。
【０２４５】
また、保護膜を形成した後に、ＩＧＺＯ半導体層のアニール（３００℃〜４００℃）を行
ってもよい。
【０２４６】
また、平坦化膜として機能する絶縁膜として絶縁層２１３を形成する。絶縁層２１３とし
ては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性
を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏ
ｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス
）等を用いることができる。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アルキル
基、またはアリール基のうち少なくとも１種を有していてもよい。なお、これらの材料で
形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層２１３を形成してもよい。
【０２４７】
なおシロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−
Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アル
キル基、または芳香族炭化水素のうち、少なくとも１種を有していてもよい。
【０２４８】
絶縁層２１３の形成には、その材料に応じて、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、スピン
コート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オ
フセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコータ
ー等を用いることができる。絶縁層２１３を材料液を用いて形成する場合、ベークする工
程で同時に、ＩＧＺＯ半導体層のアニール（３００℃〜４００℃）を行ってもよい。絶縁
層２１３の焼成工程とＩＧＺＯ半導体層のアニールを兼ねることで効率よく表示装置を作
製することが可能となる。
【０２４９】
なお図１９は透過型液晶表示装置の例であるが、本発明の一態様は反射型液晶表示装置で
も半透過型液晶表示装置でも適用できる。
【０２５０】
また、図１９の液晶表示装置では、基板２６６の外側（視認側）に偏光板２６７を設け、
内側に着色層２６４、表示素子に用いる電極層２６５という順に設ける例を示すが、偏光
板２６７は基板２６６の内側に設けてもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も図１９
に限定されず、偏光板及び着色層の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。ま
た、ブラックマトリクスとして機能する遮光膜を設けてもよい。
【０２５１】
画素電極層として機能する電極層２５５、２６５は、酸化タングステンを含むインジウム
酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸
化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す
。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を
有する導電性材料を用いることができる。
【０２５２】
また、電極層２５５、２６５として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導
電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した画素電極は、
シート抵抗が１００００Ω／□以下、波長５５０ｎｍにおける透光率が７０％以上である
ことが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が０．１Ω・ｃｍ
以下であることが好ましい。
【０２５３】
導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例え
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。
【０２５４】
液晶層２６２の液晶材料としては、リオトロピック液晶、サーモトロピック液晶、低分
子液晶、高分子液晶、ディスコチック液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶等を用いる。また
、上記液晶材料は、条件により、ネマチック相、コレステリック相、コレステリックブル
ー相、スメクチック相、スメクチックブルー相、キュービック相、スクメチックＤ相、カ
イラル・ネマチック相、等方相等を示す。コレステリックブルー相及びスメクチックブル
ー相は、螺旋ピッチが５００ｎｍ以下で比較的短いコレステリック相またはスメクチック
相を有する液晶材料にみられる。液晶材料の配向は二重ねじれ構造を有する。光学波長以
下の秩序を有しているため、透明であり、電圧印加によって配向秩序が変化して光学的変
調作用が生じる。ブルー相は光学的に等方であるため視野角依存性がなく、配向膜を形成
しなくとも良いため、表示画像の質の向上及びコスト削減が可能である。
【０２５５】
以上の工程により、半導体装置として信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる
。
【０２５６】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２５７】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置として電子ペーパーの例を示す。
【０２５８】
図２６は、本発明の一態様を適用した半導体装置の例としてアクティブマトリクス型の電
子ペーパーを示す。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ５８１としては、実施の形
態２で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、ＩＧＺＯ半導体層及びｎ型の導電型を有
する金属酸化物層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態１、実
施の形態３、又は実施の形態４で示す薄膜トランジスタも本実施の形態の薄膜トランジス
タ５８１として適用することもできる。
【０２５９】
図２６の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。ツイス
トボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層であ
る第１の電極層及び第２の電極層の間に配置し、第１の電極層及び第２の電極層に電位差
を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
【０２６０】
基板５８０上の薄膜トランジスタ５８１はマルチゲート構造の逆スタガ型の薄膜トランジ
スタであり、ソース電極層又はドレイン電極層によって第１の電極層５８７と、絶縁層５
８５、絶縁層５８４、及び絶縁層５８３に形成された開口で接しており電気的に接続して
いる。第１の電極層５８７と基板５９６に設けられた第２の電極層５８８との間には黒色
領域５９０ａ及び白色領域５９０ｂを有し、周りに液体で満たされているキャビティ５９
４を含む球形粒子５８９が設けられており、球形粒子５８９の周囲は樹脂等の充填材５９
５で充填されている（図２６参照。）。
【０２６１】
また、ツイストボールの代わりに、電気泳動素子を用いることも可能である。透明な液体
と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直径１０μｍ〜２０
０μｍ程度のマイクロカプセルを用いる。第１の電極層と第２の電極層との間に設けられ
るマイクロカプセルは、第１の電極層と第２の電極層によって、電場が与えられると、白
い微粒子と、黒い微粒子が逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この
原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子であり、一般的に電子ペーパーとよばれてい
る。電気泳動表示素子は、液晶表示素子に比べて反射率が高いため、補助ライトは不要で
あり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また
、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能で
あるため、電波発信源から表示機能付き半導体装置（単に表示装置、又は表示装置を具備
する半導体装置ともいう）を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくこと
が可能となる。
【０２６２】
以上の工程により、半導体装置として信頼性の高い電子ペーパーを作製することができる
。
【０２６３】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２６４】
（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置として発光表示装置の例を示す。表
示装置の有する表示素子としては、ここではエレクトロルミネッセンスを利用する発光素
子を用いて示す。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合
物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後
者は無機ＥＬ素子と呼ばれている。
【０２６５】
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
【０２６６】
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分
類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明す
る。
【０２６７】
図２２（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様を適用した半導体装置の例としてアクティブマト
リクス型の発光表示装置を示す。図２２（Ａ）は発光表示装置の平面図であり、図２２（
Ｂ）は図２２（Ａ）における線Ｙ−Ｚの断面図である。なお、図２３に、図２２に示す発
光表示装置の等価回路を示す。
【０２６８】
半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ３０１、３０２としては、実施の形態１及び実
施の形態２で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、ＩＧＺＯ半導体層と金属酸化物層
でなるｎ型の導電型を有するバッファ層とを含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。
また、実施の形態３、又は実施の形態４で示す薄膜トランジスタも本実施の形態の薄膜ト
ランジスタ３０１、３０２として適用することもできる。
【０２６９】
図２２（Ａ）及び図２３に示す本実施の形態の発光表示装置は、マルチゲート構造の薄膜
トランジスタ３０１、薄膜トランジスタ３０２、発光素子３０３、容量素子３０４、ソー
ス配線層３０５、ゲート配線層３０６、電源線３０８を含む。薄膜トランジスタ３０１、
３０２はｎチャネル型薄膜トランジスタである。
【０２７０】
また、図２２（Ｂ）において、本実施の形態の発光表示装置は、基板３００、薄膜トラン
ジスタ３０２、絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１３、隔壁３２１、及び発光素子
３０３に用いる第１の電極層３２０、電界発光層３２２、第２の電極層３２３を有してい
る。
【０２７１】
絶縁層３１３は、アクリル、ポリイミド、ポリアミドなどの有機樹脂、またはシロキサン
を用いて形成することが好ましい。
【０２７２】
本実施の形態では画素の薄膜トランジスタ３０２がｎ型であるので、画素電極層である第
１の電極層３２０として、陰極を用いるのが望ましい。具体的には、陰極としては、仕事
関数が小さい材料、例えば、Ｃａ、Ａｌ、ＣａＦ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ等を用いることが
できる。
【０２７３】
隔壁３２１は、有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。特
に感光性の材料を用い、第１の電極層３２０上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連
続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【０２７４】
電界発光層３２２は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成さ
れていてもどちらでも良い。
【０２７５】
電界発光層３２２を覆うように、陽極として用いた第２の電極層３２３を形成する。第２
の電極層３２３は、実施の形態７に画素電極層として列挙した透光性を有する導電性材料
を用いた透光性導電膜で形成することができる。上記透光性導電膜の他に、窒化チタン膜
またはチタン膜を用いても良い。第１の電極層３２０と電界発光層３２２と第２の電極層
３２３とが重なり合うことで、発光素子３０３が形成されている。この後、発光素子３０
３に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極層３２３及び隔壁
３２１上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、Ｄ
ＬＣ膜等を形成することができる。
【０２７６】
さらに、実際には、図２２（Ｂ）まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性
が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等
）やカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
【０２７７】
次に、発光素子の構成について、図２４を用いて説明する。ここでは、駆動用ＴＦＴがｎ
型の場合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図２４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）の
半導体装置に用いられる駆動用ＴＦＴ７００１、７０１１、７０２１は、実施の形態１で
示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、ＩＧＺＯ半導体層及びｎ型の導電型を有する金
属酸化物層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態２、実施の形
態３、又は実施の形態４で示す薄膜トランジスタを駆動用ＴＦＴ７００１、７０１１、７
０２１として適用することもできる。
【０２７８】
発光素子は発光を取り出すために少なくとも陽極又は陰極の一方が透明であればよい。そ
して、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取
り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対
側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、本発明の一態様に係る画素構
成はどの射出構造の発光素子にも適用することができる。
【０２７９】
上面射出構造の発光素子について図２４（Ａ）を用いて説明する。
【０２８０】
図２４（Ａ）に、駆動用ＴＦＴ７００１がｎ型で、発光素子７００２から発せられる光が
陽極７００５側に抜ける場合の、画素の断面図を示す。図２４（Ａ）では、発光素子７０
０２の陰極７００３と駆動用ＴＦＴ７００１が電気的に接続されており、陰極７００３上
に発光層７００４、陽極７００５が順に積層されている。陰極７００３は仕事関数が小さ
く、なおかつ光を反射する導電膜であれば様々の材料を用いることができる。例えば、Ｃ
ａ、Ａｌ、ＣａＦ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ等が望ましい。そして発光層７００４は、単数の
層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。
複数の層で構成されている場合、陰極７００３上に電子注入層、電子輸送層、発光層、ホ
ール輸送層、ホール注入層の順に積層する。なおこれらの層を全て設ける必要はない。陽
極７００５は光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成し、例えば酸化タング
ステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チ
タンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化
物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム
錫酸化物などの透光性を有する導電性導電膜を用いても良い。
【０２８１】
陰極７００３及び陽極７００５で発光層７００４を挟んでいる領域が発光素子７００２に
相当する。図２４（Ａ）に示した画素の場合、発光素子７００２から発せられる光は、矢
印で示すように陽極７００５側に射出する。
【０２８２】
次に、下面射出構造の発光素子について図２４（Ｂ）を用いて説明する。駆動用ＴＦＴ７
０１１がｎ型で、発光素子７０１２から発せられる光が陰極７０１３側に射出する場合の
、画素の断面図を示す。図２４（Ｂ）では、駆動用ＴＦＴ７０１１と電気的に接続された
透光性を有する導電膜７０１７上に、発光素子７０１２の陰極７０１３が成膜されており
、陰極７０１３上に発光層７０１４、陽極７０１５が順に積層されている。なお、陽極７
０１５が透光性を有する場合、陽極上を覆うように、光を反射または遮蔽するための遮蔽
膜７０１６が成膜されていてもよい。陰極７０１３は、図２４（Ａ）の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）とする。例えば２０ｎｍの膜
厚を有するアルミニウム膜を、陰極７０１３として用いることができる。そして発光層７
０１４は、図２４（Ａ）と同様に、単数の層で構成されていても、複数の層が積層される
ように構成されていてもどちらでも良い。陽極７０１５は光を透過する必要はないが、図
２４（Ａ）と同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成することができる。そして
遮蔽膜７０１６は、例えば光を反射する金属等を用いることができるが、金属膜に限定さ
れない。例えば黒の顔料添加した樹脂等を用いることもできる。
【０２８３】
陰極７０１３及び陽極７０１５で、発光層７０１４を挟んでいる領域が発光素子７０１２
に相当する。図２４（Ｂ）に示した画素の場合、発光素子７０１２から発せられる光は、
矢印で示すように陰極７０１３側に射出する。
【０２８４】
次に、両面射出構造の発光素子について、図２４（Ｃ）を用いて説明する。図２４（Ｃ）
では、駆動用ＴＦＴ７０２１と電気的に接続された透光性を有する導電膜７０２７上に、
発光素子７０２２の陰極７０２３が成膜されており、陰極７０２３上に発光層７０２４、
陽極７０２５が順に積層されている。陰極７０２３は、図２４（Ａ）の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度とする。例えば２０ｎｍの膜厚を有するＡｌを、陰極７０２３として
用いることができる。そして発光層７０２４は、図２４（Ａ）と同様に、単数の層で構成
されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。陽極７０
２５は、図２４（Ａ）と同様に、光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成す
ることができる。
【０２８５】
陰極７０２３と、発光層７０２４と、陽極７０２５とが重なっている部分が発光素子７０
２２に相当する。図２４（Ｃ）に示した画素の場合、発光素子７０２２から発せられる光
は、矢印で示すように陽極７０２５側と陰極７０２３側の両方に射出する。
【０２８６】
なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子について述べたが、発光素子として無機Ｅ
Ｌ素子を設けることも可能である。
【０２８７】
なお本実施の形態では、発光素子の駆動を制御する薄膜トランジスタ（駆動用ＴＦＴ）と
発光素子が電気的に接続されている例を示したが、駆動用ＴＦＴと発光素子との間に電流
制御用ＴＦＴが接続されている構成であってもよい。
【０２８８】
なお本実施の形態で示す半導体装置は、図２４に示した構成に限定されるものではなく、
本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【０２８９】
以上の工程により、半導体装置として信頼性の高い発光表示装置を作製することができる
。
【０２９０】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２９１】
（実施の形態１０）
次に、本発明の半導体装置の一形態である表示パネルの構成について、以下に示す。本実
施の形態では、表示素子として液晶素子を有する液晶表示装置の一形態である液晶表示パ
ネル（液晶パネルともいう）、表示素子として発光素子を有する半導体装置の一形態であ
る発光表示パネル（発光パネルともいう）について説明する。
【０２９２】
本発明の半導体装置の一形態に相当する発光表示パネルの外観及び断面について、図２５
を用いて説明する。図２５は、第１の基板上に形成されたＩＧＺＯ半導体層及びｎ型の導
電型を有する金属酸化物層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタ及び発光素子を、第２の
基板との間にシール材によって封止した、パネルの上面図であり、図２５（Ｂ）は、図２
５（Ａ）のＨ−Ｉにおける断面図に相当する。
【０２９３】
第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０
３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂを囲むようにして、シール材４５０５
が設けられている。また画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、及び
走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂの上に第２の基板４５０６が設けられている。よ
って画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５
０４ａ、４５０４ｂは、第１の基板４５０１とシール材４５０５と第２の基板４５０６と
によって、充填材４５０７と共に密封されている。
【０２９４】
また第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４
５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂは、薄膜トランジスタを複数有し
ており、図２５（Ｂ）では、画素部４５０２に含まれる薄膜トランジスタ４５１０と、信
号線駆動回路４５０３ａに含まれる薄膜トランジスタ４５０９とを例示している。
【０２９５】
薄膜トランジスタ４５０９、４５１０は、ＩＧＺＯ半導体層及びｎ型の導電型を有する金
属酸化物層を含む薄膜トランジスタに相当し、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態
３、又は実施の形態４に示す薄膜トランジスタを適用することができる。本実施の形態に
おいて、薄膜トランジスタ４５０９、４５１０はｎチャネル型薄膜トランジスタである。
【０２９６】
また４５１１は発光素子に相当し、発光素子４５１１が有する画素電極である第１の電極
層４５１７は、薄膜トランジスタ４５１０のソース電極層またはドレイン電極層と電気的
に接続されている。なお発光素子４５１１の構成は、本実施の形態に示した構成に限定さ
れない。発光素子４５１１から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子４５１１の構
成は適宜変えることができる。
【０２９７】
また、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂ
、または画素部４５０２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４５１８ａ、４５１８
ｂから供給されている。
【０２９８】
本実施の形態では、接続端子４５１５が、第２の電極層４５１２と同じ導電膜から形成さ
れ、配線４５１６は、発光素子４５１１が有する第１の電極層４５１７と同じ導電膜から
形成されている。
【０２９９】
接続端子４５１５は、ＦＰＣ４５１８ａが有する端子と、異方性導電膜４５１９を介して
電気的に接続されている。
【０３００】
発光素子４５１１からの光の取り出し方向に位置する第２の基板は透光性でなければなら
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリル
フィルムのような透光性を有する材料を用いる。
【０３０１】
また、充填材４５０７としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹
脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、
ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶ
Ａ（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。本実施の形態は充填材４５０７
として窒素を用いた。
【０３０２】
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、
位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０３０３】
信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂは
、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回
路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、又は走査線駆動回
路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、本実施の形態は図２５の構成に
限定されない。
【０３０４】
次に、本発明の半導体装置の一形態に相当する液晶表示パネルの外観及び断面について、
図２０を用いて説明する。図２０は、第１の基板４００１上に形成されたＩＧＺＯ半導体
層及びｎ型の導電型を有する金属酸化物層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタ４０１０
、４０１１、及び液晶素子４０１３を、第２の基板４００６との間にシール材４００５に
よって封止した、パネルの上面図であり、図２０（Ｂ）は、図２０（Ａ１）（Ａ２）のＭ
−Ｎにおける断面図に相当する。
【０３０５】
