【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】画素ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し、信頼性と生産性を向上させる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】画素領域に形成する画素ＴＦＴをチャネルエッチ型の逆スタガ型ＴＦＴで基板上に形成し、ソース領域及びドレイン領域のパターニングと画素電極のパターニングを同じフォトマスクで行う。また、ソース配線を画素電極と同じ材料である導電膜で覆い、基板全体を外部の静電気等から保護する構造とする。このような構成とすることで、製造工程において製造装置と絶縁体基板との摩擦による静電気の発生を防止することができる。特に、製造工程で行われる液晶配向処理のラビング時に発生する静電気からＴＦＴ等を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタのＬＤＤ領域を、テーパー部を有するゲート電極及びテーパー部を有するゲート絶縁膜に対応させて設ける。具体的には、第１のＬＤＤ領域はゲート電極のテーパー部の下に設けられ、第２のＬＤＤ領域はゲート絶縁膜のテーパー部の下に設けられる。 （もっと読む）

【課題】ソース電極とドレイン電極のドライエッチングレートの低下や、エッチング残さを引き起こすことがなく、半導体層と、ソース電極やドレイン電極といった配線金属の間からバリアメタルを省略することができる薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する課題とする。
【解決手段】半導体層１、ソース電極２、ドレイン電極３、透明導電膜４を有する薄膜トランジスタ基板において、ソース電極２とドレイン電極３は、ドライエッチング法によるパターニングで形成されたＧｅ：０．３原子％〜１．２原子％、Ｃｏ：０．０５原子％〜２．０原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１原子％〜０．５ 原子％を含有するＡｌ合金薄膜より成り、半導体層１と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、画素部に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを用い、さらに駆動回路の少なくとも一部の回路も酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜前にゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減した後、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行った後、酸素雰囲気下において徐冷する。ゲート絶縁層中、及び酸化物半導体膜中に加え、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールと、反射電極のための凹凸とが同時に形成された電気光学装置を提供する。
【解決手段】同一フォトマスクを用いたことにより、コンタクトホールと、反射電極のための凹凸とは同時に形成される。凹凸を形成するためのフォトマスクが有する遮光部又は透光部を上面から見ると、複数の円、複数の楕円、複数の正方形、複数の長方形が備えられており、これらは大きさが異なり、且つ互いの距離が異なる。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第２の逆スタガ型薄膜トランジスタにより構成されるＥＤＭＯＳ回路を有する論理回路部を有し、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタは、第１のゲート電極、ゲート絶縁層、第１の半導体層、第１の一対の不純物半導体層、及び第１の一対の配線を有し、第１の半導体層は、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体層と、混合領域と、非晶質半導体を含む層とが積層され、第２の逆スタガ型薄膜トランジスタは、第２のゲート電極、ゲート絶縁層、第２の半導体層、第２の一対の不純物半導体層、及び第２の一対の配線を有し、第２の半導体層は、微結晶半導体層と、非晶質半導体層とが積層されている表示装置。 （もっと読む）

【課題】ブルー相を呈する液晶を用い、新規な構成を有する液晶表示装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】同一基板上に、複数の構造体（リブ、突起、凸部とも呼ぶ）を形成し、その上に画素電極とその画素電極に対応する電極（固定電位の共通電極）を形成する。画素電極に傾斜をつけ、その画素電極に対応する電極にも傾斜をつけることにより、ブルー相を呈する液晶層に電界をかける構造とする。隣り合う構造体の間隔を狭くすることにより、液晶層に強い電界を印加することができ、液晶を駆動させるための消費電力を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】オン電流が高く、特性シフトが低減された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、活性層としてのＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜のモル比〔Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ〕を２．０−ｘ：ｘ：ｙ（但し、０．０＜ｘ＜２．０、０．０＜ｙ）で表したとき、前記酸化物半導体膜の膜厚方向についての前記ｙの分布において、前記基板に近い側の膜面、及び、前記基板から離れた側の膜面よりも、前記ｙが大きい領域が存在する。 （もっと読む）

【課題】工程数及びコストを増加させずに製造でき、静電気による誤動作を短時間で確実に解消できるアクティブ駆動方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブ駆動方式の液晶表示装置は、基板の面方向に印加される電界により駆動され、第３族または第１３族金属と少なくとも１種の液晶分子とを含む液晶相溶性粒子を、混合液晶材料に添加してなる第３族または第１３族金属液晶相溶性粒子添加液晶を用いる。液晶相溶性粒子は、少なくとも１種の他の金属を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上にトランジスター等の素子を歩留まりよく形成可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板１０１の第１面１０１ａにＴＦＴ素子が形成される液晶装置１１の製造方法であって、第１面１０１ａから第２面１０１ｂに亘って導電膜７０を形成する工程と、第１面１０１ａの素子領域８２にレジストパターン８３を形成する工程と、レジストパターン８３をマスクとして、素子領域８２を除く領域の導電膜７０をエッチングして除去する工程と、レジストパターン８３を除去した後、残った導電膜７０をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、を有し、エッチングして除去する工程は、第１面１０１ａの素子領域８２と重ならない領域に複数の支持部材８１を当接させて被処理基板１０１を支持しエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを増加させずに、信頼性が高く、かつ反射特性に優れる電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る電子デバイス２００は、基板１と、基板１上に形成され、少なくともＭｏ系膜４１と、その上層に形成されたＡｌ系膜４２とからなる導電性反射膜４０とを備える。そして、導電性反射膜４０のＭｏ系膜４１の表面荒さＲａが５ｎｍ以下であり、Ａｌ系膜４２の波長３５０ｎｍ〜５５０ｎｍにおける反射率が８５％以上である。 （もっと読む）

