【課題】製造後、画素電極と対向電極とで仕事関数が異なってしまった場合におけるイオンの偏りにより発生する液晶装置におけるフリッカや焼き付き等の表示不良を、確実に防止することができる液晶パネルを具備する液晶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ基板及び対向基板に、液晶に駆動電圧を印加する画素電極、対向電極をそれぞれ形成するステップＳ１と、いずれか一方の電極に、ハロゲン処理を行うステップＳ４と、画素電極及び対向電極上に、無機配向膜をそれぞれ形成するステップＳ５と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れた薄膜トランジスタを提供する。また半導体装置の作製において有用な半導体薄膜を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を剥離層として用いた半導体装置を作製する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体層及び高融点金属膜とＡｌまたはＡｌ合金からなる低抵抗金属膜との積層
金属膜をパターン形成するに当たり、工程を複雑化することなく、ＡｌまたはＡｌ合金の
耐腐食性を改善する。
【解決手段】Ａｌ（合金）と高融点金属の積層膜パターン２４、２５をエッチングマスク
であるフォトレジスト５１から後退して形成し、この状態でＡｌ（合金）膜の側面に保護
膜３８を形成する。このため、半導体層２３のエッチングやチャネルエッチング時にＡｌ
（合金）膜の側面が塩素系ガスやフッ素系ガスのプラズマに曝されにくくなり、Ａｌ（合
金）膜の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】反射型表示と透過型表示とを切換え可能な液晶装置において、比較的簡単な装置構成を用いて、視差による二重映りや表示のにじみなどが発生せず、反射型表示時と透過型表示時の両方で高品位の画像表示を可能とする。
【解決手段】暗所でバックライト２１８を点灯すると、光源光は偏光板２０８等を介して反射層２１６の間隙を通過するので、透過型表示が行われる。明所で偏光板２０５等を介して入射した外光は、反射層２１６で反射されるので、反射型表示が行われる。反射層２１６上には、これより一回り大きい透明電極２１５が形成されており、反射層２１６の間隙を通過する光源光は、反射層２１６から食み出した透明電極２１５部分を透過する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成された半導体薄膜をレーザ照射により結晶化する方法において、結晶化後に、半導体膜上に形成されたキャップ絶縁膜を好適に取除く方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に逐次下地絶縁膜、半導体膜、そしてキャップ絶縁膜を含む膜構造を形成し、所定の光強度分布を有するレーザ光を該膜構造に照射することにより、半導体膜を結晶化し、薄膜トランジスタにおけるチャネル形成領域上のキャップ絶縁膜を残すように、チャネル形成領域周囲のキャップ絶縁膜をエッチングして除去し、エッチングした基板全面に金属膜を堆積し、熱処理を施してキャップ絶縁膜が除去された領域の半導体膜と金属膜を反応させて金属シリサイド層を形成し、キャップ絶縁膜上の未反応の前記金属膜を除去し、そしてチャネル形成領域上のキャップ絶縁膜を除去する工程を含む、薄膜トランジスタを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子として絶縁ゲート電界効果型の薄膜トランジスタＴＦＴを使用
し、このＴＦＴのソース電極とドレイン電極との間のショートに基づく輝点発生が少ない
液晶表示装置等のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法は、少なくとも表層が
モリブデンからなる複層構造の金属層の表面に所定のパターンのフォトレジスト層３０を
形成した後に前記複層構造の金属層をエッチングする工程、前記金属層の表面のフォトレ
ジスト層３０をアッシング法により除去する工程、水洗工程、前記金属層を含む表面にパ
ッシベーション層を積層する工程、を含むアクティブマトリクス型表示装置の製造方法に
おいて、前記水洗工程の継続時間を前記水洗工程後に水滴状の汚れが発生しなくなる時間
以上としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶を促進する触媒元素の極微量の添加を可能とする。
【解決手段】非晶質珪素膜の表面を酸化して酸化膜を形成する機能を有しており、第１ノズル１７および第３ノズル２０を備えた第１供液ノズルアーム１６、および第２ノズル１９を備えた第２供液ノズルアーム１８を有する第１スピナー１４と、スリットコート法により、酸化膜を介して非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を含有する溶液を塗布する機能を有するスリットコータノズル２３を備えたコータ２２、基板１１を大気中で回転させることにより、溶液の液膜を乾燥させて、触媒元素を酸化膜に析出させる機能を有する第２スピナー２４と、基板１１を第１スピナー１４、コータ２２および第２スピナー２４の各処理部に搬入し、各処理部から搬出するための搬送手段であるロボットアーム１２およびロボットアームレール２１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】非線形性の向上、残像現象の原因となる素子ドリフト現象の発生防止、および焼き付きの原因となる非線形特性の不可逆的なシフト現象の発生防止のいずれをも実現することのできる非線素子、この非線形素子を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置、および非線形素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘは、下電極１３ｘ、この下電極１３ｘの表面側を覆う絶縁層１４ｘ、およびこの絶縁層１４ｘを介して下電極１３ｘに対向する上電極１５ｘを備えたＴＦＤ素子である。絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜は、水素、窒素およびタングステンを含有し、下電極１３ｘは、下電極１３ｘから絶縁層１４ｘの水素の侵入を防止する酸素を含有するタンタル膜からなる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜を薄膜化して半導体デバイスの特性を向上させ、且つリーク電流を低減できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多結晶半導体膜１０３ａ上に金属膜であるアルミニウム膜１２１ａを形成し、前記アルミニウム膜にプラズマ酸化処理を施すことにより、前記アルミニウム膜を酸化して酸化アルミニウム膜１０４を形成するとともに、前記多結晶半導体膜１０３ａと前記酸化アルミニウム膜との間に酸化珪素膜１００ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜をエッチングして配線回路を形成する工程を備える素子の製造方法に関し、アルミニウム合金膜へダメージを与えることを極力抑制し、信頼性の高い素子を実現可能とする製造技術を提供する。
【解決手段】基板上に、アルミニウム合金膜を形成し、当該アルミニウム合金膜をエッチングして配線回路を形成する工程を備える、素子の製造方法において、アルミニウム合金膜を形成後、アルミニウム合金膜表面を酸化させるものとした。この時の酸化処理は、自然酸化被膜を備えた所定厚みのアルミニウム合金膜を、アルミニウム合金用エッチング液にて全厚みをエッチングした際に算出される厚さ方向のエッチング速度に対して、８０％以上のエッチング速度が確保できるように酸化被膜を形成するようにする。これによりＩＴＯ膜と直接接合しても接合特性が低下することがない。 （もっと読む）

【課題】 大面積を低コストで形成することが要求される表示部と、高移動度が求められる駆動回路部の双方について、各々の要求を満たすことが可能な表示素子用アレイ基板を提供する。
【解決手段】 透明絶縁基板（ガラス基板１）上に表示部と駆動回路部を有する表示素子用アレイ基板である。表示部の薄膜トランジスタは、非単結晶シリコン層（多結晶シリコン層３）を活性層とする非単結晶薄膜トランジスタＴｒＡであり、駆動回路部の薄膜トランジスタは、ガラス基板１に貼り付けられた単結晶シリコン層４を活性層とする単結晶薄膜トランジスタＴｒＢである。表示部の薄膜トランジスタＴｒＡと駆動回路部の薄膜トランジスタＴｒＢは、同一プロセスにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕに添加する添加元素が、Ｃｕ部材と接触するガス雰囲気又は固体に含まれる酸素と優先的に反応してＣｕの酸化を抑止する酸化被膜を形成することができる高導電率の配線、電極等を備える平面電子表示装置を提供する。
【解決手段】基板上にマトリックス状に交叉する電極線１７、１８と、その交点に配置された液晶画素２０と、外部の駆動回路に接続された端子電極とを有するアクティブマトリックス方式の液晶表示装置において、電極線１７、１８、電極、配線層、端子電極のうちの少なくとも一つを銅を主成分とし、基板との界面に銅に添加した添加元素の酸化物層を形成する銅合金で形成する。この添加元素は、酸化物形成自由エネルギーがＣｕより小さく、Ｃｕ中における拡散係数がＣｕの自己拡散係数より大きく、Ｃｕ中における１ａｔ．％当たりの電気抵抗上昇率が５μΩ・ｃｍ以下であり、Ｃｕ中における活量係数γが、活量係数γ＞１の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】 第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板の製造方法において、エッチング処理に伴うダメージを回復させて、素子特性の向上を図る。
【解決手段】 本発明の素子基板製造方法は、基体１０上に、第１導電膜２０、絶縁膜３０、及び第２導電膜４０を含む積層体２を形成する工程と、積層体２をエッチング処理により所定平面形状に形成する工程と、エッチング処理によって露出した積層体２の側壁２ａにラジカル状態又はイオン状態の改質ガス５５を供給する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】工程の単純化を可能にする液晶表示装置とその製造方法を得る。