第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲む
ようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、走査線駆動回
路４００４の上に第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、走査
線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６
とによって、液晶層４００８と共に封止されている。また第１の基板４００１上のシール
材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶
半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。
【０３０６】
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方法、
ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。図２０（Ａ１）
は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図２０（Ａ２）は、
ＴＡＢ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例である。
【０３０７】
また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は、
薄膜トランジスタを複数有しており、図２０（Ｂ）では、画素部４００２に含まれる薄膜
トランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれる薄膜トランジスタ４０１１
とを例示している。
【０３０８】
薄膜トランジスタ４０１０、４０１１は、ＩＧＺＯ半導体層及びｎ型の導電型を有する金
属酸化物層を含む薄膜トランジスタに相当し、実施の形態１乃至４に示す薄膜トランジス
タを適用することができる。本実施の形態において、薄膜トランジスタ４０１０、４０１
１はｎチャネル型薄膜トランジスタである。
【０３０９】
また、液晶素子４０１３が有する画素電極層４０３０は、薄膜トランジスタ４０１０と電
気的に接続されている。そして液晶素子４０１３の対向電極層４０３１は第２の基板４０
０６上に形成されている。画素電極層４０３０と対向電極層４０３１と液晶層４００８と
が重なっている部分が、液晶素子４０１３に相当する。なお、画素電極層４０３０、対向
電極層４０３１はそれぞれ配向膜として機能する絶縁層４０３２、４０３３が設けられ、
絶縁層４０３２、４０３３を介して液晶層４００８を挟持している。
【０３１０】
なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、ガラス、金属（代表的にはス
テンレス）、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては
、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶ
Ｆ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィ
ルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステル
フィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０３１１】
また４０３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、
画素電極層４０３０と対向電極層４０３１との間の距離（セルギャップ）を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
【０３１２】
また別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４または画素部４
００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。
【０３１３】
本実施の形態では、接続端子４０１５が、液晶素子４０１３が有する画素電極層４０３０
と同じ導電膜から形成され、配線４０１６は、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１のゲ
ート電極層と同じ導電膜で形成されている。
【０３１４】
接続端子４０１５は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介して電
気的に接続されている。
【０３１５】
また図２０においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実
装している例を示しているが、本実施の形態はこの構成に限定されない。走査線駆動回路
を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部の
みを別途形成して実装しても良い。
【０３１６】
図２１は、本発明の一態様を適用して作製されるＴＦＴ基板２６００を用いて半導体装置
として液晶表示モジュールを構成する一例を示している。
【０３１７】
図２１は液晶表示モジュールの一例であり、ＴＦＴ基板２６００と対向基板２６０１がシ
ール材２６０２により固着され、その間にＴＦＴ等を含む画素部２６０３、液晶層を含む
表示素子２６０４、着色層２６０５が設けられ表示領域を形成している。着色層２６０５
はカラー表示を行う場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応し
た着色層が各画素に対応して設けられている。ＴＦＴ基板２６００と対向基板２６０１の
外側には偏光板２６０６、偏光板２６０７、拡散板２６１３が配設されている。光源は冷
陰極管２６１０と反射板２６１１により構成され、回路基板２６１２は、フレキシブル配
線基板２６０９によりＴＦＴ基板２６００の配線回路部２６０８と接続され、コントロー
ル回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また偏光板と、液晶層との間に位
相差板を有した状態で積層してもよい。
【０３１８】
液晶表示モジュールには、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉ
ｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａ
ｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇ
ｎｍｅｎｔ）、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃ
ｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅ
ｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ）などを用いることができる。
【０３１９】
以上の工程により、半導体装置として信頼性の高い表示パネルを作製することができる。
【０３２０】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０３２１】
（実施の形態１１）
本発明の一態様に係る半導体装置は、電子ペーパーに適用することができる。電子ペーパ
ーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。
例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍（電子ブック）、ポスター、電車などの乗り物
の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。
電子機器の一例を図２８、図２９に示す。
【０３２２】
図２８（Ａ）は、電子ペーパーで作られたポスター２６３１を示している。広告媒体が紙
の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、本発明の一態様に係る
半導体装置を適用した電子ペーパーを用いれば短時間で広告の表示を変えることができる
。また、表示も崩れることなく安定した画像が得られる。なお、ポスターは無線で情報を
送受信できる構成としてもよい。
【０３２３】
また、図２８（Ｂ）は、電車などの乗り物の車内広告２６３２を示している。広告媒体が
紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、本発明の一態様に係
る半導体装置を適用した電子ペーパーを用いれば人手を多くかけることなく短時間で広告
の表示を変えることができる。また表示も崩れることなく安定した画像が得られる。なお
、車内広告は無線で情報を送受信できる構成としてもよい。
【０３２４】
また、図２９は、電子書籍２７００の一例を示している。例えば、電子書籍２７００は、
筐体２７０１および筐体２７０３の２つの筐体で構成されている。筐体２７０１および筐
体２７０３は、軸部２７１１により一体化されており、該軸部２７１１を軸として開閉動
作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能
となる。
【０３２５】
筐体２７０１には表示部２７０５が組み込まれ、筐体２７０３には表示部２７０７が組
み込まれている。表示部２７０５および表示部２７０７は、続き画面を表示する構成とし
てもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とする
ことで、例えば右側の表示部（図２９では表示部２７０５）に文章を表示し、左側の表示
部（図２９では表示部２７０７）に画像を表示することができる。
【０３２６】
また、図２９では、筐体２７０１に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体
２７０１において、電源２７２１、操作キー２７２３、スピーカ２７２５などを備えてい
る。操作キー２７２３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキ
ーボードやポインティングディバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面
や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子、またはＡＣアダプタおよびＵＳ
Ｂケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構
成としてもよい。さらに、電子書籍２７００は、電子辞書としての機能を持たせた構成と
してもよい。
【０３２７】
また、電子書籍２７００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により
、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とするこ
とも可能である。
【０３２８】
（実施の形態１２）
本発明の一態様に係る半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用する
ことができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジ
ョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラやデジタルビデオ
カメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置とも
いう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機
などが挙げられる。
【０３２９】
図３０（Ａ）は、テレビジョン装置９６００の一例を示している。テレビジョン装置９
６００は、筐体９６０１に表示部９６０３が組み込まれている。表示部９６０３により、
映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド９６０５により筐体９６０
１を支持した構成を示している。
【０３３０】
テレビジョン装置９６００の操作は、筐体９６０１が備える操作スイッチや、別体のリ
モコン操作機９６１０により行うことができる。リモコン操作機９６１０が備える操作キ
ー９６０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９６０３に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機９６１０に、当該リモコン操作
機９６１０から出力する情報を表示する表示部９６０７を設ける構成としてもよい。
【０３３１】
なお、テレビジョン装置９６００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機
により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して優先または無線
による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方
向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である
。
【０３３２】
図３０（Ｂ）は、デジタルフォトフレーム９７００の一例を示している。例えば、デジ
タルフォトフレーム９７００は、筐体９７０１に表示部９７０３が組み込まれている。表
示部９７０３は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮
影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる
。
【０３３３】
なお、デジタルフォトフレーム９７００は、操作部、外部接続用端子（ＵＳＢ端子、Ｕ
ＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える
構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面
に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録
媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像デ
ータを取り込み、取り込んだ画像データを表示部９７０３に表示させることができる。
【０３３４】
また、デジタルフォトフレーム９７００は、無線で情報を送受信出来る構成としてもよ
い。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
【０３３５】
図３１（Ａ）は携帯型遊技機であり、筐体９８８１と筐体９８９１の２つの筐体で構成
されており、連結部９８９３により、開閉可能に連結されている。筐体９８８１には表示
部９８８２が組み込まれ、筐体９８９１には表示部９８８３が組み込まれている。また、
図３１（Ａ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部９８８４、記録媒体挿入部９８
８６、ＬＥＤランプ９８９０、入力手段（操作キー９８８５、接続端子９８８７、センサ
９８８８（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度
、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、
振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９８８９）等を備
えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本発明
の一態様に係るＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層及びｎ型の導電型を有する金
属酸化物層を含む薄膜トランジスタを備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設
けられた構成とすることができる。図３１（Ａ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録
されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技
機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図３１（Ａ）に示す携帯型遊
技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０３３６】
図３１（Ｂ）は大型遊技機であるスロットマシン９９００の一例を示している。スロッ
トマシン９９００は、筐体９９０１に表示部９９０３が組み込まれている。また、スロッ
トマシン９９００は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイ
ン投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン９９００の構成は上述
のものに限定されず、少なくとも本発明の一態様に係るＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化
物半導体層及びｎ型の導電型を有する金属酸化物層を含む薄膜トランジスタを備えた構成
であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
【０３３７】
図３２は、携帯電話機１０００の一例を示している。携帯電話機１０００は、筐体１０
０１に組み込まれた表示部１００２の他、操作ボタン１００３、外部接続ポート１００４
、スピーカ１００５、マイク１００６などを備えている。
【０３３８】
図３２に示す携帯電話機１０００は、表示部１００２を指などで触れることで、情報を
入力ことができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つなどの操作は、表示部１０
０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０３３９】
表示部１００２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする
表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表
示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０３４０】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部１００２を文字の入力
を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場
合、表示部１００２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが
好ましい。
【０３４１】
また、携帯電話機１０００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサ
を有する検出装置を設けることで、携帯電話機１０００の向き（縦か横か）を判断して、
表示部１００２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０３４２】
また、画面モードの切り替えは、表示部１００２を触れること、又は筐体１００１の操
作ボタン１００３の操作により行われる。また、表示部１００２に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０３４３】
また、入力モードにおいて、表示部１００２の光センサで検出される信号を検知し、表
示部１００２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０３４４】
表示部１００２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部１
００２に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことが
できる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセン
シング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【符号の説明】
【０３４５】
１００ 基板
１０１ ゲート電極層
１０２ ゲート絶縁層
１０３ 半導体層
１０４ａ バッファ層
１０４ｂ バッファ層
１０５ａ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ｂ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ａ１ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ａ２ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ａ３ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ｂ１ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ｂ２ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ｂ３ ソース電極層又はドレイン電極層
１０６ａ バッファ層
１０６ｂ バッファ層
１１１ 半導体膜
１１３ マスク
１１４ 金属酸化物膜
１１５ 金属酸化物膜
１１６ マスク
１１７ 導電膜
１１８ マスク
１２１ 導電膜
１２２ マスク
１３１ 半導体膜
１３２ 金属酸化物膜
１３３ 導電膜
１３５ マスク
１３７ 金属酸化物膜
１３８ 導電膜
１３９ マスク
１５０ 基板
１５１ａ ゲート電極層
１５２ ゲート絶縁層
１５３ 半導体層
１５３ａ 半導体層
１５３ｂ 半導体層
１５４ａ バッファ層
１５４ｂ バッファ層
１５４ｃ バッファ層
１５５ａ ソース電極層又はドレイン電極層
１５５ｂ ソース電極層又はドレイン電極層
１５６ 配線層
１７０ａ 薄膜トランジスタ
１７０ｂ 薄膜トランジスタ
１７０ｃ 薄膜トランジスタ
１７０ｄ 薄膜トランジスタ
１７１ａ 薄膜トランジスタ
１７１ｂ 薄膜トランジスタ
１７１ｃ 薄膜トランジスタ
１７３ 薄膜トランジスタ
１７４ 薄膜トランジスタ
【技術分野】
【０００１】
本発明はチャネル形成領域に酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと
いう）で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶
表示パネルに代表される電気光学装置や有機発光素子を有する発光表示装置を部品として
搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
近年、マトリクス状に配置された表示画素毎にＴＦＴからなるスイッチング素子を設けた
アクティブマトリクス型の表示装置（液晶表示装置や発光表示装置や電気泳動式表示装置
）が盛んに開発されている。アクティブマトリクス型の表示装置は、画素（又は１ドット
）毎にスイッチング素子が設けられており、単純マトリクス方式に比べて画素密度が増え
た場合に低電圧駆動できるので有利である。
【０００４】
また、チャネル形成領域に酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを作
製し、電子デバイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば、酸化物半導
体膜として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いるＴＦＴや、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍを用いるＴ
ＦＴが挙げられる。これらの酸化物半導体膜を用いたＴＦＴを、透光性を有する基板上に
形成し、画像表示装置のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献１及び特許文献２
で開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献２】特開２００７−９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
チャネル形成領域に酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタには、動作速度が速く、製
造工程が比較的簡単であり、十分な信頼性が求められている。
【０００７】
薄膜トランジスタを形成するにあたり、ソース電極及びドレイン電極は、低抵抗な金属材
料を用いる。特に、大面積の表示を行う表示装置を製造する際、配線の抵抗による信号の
遅延問題が顕著になってくる。従って、配線や電極の材料としては、電気抵抗値の低い金
属材料を用いることが望ましい。電気抵抗値の低い金属材料からなるソース電極及びドレ
イン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト
抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン
電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つと
考えられる。
【０００８】
加えて、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する部分には容量が
形成され、周波数特性（ｆ特性と呼ばれる）が低くなり、薄膜トランジスタの高速動作を
妨げる恐れがある。
【０００９】
本発明の一態様は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸
化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコン
タクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つと
する。
【００１０】
また、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタの動作特性
や信頼性を向上させることも課題の一つとする。
【００１１】
また、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタの電気特性
のバラツキを低減することも課題の一つとする。特に、液晶表示装置においては、個々の
素子間でのバラツキが大きい場合、そのＴＦＴ特性のバラツキに起因する表示むらが発生
する恐れがある。
【００１２】
また、発光素子を有する表示装置においても、画素電極に一定の電流が流れるように配置
されたＴＦＴ（駆動回路または画素に配置される発光素子に電流を供給するＴＦＴ）のオ
ン電流（Ｉｏｎ）のバラツキが大きい場合、表示画面において輝度のバラツキが生じる恐
れがある。
【００１３】
以上、本発明の一態様は、上記課題の少なくとも一つを解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一態様は、半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、
半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型
