Fターム[5F110HL09]の内容
薄膜トランジスタ (412,022) | ソース、ドレイン−コンタクトホール介在 (16,138) | 材料 (10,537) | 材料の特性が規定 (212)
Fターム[5F110HL09]に分類される特許
1 - 20 / 212
半導体装置の作製方法
【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。
(もっと読む)
半導体装置及び半導体装置の作製方法
【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び/または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、5×1018atoms/cm3以下、好ましくは1×1018atoms/cm3以下とする。
(もっと読む)
半導体装置及び半導体装置の作製方法
【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。
(もっと読む)
薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機EL表示素子、および有機EL表示装置
【課題】隣接する開口部の内部へ有機半導体インクを塗布した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機EL表示素子、および有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁1016における開口部1016bを臨む側面部のうち、隣接する開口部1016cの側の側面部1016eは、側面部1016dを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁1016における開口部1016cを臨む側面部のうち、隣接する開口部1016bの側の側面部1016fは、側面部1016gを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部1016bと開口部1016cとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、X軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。
(もっと読む)
薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機EL表示素子、および有機EL表示装置
【課題】有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制し、且つ、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機EL表示素子、および有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁1016には、3つの開口部1016a,1016b,1016cが開けられている。開口部1016b,1016cの各底部には、ソース電極1014a,1014b、ドレイン電極1014c,1014dが露出し、各々がチャネル部として機能する部分である。開口部1016bを臨む側面部のうち、側面部1016d,1016eは、側面部1016iに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。開口部1016cを臨む側面部のうち、側面部1016fは、側面部1016jに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。
(もっと読む)
半導体装置の作製方法
【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。
(もっと読む)
半導体装置
【課題】配線抵抗に伴う電圧降下や信号遅延によるトランジスタへの信号の書き込み不良
を防止した半導体装置を提供することを課題の一つとする。例えば、表示装置の画素に設
けたトランジスタへの書き込み不良が引き起こす階調不良などを防止し、表示品質の高い
表示装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】配線抵抗が低い銅を含む配線に、バンドギャップが広く、且つキャリア濃度
が低い高純度化された酸化物半導体を接続してトランジスタを作製すればよい。バンドギ
ャップが広い酸化物半導体を用いて、トランジスタのオフ電流を低減するだけでなく、キ
ャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を用いて正のしきい値電圧を有し、所謂ノ
ーマリーオフ特性のトランジスタとして、オフ電流とオン電流の比を大きくできる。
(もっと読む)
半導体装置
【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。
(もっと読む)
表示装置
【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示部に複数の画素を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間において、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも30秒間、画像信号を保持させる。画素は、酸化物半導体層でなる半導体層を具備し、酸化物半導体層は、キャリア濃度が1×1014/cm3未満である。
(もっと読む)
酸化物半導体層、半導体装置
【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。
(もっと読む)
半導体装置
【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体層を酸化物半導体層とする逆スタガ型薄膜トランジスタを含む半導体
装置において、酸化物半導体層上にバッファ層を有する。バッファ層は、半導体層のチャ
ネル形成領域と、ソース電極層及びドレイン電極層とに接する。バッファ層は膜内に抵抗
分布を有し、半導体層のチャネル形成領域上に設けられる領域の電気伝導度は半導体層の
チャネル形成領域の電気伝導度より低く、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域
の電気伝導度は半導体層のチャネル形成領域の電気伝導度より高い。
(もっと読む)
表示装置
【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす、適切な構成を備えた保護回路等を提供する。
【解決手段】ゲート電極101を被覆するゲート絶縁層102と、ゲート絶縁層102上においてゲート電極101と重畳する第1酸化物半導体層103と、第1酸化物半導体層103上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層105aと第2酸化物半導体層104aが積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39とを有する非線形素子170aを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層102上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子170aの特性を向上させることができる。
(もっと読む)
半導体装置
【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重なる半導体装置である。
(もっと読む)
表示装置
【課題】動作速度を向上させる。
【解決手段】第1のソース及び第1のドレインの一方に画像信号線を介して画像信号が入力され、第1のゲートに第1の走査信号線を介して第1の走査信号が入力される第1のトランジスタ101と、2つの電極のうちの一方の電極が第1のトランジスタの第1のソース及び第1のドレインの他方に電気的に接続される容量素子102と、第2のソース及び第2のドレインの一方が第1のトランジスタ101の第1のソース及び第1のドレインの他方に電気的に接続され、第2のゲートに第2の走査信号線を介して第2の走査信号が入力される第2のトランジスタ103と、第1の電極が第2のトランジスタの第2のソース及び第2のドレインの他方に電気的に接続される液晶素子104と、を備え、画像信号線としての機能を有する導電層及び第2の走査信号が入力される走査信号線としての機能を有する導電層は、互いに離間し、且つ並置されている。
(もっと読む)
半導体装置
【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第1の導電層を形成する工程と、第1
の導電層を覆うように第1の絶縁層を形成する工程と、第1の導電層と一部が重畳するよ
うに、第1の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるよう
に第2の導電層を形成する工程と、半導体層および第2の導電層を覆う第2の絶縁層を形
成する工程と、第2の導電層と電気的に接続される第3の導電層を形成する工程と、半導
体層を形成する工程の後、第2の絶縁層を形成する工程の前の第1の熱処理工程と、第2
の絶縁層を形成する工程の後の第2の熱処理工程と、を有する。
(もっと読む)
半導体装置の作製方法
【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを
目的の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に対して、窒素、または希ガス(アルゴン、ヘリウムなど)
の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で脱水化、又は脱水素化処理のための加熱処理を行
い、酸素、酸素及び窒素、又は大気(好ましくは露点−40℃以下、より好ましくは−5
0℃以下)雰囲気下で加酸化処理のための冷却工程を行うことで高純度化及びI型化した
酸化物半導体層を形成する。該酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する半導体装
置を作製する。
(もっと読む)
半導体装置
【課題】オフ電流を低減した優れた特性を有する薄膜トランジスタを作製する。
【解決手段】p型の逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜側から、微結晶半導体領域、非晶質半導体領域、及び不純物半導体領域が積層される半導体膜と、一対の配線とが接する領域が、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と重畳し、一対の配線の仕事関数と、微結晶半導体領域を構成する微結晶半導体の電子親和力の差である電子のショットキーバリアφBnは0.65eV以上である。
(もっと読む)
半導体装置の作製方法
【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】金属薄膜の一部または全部を酸化させた第1の層と酸化物半導体層の積層を
用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導
体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その絶縁層の形成時
に酸化物半導体層の積層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層を形成する。
(もっと読む)
半導体装置
【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。
(もっと読む)
半導体装置
【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るICチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用いた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。
同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。
(もっと読む)
1 - 20 / 212
[ Back to top ]