【課題】リフトオフ工程時に不良が発生する確率が高くなり、歩留まりが低減する。
【解決手段】第1のパターン工程によって、前記ソース電極とドレイン電極上に保留するドープ半導体層と、薄膜トランジスターのソース電極及びドレイン電極と、データラインと、画素電極と、を形成するステップ1と、ステップ1を経た透明基板の全体において半導体薄膜を堆積し、第2のパターン工程によって薄膜トランジスターのチャネルを備える半導体層のパターンを形成するステップ2と、ステップ2を経た透明基板の全体において絶縁薄膜とゲート金属薄膜を堆積し、第3のパターン工程によってゲートラインと薄膜トランジスターのゲート電極を備えるパターンを形成し、前記ゲート電極は前記薄膜トランジスターのチャネル上に位置させるステップ3と、を備える。 （もっと読む）

【課題】コンタクトエッチングの加工精度を上げて、精度良くコンタクトホールが形成されたＴＦＴ基板及び、そのＴＦＴ基板を工程が煩雑にならずに製造コストが抑制可能なＴＦＴ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚膜レジスト部２１と厚膜レジスト部よりも厚みの薄い薄膜レジスト部２２と、開口部２３とからなる膜厚差を有するパターンのレジスト層２０を設け、レジスト層２０の開口部の絶縁膜のエッチングと、レジスト層２０の薄膜レジスト部２２の除去と、薄膜レジスト部２２の下層の絶縁膜のエッチングとを同じエッチング工程で行うことにより、ゲートコンタクトホール８及びシリコンコンタクトホール９を共に形成してＴＦＴ基板１を製造した。 （もっと読む）

【課題】素子基板のマスク枚数を抑えて、ディスクリネーションを効率良く隠すとともに、比視感度の高い緑色を表示する画素については光漏れが目立ちにくくする。
【解決手段】直視型の透過型の液晶表示装置において、素子基板は、ゲート配線３１１と、ソース配線３０２と、画素ＴＦＴを有する画素部と、ｎチャネル型ＴＦＴやｐチャネル型ＴＦＴを有する駆動回路とを含む。比視感度の高い緑表示の画素については、光漏れが目立ちやすいので、確実にディスクリネーションを遮光できるように、遮光膜を兼ねたドレイン電極３１３の面積を広くする。赤表示の画素については、遮光膜を兼ねた遮光電極３１４を狭い幅で設ける。青表示の画素については、明るさを優先して、遮光膜３１５を一部のみ形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板３０１上にゲート電極３０３を形成し、ゲート電極３０３を覆ってゲート絶縁膜３０４を形成し、ゲート絶縁膜３０４上に酸化物半導体膜３０５を形成し、酸化物半導体膜３０５上に第１の導電膜３０６及び第２の導電膜３０７を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも加熱処理ＬＲＴＡにより結晶化した領域３０８を有する。 （もっと読む）

【課題】生産性が向上し、かつ特性が良好な半透過性膜、表示デバイス、及びパターン基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半透過性膜は、光学特性として光の透過特性と反射特性とを有する半透過性膜である。半透過性膜は、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金のいずれかに少なくとも４０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％未満の窒素を含む窒素含有膜である。また、半透過性膜は、上記の窒素含有膜と金属膜との積層膜とすることも可能である。 （もっと読む）

【課題】複板処理を採用した場合にも高品位にマーキングを施すことができる液晶パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に基づく液晶パネルの製造方法は、ガラス基板１１の表面１１ａ上に下部層５１としての金属膜および上部層としての各種の保護膜５２〜５６を有する積層体からなるマーキング領域を含むマーキングパッド５０を設ける工程と、マーキングパッド５０のマーキング領域の主表面と距離をもって対向するようにガラス基板１１にガラス基板２１を貼り合わせる工程と、ガラス基板１１の裏面１１ｂ側からガラス基板１１を介してマーキングパッド５０のマーキング領域にレーザ光１００を照射することにより、マーキングパッド５０のマーキング領域に貫通孔５８を設けてマーキングを行なう工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 外部接続部品の接続を良好に行え、しかも狭額縁化が図れる表示装置を提供する。
【解決手段】 複数の配線、絶縁膜、及び、複数の外部接続用端子がこの順に積層配置された回路基板を備える表示装置であって、回路基板は、複数設けられた外部接続用端子の上層に導電性粒子を含む異方性導電膜を更に備え、外部接続用端子は、絶縁膜に形成された複数のコンタクトホールを介して複数の配線に接続されており、複数の配線は、外部接続用端子を横切って並走するとともに外側の配線から順に同一方向側に屈曲し、コンタクトホールは、基板面に対して法線方向から見たときに、導電部材と上記外部接続用端子とが重なる領域であって、配線の屈曲した先の部分に配置されており、開口幅が、導電性粒子の最大径よりも大きい部分と上記最大径よりも小さい部分とを有する。 （もっと読む）