（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。
【００１５】
本明細書において、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用いて形成された半導
体層を「ＩＧＺＯ半導体層」とも記す。
【００１６】
ソース電極層とＩＧＺＯ半導体層とはオーミック性のコンタクトが必要であり、さらに、
そのコンタクト抵抗は極力低減することが望まれる。同様に、ドレイン電極層とＩＧＺＯ
半導体層とはオーミック性のコンタクトが必要であり、さらに、そのコンタクト抵抗は極
力低減することが望まれる。
【００１７】
そこで、ソース電極層及びドレイン電極層とＩＧＺＯ半導体層との間に、ＩＧＺＯ半導体
層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコ
ンタクトを形成する。
【００１８】
バッファ層としては、ｎ型の導電型を有する金属酸化物層を用いる。金属酸化物層として
、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化タングステン、酸化マ
グネシウム、酸化カルシウム、酸化スズ、酸化ガリウム、等を用いることができる。また
、金属酸化物層の替わりに活性層に用いるインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物
半導体層よりもキャリア濃度の高いインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体
層を用いることもできる。
また、バッファ層にｎ型又はｐ型を付与する不純物元素を含ませてもよい。不純物元素
として、例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛、マグネシウム、アルミニウム、チタン、
鉄、錫、カルシウム、スカンジウム、イットリウム、ジルコニウム、ハフニウム、ホウ素
、タリウム、ゲルマニウム、鉛などを用いることができる。これらの不純物元素などをバ
ッファ層に含ませると、成膜後の加熱処理によって半導体層から酸素が抜け出ることを防
ぐ効果がある。また、不純物添加により金属酸化物中のキャリア濃度を高めることができ
る。
【００１９】
バッファ層は、ｎ＋層として機能し、ドレイン領域またはソース領域とも呼ぶことができ
る。
【００２０】
本発明の一態様に係る半導体装置は、ゲート電極層と、ゲート電極層上にゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上に半導体層と、半導体層上にｎ型の導電型を有するバッファ層と、バッ
ファ層上にソース電極層及びドレイン電極層とを含む薄膜トランジスタを有し、半導体層
はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、バッファ層は金属酸化
物層であり、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層とはバッファ層を介して電気的
に接続する。
【００２１】
本発明の一態様に係る半導体装置は、ゲート電極層と、ゲート電極層上にゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上に半導体層と、半導体層上にｎ型の導電型を有するバッファ層と、バッ
ファ層上にソース電極層及びドレイン電極層とを含む薄膜トランジスタを有し、半導体層
はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、半導体層はソース電極
層とドレイン電極層との間に膜厚の薄い領域を含み、バッファ層は金属酸化物層であり、
半導体層とソース電極層及びドレイン電極層とはバッファ層を介して電気的に接続する。
【００２２】
本発明の一態様において、金属酸化物層として、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化亜鉛
、酸化インジウム、酸化タングステン、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化スズ又
は酸化ガリウムを用いることが好ましく、特に酸化チタンが好適である。
【００２３】
上記構成において、半導体層とバッファ層との間にキャリア濃度が半導体層より高く、バ
ッファ層より低い第２のバッファ層を設けてもよい。第２のバッファ層はｎ−層として機
能する。第２のバッファ層として、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層と金属酸
化物層との混合層を用いることができる。第２のバッファ層に含まれる金属酸化物層は、
バッファ層に用いることができる金属酸化物層と同一材料のものを用いることができる。
【００２４】
Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜（ＩＧＺＯ膜）はキャリア濃度が高くなるに
つれ、ホール移動度も高くなる特性を有している。よって、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む
酸化物半導体膜のキャリア濃度とホール移動度の関係は図２７に示すようになる。本発明
の一態様において、半導体層のチャネルとして適するＩＧＺＯ膜のキャリア濃度範囲（チ
ャネル用濃度範囲１）は１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満（より好ましくは１×１０
１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上）であることが好ましい。一方、ＩＧＺＯ膜をバッファ層と
して用いる場合には、ＩＧＺＯ膜のキャリア濃度範囲（バッファ層濃度範囲２）は、１×
１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上（１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下）とすることが
好ましい。上記ＩＧＺＯ膜のキャリア濃度は、半導体層として用いた場合、室温で、ソー
ス、ドレイン、及びゲート電圧を印加しない状態での値である。
【００２５】
チャネル用のＩＧＺＯ膜のキャリア濃度範囲が上記範囲を越えると、薄膜トランジスタと
してノーマリーオンになる恐れがある。よって本発明の一態様のキャリア濃度範囲のＩＧ
ＺＯ膜を半導体層のチャネルとして用いることでより信頼性の高い薄膜トランジスタとす
ることができる。
【００２６】
また、ソース電極層及びドレイン電極層にチタン膜を用いることが好ましい。例えば、チ
タン膜、アルミニウム膜、チタン膜の積層を用いると低抵抗であり、かつアルミニウム膜
にヒロックが発生しにくい。
【００２７】
本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法は、基板上にゲート電極層を形成し、ゲート
電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、半導体層上にｎ
型の導電型を有するバッファ層を形成し、バッファ層上にソース電極層及びドレイン電極
層を形成し、半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を用いて
形成し、バッファ層は金属酸化物層を用いて形成し、半導体層とソース電極層及びドレイ
ン電極層とはバッファ層を介して電気的に接続する。
【００２８】
ゲート絶縁層、半導体層、ｎ型の導電型を有するバッファ層、ソース電極層及びドレイン
電極層は大気に曝さずに連続的に形成することができる。連続して成膜すると、ごみとな
る大気中の不純物が界面に混入することによる不良を軽減することができる。
【００２９】
ゲート絶縁層、半導体層、ｎ型の導電型を有するバッファ層、ソース電極層及びドレイン
電極層はスパッタリング法で形成すればよい。ゲート絶縁層及び半導体層は酸素雰囲気下
（又は酸素９０％以上、希ガス（アルゴン又はヘリウム）１０％以下）で、ｎ型の導電型
を有するバッファ層は希ガス（アルゴン又はヘリウム）雰囲気下で成膜することが好まし
い。
【００３０】
このようにスパッタリング法を用いて連続的に成膜すると、生産性が高く、薄膜界面の信
頼性が安定する。また、ゲート絶縁層と半導体層を酸素雰囲気下で成膜し、酸素を多く含
ませるようにすると、劣化による信頼性の低下や、薄膜トランジスタ特性のノーマリーオ
ン側へのシフトなどを軽減することができる。
【００３１】
本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法は、基板上にゲート電極層を形成し、ゲート
電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、半導体層上にｎ
型の導電型を有するバッファ層を形成し、バッファ層上にソース電極層及びドレイン電極
層を形成し、半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を用いて
形成し、バッファ層は金属酸化物層を用いて形成し、半導体層とソース電極層及びドレイ
ン電極層とはバッファ層を介して電気的に接続し、ゲート絶縁層、半導体層、バッファ層
、ソース電極層、及びドレイン電極層は大気に曝さずに連続的に形成する。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の一態様によって、光電流が少なく、寄生容量が小さく、オンオフ比の高い薄膜ト
ランジスタを得ることができ、良好な動特性を有する薄膜トランジスタを作製できる。よ
って、電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図２】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図３】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する図。
【図４】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する図。
【図５】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図６】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図７】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図８】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図９】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図１０】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する図。
【図１１】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する図。
【図１２】本発明の一態様に係るマルチチャンバー型の製造装置の上面模式図。
【図１３】本発明の一態様に係る表示装置のブロック図を説明する図。
【図１４】本発明の一態様に係る信号線駆動回路の構成を説明する図。
【図１５】本発明の一態様に係る信号線駆動回路の動作を説明するタイミングチャート。
【図１６】本発明の一態様に係る信号線駆動回路の動作を説明するタイミングチャート。
【図１７】本発明の一態様に係るシフトレジスタの構成を説明する図。
【図１８】図１７に示すフリップフロップの接続構成を説明する図。
【図１９】本発明の一態様に係るアクティブマトリクス型の液晶表示装置を説明する図。
【図２０】本発明の一態様に係る液晶表示パネルを説明する図。
【図２１】本発明の一態様に係る液晶表示モジュールを説明する図。
【図２２】本発明の一態様に係るアクティブマトリクス型の発光表示装置を説明する図。
【図２３】図２２に示す発光表示装置の等価回路を説明する図。
【図２４】本発明の一態様に係る発光素子の構成を説明する図。
【図２５】本発明の一態様に係る発光表示パネルを説明する図。
【図２６】本発明の一態様に係るアクティブマトリクス型の電子ペーパーを説明する図。
【図２７】Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜のキャリア濃度とホール移動度の関係を説明する図。
【図２８】電子ペーパーの使用形態の例を説明する図。
【図２９】電子書籍の一例を示す外観図。
【図３０】テレビジョン装置およびデジタルフォトフレームの例を示す外観図。
【図３１】遊技機の例を示す外観図。
【図３２】携帯電話機の一例を示す外観図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々
に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構
成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通
して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００３５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、薄膜トランジスタ及びその作製工程について、図１乃至図４を用いて
説明する。
【００３６】
本実施の形態のボトムゲート構造の薄膜トランジスタ１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃを図
１及び図２に示す。図１（Ａ１）は平面図であり、図１（Ａ２）は図１（Ａ１）における
線Ａ１−Ａ２の断面図である。図１（Ｂ１）は平面図であり、図１（Ｂ２）は図１（Ｂ１
）における線Ｂ１−Ｂ２の断面図である。図２（Ａ１）は平面図であり、図２（Ａ２）は
図２（Ａ１）における線Ｃ１−Ｃ２の断面図である。
【００３７】
図１において、基板１００上に、ゲート電極層１０１、ゲート絶縁層１０２、半導体層１
０３、ｎ型の導電型を有するバッファ層１０４ａ、１０４ｂ、ソース電極層又はドレイン
電極層１０５ａ、１０５ｂを有する薄膜トランジスタ１７０ａ、１７０ｂが設けられてい
る。
【００３８】
半導体層１０３としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、ソース電極層
又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂとＩＧＺＯ半導体層である半導体層１０３との間
に、半導体層１０３よりもキャリア濃度の高いバッファ層１０４ａ、１０４ｂを意図的に
設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。薄膜トランジスタの電気特性
のバラツキを低減するためには、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層はアモルフ
ァス状態であることが好ましい。
【００３９】
バッファ層１０４ａ、１０４ｂとしては、ｎ型の導電型を有する金属酸化物層を用いる。
金属酸化物層として、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化タ
ングステン、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化スズ、酸化ガリウム等を用いるこ
とができる。また、金属酸化物層の替わりに半導体層１０３よりもキャリア濃度の高いイ
ンジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を用いることもできる。
また、バッファ層にｎ型又はｐ型を付与する不純物元素を含ませてもよい。不純物元素
として、例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛、マグネシウム、アルミニウム、チタン、
鉄、錫、カルシウムなどを用いることができる。これらの不純物元素などをバッファ層に
含ませると、成膜後の加熱処理によって半導体層から酸素が抜け出ることを防ぐ効果があ
る。また、不純物添加により金属酸化物中のキャリア濃度を高めることができる。
【００４０】
バッファ層１０４ａ、１０４ｂは、ｎ＋層として機能し、ドレイン領域またはソース領域
とも呼ぶことができる。
【００４１】
図１（Ａ１）（Ａ２）の薄膜トランジスタ１７０ａは、バッファ層１０４ａ、１０４ｂと
ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂとを別のマスクを用いてエッチング
加工した例であり、バッファ層１０４ａ、１０４ｂとソース電極層又はドレイン電極層１
０５ａ、１０５ｂとは形状が異なる。
【００４２】
図１（Ｂ１）（Ｂ２）の薄膜トランジスタ１７０ｂは、バッファ層１０４ａ、１０４ｂと
ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂとを同じマスクを用いてエッチング
加工した例であり、バッファ層１０４ａ、１０４ｂとソース電極層又はドレイン電極層１
０５ａ、１０５ｂとは同様な形状を反映している。
【００４３】
また、図１（Ａ１）（Ａ２）（Ｂ１）（Ｂ２）の薄膜トランジスタ１７０ａ、１７０ｂは
、半導体層１０３上において、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂの端
部とバッファ層１０４ａ、１０４ｂの端部が一致せず、バッファ層１０４ａ、１０４ｂが
一部露出している例である。
【００４４】
一方、図２（Ａ１）（Ａ２）の薄膜トランジスタ１７０ｃは、半導体層１０３とバッファ
層１０４ａ、１０４ｂとを同じマスクを用いてエッチング加工する例であり半導体層１０
３とバッファ層１０４ａ、１０４ｂの端部は一致している。なお、図２（Ａ１）（Ａ２）
の薄膜トランジスタ１７０ｃは、半導体層１０３上において、ソース電極層又はドレイン
電極層１０５ａ、１０５ｂの端部とバッファ層１０４ａ、１０４ｂの端部も一致する例で
ある。
【００４５】
さらに、ソース電極層又はドレイン電極層が積層構造である薄膜トランジスタ１７０ｄを
図１１に示す。薄膜トランジスタ１７０ｄはソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ１
、１０５ａ２、１０５ａ３の積層、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ｂ１、１０５
ｂ２、１０５ｂ３の積層を有している。例えば、ソース電極層又はドレイン電極層１０５
ａ１、１０５ｂ１としてチタン膜、１０５ａ２、１０５ｂ２としてアルミニウム膜、１０
５ａ３、１０５ｂ３としてチタン膜を用いることができる。
【００４６】
薄膜トランジスタ１７０ｄでは、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ１、１０５ｂ
１をエッチングストッパーとして用いて、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ２、
１０５ａ３、１０５ｂ２、１０５ｂ３をウエットエッチングによってエッチングして形成
する。上記ウエットエッチングと同じマスクを用いて、ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ａ１、１０５ｂ１、バッファ層１０４ａ、１０４ｂをドライエッチングによってエ
ッチングして形成する。
【００４７】
したがって、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ１はバッファ層１０４ａの端部と
、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ｂ１はバッファ層１０４ｂの端部とそれぞれ一
致しており、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ２、１０５ａ３、ソース電極層又
はドレイン電極層１０５ｂ２、１０５ｂ３は、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ
１、１０５ｂ１より端部が後退している。
【００４８】
このように、ソース電極層及びドレイン電極層に用いる導電膜と、バッファ層及び半導体
層とがエッチング工程において選択比が低い場合は、エッチングストッパーとして機能す
る導電膜を積層して別のエッチング条件で複数回エッチング工程を行えばよい。
【００４９】
図１（Ａ１）（Ａ２）の薄膜トランジスタ１７０ａの作製方法を図３（Ａ）乃至（Ｇ）を
用いて説明する。
【００５０】
基板１００上にゲート電極層１０１、ゲート絶縁層１０２、半導体膜１１１を形成する（
図３（Ａ）参照。）。基板１００は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガ
ラス、若しくはアルミノシリケートガラスなど、フュージョン法やフロート法で作製され
る無アルカリガラス基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性
を有するプラスチック基板等を用いることができる。また、ステンレス合金などの金属基
板の表面に絶縁膜を設けた基板を適用しても良い。基板１００の大きさは、３２０ｍｍ×
４００ｍｍ、３７０ｍｍ×４７０ｍｍ、５５０ｍｍ×６５０ｍｍ、６００ｍｍ×７２０ｍ
ｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、７３０ｍｍ×９２０ｍｍ、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、
１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍ、１５００ｍｍ×１８００ｍ
ｍ、１９００ｍｍ×２２００ｍｍ、２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ、２４００ｍｍ×２８０
０ｍｍ、又は２８５０ｍｍ×３０５０ｍｍ等を用いることができる。
【００５１】
また基板１００上に下地膜として絶縁膜を形成してもよい。下地膜としては、ＣＶＤ法や
スパッタリング法等を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸
化珪素膜の単層、又は積層で形成すればよい。
【００５２】
ゲート電極層１０１は、チタン、モリブデン、クロム、タンタル、タングステン、アルミ
ニウムなどの金属材料またはその合金材料を用いて形成する。ゲート電極層１０１は、ス
パッタリング法や真空蒸着法で基板１００上に導電膜を形成し、当該導電膜上にフォトリ
ソグラフィ技術またはインクジェット法によりマスクを形成し、当該マスクを用いて導電
膜をエッチングすることで、形成することができる。また、銀、金、銅などの導電性ナノ
ペーストを用いてインクジェット法により吐出し焼成して、ゲート電極層１０１を形成す
ることができる。なお、ゲート電極層１０１の密着性向上と基板や下地膜への拡散を防ぐ
バリアメタルとして、上記金属材料の窒化物膜を、基板１００及びゲート電極層１０１の
間に設けてもよい。また、ゲート電極層１０１は単層構造としても積層構造としてもよく
、例えば基板１００側からモリブデン膜とアルミニウム膜との積層、モリブデン膜とアル
ミニウムとネオジムとの合金膜との積層、チタン膜とアルミニウム膜との積層、チタン膜
、アルミニウム膜及びチタン膜との積層などを用いることができる。
【００５３】
なお、ゲート電極層１０１上には半導体膜や配線を形成するので、段切れ防止のため端部
がテーパー状になるように加工することが望ましい。
【００５４】
ゲート絶縁層１０２、及び半導体膜１１１は大気に曝さずに連続的に形成することができ
る。連続して成膜すると、大気成分や大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されること
なく各積層界面を形成することができる。
【００５５】
アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気
特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。特に、薄膜トランジスタ
の電気特性のうち、しきい値電圧（Ｖｔｈ）が重要である。電界効果移動度が高くともし
きい値電圧値が高い、或いはしきい値電圧値がマイナスであると、回路として制御するこ
とが困難である。しきい値電圧値が高く、しきい値電圧の絶対値が大きい薄膜トランジス
タの場合には、駆動電圧が低い状態では薄膜トランジスタとしてのスイッチング機能を果
たすことができず、負荷となる恐れがある。また、しきい値電圧値がマイナスであると、
ゲート電圧が０Ｖでもソース電極とドレイン電極の間に電流が流れる、所謂ノーマリーオ
ンとなりやすい。
【００５６】
ｎチャネル型の薄膜トランジスタの場合、ゲート電圧に正の電圧を印加してはじめてチャ
ネルが形成されて、ドレイン電流が流れ出すトランジスタが望ましい。駆動電圧を高くし
ないとチャネルが形成されないトランジスタや、負の電圧状態でもチャネルが形成されて
ドレイン電流が流れるトランジスタは、回路に用いる薄膜トランジスタとしては不向きで
ある。
【００５７】
よって、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのゲート
電圧が０Ｖにできるだけ近い正のしきい値電圧でチャネルが形成されることが望ましい。
【００５８】
薄膜トランジスタのしきい電圧値は、酸化物半導体層の界面、即ち、酸化物半導体層とゲ
ート絶縁層の界面に大きく影響すると考えられる。
【００５９】
そこで、これらの界面を清浄な状態で形成することによって、薄膜トランジスタの電気特
性を向上させるとともに、製造工程の複雑化を防ぐことができ、量産性と高性能の両方を
備えた薄膜トランジスタを実現する。
【００６０】
特に酸化物半導体層とゲート絶縁層との界面に大気中の水分が存在すると、薄膜トランジ
スタの電気的特性の劣化、しきい値電圧のばらつき、ノーマリーオンになりやすいといっ
た問題を招く。酸化物半導体層とゲート絶縁層とを連続成膜することで、このような水素
化合物を排除することができる。
【００６１】
よって、大気に曝すことなくゲート絶縁層１０２と、半導体膜１１１をスパッタリング法
により、減圧下で連続成膜することで良好な界面を有し、リーク電流が低く、且つ、電流
駆動能力の高い薄膜トランジスタを実現することができる。
【００６２】
また、ゲート絶縁層１０２及びＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜である半導体
膜１１１は酸素雰囲気下（又は酸素９０％以上、希ガス（アルゴン）１０％以下）で成膜
することが好ましい。
【００６３】
このようにスパッタリング法を用いて連続的に成膜すると、生産性が高く、薄膜界面の信
頼性が安定する。また、ゲート絶縁層と半導体層を酸素雰囲気下で成膜し、酸素を多く含
ませるようにすると、劣化による信頼性の低下や、薄膜トランジスタがノーマリーオンと
なることを軽減することができる。
【００６４】
ゲート絶縁層１０２は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素
膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜で形成することができる。図２（Ａ１）（Ａ
２）に示す薄膜トランジスタ１７０ｃはゲート絶縁層１０２を積層する例である。
【００６５】
ゲート絶縁層１０２として、窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜と、酸化珪素膜または酸化
窒化珪素膜との順に積層して形成することができる。なお、ゲート絶縁層を２層とせず、
基板側から窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜と、酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜と、窒