【解決手段】基板上でゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインと、ゲートライン及びデータラインの間に形成された絶縁膜と、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を含み、ゲートライン及びデータラインと接続された薄膜トランジスタと、画素領域それぞれで薄膜トランジスタと接続された複数の画素電極と、画素領域それぞれで画素電極と実質的に並べて形成された複数の共通電極と、共通電極と接続された共通ラインと、ゲートライン、データライン、共通ラインの中の少なくとも何れか一つと接続されたパッドとを備え、ゲートライン、ゲート電極、画素電極、共通電極、共通ライン及びパッドを有する第１のパターン群は、透明導電層を含む階段状の複層の電導層を備えている。 （もっと読む）

【課題】実質的なチャネル長の長さを短くし、半導体装置を微細化することができる半導体装置及びその作製方法を提供する。また、実質的なチャネル長の長さを短くすることによってゲート容量を減少させることができ、半導体装置の高速動作及び高性能化を実現できる半導体装置及び、その作製方法を提供する。また、製造工程を簡略化することができる作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成されたる島状半導体膜と、島状半導体膜上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置であって、ゲート電極は高密度プラズマにより表面を酸化されることによって、スリミング化し、実質的なチャネル長を短くしている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタを作製する際、従来のＣＶＤ法により形成される膜よりも高品質の膜を形成すること、熱酸化法で形成される膜と同等又はそれ以上の品質の膜を基板に影響を及ぼさない温度で形成することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板、所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜、ゲート電極及び該ゲート電極から延びた配線、ゲート絶縁膜となる絶縁膜、保護膜の少なくとも一つに対し、ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より１００℃以上低い温度とし、低電子温度且つ高電子密度でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなう。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置に関し、特に、高画質を具現する横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の構造とその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板に、画素電極と共通電極を透明電極で形成する時に発生する真空装備のチャック染みを防ぐことを目的とする。前述した目的を達成するための本発明は、画素電極と共通電極を不透明な金属を利用した単層または、多層で構成する。前記画素電極と共通電極を多層に構成する時、不透明な金属層と酸化膜が積層された第１構成と、透明電極と不透明な金属と酸化膜が積層された第２構成で形成する。この時、前記酸化膜は、前記不透明な金属層の表面に紫外線を照射する工程によって形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に生じた欠陥から露出している半導体層の領域のみを酸化処理可能にして、半導体素子の特性劣化を防止する。
【解決手段】半導体素子１０は、半導体層１３と、半導体層１３の表面に設けられ、酸化種を透過する第１の絶縁層３１と、第１の絶縁層３１を覆うように設けられ、酸化種を透過させない第２の絶縁層３２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。また、被剥離層の形成において、熱処理温度、基板の種類等の限定を受けない剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属層を形成し、前記金属層上に酸化物層を形成し、前記酸化物層上に被剥離層を形成し、前記被剥離層を前記金属層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において物理的手段により剥離する。 （もっと読む）

【課題】本発明は表示素子に適用される液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に製造工程の単純化のできる水平電界を利用する薄膜トランジスター基板及びその製造方法に関する、また、本発明は製造工程の単純化のできる薄膜トランジスター基板を利用した液晶表示パネル及びその製造方法に関する。
【解決手段】第1基板及び第2基板と, 前記第1基板上のゲートラインと、前記ゲートラインと交差されゲート絶縁膜が介在されるように画素領域を規定するデータラインと、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極及び前記ソース電極とドレイン電極の間にチャンネルを有する半導体層を含む薄膜トランジスターと、前記第1基板上で前記ゲートラインと並立した共通ラインと、前記共通ラインから前記画素領域に延長された共通電極と、前記画素領域内のゲート絶縁膜上の画素電極とを含み、前記ドレイン電極は前記画素電極と重畳され前記画素電極に接続され、前記半導体層は前記透明導電膜と重畳される領域から除去される。 （もっと読む）