化珪素膜または窒化酸化珪素膜との順に３層積層して形成することができる。また、ゲー
ト絶縁層を、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜の単層で
形成することができる。
【００６６】
また、ゲート絶縁層１０２として、プラズマＣＶＤ法によりゲート電極層１０１上に窒化
珪素膜を形成し、窒化珪素膜上にスパッタリング法により酸化珪素膜を積層してもよい。
プラズマＣＶＤ法によりゲート電極層１０１上に窒化珪素膜と酸化珪素膜を順に積層し、
酸化珪素膜上にさらにスパッタリング法により酸化珪素膜を積層してもよい。
【００６７】
ここでは、酸化窒化珪素膜とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いもので
あって、濃度範囲として酸素が５５〜６５原子％、窒素が１〜２０原子％、Ｓｉが２５〜
３５原子％、水素が０．１〜１０原子％の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化珪
素膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、濃度範囲とし
て酸素が１５〜３０原子％、窒素が２０〜３５原子％、Ｓｉが２５〜３５原子％、水素が
１５〜２５原子％の範囲で含まれるものをいう。
【００６８】
また、ゲート絶縁層１０２として、アルミニウム、イットリウム、マグネシウム又はハフ
ニウムの酸化物、窒化物、酸化窒化物、又は窒化酸化物の一種又はそれらの化合物を少な
くとも２種以上含む化合物を用いることもできる。
【００６９】
また、ゲート絶縁層１０２に、塩素、フッ素などのハロゲン元素を含ませてもよい。ゲー
ト絶縁層１０２中のハロゲン元素の濃度は、濃度ピークにおいて１×１０１５ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３以上１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすればよい。
【００７０】
半導体膜１１１としては、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を形成する。半導
体膜１１１はエッチング後の膜厚のうち、薄い領域の膜厚が２ｎｍ以上２００ｎｍ以下（
好ましくは２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下）の厚さとなるように形成するとよい。例えば、
半導体膜１１１として、スパッタリング法を用いて、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物
半導体膜を膜厚５０ｎｍで形成すればよい。具体的な条件例としては、直径８インチのＩ
ｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲットを用いて、基板とターゲットの間との
距離を１７０ｍｍ、圧力０．４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、アルゴン又は酸素雰
囲気下で成膜することができる。また、パルス直流（ＤＣ）電源を用いると、ゴミが軽減
でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。
【００７１】
次に半導体膜１１１をマスク１１３を用いてエッチングにより加工し、半導体層１０３を
形成する（図３（Ｂ）参照。）。半導体層１０３は、フォトリソグラフィ技術または液滴
吐出法によりマスク１１３を形成し、当該マスク１１３を用いて半導体膜１１１をエッチ
ングすることで、形成することができる。
【００７２】
半導体層１０３の端部をテーパーを有する形状にエッチングすることで、段差形状による
配線の段切れを防ぐことができる。
【００７３】
次に、ゲート絶縁層１０２、半導体層１０３上にｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１
４を形成する（図３（Ｃ）参照。）。ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１４上にマス
ク１１６を形成する。マスク１１６は、フォトリソグラフィ技術またはインクジェット法
により形成する。ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１４をマスク１１６を用いてエッ
チングにより加工し、ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１５を形成する（図３（Ｄ）
参照。）。ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１５は膜厚２ｎｍ以上１００ｎｍ以下（
好ましくは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下）とすればよい。ｎ型の導電型を有する金属酸化物
膜１１４は希ガス（好ましくはアルゴン）雰囲気下で成膜することが好ましい。ここでは
、金属酸化物膜１１４に酸化チタン膜を用いる。そのエッチング方法の一例として、希釈
したフッ酸、塩酸又は硫酸もしくは、アンモニア水と過酸化水素水と純水を１：１：５の
体積比で混合した溶液をエッチャントに用いることができる。
【００７４】
半導体膜１１１やｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１５などのスパッタリング法以外
の他の成膜方法としては、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）及び電子ビーム蒸着法など
の気相法を用いることができる。気相法の中でも、材料系の組成を制御しやすい点では、
ＰＬＤ法が、量産性の点からは、上述したようにスパッタリング法が適している。
【００７５】
ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１５上に導電膜１１７を形成する（図３（Ｅ）参照
。）。
【００７６】
導電膜１１７は、アルミニウム、若しくは銅、シリコン、チタン、ネオジム、スカンジウ
ム、モリブデンなどの耐熱性向上元素若しくはヒロック防止元素が添加されたアルミニウ
ム合金の単層または積層で形成することが好ましい。また、ｎ型の導電型を有する金属酸
化物膜と接する側の膜を、チタン、タンタル、モリブデン、タングステン、またはこれら
の元素の窒化物で形成し、その上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を形成した積層
構造としても良い。更には、アルミニウムまたはアルミニウム合金の上面及び下面を、チ
タン、タンタル、モリブデン、タングステン、またはこれらの元素の窒化物で挟んだ積層
構造としてもよい。ここでは、導電膜１１７として、チタン膜、アルミニウム膜、及びチ
タン膜の積層導電膜を用いる。かかる積層導電膜は過酸化水素水または加熱塩酸をエッチ
ャントとしてエッチングできる。
【００７７】
チタン膜、アルミニウム膜、チタン膜の積層を用いると低抵抗であり、かつアルミニウム
膜にヒロックが発生しにくい。
【００７８】
導電膜１１７は、スパッタリング法や真空蒸着法で形成する。また、導電膜１１７は、銀
、金、銅などの導電性ナノペーストを用いてスクリーン印刷法、インクジェット法等を用
いて吐出し焼成して形成しても良い。
【００７９】
次に、導電膜１１７上にマスク１１８を形成する。マスク１１８を用いて導電膜１１７を
エッチングし分離して、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂを形成する
（図３（Ｆ）参照。）。本実施の形態の図３（Ｆ）のように導電膜１１７をウエットエッ
チングすると、導電膜１１７は等方的にエッチングされるため、ソース電極層又はドレイ
ン電極層１０５ａ、１０５ｂの端部はマスク１１８の端部と一致せずより後退している。
次に、マスク１１８を用いてｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１５をエッチングして
、バッファ層１０４ａ、１０４ｂを形成する（図３（Ｇ）参照。）。なお、エッチング条
件にもよるがｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１５のエッチング工程において、半導
体層１０３の露出領域も一部エッチングされ得る。この場合、図示しないがバッファ層１
０４ａ、１０４ｂの間の半導体層１０３のチャネル領域は膜厚の薄い領域となる。なお、
本実施の形態においては、バッファ層１０４ａ、１０４ｂの形成とソース電極層及びドレ
イン電極層１０５ａ、１０５ｂの形成を分けて行うため、バッファ層１０４ａ、１０４ｂ
とソース電極層及びドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂの端部における重ならない領域の
長さを容易に制御できる。
【００８０】
さらに、半導体層１０３にプラズマ処理を行ってもよい。プラズマ処理を行うことにより
、半導体層１０３のエッチングによるダメージを回復することができる。プラズマ処理は
Ｏ２、Ｎ２Ｏ、好ましくは酸素を含むＮ２、Ｈｅ、Ａｒ雰囲気下で行うことが好ましい。
また、上記雰囲気にＣｌ２、ＣＦ４を加えた雰囲気下で行ってもよい。なお、プラズマ処
理は、無バイアスで行うことが好ましい。
【００８１】
半導体層１０３上のソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂの端部と、バッ
ファ層１０４ａ、１０４ｂの端部は一致せずずれており、ソース電極層又はドレイン電極
層１０５ａ、１０５ｂの端部の外側に、バッファ層１０４ａ、１０４ｂの端部が形成され
る。
【００８２】
この後、マスク１１８を除去する。以上の工程により、薄膜トランジスタ１７０ａを形成
することができる。
【００８３】
次に図１（Ｂ１）（Ｂ２）に示す薄膜トランジスタ１７０ｂの作製工程を図４に示す。
【００８４】
図４（Ａ）は図３（Ｂ）の工程においてマスク１１３を除去した状態である。半導体層１
０３上にｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１４と導電膜１２１とを順に積層する（図
４（Ｂ）参照。）。この場合ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１４と導電膜１２１と
を大気に曝さないでスパッタリング法で連続的に成膜することができる。
【００８５】
ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１４と導電膜１２１上にマスク１２２を形成し、マ
スク１２２を用いて導電膜１２１をウエットエッチング加工してソース電極層又はドレイ
ン電極層１０５ａ、１０５ｂを形成する（図４（Ｃ）参照。）。
【００８６】
次に、ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１１４をドライエッチング加工してバッファ層
１０４ａ、１０４ｂを形成する（図４（Ｄ）参照。）。図４のように、バッファ層１０４
ａ、１０４ｂとソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂとを形成するエッチ
ングに同じマスクを用いると、マスク数を減らすことができるため、工程簡略化、低コス
ト化が計れる。
【００８７】
薄膜トランジスタ１７０ａ、１７０ｂ上に保護膜として絶縁膜を形成してもよい。保護膜
としてはゲート絶縁層と同様に形成することができる。なお、保護膜は、大気中に浮遊す
る有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が
好ましい。例えば、薄膜トランジスタ１７０ａ、１７０ｂ上に保護膜として酸化珪素膜と
窒化珪素膜との積層を形成すればよい。
【００８８】
また、半導体層１０３は成膜後に加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理は成膜後であ
ればどの工程で行ってもよいが、成膜直後、導電膜１１７の形成後、保護膜の形成後など
で行うことができる。また、他の加熱処理と兼ねて行ってもよい。また加熱温度は３００
℃以上４００℃以下、好ましくは３５０℃とすればよい。図２のように半導体層１０３及
びバッファ層１０４ａ、１０４ｂを連続成膜する場合、積層した後に加熱処理を行っても
よい。加熱処理は半導体層１０３とバッファ層１０４ａ、１０４ｂと別工程で複数回行っ
てもよい。
【００８９】
ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂの端部と、バッファ層１０４ａ、１
０４ｂの端部は一致せずずれた形状となることで、ソース電極層又はドレイン電極層１０
５ａ、１０５ｂの端部の距離が離れるため、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、
１０５ｂ間のリーク電流やショートを防止することができる。このため、信頼性が高く、
且つ耐圧の高い薄膜トランジスタを作製することができる。
【００９０】
また、図２（Ａ１）（Ａ２）の薄膜トランジスタ１７０ｃのようにバッファ層１０４ａ、
１０４ｂの端部とソース電極及びドレイン電極の端部を一致する形状としてもよい。ソー
ス電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂを形成するためのエッチング及びバッフ
ァ層１０４ａ、１０４ｂを形成するためのエッチングをドライエッチングで行うと図２（
Ａ１）（Ａ２）の薄膜トランジスタ１７０ｃのような形状にすることができる。また、ｎ
型の導電型を有する金属酸化物膜１１４をソース電極及びドレイン電極をマスクとしてエ
ッチングし、バッファ層１０４ａ、１０４ｂを形成しても図２（Ａ１）（Ａ２）の薄膜ト
ランジスタ１７０ｃのような形状にすることができる。
【００９１】
バッファ層（ｎ型の導電型を有する金属酸化物層）を設けない、ゲート電極層、ゲート絶
縁層、半導体層（Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層）、ソース電極層及びドレ
イン電極層という積層構造であると、ゲート電極層とソース電極層又はドレイン電極層と
の距離が近くなり、間に生じる寄生容量が増加してしまう。さらに、この寄生容量の増加
は、半導体層の薄膜化によってより顕著になる。本実施の形態では、ｎ型の導電型を有す
る金属酸化物層というようなキャリア濃度が高いバッファ層を設ける、ゲート電極層、ゲ
ート絶縁層、半導体層、バッファ層、ソース電極層及びドレイン電極層という積層構造を
有する薄膜トランジスタとしているため、半導体層の膜厚が薄膜であっても寄生容量を抑
制することができる。
【００９２】
本実施の形態によって、光電流が少なく、寄生容量が小さく、オンオフ比の高い薄膜トラ
ンジスタを得ることができ、良好な動特性を有する薄膜トランジスタを作製できる。よっ
て、電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供することが
できる。
【００９３】
（実施の形態２）
本実施の形態は、本発明の一態様に係るマルチゲート構造の薄膜トランジスタの例である
。従って、他は実施の形態１と同様に行うことができ、実施の形態１と同一部分又は同様
な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する。
【００９４】
本実施の形態では、半導体装置に用いられる薄膜トランジスタについて、図５乃至図７（
Ａ）（Ｂ）を用いて説明する。
【００９５】
図５（Ａ）は、薄膜トランジスタ１７１ａを示す平面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ
）における線Ｅ１−Ｅ２の薄膜トランジスタ１７１ａを示す断面図に相当する。
【００９６】
図５（Ａ）（Ｂ）に示すように、基板１５０上に、ゲート電極層１５１ａ、１５１ｂ、半
導体層１５３ａ、１５３ｂ、バッファ層１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ、ソース電極層又
はドレイン電極層１５５ａ、１５５ｂを含むマルチゲート構造の薄膜トランジスタ１７１
ａが設けられている。
【００９７】
半導体層１５３ａ、１５３ｂは、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層であり、バ
ッファ層１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃはｎ型の導電型を有する金属酸化物層である。ソ
ース領域又はドレイン領域（ｎ＋層）として機能するバッファ層１５４ａ、１５４ｂ、１
５４ｃは、半導体層１５３ａ、１５３ｂよりキャリア濃度が高い。
【００９８】
半導体層１５３ａと半導体層１５３ｂとは、一方をバッファ層１５４ｃを介して電気的に
接続しており、他方でそれぞれ半導体層１５３ａはバッファ層１５４ａを介してソース電
極層又はドレイン電極層１５５ａと、半導体層１５３ｂはバッファ層１５４ｂを介してソ
ース電極層又はドレイン電極層１５５ｂと電気的に接続している。
【００９９】
図６に他の構成のマルチゲート構造の薄膜トランジスタ１７１ｂを示す。図６（Ａ）は、
薄膜トランジスタ１７１ｂを示す平面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）における線Ｆ
１−Ｆ２の薄膜トランジスタ１７１ｂを示す断面図に相当する。図６の薄膜トランジスタ
１７１ｂにおいてはバッファ層１５４ｃ上にソース電極層又はドレイン電極層１５５ａ、
１５５ｂと同工程で形成される配線層１５６が設けられ、半導体層１５３ａと半導体層１
５３ｂとはバッファ層１５４ｃと配線層１５６によって電気的に接続されている。
【０１００】
図７に他の構成のマルチゲート構造の薄膜トランジスタ１７１ｃを示す。図７（Ａ）は、
薄膜トランジスタ１７１ｃを示す平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）における線Ｇ
１−Ｇ２の薄膜トランジスタ１７１ｃを示す断面図に相当する。図７の薄膜トランジスタ
１７１ｃにおいては、半導体層１５３ａと半導体層１５３ｂとが連続した一層の半導体層
１５３として形成されている例である。半導体層１５３はゲート絶縁層１５２を介して、
ゲート電極層１５１ａ、１５１ｂを跨るように設けられる。
【０１０１】
このように、本発明の一態様に係るマルチゲート構造の薄膜トランジスタにおいては、各
ゲート電極層上に形成される半導体層は連続して設けられてもよいし、バッファ層及び配
線層などを介して複数の半導体層が電気的に接続して設けられてもよい。
【０１０２】
本発明の一態様に係るマルチゲート構造の薄膜トランジスタは、オフ電流が少なく、その
ような薄膜トランジスタを含む半導体装置は高い電気特性及び高信頼性を付与することが
できる
【０１０３】
本実施の形態では、マルチゲート構造としてゲート電極層が２つのダブルゲート構造の例
を示すが、本発明はより多くのゲート電極層を有するトリプルゲート構造などにも適用す
ることができる。
【０１０４】
（実施の形態３）
本実施の形態は、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいてバッファ層を積層する
例である。従って、他は実施の形態１又は実施の形態２と同様に行うことができ、実施の
形態１又は実施の形態２と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの
説明は省略する。
【０１０５】
本実施の形態では、半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ１７３について、図８を用
いて説明する。
【０１０６】
図８に示すように、基板１００上に、ゲート電極層１０１、半導体層１０３、バッファ層
１０６ａ、１０６ｂ、バッファ層１０４ａ、１０４ｂ、ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ａ、１０５ｂを含む薄膜トランジスタ１７３が設けられている。
【０１０７】
本実施の形態の薄膜トランジスタ１７３は、半導体層１０３とバッファ層１０４ａ、１０
４ｂとの間にそれぞれ第２のバッファ層としてバッファ層１０６ａ、１０６ｂが設けられ
ている。
【０１０８】
半導体層１０３は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層であり、バッファ層１０
４ａ、１０４ｂは金属酸化物層であり、バッファ層１０６ａ、１０６ｂはＩｎ、Ｇａ、及
びＺｎを含む酸化物半導体層と金属酸化物層との混合層である。バッファ層１０６ａ、１
０６ｂは、金属酸化物ターゲットとＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲット
の共スパッタリングにより形成することができる。金属酸化物層として、酸化チタン、酸
化モリブデン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化タングステン、酸化マグネシウム、酸化
カルシウム、酸化錫、酸化ガリウム等を用いることができるが、特に酸化チタンが好適で
ある。また、バッファ層１０４ａ、１０４ｂ、バッファ層１０６ａ、１０６ｂにはｎ型又
はｐ型の不純物元素を含ませてもよい。不純物元素として例えば、インジウム、ガリウム
、亜鉛、マグネシウム、アルミニウム、チタン、鉄、錫、カルシウム、スカンジウム、イ
ットリウム、ジルコニウム、ハフニウム、ホウ素、タリウム、ゲルマニウム、鉛などを挙
げることができる。異種金属により金属酸化物中のキャリア濃度を高めることができる。
【０１０９】
半導体層１０３とバッファ層１０４ａ、１０４ｂとの間に設けられる第２のバッファ層（
バッファ層１０６ａ、１０６ｂ）は、キャリア濃度が半導体層１０３より高く、バッファ
層１０４ａ、１０４ｂより低い。バッファ層１０４ａ、１０４ｂがｎ＋層として機能する
のに対して、第２のバッファ層（バッファ層１０６ａ、１０６ｂ）はｎ−層として機能す
る。
【０１１０】
このように、半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間に設けられるバッファ層
は積層構造としてもよく、そのキャリア濃度は半導体層からソース電極層又はドレイン電
極層へ向かって高くなるように制御する。
【０１１１】
本発明の一態様に係る積層バッファ層を有する薄膜トランジスタは、オフ電流が少なく、
そのような薄膜トランジスタを含む半導体装置は高い電気特性及び高信頼性を付与するこ
とができる。また、半導体層１０３からソース電極層又はドレイン電極層に向かってキャ
リア密度が上昇するように勾配をつけることにより、半導体層１０３とソース電極層又は
ドレイン電極層との間の接触抵抗を低減することができる。また、第２のバッファ層を設
けることにより半導体層１０３との接合界面に集中する電界をより緩和することができる
。
【０１１２】
本実施の形態は他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１１３】
（実施の形態４）
本実施の形態は、実施の形態１において、薄膜トランジスタの形状及び作製方法が一部異
なる例である。従って、他は実施の形態１と同様に行うことができ、実施の形態１と同一
部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する。
【０１１４】
本実施の形態では、表示装置に用いられる薄膜トランジスタ１７４及びその作製工程につ
いて、図９及び図１０を用いて説明する。図９（Ａ１）は薄膜トランジスタ１７４の平面
図、図９（Ａ２）及び図１０は図９（Ａ１）における線Ｄ１−Ｄ２の薄膜トランジスタ及
びその作製工程を示す断面図に相当する。
【０１１５】
図９（Ａ）（Ｂ）に示すように、基板１００上に、ゲート電極層１０１、半導体層１０３
、バッファ層１０４ａ、１０４ｂ、ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂ
を含む薄膜トランジスタ１７４が設けられている。
【０１１６】
半導体層１０３は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層であり、バッファ層１０
４ａ、１０４ｂはｎ型の導電型を有する金属酸化物層である。ソース領域又はドレイン領
域（ｎ＋層）として機能するバッファ層１０４ａ、１０４ｂは、半導体層１０３よりキャ
リア濃度が高い。
【０１１７】
半導体層１０３はバッファ層１０４ａを介してソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ
と、バッファ層１０４ｂを介してソース電極層又はドレイン電極層１０５ｂと電気的に接
続している。
【０１１８】
図１０を用いて薄膜トランジスタ１７４の作製工程を説明する。基板１００上にゲート電
極層１０１を形成する。次に、ゲート電極層１０１上に、ゲート絶縁層１０２、Ｉｎ、Ｇ
ａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜である半導体膜１３１、ｎ型の導電型を有する金属酸
化物膜１３２、導電膜１３３を順に形成する（図１０（Ａ）参照。）。
【０１１９】
ゲート絶縁層１０２、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜である半導体膜１３１
、ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１３２、導電膜１３３を大気に触れさせることなく
連続的に形成することができる。大気に触れさせることなく連続成膜することで、大気成
分や大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されることなく各積層界面を形成することが
できるので、薄膜トランジスタ特性のばらつきを低減することができる。
【０１２０】
本実施の形態では、マスク１３５を形成するために高階調マスクを用いた露光を行う例を
示す。マスク１３５を形成するためレジストを形成する。レジストは、ポジ型レジストま
たはネガ型レジストを用いることができる。ここでは、ポジ型レジストを用いて示す。
【０１２１】
次に、フォトマスクとして多階調マスクを用いて、レジストに光を照射して、レジストを
露光する。
【０１２２】
多階調マスクとは、露光部分、中間露光部分、及び未露光部分に３つの露光レベルを行う
ことが可能なマスクであり、一度の露光及び現像工程により、複数（代表的には二種類）
の厚さの領域を有するレジストマスクを形成することが可能である。このため、多階調マ
スクを用いることで、フォトマスクの枚数を削減することが可能である。
【０１２３】
多階調マスクの代表例としては、グレートーンマスク、ハーフトーンマスクがある。
【０１２４】
グレートーンマスクは、透光性を有する基板及びその上に形成される遮光部並びに回折格
子で構成される。遮光部においては、光の透過率が０％である。一方、回折格子はスリッ
ト、ドット、メッシュ等の光透過部の間隔を、露光に用いる光の解像度限界以下の間隔と
することにより、光の透過率を制御することができる。なお、回折格子は、周期的なスリ
ット、ドット、メッシュ、または非周期的なスリット、ドット、メッシュどちらも用いる
ことができる。
【０１２５】
透光性を有する基板は、石英等の透光性を有する基板を用いることができる。遮光部及び
回折格子は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材料を用いて形成することができ
る。
【０１２６】
グレートーンマスクに露光光を照射した場合、遮光部においては、光の透過率は０％であ
り、遮光部及び回折格子が設けられていない領域では光の透過率は１００％である。また
、回折格子においては、１０〜７０％の範囲で調整可能である。回折格子における光の透
過率の調整は、回折格子のスリット、ドット、またはメッシュの間隔及びピッチの調整に
より可能である。
【０１２７】
ハーフトーンマスクは、透光性を有する基板及びその上に形成される半透過部並びに遮光
部で構成される。半透過部は、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＯＮ、Ｃｒ
Ｓｉなどを用いることができる。遮光部は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材
料を用いて形成することができる。
【０１２８】
ハーフトーンマスクに露光光を照射した場合、遮光部においては、光の透過率は０％であ
り、遮光部及び半透過部が設けられていない領域では光の透過率は１００％である。また
、半透過部においては、１０〜７０％の範囲で調整可能である。半透過部に於ける光の透
過率の調整は、半透過部の材料により調整により可能である。
【０１２９】
多階調マスクを用いて露光した後、現像することで、図１０（Ｂ）に示すように、膜厚の
異なる領域を有するマスク１３５を形成することができる。
【０１３０】
次に、マスク１３５により、半導体膜１３１、金属酸化物膜１３２、導電膜１３３をエッ
チングし分離する。この結果、半導体層１０３、ｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１３
７、及び導電膜１３８を形成することができる（図１０（Ｂ）参照。）。
【０１３１】
次に、マスク１３５をアッシングする。この結果、マスクの面積が縮小し、厚さが薄くな
る。このとき、膜厚の薄い領域のマスクのレジスト（ゲート電極層１０１の一部と重畳す
る領域）は除去され、分離されたマスク１３９を形成することができる（図１０（Ｃ）参
照。）。
【０１３２】
マスク１３９を用いて導電膜１３８をエッチングし、ソース電極層又はドレイン電極層１
０５ａ、１０５ｂを形成する。本実施の形態のように導電膜１３８をウエットエッチング
すると、導電膜１３８は等方的にエッチングされるため、マスク１３９の端部と、ソース
電極層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂの端部は一致せずより後退し、ソース電極
層又はドレイン電極層１０５ａ、１０５ｂの外側にｎ型の導電型を有する金属酸化物膜１
３７及び半導体層１０３が突出した形状となる。次に、マスク１３９を用いてｎ型の導電
型を有する金属酸化物膜１３７をエッチングして、バッファ層１０４ａ、１０４ｂを形成
する（図１０（Ｄ）参照。）。なお、半導体層１０３に対する金属酸化物膜１３７のエッ
チング選択比が小さい場合には、金属酸化物膜１３７がエッチングされる際に半導体層１
０３の露出する領域が一部エッチングされ、図示しない溝部を有する。
【０１３３】
この後、マスク１３９を除去する。
【０１３４】
以上の工程で、図９（Ａ）（Ｂ）に示す薄膜トランジスタ１７４を作製することができる
。
【０１３５】
本実施の形態のように、多階調マスクにより形成した複数（代表的には二種類）の厚さの
領域を有するレジストマスクを用いると、レジストマスクの数を減らすことができるため
、工程簡略化、低コスト化が計れる。
【０１３６】
本実施の形態は他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１３７】
（実施の形態５）
ここでは、少なくともゲート絶縁膜と酸化物半導体層の積層を大気に触れることなく、連
続成膜を行う逆スタガ型の薄膜トランジスタの作製例を以下に示す。ここでは、連続成膜
を行う工程までの工程を示し、その後の工程は、実施の形態１乃至４のいずれか一に従っ
て薄膜トランジスタを作製すればよい。
【０１３８】
本明細書中で連続成膜とは、スパッタ法で行う第１の成膜工程からスパッタ法で行う第２
の成膜工程までの一連のプロセス中、被処理基板の置かれている雰囲気が大気等の汚染雰
囲気に触れることなく、常に真空中または不活性ガス雰囲気（窒素雰囲気または希ガス雰
囲気）で制御されていることを言う。連続成膜を行うことにより、清浄化された被処理基
板の水分等の再付着を回避して成膜を行うことができる。
【０１３９】
同一チャンバー内で第１の成膜工程から第２の成膜工程までの一連のプロセスを行うこと
は本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
【０１４０】
また、異なるチャンバーで第１の成膜工程から第２の成膜工程までの一連のプロセスを行
う場合、第１の成膜工程を終えた後、大気にふれることなくチャンバー間を基板搬送して
第２の成膜を施すことも本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
【０１４１】
なお、第１の成膜工程と第２の成膜工程の間に、基板搬送工程、アライメント工程、徐冷
工程、または第２の工程に必要な温度とするため基板を加熱または冷却する工程等を有し
ても、本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
【０１４２】
ただし、洗浄工程、ウエットエッチング、レジスト形成といった液体を用いる工程が第１
の成膜工程と第２の成膜工程の間にある場合、本明細書でいう連続成膜の範囲には当ては
まらないとする。
【０１４３】
大気に触れることなく連続成膜を行う場合、図１２に示すようなマルチチャンバー型の製
造装置を用いることが好ましい。
【０１４４】
製造装置の中央部には、基板を搬送する搬送機構（代表的には搬送ロボット８１）を備え
た搬送室８０が設けられ、搬送室８０には、搬送室８０内へ搬入および搬出する基板を複
数枚収納するカセットケースをセットするカセット室８２が連結されている。
【０１４５】
また、搬送室８０には、それぞれゲートバルブ８４〜８８を介して複数の処理室が連結さ
れる。ここでは、上面形状が六角形の搬送室８０に５つの処理室を連結する例を示す。な
お、搬送室の上面形状を変更することで、連結できる処理室の数を変えることができ、例
えば、四角形とすれば３つの処理室が連結でき、八角形とすれば７つの処理室が連結でき
る。
【０１４６】
５つの処理室のうち、少なくとも１つの処理室はスパッタリングを行うスパッタチャンバ
ーとする。スパッタチャンバーは、少なくともチャンバー内部に、スパッタターゲット、
ターゲットをスパッタするための電力印加機構やガス導入手段、所定位置に基板を保持す
る基板ホルダー等が設けられている。また、スパッタチャンバー内を減圧状態とするため
、チャンバー内の圧力を制御する圧力制御手段がスパッタチャンバーに設けられている。
【０１４７】
スパッタ法にはスパッタ用電源に高周波電源を用いるＲＦスパッタ法と、ＤＣスパッタ法
があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスＤＣスパッタ法もある。ＲＦスパッタ
法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、ＤＣスパッタ法は主に金属膜を成膜する場合
に用いられる。
【０１４８】
また、材料の異なるターゲットを複数設置できる多元スパッタ装置もある。多元スパッタ
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
【０１４９】
また、チャンバー内部に磁石機構を備えたマグネトロンスパッタ法を用いるスパッタ装置
や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるＥＣＲスパッタ
法を用いるスパッタ装置がある。
【０１５０】
スパッタチャンバーとしては、上述した様々なスパッタ法を適宜用いる。
【０１５１】
また、成膜方法として、成膜中にターゲット物質とスパッタガス成分とを化学反応させて
それらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタ法や、成膜中に基板にも電圧をかけ
るバイアススパッタ法もある。
【０１５２】
また、５つの処理室のうち、他の処理室の一つはスパッタリングの前に基板の予備加熱な
どを行う加熱チャンバー、スパッタリング後に基板を冷却する冷却チャンバー、或いはプ
ラズマ処理を行うチャンバーとする。
【０１５３】
次に製造装置の動作の一例について説明する。
【０１５４】
被成膜面を下向きとした基板９４を収納した基板カセットをカセット室８２にセットして
、カセット室８２に設けられた真空排気手段によりカセット室を減圧状態とする。なお、
予め、各処理室および搬送室８０内部をそれぞれに設けられた真空排気手段により減圧し
ておく。こうしておくことで、各処理室間を基板が搬送されている間、大気に触れること
なく清浄な状態を維持することができる。
【０１５５】
なお、被成膜面を下向きとした基板９４は、少なくともゲート電極が予め設けられている
。例えば、基板とゲート電極の間にプラズマＣＶＤ法で得られる窒化シリコン膜、窒化酸
化シリコン膜などの下地絶縁膜を設けてもよい。基板９４としてアルカリ金属を含むガラ
ス基板を用いる場合、下地絶縁膜は、基板からナトリウム等の可動イオンがその上の半導
体領域中に侵入して、ＴＦＴの電気特性が変化することを抑制する作用を有する。
【０１５６】
ここでは、ゲート電極を覆う窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法で形成し、１層目のゲー
ト絶縁膜を形成した基板を用いる。プラズマＣＶＤ法で成膜された窒化シリコン膜は緻密
であり、１層目のゲート絶縁膜とすることでピンホールなどの発生を抑えることができる
。なお、ここではゲート絶縁膜を積層とする例を示すが特に限定されず、単層または３層
以上の積層を用いてもよい。
【０１５７】
次いで、ゲートバルブ８３を開いて搬送ロボット８１により１枚目の基板９４をカセット
から抜き取り、ゲートバルブ８４を開いて第１の処理室８９内に搬送し、ゲートバルブ８
４を閉める。第１の処理室８９では、加熱ヒータやランプ加熱で基板を加熱して基板９４
に付着している水分などを除去する。特に、ゲート絶縁膜に水分が含まれるとＴＦＴの電
気特性が変化する恐れがあるため、スパッタ成膜前の加熱は有効である。なお、カセット
室８２に基板をセットした段階で十分に水分が除去されている場合には、この加熱処理は
不要である。
【０１５８】
また、第１の処理室８９にプラズマ処理手段を設け、１層目のゲート絶縁膜の表面にプラ
ズマ処理を行ってもよい。また、カセット室８２に加熱手段を設けてカセット室８２で水
分を除去する加熱を行ってもよい。
【０１５９】
次いで、ゲートバルブ８４を開いて搬送ロボット８１により基板を搬送室８０に搬送し、
ゲートバルブ８５を開いて第２の処理室９０内に搬送し、ゲートバルブ８５を閉める。
【０１６０】
ここでは、第２の処理室９０は、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いたスパッタチャンバ
ーとする。第２の処理室９０では、２層目のゲート絶縁膜として酸化シリコン膜（ＳｉＯ
ｘ膜）の成膜を行う。２層目のゲート絶縁膜として、酸化シリコン膜の他に、酸化アルミ
ニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）、酸化マグネシウム膜（ＭｇＯｘ膜）、窒化アルミニウム膜（
ＡｌＮｘ膜）、酸化イットリウム膜（ＹＯｘ膜）などを用いることができる。
【０１６１】
また、２層目のゲート絶縁膜にハロゲン元素、例えばフッ素、塩素などを膜中に少量添加
し、ナトリウム等の可動イオンの固定化をさせてもよい。その方法としては、チャンバー
内にハロゲン元素を含むガスを導入してスパッタリングを行う。ただし、ハロゲン元素を
含むガスを導入する場合にはチャンバーの排気手段に除害設備を設ける必要がある。ゲー
ト絶縁膜に含ませるハロゲン元素の濃度は、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析計）を用いた
分析により得られる濃度ピークが１×１０１５ｃｍ−３以上１×１０２０ｃｍ−３以下の
範囲内とすることが好ましい。
【０１６２】
ＳｉＯｘ膜を得る場合、ターゲットとして人工石英を用い、希ガス、代表的にはアルゴン
を用いるスパッタ方法や、ターゲットとして単結晶シリコンを用い、酸素ガスと化学反応
させてＳｉＯｘ膜を得るリアクティブスパッタ法を用いることができる。ここでは酸素を
限りなく多くＳｉＯｘ膜中に含ませるために、ターゲットとして人工石英を用い、酸素の
みの雰囲気下、または酸素が９０％以上、且つ、Ａｒが１０％以下の雰囲気下でスパッタ
リングを行い、酸素過剰のＳｉＯｘ膜を形成する。
【０１６３】
ＳｉＯｘ膜の成膜後、大気に触れることなく、ゲートバルブ８５を開いて搬送ロボット８
１により基板を搬送室８０に搬送し、ゲートバルブ８６を開いて第３の処理室９１内に搬
送し、ゲートバルブ８６を閉める。
【０１６４】
ここでは、第３の処理室９１は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いたスパッタチャンバ
ーとする。第３の処理室９１では、半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半
導体膜（ＩＧＺＯ膜）の成膜を行う。Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲッ
トを用いて、希ガス雰囲気下、または酸素雰囲気下で成膜することができる。ここでは酸
素を限りなく多くＩＧＺＯ膜中に含ませるために、ターゲットとしてＩｎ、Ｇａ、及びＺ
ｎを含む酸化物半導体を用い、酸素のみの雰囲気下、または酸素が９０％以上、且つ、Ａ
ｒが１０％以下の雰囲気下でパルスＤＣスパッタ法のスパッタリングを行い、酸素過剰の
ＩＧＺＯ膜を形成する。
【０１６５】
このように、大気に触れることなく、酸素過剰のＳｉＯｘ膜と酸素過剰のＩＧＺＯ膜とを
連続成膜することにより、酸素過剰の膜同士のため界面状態を安定させ、ＴＦＴの信頼性
を向上させることができる。ＩＧＺＯ膜の成膜前に基板が大気に触れた場合、水分などが
付着し、界面状態に悪影響を与え、しきい値のバラツキや、電気特性の劣化、ノーマリー
オンのＴＦＴになってしまう症状などを引き起こす恐れがある。水分は水素化合物であり
、大気に触れることなく、連続成膜することによって、水素化合物が界面に存在すること
を排除することができる。従って、連続成膜することにより、しきい値のバラツキの低減
や、電気特性の劣化の防止や、ＴＦＴがノーマリーオン側にシフトすることを低減、望ま
しくはシフトをなくすことができる。
【０１６６】
また、第２の処理室９０のスパッタチャンバーに人工石英のターゲットと、Ｉｎ、Ｇａ、
及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲットとの両方を設置し、シャッターを用いて順次積層
して連続成膜することによって同一チャンバー内で積層を行うこともできる。シャッター
は、ターゲットと基板の間に設け、成膜を行うターゲットはシャッターを開け、成膜を行
わないターゲットはシャッターにより閉じる。同一チャンバー内で積層する利点としては
、使用するチャンバーの数を減らせる点と、異なるチャンバー間を基板搬送する間にパー
ティクル等が基板に付着することを防止できる点である。
【０１６７】
次いで、大気に触れることなく、ゲートバルブ８６を開いて搬送ロボット８１により基板
を搬送室８０に搬送する。
【０１６８】
グレートーンマスクを用いる工程でなければ、この段階で製造装置からカセット室を介し
て基板を搬出し、フォトリソグラフィ技術を用いて酸素過剰のＩＧＺＯ膜のパターニング
を行うが、グレートーンマスクを用いる工程であれば引き続き、以下に示す連続成膜を行
う。
【０１６９】
次いで、大気に触れることなく、ゲートバルブ８７を開いて第４の処理室９２内に搬送し
、ゲートバルブ８７を閉める。
【０１７０】
ここでは、第４の処理室９２は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いたスパッタチャンバ
ーとする。第４の処理室９２では、バッファ層の成膜を行う。ここでは、バッファ層に用
いるｎ型の導電型を示す金属酸化物膜として酸化チタン膜（ＴｉＯｘ膜）を成膜する例を
示す。第４の処理室９２のスパッタチャンバーに酸素ガスを導入してチタンのターゲット
を用いてリアクティブスパッタリングを行い、ＴｉＯｘ膜を形成する。チタンのターゲッ
トにＩｎ、Ｇａ、またはＺｎを添加したターゲットを用いてもよい。また、チタンのター
ゲットにＭｇやＡｌを添加したターゲットを用いてもよい。このＴｉＯｘ膜はソース領域
またはドレイン領域として機能する。
【０１７１】
なお、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜とバッファ層との間に、半導体層より
もキャリア濃度が高く、かつ、バッファ層よりもキャリア濃度の低い第２のバッファ層（
ｎ−層）を連続成膜により形成してもよい。第２のバッファ層として、Ｉｎ、Ｇａ、及び
Ｚｎを含む酸化物半導体層とバッファ層の混合層を用いる場合、同一処理室内にＩｎ、Ｇ
ａ、及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲットと、チタンのターゲットの両方を設置し、シ
ャッターを用いて順次積層して連続成膜する。まずチタンターゲットのシャッターを閉め
、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を成膜する。次いで、チタンターゲットの
シャッターを開いてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜とＴｉＯｘを同時に成膜
する。次いで、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体のターゲットのシャッターを閉
じ、ＴｉＯｘを成膜することにより、半導体層上にｎ−層、ｎ＋層を順に形成することが
できる。
【０１７２】
次いで、大気に触れることなく、ゲートバルブ８７を開いて搬送ロボット８１により基板
を搬送室８０に搬送し、ゲートバルブ８８を開いて第５の処理室９３内に搬送し、ゲート
バルブ８８を閉める。
【０１７３】
ここでは、第５の処理室９３は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いたスパッタチャンバ
ーとする。第５の処理室９３では、ソース電極またはドレイン電極となる金属多層膜の成
膜を行う。第５の処理室９３のスパッタチャンバーにチタンのターゲットと、アルミニウ
ムのターゲットとの両方を設置し、シャッターを用いて順次積層して連続成膜することに
よって同一チャンバー内で積層を行う。ここでは、チタン膜上にアルミニウム膜を積層し
、さらにアルミニウム膜上にチタン膜を積層する。
【０１７４】
このように、グレートーンマスクを用いる場合、大気に触れることなく、酸素過剰のＳｉ
Ｏｘ膜と酸素過剰のＩＧＺＯ膜と金属酸化物膜と金属多層膜とを連続成膜することができ
る。特に、酸素過剰のＩＧＺＯ膜の界面状態がより安定し、ＴＦＴの信頼性を向上させる
ことができる。ＩＧＺＯ膜の成膜前後に基板が大気に触れた場合、水分などが付着し、界
面状態に悪影響を与え、しきい値のバラツキや、電気特性の劣化、ノーマリーオンのＴＦ
Ｔになってしまう症状などを引き起こす恐れがある。水分は水素化合物であり、大気に触
れることなく、連続成膜することによって、水素化合物がＩＧＺＯ膜の界面に存在するこ
とを排除することができる。従って、４層を連続成膜することにより、しきい値のバラツ
キの低減や、電気特性の劣化の防止や、ＴＦＴがノーマリーオン側にシフトすることを低
減、望ましくはシフトをなくすことができる。
【０１７５】
また、大気に触れることなく、金属酸化物膜と金属多層膜とを連続成膜することにより、
金属酸化物膜と金属多層膜との間で良好な界面状態を実現でき、接触抵抗を低減できる。
【０１７６】
また、第４の処理室９２を用いずに、第５の処理室９３でＴｉＯｘ膜と金属多層膜の成膜
とを連続成膜することもできる。この場合、シャッターを用いて順次積層して連続成膜す
ることによって同一チャンバー内で積層を行う。ここでは、シャッターでアルミニウムの
ターゲットを遮蔽し、酸素ガスを導入してリアクティブスパッタリングを行い、酸化チタ
ン膜（ＴｉＯｘ膜）を形成する。次いで、第５の処理室９３から酸素ガスを排出し、アル
ゴンガスを導入して、スパッタリングを行い、チタン膜を成膜する。次いで、チタンのタ
ーゲットをシャッターで遮蔽し、チタン膜上にアルミニウム膜を積層し、その後、シャッ
ターでアルミニウムのターゲットを遮蔽し、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する。同
一チャンバー内で積層する利点としては、使用するチャンバーの数を減らせる点と、異な
るチャンバー間を基板搬送する間にパーティクル等が基板に付着することを防止できる点
である。
【０１７７】
以上の工程を繰り返してカセットケース内の基板に成膜処理を行って複数の基板の処理を
終えた後、カセット室の真空を大気に開放して、基板およびカセットを取り出す。
【０１７８】
また、第１の処理室８９で、酸素過剰のＩＧＺＯ膜の成膜後の加熱処理、具体的には３０
０℃〜４００℃の加熱処理、好ましくは３５０℃以上の加熱処理を行うことができる。こ
の加熱処理を行うことにより逆スタガ型の薄膜トランジスタの電気特性を向上させること
ができる。この加熱処理は、酸素過剰のＩＧＺＯ膜の成膜後であれば特に限定されず、例
えば、酸素過剰のＩＧＺＯ膜の成膜直後や、金属多層膜成膜直後に行うことができる。
【０１７９】
次いで、グレートーンマスクを用いて各積層膜をパターニングする。ドライエッチングや
ウェットエッチングを用いて形成してもよいし、複数回のエッチングに分けてそれぞれ選
択的にエッチングしてもよい。
【０１８０】
以降の工程は、上述した実施の形態４に従えば、逆スタガ型の薄膜トランジスタが作製で
きる。
【０１８１】
ここではマルチチャンバー方式の製造装置を例に説明を行ったが、スパッタチャンバーを
直列に連結するインライン方式の製造装置を用いて大気に触れることなく連続成膜を行っ
てもよい。
【０１８２】
また、図１２に示す装置は被成膜面を下向きに基板をセットする、所謂フェイスダウン方
式の処理室としたが、基板を垂直に立て、縦置き方式の処理室としてもよい。縦置き方式
の処理室は、フェイスダウン方式の処理室よりもフットプリントが小さいメリットがあり
、さらに基板の自重により撓む恐れのある大面積の基板を用いる場合に有効である。
【０１８３】
（実施の形態６）
本実施の形態では、同一基板上に少なくとも駆動回路の一部と、画素部に配置する薄膜
トランジスタを作製する例について以下に説明する。
【０１８４】
画素部に配置する薄膜トランジスタは、実施の形態１乃至４に従って形成する。また、実
施の形態１乃至４に示す薄膜トランジスタはｎチャネル型ＴＦＴであるため、駆動回路の
うち、ｎチャネル型ＴＦＴで構成することができる駆動回路の一部を画素部の薄膜トラン
ジスタと同一基板上に形成する。
【０１８５】
アクティブマトリクス型液晶表示装置のブロック図の一例を図１３（Ａ）に示す。図１３
（Ａ）に示す表示装置は、基板５３００上に表示素子を備えた画素を複数有する画素部５
３０１と、各画素を選択する走査線駆動回路５３０２と、選択された画素へのビデオ信号
の入力を制御する信号線駆動回路５３０３とを有する。画素部５３０１は、信号線駆動回
路５３０３から列方向に伸張して配置された複数の信号線Ｓ１〜Ｓｍ（図示せず。）によ
り信号線駆動回路５３０３と接続され、走査線駆動回路５３０２から行方向に伸張して配
置された複数の走査線Ｇ１〜Ｇｎ（図示せず。）により走査線駆動回路５３０２と接続さ
れ、信号線Ｓ１〜Ｓｍ並びに走査線Ｇ１〜Ｇｎに対応してマトリクス状に配置された複数
の画素（図示せず。）を有する。そして、各画素は、信号線Ｓｊ（信号線Ｓ１〜Ｓｍのう
ちいずれか一）、走査線Ｇｉ（走査線Ｇ１〜Ｇｎのうちいずれか一）と接続される。
【０１８６】
また、実施の形態１乃至４に示す薄膜トランジスタは、ｎチャネル型ＴＦＴであり、ｎチ
ャネル型ＴＦＴで構成する信号線駆動回路について図１４を用いて説明する。
【０１８７】
図１４に示す信号線駆動回路は、ドライバＩＣ５６０１、スイッチ群５６０２＿１〜５６
０２＿Ｍ、第１の配線５６１１、第２の配線５６１２、第３の配線５６１３及び配線５６
２１＿１〜５６２１＿Ｍを有する。スイッチ群５６０２＿１〜５６０２＿Ｍそれぞれは、
第１の薄膜トランジスタ５６０３ａ、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂ及び第３の薄膜
トランジスタ５６０３ｃを有する。
【０１８８】
ドライバＩＣ５６０１は第１の配線５６１１、第２の配線５６１２、第３の配線５６１３
及び配線５６２１＿１〜５６２１＿Ｍに接続される。そして、スイッチ群５６０２＿１〜
５６０２＿Ｍそれぞれは、第１の配線５６１１、第２の配線５６１２、第３の配線５６１
３及びスイッチ群５６０２＿１〜５６０２＿Ｍそれぞれに対応した配線５６２１＿１〜５
６２１＿Ｍに接続される。そして、配線５６２１＿１〜５６２１＿Ｍそれぞれは、第１の
薄膜トランジスタ５６０３ａ、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂ及び第３の薄膜トラン
ジスタ５６０３ｃを介して、３つの信号線に接続される。例えば、Ｊ列目の配線５６２１
＿Ｊ（配線５６２１＿１〜配線５６２１＿Ｍのうちいずれか一）は、スイッチ群５６０２
＿Ｊが有する第１の薄膜トランジスタ５６０３ａ、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂ及
び第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃを介して、信号線Ｓｊ−１、信号線Ｓｊ、信号線Ｓ
ｊ＋１に接続される。
【０１８９】
なお、第１の配線５６１１、第２の配線５６１２、第３の配線５６１３には、それぞれ信
号が入力される。
【０１９０】
なお、ドライバＩＣ５６０１は、単結晶基板上に形成されていることが望ましい。さらに
、スイッチ群５６０２＿１〜５６０２＿Ｍは、実施の形態１乃至４に示した画素部と同一
基板上に形成されていることが望ましい。したがって、ドライバＩＣ５６０１とスイッチ
群５６０２＿１〜５６０２＿ＭとはＦＰＣなどを介して接続するとよい。
【０１９１】
次に、図１４に示した信号線駆動回路の動作について、図１５のタイミングチャートを参
照して説明する。なお、図１５のタイミングチャートは、ｉ行目の走査線Ｇｉが選択され
ている場合のタイミングチャートを示している。さらに、ｉ行目の走査線Ｇｉの選択期間
は、第１のサブ選択期間Ｔ１、第２のサブ選択期間Ｔ２及び第３のサブ選択期間Ｔ３に分
割されている。さらに、図１４の信号線駆動回路は、他の行の走査線が選択されている場
合でも図１５と同様の動作をする。
【０１９２】
なお、図１５のタイミングチャートは、Ｊ列目の配線５６２１＿Ｊが第１の薄膜トランジ
スタ５６０３ａ、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂ及び第３の薄膜トランジスタ５６０
３ｃを介して、信号線Ｓｊ−１、信号線Ｓｊ、信号線Ｓｊ＋１に接続される場合について
示している。
【０１９３】
なお、図１５のタイミングチャートは、ｉ行目の走査線Ｇｉが選択されるタイミング、第
１の薄膜トランジスタ５６０３ａのオン・オフのタイミング５７０３ａ、第２の薄膜トラ
ンジスタ５６０３ｂのオン・オフのタイミング５７０３ｂ、第３の薄膜トランジスタ５６
０３ｃのオン・オフのタイミング５７０３ｃ及びＪ列目の配線５６２１＿Ｊに入力される
信号５７２１＿Ｊを示している。
【０１９４】
なお、配線５６２１＿１〜配線５６２１＿Ｍには第１のサブ選択期間Ｔ１、第２のサブ選
択期間Ｔ２及び第３のサブ選択期間Ｔ３において、それぞれ別のビデオ信号が入力される
。例えば、第１のサブ選択期間Ｔ１において配線５６２１＿Ｊに入力されるビデオ信号は
信号線Ｓｊ−１に入力され、第２のサブ選択期間Ｔ２において配線５６２１＿Ｊに入力さ
れるビデオ信号は信号線Ｓｊに入力され、第３のサブ選択期間Ｔ３において配線５６２１
＿Ｊに入力されるビデオ信号は信号線Ｓｊ＋１に入力される。さらに、第１のサブ選択期
間Ｔ１、第２のサブ選択期間Ｔ２及び第３のサブ選択期間Ｔ３において、配線５６２１＿
Ｊに入力されるビデオ信号をそれぞれＤａｔａ＿ｊ−１、Ｄａｔａ＿ｊ、Ｄａｔａ＿ｊ＋
１とする。
【０１９５】
図１５に示すように、第１のサブ選択期間Ｔ１において第１の薄膜トランジスタ５６０３
ａがオンし、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂ及び第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃ
がオフする。このとき、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａ＿ｊ−１が、第１の薄膜
トランジスタ５６０３ａを介して信号線Ｓｊ−１に入力される。第２のサブ選択期間Ｔ２
では、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂがオンし、第１の薄膜トランジスタ５６０３ａ
及び第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃがオフする。このとき、配線５６２１＿Ｊに入力
されるＤａｔａ＿ｊが、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂを介して信号線Ｓｊに入力さ
れる。第３のサブ選択期間Ｔ３では、第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃがオンし、第１
の薄膜トランジスタ５６０３ａ及び第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂがオフする。この
とき、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａ＿ｊ＋１が、第３の薄膜トランジスタ５６
０３ｃを介して信号線Ｓｊ＋１に入力される。
【０１９６】
以上のことから、図１４の信号線駆動回路は、１ゲート選択期間を３つに分割することで
、１ゲート選択期間中に１つの配線５６２１から３つの信号線にビデオ信号を入力するこ
とができる。したがって、図１４の信号線駆動回路は、ドライバＩＣ５６０１が形成され
る基板と、画素部が形成されている基板との接続数を信号線の数に比べて約１／３にする
ことができる。接続数が約１／３になることによって、図１４の信号線駆動回路は、信頼
性、歩留まりなどを向上できる。
【０１９７】
なお、図１４のように、１ゲート選択期間を複数のサブ選択期間に分割し、複数のサブ選
択期間それぞれにおいて、ある１つの配線から複数の信号線それぞれにビデオ信号を入力
することができれば、薄膜トランジスタの配置や数、駆動方法などは限定されない。
【０１９８】
例えば、３つ以上のサブ選択期間それぞれにおいて１つの配線から３つ以上の信号線それ
ぞれにビデオ信号を入力する場合は、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを制御する
ための配線を追加すればよい。ただし、１ゲート選択期間を４つ以上のサブ選択期間に分
割すると、１つのサブ選択期間が短くなる。したがって、１ゲート選択期間は、２つ又は
３つのサブ選択期間に分割されることが望ましい。
【０１９９】
別の例として、図１６のタイミングチャートに示すように、１つの選択期間をプリチャー
ジ期間Ｔｐ、第１のサブ選択期間Ｔ１、第２のサブ選択期間Ｔ２、第３のサブ選択期間Ｔ
３に分割してもよい。さらに、図１６のタイミングチャートは、ｉ行目の走査線Ｇｉが選
択されるタイミング、第１の薄膜トランジスタ５６０３ａのオン・オフのタイミング５８
０３ａ、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂのオン・オフのタイミング５８０３ｂ、第３
の薄膜トランジスタ５６０３ｃのオン・オフのタイミング５８０３ｃ及びＪ列目の配線５
６２１＿Ｊに入力される信号５８２１＿Ｊを示している。図１６に示すように、プリチャ
ージ期間Ｔｐにおいて第１の薄膜トランジスタ５６０３ａ、第２の薄膜トランジスタ５６
０３ｂ及び第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃがオンする。このとき、配線５６２１＿Ｊ
に入力されるプリチャージ電圧Ｖｐが第１の薄膜トランジスタ５６０３ａ、第２の薄膜ト
ランジスタ５６０３ｂ及び第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃを介してそれぞれ信号線Ｓ
ｊ−１、信号線Ｓｊ、信号線Ｓｊ＋１に入力される。第１のサブ選択期間Ｔ１において第
１の薄膜トランジスタ５６０３ａがオンし、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂ及び第３
の薄膜トランジスタ５６０３ｃがオフする。このとき、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤ
ａｔａ＿ｊ−１が、第１の薄膜トランジスタ５６０３ａを介して信号線Ｓｊ−１に入力さ
れる。第２のサブ選択期間Ｔ２では、第２の薄膜トランジスタ５６０３ｂがオンし、第１
の薄膜トランジスタ５６０３ａ及び第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃがオフする。この
とき、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａ＿ｊが、第２の薄膜トランジスタ５６０３
ｂを介して信号線Ｓｊに入力される。第３のサブ選択期間Ｔ３では、第３の薄膜トランジ
スタ５６０３ｃがオンし、第１の薄膜トランジスタ５６０３ａ及び第２の薄膜トランジス
タ５６０３ｂがオフする。このとき、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａ＿ｊ＋１が
、第３の薄膜トランジスタ５６０３ｃを介して信号線Ｓｊ＋１に入力される。
【０２００】
以上のことから、図１６のタイミングチャートを適用した図１４の信号線駆動回路は、サ
ブ選択期間の前にプリチャージ選択期間を設けることによって、信号線をプリチャージで
きるため、画素へのビデオ信号の書き込みを高速に行うことができる。なお、図１６にお
いて、図１５と同様なものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能
を有する部分の詳細な説明は省略する。
【０２０１】
また、走査線駆動回路の構成について説明する。走査線駆動回路は、シフトレジスタ、バ
ッファを有している。また場合によってはレベルシフタを有していても良い。走査線駆動
回路において、シフトレジスタにクロック信号（ＣＬＫ）及びスタートパルス信号（ＳＰ
）が入力されることによって、選択信号が生成される。生成された選択信号はバッファに
おいて緩衝増幅され、対応する走査線に供給される。走査線には、１ライン分の画素のト
ランジスタのゲート電極が接続されている。そして、１ライン分の画素のトランジスタを
一斉にＯＮにしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが
用いられる。
【０２０２】
走査線駆動回路の一部に用いるシフトレジスタの一形態について図１７及び図１８を用い
て説明する。
【０２０３】
図１７にシフトレジスタの回路構成を示す。図１７に示すシフトレジスタは、複数のフリ
ップフロップ（フリップフロップ５７０１＿１〜５７０１＿ｎ）で構成される。また、第
１のクロック信号、第２のクロック信号、スタートパルス信号、リセット信号が入力され
て動作する。
【０２０４】
図１７のシフトレジスタの接続関係について説明する。図１７のシフトレジスタは、ｉ段
目のフリップフロップ５７０１＿ｉ（フリップフロップ５７０１＿１〜５７０１＿ｎのい
ずれか一）は、図１８に示した第１の配線５５０１が第７の配線５７１７＿ｉ−１に接続
され、図１８に示した第２の配線５５０２が第７の配線５７１７＿ｉ＋１に接続され、図
１８に示した第３の配線５５０３が第７の配線５７１７＿ｉに接続され、図１８に示した
第６の配線５５０６が第５の配線５７１５に接続される。
【０２０５】
また、図１８に示した第４の配線５５０４が奇数段目のフリップフロップでは第２の配線
５７１２に接続され、偶数段目のフリップフロップでは第３の配線５７１３に接続され、
図１８に示した第５の配線５５０５が第４の配線５７１４に接続される。
【０２０６】
ただし、１段目のフリップフロップ５７０１＿１の図１８に示す第１の配線５５０１は第
１の配線５７１１に接続され、ｎ段目のフリップフロップ５７０１＿ｎの図１８に示す第
２の配線５５０２は第６の配線５７１６に接続される。
【０２０７】
なお、第１の配線５７１１、第２の配線５７１２、第３の配線５７１３、第６の配線５７
１６を、それぞれ第１の信号線、第２の信号線、第３の信号線、第４の信号線と呼んでも
よい。さらに、第４の配線５７１４、第５の配線５７１５を、それぞれ第１の電源線、第
２の電源線と呼んでもよい。
【０２０８】
次に、図１７に示すフリップフロップの詳細について、図１８に示す。図１８に示すフリ
ップフロップは、第１の薄膜トランジスタ５５７１、第２の薄膜トランジスタ５５７２、
第３の薄膜トランジスタ５５７３、第４の薄膜トランジスタ５５７４、第５の薄膜トラン
ジスタ５５７５、第６の薄膜トランジスタ５５７６、第７の薄膜トランジスタ５５７７及
び第８の薄膜トランジスタ５５７８を有する。なお、第１の薄膜トランジスタ５５７１、
第２の薄膜トランジスタ５５７２、第３の薄膜トランジスタ５５７３、第４の薄膜トラン
ジスタ５５７４、第５の薄膜トランジスタ５５７５、第６の薄膜トランジスタ５５７６、
第７の薄膜トランジスタ５５７７及び第８の薄膜トランジスタ５５７８は、ｎチャネル型
トランジスタであり、ゲート・ソース間電圧（Ｖｇｓ）がしきい値電圧（Ｖｔｈ）を上回
ったとき導通状態になるものとする。
【０２０９】
次に、図１７に示すフリップフロップの接続構成について、以下に示す。
【０２１０】
第１の薄膜トランジスタ５５７１の第１の電極（ソース電極またはドレイン電極の一方）
が第４の配線５５０４に接続され、第１の薄膜トランジスタ５５７１の第２の電極（ソー
ス電極またはドレイン電極の他方）が第３の配線５５０３に接続される。
【０２１１】
第２の薄膜トランジスタ５５７２の第１の電極が第６の配線５５０６に接続され、第２の
薄膜トランジスタ５５７２の第２の電極が第３の配線５５０３に接続される。
【０２１２】
第３の薄膜トランジスタ５５７３の第１の電極が第５の配線５５０５に接続され、第３の
薄膜トランジスタ５５７３の第２の電極が第２の薄膜トランジスタ５５７２のゲート電極
に接続され、第３の薄膜トランジスタ５５７３のゲート電極が第５の配線５５０５に接続
される。
【０２１３】
第４の薄膜トランジスタ５５７４の第１の電極が第６の配線５５０６に接続され、第４の
薄膜トランジスタ５５７４の第２の電極が第２の薄膜トランジスタ５５７２のゲート電極
に接続され、第４の薄膜トランジスタ５５７４のゲート電極が第１の薄膜トランジスタ５
５７１のゲート電極に接続される。
【０２１４】
第５の薄膜トランジスタ５５７５の第１の電極が第５の配線５５０５に接続され、第５の
薄膜トランジスタ５５７５の第２の電極が第１の薄膜トランジスタ５５７１のゲート電極
に接続され、第５の薄膜トランジスタ５５７５のゲート電極が第１の配線５５０１に接続
される。
【０２１５】
第６の薄膜トランジスタ５５７６の第１の電極が第６の配線５５０６に接続され、第６の
薄膜トランジスタ５５７６の第２の電極が第１の薄膜トランジスタ５５７１のゲート電極
に接続され、第６の薄膜トランジスタ５５７６のゲート電極が第２の薄膜トランジスタ５
５７２のゲート電極に接続される。
【０２１６】
第７の薄膜トランジスタ５５７７の第１の電極が第６の配線５５０６に接続され、第７の
薄膜トランジスタ５５７７の第２の電極が第１の薄膜トランジスタ５５７１のゲート電極
に接続され、第７の薄膜トランジスタ５５７７のゲート電極が第２の配線５５０２に接続
される。第８の薄膜トランジスタ５５７８の第１の電極が第６の配線５５０６に接続され
、第８の薄膜トランジスタ５５７８の第２の電極が第２の薄膜トランジスタ５５７２のゲ
ート電極に接続され、第８の薄膜トランジスタ５５７８のゲート電極が第１の配線５５０
１に接続される。
【０２１７】
なお、第１の薄膜トランジスタ５５７１のゲート電極、第４の薄膜トランジスタ５５７４
のゲート電極、第５の薄膜トランジスタ５５７５の第２の電極、第６の薄膜トランジスタ
５５７６の第２の電極及び第７の薄膜トランジスタ５５７７の第２の電極の接続箇所をノ
ード５５４３とする。さらに、第２の薄膜トランジスタ５５７２のゲート電極、第３の薄
膜トランジスタ５５７３の第２の電極、第４の薄膜トランジスタ５５７４の第２の電極、
第６の薄膜トランジスタ５５７６のゲート電極及び第８の薄膜トランジスタ５５７８の第
２の電極の接続箇所をノード５５４４とする。
【０２１８】
なお、第１の配線５５０１、第２の配線５５０２、第３の配線５５０３及び第４の配線５
５０４を、それぞれ第１の信号線、第２の信号線、第３の信号線、第４の信号線と呼んで
もよい。さらに、第５の配線５５０５を第１の電源線、第６の配線５５０６を第２の電源
線と呼んでもよい。
【０２１９】
また、信号線駆動回路及び走査線駆動回路を実施の形態１乃至４に示すｎチャネル型ＴＦ
Ｔのみで作製することも可能である。実施の形態１乃至４に示すｎチャネル型ＴＦＴはト
ランジスタの移動度が大きいため、駆動回路の駆動周波数を高くすることが可能となる。
また、実施の形態１乃至４に示すｎチャネル型ＴＦＴは金属酸化物層でなるバッファ層に
より寄生容量が低減されるため、周波数特性（ｆ特性と呼ばれる）が高い。例えば、実施
の形態１乃至４に示すｎチャネル型ＴＦＴを用いた走査線駆動回路は、高速に動作させる
ことが出来るため、フレーム周波数を高くすること、または、黒画面挿入なども実現する
ことが出来る。
【０２２０】
さらに、走査線駆動回路のトランジスタのチャネル幅を大きくすることや、複数の走査線
駆動回路を配置することなどによって、さらに高いフレーム周波数を実現することが出来
る。複数の走査線駆動回路を配置する場合は、偶数行の走査線を駆動する為の走査線駆動
回路を片側に配置し、奇数行の走査線を駆動するための走査線駆動回路をその反対側に配
置することにより、フレーム周波数を高くすることを実現することが出来る。
【０２２１】
また、アクティブマトリクス型発光表示装置を作製する場合、少なくとも一つの画素に複
数の薄膜トランジスタを配置するため、走査線駆動回路を複数配置することが好ましい。
アクティブマトリクス型発光表示装置のブロック図の一例を図１３（Ｂ）に示す。
【０２２２】
図１３（Ｂ）に示す表示装置は、基板５４００上に表示素子を備えた画素を複数有する画
素部５４０１と、各画素を選択する第１の走査線駆動回路５４０２及び第２の走査線駆動
回路５４０４と、選択された画素へのビデオ信号の入力を制御する信号線駆動回路５４０
３とを有する。
【０２２３】
図１３（Ｂ）に示す表示装置の画素に入力されるビデオ信号をデジタル形式とする場合、
画素はトランジスタのオンとオフの切り替えによって、発光もしくは非発光の状態となる
。よって、面積階調法または時間階調法を用いて階調の表示を行うことができる。面積階
調法は、１画素を複数の副画素に分割し、各副画素を独立にビデオ信号に基づいて駆動さ
せることによって、階調表示を行う駆動法である。また時間階調法は、画素が発光する期
間を制御することによって、階調表示を行う駆動法である。
【０２２４】
発光素子は、液晶素子などに比べて応答速度が高いので、液晶素子よりも時間階調法に適
している。具体的に時間階調法で表示を行なう場合、１フレーム期間を複数のサブフレー
ム期間に分割する。そしてビデオ信号に従い、各サブフレーム期間において画素の発光素
子を発光または非発光の状態にする。複数のサブフレーム期間に分割することによって、
１フレーム期間中に画素が実際に発光する期間のトータルの長さを、ビデオ信号により制
御することができ、階調を表示することができる。
【０２２５】
なお、図１３（Ｂ）に示す発光装置では、一つの画素にスイッチング用ＴＦＴと、電流制
御用ＴＦＴとの２つを配置する場合、スイッチング用ＴＦＴのゲート配線である第１の走
査線に入力される信号を第１走査線駆動回路５４０２で生成し、電流制御用ＴＦＴのゲー
ト配線である第２の走査線に入力される信号を第２の走査線駆動回路５４０４で生成して
いる例を示しているが、第１の走査線に入力される信号と、第２の走査線に入力される信
号とを、共に１つの走査線駆動回路で生成するようにしても良い。また、例えば、スイッ
チング素子が有する各トランジスタの数によって、スイッチング素子の動作を制御するの
に用いられる第１の走査線が、各画素に複数設けられることもあり得る。この場合、複数
の第１の走査線に入力される信号を、全て１つの走査線駆動回路で生成しても良いし、複
数の各走査線駆動回路で生成しても良い。
【０２２６】
また、発光装置においても、駆動回路のうち、ｎチャネル型ＴＦＴで構成することができ
る駆動回路の一部を画素部の薄膜トランジスタと同一基板上に形成することができる。ま
た、信号線駆動回路及び走査線駆動回路を実施の形態１乃至４に示すｎチャネル型ＴＦＴ
のみで作製することも可能である。
【０２２７】
また、上述した駆動回路は、液晶表示装置や発光装置に限らず、スイッチング素子と電気
的に接続する素子を利用して電子インクを駆動させる電子ペーパーに用いてもよい。電子
ペーパーは、電気泳動表示装置（電気泳動ディスプレイ）も呼ばれており、紙と同じ読み
やすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を
有している。
【０２２８】
電気泳動ディスプレイは、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第１の
粒子と、マイナスの電荷を有する第２の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質
に複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイク
ロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示
するものである。なお、第１の粒子または第２の粒子は染料を含み、電界がない場合にお
いて移動しないものである。また、第１の粒子の色と第２の粒子の色は異なるもの（無色
を含む）とする。
【０２２９】
このように、電気泳動ディスプレイは、誘電定数の高い物質が高い電界領域に移動する
、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。電気泳動ディスプレイは、液
晶表示装置には必要な偏光板、対向基板も必要なく、厚さや重さが半減する。
【０２３０】
上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、
この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。ま
た、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
【０２３１】
また、アクティブマトリクス基板上に適宜、二つの電極の間に挟まれるように上記マイ
クロカプセルを複数配置すればアクティブマトリクス型の表示装置が完成し、マイクロカ
プセルに電界を印加すれば表示を行うことができる。
【０２３２】
なお、マイクロカプセル中の第１の粒子および第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料
、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレ
クトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料
を用いればよい。
【０２３３】
（実施の形態７）
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらに
は駆動回路に用いて表示機能を有する半導体装置（表示装置ともいう）を作製することが
できる。また、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタを駆動回路の一部または全体を、
画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
【０２３４】
表示装置は表示素子を含む。表示素子としては液晶素子（液晶表示素子ともいう）、発光
素子（発光表示素子ともいう）を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によ
って輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、有機ＥＬ等が含まれる。また、電子インクなど、電気
的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
【０２３５】
また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラ
を含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに本発明の一態様は、該表
示装置を作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関
し、該素子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子
基板は、具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素
電極となる導電膜を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態で
あっても良いし、あらゆる形態があてはまる。
【０２３６】
なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光
源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒ
ｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り
付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュ
ール、または表示素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回
路）が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
【０２３７】
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置として液晶表示装置の例を示す。
【０２３８】
図１９（Ａ）（Ｂ）に、本発明の一態様を適用したアクティブマトリクス型の液晶表示装
置を示す。図１９（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり、図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）に
おける線Ｖ−Ｘの断面図である。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ２０１として
は、実施の形態２で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、ＩＧＺＯ半導体層及びｎ型
の導電型を有する金属酸化物層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施
の形態１、実施の形態３、又は実施の形態４で示す薄膜トランジスタも本実施の形態の薄
膜トランジスタ２０１として適用することもできる。
【０２３９】
図１９（Ａ）の本実施の形態の液晶表示装置は、ソース配線層２０２、マルチゲート構造
の逆スタガ型の薄膜トランジスタ２０１、ゲート配線層２０３、容量配線層２０４を含む
。
【０２４０】
また、図１９（Ｂ）において、本実施の形態の液晶表示装置は、マルチゲート構造の薄膜
トランジスタ２０１、保護膜として機能する絶縁層２１１、保護膜として機能する絶縁層
２１２、平坦化膜として機能する絶縁層２１３、及び表示素子に用いる電極層２５５、配
向膜として機能する絶縁層２６１、偏光板２６８が設けられた基板２００と、配向膜とし
て機能する絶縁層２６３、表示素子に用いる電極層２６５、カラーフィルタとして機能す
る着色層２６４、偏光板２６７が設けられた基板２６６とが液晶層２６２を挟持して対向
しており、液晶表示素子２６０を有している。
【０２４１】
ここでは、薄膜トランジスタ２０１の表面凹凸を低減するため、及び薄膜トランジスタ
２０１の信頼性を向上させるため、実施の形態２で得られた薄膜トランジスタを保護膜と
して機能する絶縁層２１１、２１２または平坦化膜として機能する絶縁層２１３で覆う。
なお、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防
ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、ＣＶＤ法等を用いて、酸化珪素膜
、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜の単層、又は積層で形成すればよ
い。また、保護膜として、プロセスガスに有機シランガスと酸素を用いて、プラズマＣＶ
Ｄ法で酸化珪素膜を形成してもよい。
【０２４２】
有機シランとは、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、テトラメチ
ルシラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（
ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシ
ラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、またはトリスジ
メチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）などの化合物である。
【０２４３】
保護膜の一層目として絶縁層２１１を形成する。絶縁層２１１は、アルミニウム膜のヒロ
ック防止に効果がある。ここでは、絶縁層２１１として、プラズマＣＶＤ法を用いて酸化
珪素膜を形成する。酸化珪素膜の成膜用プロセスガスには、ＴＥＯＳ、およびＯ２を用い
、その流量比は、ＴＥＯＳ＼Ｏ２＝１５（ｓｃｃｍ）＼７５０（ｓｃｃｍ）である。成膜
工程の基板温度は３００℃である。
【０２４４】
また、保護膜の二層目として絶縁層２１２を形成する。ここでは、絶縁層２１２として、
プラズマＣＶＤ法を用いて窒化珪素膜を形成する。窒化珪素膜の成膜用プロセスガスには
、ＳｉＨ４、Ｎ２、ＮＨ３およびＨ２を用いる。保護膜の一層として窒化珪素膜を用いる
と、ナトリウム等の可動イオンが半導体領域中に侵入して、ＴＦＴの電気特性を変化させ
ることを抑制することができる。
【０２４５】
また、保護膜を形成した後に、ＩＧＺＯ半導体層のアニール（３００℃〜４００℃）を行
ってもよい。
【０２４６】
また、平坦化膜として機能する絶縁膜として絶縁層２１３を形成する。絶縁層２１３とし
ては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性
を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏ
ｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス
）等を用いることができる。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アルキル
基、またはアリール基のうち少なくとも１種を有していてもよい。なお、これらの材料で
形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層２１３を形成してもよい。
【０２４７】
なおシロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−
Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アル
キル基、または芳香族炭化水素のうち、少なくとも１種を有していてもよい。
【０２４８】
絶縁層２１３の形成には、その材料に応じて、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、スピン
コート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オ
フセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコータ
ー等を用いることができる。絶縁層２１３を材料液を用いて形成する場合、ベークする工
程で同時に、ＩＧＺＯ半導体層のアニール（３００℃〜４００℃）を行ってもよい。絶縁
層２１３の焼成工程とＩＧＺＯ半導体層のアニールを兼ねることで効率よく表示装置を作
製することが可能となる。
【０２４９】
なお図１９は透過型液晶表示装置の例であるが、本発明の一態様は反射型液晶表示装置で
も半透過型液晶表示装置でも適用できる。
【０２５０】
また、図１９の液晶表示装置では、基板２６６の外側（視認側）に偏光板２６７を設け、
内側に着色層２６４、表示素子に用いる電極層２６５という順に設ける例を示すが、偏光
板２６７は基板２６６の内側に設けてもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も図１９
に限定されず、偏光板及び着色層の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。ま
た、ブラックマトリクスとして機能する遮光膜を設けてもよい。
【０２５１】
画素電極層として機能する電極層２５５、２６５は、酸化タングステンを含むインジウム
酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸
化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す
。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を
有する導電性材料を用いることができる。
【０２５２】
また、電極層２５５、２６５として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導
電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した画素電極は、
シート抵抗が１００００Ω／□以下、波長５５０ｎｍにおける透光率が７０％以上である
ことが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が０．１Ω・ｃｍ
以下であることが好ましい。
【０２５３】
導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例え
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。
【０２５４】
液晶層２６２の液晶材料としては、リオトロピック液晶、サーモトロピック液晶、低分
子液晶、高分子液晶、ディスコチック液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶等を用いる。また
、上記液晶材料は、条件により、ネマチック相、コレステリック相、コレステリックブル
ー相、スメクチック相、スメクチックブルー相、キュービック相、スクメチックＤ相、カ
イラル・ネマチック相、等方相等を示す。コレステリックブルー相及びスメクチックブル
ー相は、螺旋ピッチが５００ｎｍ以下で比較的短いコレステリック相またはスメクチック
相を有する液晶材料にみられる。液晶材料の配向は二重ねじれ構造を有する。光学波長以
下の秩序を有しているため、透明であり、電圧印加によって配向秩序が変化して光学的変
調作用が生じる。ブルー相は光学的に等方であるため視野角依存性がなく、配向膜を形成
しなくとも良いため、表示画像の質の向上及びコスト削減が可能である。
【０２５５】
以上の工程により、半導体装置として信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる
。
【０２５６】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２５７】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置として電子ペーパーの例を示す。
【０２５８】
図２６は、本発明の一態様を適用した半導体装置の例としてアクティブマトリクス型の電
子ペーパーを示す。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ５８１としては、実施の形
態２で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、ＩＧＺＯ半導体層及びｎ型の導電型を有
する金属酸化物層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態１、実
施の形態３、又は実施の形態４で示す薄膜トランジスタも本実施の形態の薄膜トランジス
タ５８１として適用することもできる。
【０２５９】
図２６の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。ツイス
トボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層であ
る第１の電極層及び第２の電極層の間に配置し、第１の電極層及び第２の電極層に電位差
を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
【０２６０】
基板５８０上の薄膜トランジスタ５８１はマルチゲート構造の逆スタガ型の薄膜トランジ
スタであり、ソース電極層又はドレイン電極層によって第１の電極層５８７と、絶縁層５
８５、絶縁層５８４、及び絶縁層５８３に形成された開口で接しており電気的に接続して
いる。第１の電極層５８７と基板５９６に設けられた第２の電極層５８８との間には黒色
領域５９０ａ及び白色領域５９０ｂを有し、周りに液体で満たされているキャビティ５９
４を含む球形粒子５８９が設けられており、球形粒子５８９の周囲は樹脂等の充填材５９
５で充填されている（図２６参照。）。
【０２６１】
また、ツイストボールの代わりに、電気泳動素子を用いることも可能である。透明な液体
と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直径１０μｍ〜２０
０μｍ程度のマイクロカプセルを用いる。第１の電極層と第２の電極層との間に設けられ
るマイクロカプセルは、第１の電極層と第２の電極層によって、電場が与えられると、白
い微粒子と、黒い微粒子が逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この
原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子であり、一般的に電子ペーパーとよばれてい
る。電気泳動表示素子は、液晶表示素子に比べて反射率が高いため、補助ライトは不要で
あり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また
、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能で
あるため、電波発信源から表示機能付き半導体装置（単に表示装置、又は表示装置を具備
する半導体装置ともいう）を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくこと
が可能となる。
【０２６２】
以上の工程により、半導体装置として信頼性の高い電子ペーパーを作製することができる
。
【０２６３】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２６４】
（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置として発光表示装置の例を示す。表
示装置の有する表示素子としては、ここではエレクトロルミネッセンスを利用する発光素
子を用いて示す。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合
物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後
者は無機ＥＬ素子と呼ばれている。
【０２６５】
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
【０２６６】
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分
類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明す
る。
【０２６７】
図２２（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様を適用した半導体装置の例としてアクティブマト
リクス型の発光表示装置を示す。図２２（Ａ）は発光表示装置の平面図であり、図２２（
Ｂ）は図２２（Ａ）における線Ｙ−Ｚの断面図である。なお、図２３に、図２２に示す発
光表示装置の等価回路を示す。
【０２６８】
半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ３０１、３０２としては、実施の形態１及び実
施の形態２で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、ＩＧＺＯ半導体層と金属酸化物層
でなるｎ型の導電型を有するバッファ層とを含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。
また、実施の形態３、又は実施の形態４で示す薄膜トランジスタも本実施の形態の薄膜ト
ランジスタ３０１、３０２として適用することもできる。
【０２６９】
図２２（Ａ）及び図２３に示す本実施の形態の発光表示装置は、マルチゲート構造の薄膜
トランジスタ３０１、薄膜トランジスタ３０２、発光素子３０３、容量素子３０４、ソー
ス配線層３０５、ゲート配線層３０６、電源線３０８を含む。薄膜トランジスタ３０１、
３０２はｎチャネル型薄膜トランジスタである。
【０２７０】
また、図２２（Ｂ）において、本実施の形態の発光表示装置は、基板３００、薄膜トラン
ジスタ３０２、絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１３、隔壁３２１、及び発光素子
３０３に用いる第１の電極層３２０、電界発光層３２２、第２の電極層３２３を有してい
る。
【０２７１】
絶縁層３１３は、アクリル、ポリイミド、ポリアミドなどの有機樹脂、またはシロキサン
を用いて形成することが好ましい。
【０２７２】
本実施の形態では画素の薄膜トランジスタ３０２がｎ型であるので、画素電極層である第
１の電極層３２０として、陰極を用いるのが望ましい。具体的には、陰極としては、仕事
関数が小さい材料、例えば、Ｃａ、Ａｌ、ＣａＦ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ等を用いることが
できる。
【０２７３】
隔壁３２１は、有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。特
に感光性の材料を用い、第１の電極層３２０上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連
続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【０２７４】
電界発光層３２２は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成さ
れていてもどちらでも良い。
【０２７５】
電界発光層３２２を覆うように、陽極として用いた第２の電極層３２３を形成する。第２
の電極層３２３は、実施の形態７に画素電極層として列挙した透光性を有する導電性材料
を用いた透光性導電膜で形成することができる。上記透光性導電膜の他に、窒化チタン膜
またはチタン膜を用いても良い。第１の電極層３２０と電界発光層３２２と第２の電極層
３２３とが重なり合うことで、発光素子３０３が形成されている。この後、発光素子３０
３に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極層３２３及び隔壁
３２１上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、Ｄ
ＬＣ膜等を形成することができる。
【０２７６】
さらに、実際には、図２２（Ｂ）まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性
が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等
）やカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
【０２７７】
次に、発光素子の構成について、図２４を用いて説明する。ここでは、駆動用ＴＦＴがｎ
型の場合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図２４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）の
半導体装置に用いられる駆動用ＴＦＴ７００１、７０１１、７０２１は、実施の形態１で
示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、ＩＧＺＯ半導体層及びｎ型の導電型を有する金
属酸化物層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態２、実施の形
態３、又は実施の形態４で示す薄膜トランジスタを駆動用ＴＦＴ７００１、７０１１、７
０２１として適用することもできる。
【０２７８】
発光素子は発光を取り出すために少なくとも陽極又は陰極の一方が透明であればよい。そ
して、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取
り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対
側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、本発明の一態様に係る画素構
成はどの射出構造の発光素子にも適用することができる。
【０２７９】
上面射出構造の発光素子について図２４（Ａ）を用いて説明する。
【０２８０】
図２４（Ａ）に、駆動用ＴＦＴ７００１がｎ型で、発光素子７００２から発せられる光が
陽極７００５側に抜ける場合の、画素の断面図を示す。図２４（Ａ）では、発光素子７０
０２の陰極７００３と駆動用ＴＦＴ７００１が電気的に接続されており、陰極７００３上
に発光層７００４、陽極７００５が順に積層されている。陰極７００３は仕事関数が小さ
く、なおかつ光を反射する導電膜であれば様々の材料を用いることができる。例えば、Ｃ
ａ、Ａｌ、ＣａＦ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ等が望ましい。そして発光層７００４は、単数の
層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。
複数の層で構成されている場合、陰極７００３上に電子注入層、電子輸送層、発光層、ホ
ール輸送層、ホール注入層の順に積層する。なおこれらの層を全て設ける必要はない。陽
極７００５は光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成し、例えば酸化タング
ステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チ
タンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化
物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム
錫酸化物などの透光性を有する導電性導電膜を用いても良い。
【０２８１】
陰極７００３及び陽極７００５で発光層７００４を挟んでいる領域が発光素子７００２に
相当する。図２４（Ａ）に示した画素の場合、発光素子７００２から発せられる光は、矢
印で示すように陽極７００５側に射出する。
【０２８２】
次に、下面射出構造の発光素子について図２４（Ｂ）を用いて説明する。駆動用ＴＦＴ７
０１１がｎ型で、発光素子７０１２から発せられる光が陰極７０１３側に射出する場合の
、画素の断面図を示す。図２４（Ｂ）では、駆動用ＴＦＴ７０１１と電気的に接続された
透光性を有する導電膜７０１７上に、発光素子７０１２の陰極７０１３が成膜されており
、陰極７０１３上に発光層７０１４、陽極７０１５が順に積層されている。なお、陽極７
０１５が透光性を有する場合、陽極上を覆うように、光を反射または遮蔽するための遮蔽
膜７０１６が成膜されていてもよい。陰極７０１３は、図２４（Ａ）の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）とする。例えば２０ｎｍの膜
厚を有するアルミニウム膜を、陰極７０１３として用いることができる。そして発光層７
０１４は、図２４（Ａ）と同様に、単数の層で構成されていても、複数の層が積層される
ように構成されていてもどちらでも良い。陽極７０１５は光を透過する必要はないが、図
２４（Ａ）と同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成することができる。そして
遮蔽膜７０１６は、例えば光を反射する金属等を用いることができるが、金属膜に限定さ
れない。例えば黒の顔料添加した樹脂等を用いることもできる。
【０２８３】
陰極７０１３及び陽極７０１５で、発光層７０１４を挟んでいる領域が発光素子７０１２
に相当する。図２４（Ｂ）に示した画素の場合、発光素子７０１２から発せられる光は、
矢印で示すように陰極７０１３側に射出する。
【０２８４】
次に、両面射出構造の発光素子について、図２４（Ｃ）を用いて説明する。図２４（Ｃ）
では、駆動用ＴＦＴ７０２１と電気的に接続された透光性を有する導電膜７０２７上に、
発光素子７０２２の陰極７０２３が成膜されており、陰極７０２３上に発光層７０２４、
陽極７０２５が順に積層されている。陰極７０２３は、図２４（Ａ）の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度とする。例えば２０ｎｍの膜厚を有するＡｌを、陰極７０２３として
用いることができる。そして発光層７０２４は、図２４（Ａ）と同様に、単数の層で構成
されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。陽極７０
２５は、図２４（Ａ）と同様に、光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成す
ることができる。
【０２８５】
陰極７０２３と、発光層７０２４と、陽極７０２５とが重なっている部分が発光素子７０
２２に相当する。図２４（Ｃ）に示した画素の場合、発光素子７０２２から発せられる光
は、矢印で示すように陽極７０２５側と陰極７０２３側の両方に射出する。
【０２８６】
なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子について述べたが、発光素子として無機Ｅ
Ｌ素子を設けることも可能である。
【０２８７】
なお本実施の形態では、発光素子の駆動を制御する薄膜トランジスタ（駆動用ＴＦＴ）と
発光素子が電気的に接続されている例を示したが、駆動用ＴＦＴと発光素子との間に電流
制御用ＴＦＴが接続されている構成であってもよい。
【０２８８】
なお本実施の形態で示す半導体装置は、図２４に示した構成に限定されるものではなく、
本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【０２８９】
以上の工程により、半導体装置として信頼性の高い発光表示装置を作製することができる
。
【０２９０】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２９１】
（実施の形態１０）
次に、本発明の半導体装置の一形態である表示パネルの構成について、以下に示す。本実
施の形態では、表示素子として液晶素子を有する液晶表示装置の一形態である液晶表示パ
ネル（液晶パネルともいう）、表示素子として発光素子を有する半導体装置の一形態であ
る発光表示パネル（発光パネルともいう）について説明する。
【０２９２】
本発明の半導体装置の一形態に相当する発光表示パネルの外観及び断面について、図２５
を用いて説明する。図２５は、第１の基板上に形成されたＩＧＺＯ半導体層及びｎ型の導
電型を有する金属酸化物層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタ及び発光素子を、第２の
基板との間にシール材によって封止した、パネルの上面図であり、図２５（Ｂ）は、図２
５（Ａ）のＨ−Ｉにおける断面図に相当する。
【０２９３】
第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０
３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂを囲むようにして、シール材４５０５
が設けられている。また画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、及び
走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂの上に第２の基板４５０６が設けられている。よ
って画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５
０４ａ、４５０４ｂは、第１の基板４５０１とシール材４５０５と第２の基板４５０６と
によって、充填材４５０７と共に密封されている。
【０２９４】
また第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４
５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂは、薄膜トランジスタを複数有し
ており、図２５（Ｂ）では、画素部４５０２に含まれる薄膜トランジスタ４５１０と、信
号線駆動回路４５０３ａに含まれる薄膜トランジスタ４５０９とを例示している。
【０２９５】
薄膜トランジスタ４５０９、４５１０は、ＩＧＺＯ半導体層及びｎ型の導電型を有する金
属酸化物層を含む薄膜トランジスタに相当し、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態
３、又は実施の形態４に示す薄膜トランジスタを適用することができる。本実施の形態に
おいて、薄膜トランジスタ４５０９、４５１０はｎチャネル型薄膜トランジスタである。
【０２９６】
また４５１１は発光素子に相当し、発光素子４５１１が有する画素電極である第１の電極
層４５１７は、薄膜トランジスタ４５１０のソース電極層またはドレイン電極層と電気的
に接続されている。なお発光素子４５１１の構成は、本実施の形態に示した構成に限定さ
れない。発光素子４５１１から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子４５１１の構
成は適宜変えることができる。
【０２９７】
また、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂ
、または画素部４５０２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４５１８ａ、４５１８
ｂから供給されている。
【０２９８】
本実施の形態では、接続端子４５１５が、第２の電極層４５１２と同じ導電膜から形成さ
れ、配線４５１６は、発光素子４５１１が有する第１の電極層４５１７と同じ導電膜から
形成されている。
【０２９９】
接続端子４５１５は、ＦＰＣ４５１８ａが有する端子と、異方性導電膜４５１９を介して
電気的に接続されている。
【０３００】
発光素子４５１１からの光の取り出し方向に位置する第２の基板は透光性でなければなら
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリル
フィルムのような透光性を有する材料を用いる。
【０３０１】
また、充填材４５０７としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹
脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、
ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶ
Ａ（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。本実施の形態は充填材４５０７
として窒素を用いた。
【０３０２】
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、
位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０３０３】
信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂは
、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回
路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、又は走査線駆動回
路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、本実施の形態は図２５の構成に
限定されない。
【０３０４】
次に、本発明の半導体装置の一形態に相当する液晶表示パネルの外観及び断面について、
図２０を用いて説明する。図２０は、第１の基板４００１上に形成されたＩＧＺＯ半導体
層及びｎ型の導電型を有する金属酸化物層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタ４０１０
、４０１１、及び液晶素子４０１３を、第２の基板４００６との間にシール材４００５に
よって封止した、パネルの上面図であり、図２０（Ｂ）は、図２０（Ａ１）（Ａ２）のＭ
−Ｎにおける断面図に相当する。
【０３０５】
第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲む
ようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、走査線駆動回
路４００４の上に第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、走査
線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６
とによって、液晶層４００８と共に封止されている。また第１の基板４００１上のシール
材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶
半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。
【０３０６】
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方法、
ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。図２０（Ａ１）
は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図２０（Ａ２）は、
ＴＡＢ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例である。
【０３０７】
また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は、
薄膜トランジスタを複数有しており、図２０（Ｂ）では、画素部４００２に含まれる薄膜
トランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれる薄膜トランジスタ４０１１
とを例示している。
【０３０８】
薄膜トランジスタ４０１０、４０１１は、ＩＧＺＯ半導体層及びｎ型の導電型を有する金
属酸化物層を含む薄膜トランジスタに相当し、実施の形態１乃至４に示す薄膜トランジス
タを適用することができる。本実施の形態において、薄膜トランジスタ４０１０、４０１
１はｎチャネル型薄膜トランジスタである。
【０３０９】
また、液晶素子４０１３が有する画素電極層４０３０は、薄膜トランジスタ４０１０と電
気的に接続されている。そして液晶素子４０１３の対向電極層４０３１は第２の基板４０
０６上に形成されている。画素電極層４０３０と対向電極層４０３１と液晶層４００８と
が重なっている部分が、液晶素子４０１３に相当する。なお、画素電極層４０３０、対向
電極層４０３１はそれぞれ配向膜として機能する絶縁層４０３２、４０３３が設けられ、
絶縁層４０３２、４０３３を介して液晶層４００８を挟持している。
【０３１０】
なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、ガラス、金属（代表的にはス
テンレス）、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては
、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶ
Ｆ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィ
ルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステル
フィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０３１１】
また４０３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、
画素電極層４０３０と対向電極層４０３１との間の距離（セルギャップ）を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
【０３１２】
また別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４または画素部４
００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。
【０３１３】
本実施の形態では、接続端子４０１５が、液晶素子４０１３が有する画素電極層４０３０
と同じ導電膜から形成され、配線４０１６は、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１のゲ
ート電極層と同じ導電膜で形成されている。
【０３１４】
接続端子４０１５は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介して電
気的に接続されている。
【０３１５】
また図２０においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実
装している例を示しているが、本実施の形態はこの構成に限定されない。走査線駆動回路
を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部の
みを別途形成して実装しても良い。
【０３１６】
図２１は、本発明の一態様を適用して作製されるＴＦＴ基板２６００を用いて半導体装置
として液晶表示モジュールを構成する一例を示している。
【０３１７】
図２１は液晶表示モジュールの一例であり、ＴＦＴ基板２６００と対向基板２６０１がシ
ール材２６０２により固着され、その間にＴＦＴ等を含む画素部２６０３、液晶層を含む
表示素子２６０４、着色層２６０５が設けられ表示領域を形成している。着色層２６０５
はカラー表示を行う場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応し
た着色層が各画素に対応して設けられている。ＴＦＴ基板２６００と対向基板２６０１の
外側には偏光板２６０６、偏光板２６０７、拡散板２６１３が配設されている。光源は冷
陰極管２６１０と反射板２６１１により構成され、回路基板２６１２は、フレキシブル配
線基板２６０９によりＴＦＴ基板２６００の配線回路部２６０８と接続され、コントロー
ル回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また偏光板と、液晶層との間に位
相差板を有した状態で積層してもよい。
【０３１８】
液晶表示モジュールには、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉ
ｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａ
ｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇ
ｎｍｅｎｔ）、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃ
ｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅ
ｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ）などを用いることができる。
【０３１９】
以上の工程により、半導体装置として信頼性の高い表示パネルを作製することができる。
【０３２０】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０３２１】
（実施の形態１１）
本発明の一態様に係る半導体装置は、電子ペーパーに適用することができる。電子ペーパ
ーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。
例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍（電子ブック）、ポスター、電車などの乗り物
の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。
電子機器の一例を図２８、図２９に示す。
【０３２２】
図２８（Ａ）は、電子ペーパーで作られたポスター２６３１を示している。広告媒体が紙
の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、本発明の一態様に係る
半導体装置を適用した電子ペーパーを用いれば短時間で広告の表示を変えることができる
。また、表示も崩れることなく安定した画像が得られる。なお、ポスターは無線で情報を
送受信できる構成としてもよい。
【０３２３】
また、図２８（Ｂ）は、電車などの乗り物の車内広告２６３２を示している。広告媒体が
紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、本発明の一態様に係
る半導体装置を適用した電子ペーパーを用いれば人手を多くかけることなく短時間で広告
の表示を変えることができる。また表示も崩れることなく安定した画像が得られる。なお
、車内広告は無線で情報を送受信できる構成としてもよい。
【０３２４】
また、図２９は、電子書籍２７００の一例を示している。例えば、電子書籍２７００は、
筐体２７０１および筐体２７０３の２つの筐体で構成されている。筐体２７０１および筐
体２７０３は、軸部２７１１により一体化されており、該軸部２７１１を軸として開閉動
作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能
となる。
【０３２５】
筐体２７０１には表示部２７０５が組み込まれ、筐体２７０３には表示部２７０７が組
み込まれている。表示部２７０５および表示部２７０７は、続き画面を表示する構成とし
てもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とする
ことで、例えば右側の表示部（図２９では表示部２７０５）に文章を表示し、左側の表示
部（図２９では表示部２７０７）に画像を表示することができる。
【０３２６】
また、図２９では、筐体２７０１に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体
２７０１において、電源２７２１、操作キー２７２３、スピーカ２７２５などを備えてい
る。操作キー２７２３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキ
ーボードやポインティングディバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面
や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子、またはＡＣアダプタおよびＵＳ
Ｂケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構
成としてもよい。さらに、電子書籍２７００は、電子辞書としての機能を持たせた構成と
してもよい。
【０３２７】
また、電子書籍２７００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により
、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とするこ
とも可能である。
【０３２８】
（実施の形態１２）
本発明の一態様に係る半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用する
ことができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジ
ョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラやデジタルビデオ
カメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置とも
いう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機
などが挙げられる。
【０３２９】
図３０（Ａ）は、テレビジョン装置９６００の一例を示している。テレビジョン装置９
６００は、筐体９６０１に表示部９６０３が組み込まれている。表示部９６０３により、
映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド９６０５により筐体９６０
１を支持した構成を示している。
【０３３０】
テレビジョン装置９６００の操作は、筐体９６０１が備える操作スイッチや、別体のリ
モコン操作機９６１０により行うことができる。リモコン操作機９６１０が備える操作キ
ー９６０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９６０３に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機９６１０に、当該リモコン操作
機９６１０から出力する情報を表示する表示部９６０７を設ける構成としてもよい。
【０３３１】
なお、テレビジョン装置９６００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機
により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して優先または無線
による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方
向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である
。
【０３３２】
図３０（Ｂ）は、デジタルフォトフレーム９７００の一例を示している。例えば、デジ
タルフォトフレーム９７００は、筐体９７０１に表示部９７０３が組み込まれている。表
示部９７０３は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮
影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる
。
【０３３３】
なお、デジタルフォトフレーム９７００は、操作部、外部接続用端子（ＵＳＢ端子、Ｕ
ＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える
構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面
に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録
媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像デ
ータを取り込み、取り込んだ画像データを表示部９７０３に表示させることができる。
【０３３４】
また、デジタルフォトフレーム９７００は、無線で情報を送受信出来る構成としてもよ
い。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
【０３３５】
図３１（Ａ）は携帯型遊技機であり、筐体９８８１と筐体９８９１の２つの筐体で構成
されており、連結部９８９３により、開閉可能に連結されている。筐体９８８１には表示
部９８８２が組み込まれ、筐体９８９１には表示部９８８３が組み込まれている。また、
図３１（Ａ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部９８８４、記録媒体挿入部９８
８６、ＬＥＤランプ９８９０、入力手段（操作キー９８８５、接続端子９８８７、センサ
９８８８（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度
、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、
振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９８８９）等を備
えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本発明
の一態様に係るＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層及びｎ型の導電型を有する金
属酸化物層を含む薄膜トランジスタを備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設
けられた構成とすることができる。図３１（Ａ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録
されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技
機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図３１（Ａ）に示す携帯型遊
技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０３３６】
図３１（Ｂ）は大型遊技機であるスロットマシン９９００の一例を示している。スロッ
トマシン９９００は、筐体９９０１に表示部９９０３が組み込まれている。また、スロッ
トマシン９９００は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイ
ン投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン９９００の構成は上述
のものに限定されず、少なくとも本発明の一態様に係るＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化
物半導体層及びｎ型の導電型を有する金属酸化物層を含む薄膜トランジスタを備えた構成
であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
【０３３７】
図３２は、携帯電話機１０００の一例を示している。携帯電話機１０００は、筐体１０
０１に組み込まれた表示部１００２の他、操作ボタン１００３、外部接続ポート１００４
、スピーカ１００５、マイク１００６などを備えている。
【０３３８】
図３２に示す携帯電話機１０００は、表示部１００２を指などで触れることで、情報を
入力ことができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つなどの操作は、表示部１０
０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０３３９】
表示部１００２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする
表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表
示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０３４０】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部１００２を文字の入力
を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場
合、表示部１００２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが
好ましい。
【０３４１】
また、携帯電話機１０００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサ
を有する検出装置を設けることで、携帯電話機１０００の向き（縦か横か）を判断して、
表示部１００２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０３４２】
また、画面モードの切り替えは、表示部１００２を触れること、又は筐体１００１の操
作ボタン１００３の操作により行われる。また、表示部１００２に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０３４３】
また、入力モードにおいて、表示部１００２の光センサで検出される信号を検知し、表
示部１００２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０３４４】
表示部１００２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部１
００２に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことが
できる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセン
シング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【符号の説明】
【０３４５】
１００ 基板
１０１ ゲート電極層
１０２ ゲート絶縁層
１０３ 半導体層
１０４ａ バッファ層
１０４ｂ バッファ層
１０５ａ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ｂ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ａ１ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ａ２ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ａ３ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ｂ１ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ｂ２ ソース電極層又はドレイン電極層
１０５ｂ３ ソース電極層又はドレイン電極層
１０６ａ バッファ層
１０６ｂ バッファ層
１１１ 半導体膜
１１３ マスク
１１４ 金属酸化物膜
１１５ 金属酸化物膜
１１６ マスク
１１７ 導電膜
１１８ マスク
１２１ 導電膜
１２２ マスク
１３１ 半導体膜
１３２ 金属酸化物膜
１３３ 導電膜
１３５ マスク
１３７ 金属酸化物膜
１３８ 導電膜
１３９ マスク
１５０ 基板
１５１ａ ゲート電極層
１５２ ゲート絶縁層
１５３ 半導体層
１５３ａ 半導体層
１５３ｂ 半導体層
１５４ａ バッファ層
１５４ｂ バッファ層
１５４ｃ バッファ層
１５５ａ ソース電極層又はドレイン電極層
１５５ｂ ソース電極層又はドレイン電極層
１５６ 配線層
１７０ａ 薄膜トランジスタ
１７０ｂ 薄膜トランジスタ
１７０ｃ 薄膜トランジスタ
１７０ｄ 薄膜トランジスタ
１７１ａ 薄膜トランジスタ
１７１ｂ 薄膜トランジスタ
１７１ｃ 薄膜トランジスタ
１７３ 薄膜トランジスタ
１７４ 薄膜トランジスタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯＸ膜と、
前記ＳｉＯＸ膜上に形成された酸化物半導体膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯＸ膜と、
前記ＳｉＯＸ膜上に形成された酸素過剰の酸化物半導体膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成された窒化シリコン膜を有する第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上に形成された酸素過剰のＳｉＯＸ膜を有する第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成された窒化シリコン膜を有する第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上に形成された酸素過剰のＳｉＯＸ膜を有する第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に形成された酸素過剰の酸化物半導体膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２または請求項４において、
前記酸素過剰の酸化物半導体とは、酸素原子の組成比が酸化物半導体膜の酸素原子の化学量論的組成比よりも大きい酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記酸素過剰のＳｉＯＸ膜とは、酸素原子の組成比がＳｉＯＸ膜の酸素原子の化学量論的組成比よりも大きいＳｉＯＸ膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記Ｘは２よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜上に形成された保護膜と、をさらに有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記保護膜は、ＳｉＯＸ膜と、当該ＳｉＯＸ膜上に形成された窒化珪素膜との積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯＸ膜と、
前記ＳｉＯＸ膜上に形成された酸化物半導体膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯＸ膜と、
前記ＳｉＯＸ膜上に形成された酸素過剰の酸化物半導体膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成された窒化シリコン膜を有する第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上に形成された酸素過剰のＳｉＯＸ膜を有する第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成された窒化シリコン膜を有する第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上に形成された酸素過剰のＳｉＯＸ膜を有する第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に形成された酸素過剰の酸化物半導体膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２または請求項４において、
前記酸素過剰の酸化物半導体とは、酸素原子の組成比が酸化物半導体膜の酸素原子の化学量論的組成比よりも大きい酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記酸素過剰のＳｉＯＸ膜とは、酸素原子の組成比がＳｉＯＸ膜の酸素原子の化学量論的組成比よりも大きいＳｉＯＸ膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記Ｘは２よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜上に形成された保護膜と、をさらに有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記保護膜は、ＳｉＯＸ膜と、当該ＳｉＯＸ膜上に形成された窒化珪素膜との積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【公開番号】特開２０１２−８９８７９（Ｐ２０１２−８９８７９Ａ）
【公開日】平成２４年５月１０日（２０１２．５．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−３８２４（Ｐ２０１２−３８２４）
【出願日】平成２４年１月１２日（２０１２．１．１２）
【分割の表示】特願２００９−１７６４９５（Ｐ２００９−１７６４９５）の分割
【原出願日】平成２１年７月２９日（２００９．７．２９）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年５月１０日（２０１２．５．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１月１２日（２０１２．１．１２）
【分割の表示】特願２００９−１７６４９５（Ｐ２００９−１７６４９５）の分割
【原出願日】平成２１年７月２９日（２００９．７．２９）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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