説明

Fターム[2H092MA23]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 製造方法 (16,988) | 製法、工程 (14,676) | 処理方法 (2,214) | 酸化処理 (279)

Fターム[2H092MA23]の下位に属するFターム

陽極酸化 (107)
熱酸化 (126)

Fターム[2H092MA23]に分類される特許

41 - 46 / 46


【課題】
抵抗特性及び透過率特性を損なうことなくエッチング加工性に優れた積層型透明電極膜の製造方法及び積層型透明電極形成用の積層体を提供する。
【解決手段】
本発明による積層型透明電極膜の製造方法は、基板上に第1透明電極膜を形成するステップと、第1透明電極膜の上に酸化銀系薄膜を形成するステップと、酸化銀系薄膜上に第2透明電極膜を形成するステップと、第1透明電極膜、酸化銀系薄膜、第2透明電極膜の積層を加熱して低抵抗化及び透明化するステップとを含み、第1透明電極膜と第2透明電極膜の少なくとも何れかが還元作用を有する。 (もっと読む)


【課題】 所定の素子構造を備えた電気光学装置における接触抵抗の上昇を防止して、データ信号の書き込み速度が速くて、表示特性に優れた電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 所定の素子構造を備えたオーバーレイヤー構造の電気光学装置の製造方法において、基板上に、パターニングされたタンタル層を形成する工程と、タンタル層の表面を酸化させることにより、酸化タンタル層を形成する工程と、酸化タンタル層の一部と重なるように、パターニングされたクロム層を形成する工程と、クロム層が形成された基板に対して、不活性ガス中で熱処理を実施する工程と、クロム層と重なる位置にコンタクトホールが配置されるように層間絶縁膜を形成する工程と、クロム層と、コンタクトホールを介して電気的に接続されるように、導電層からなる画素電極を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


(課題)
本発明は、被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、本発明は、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにTFTを代表とする様々な素子(薄膜ダイオード、シリコンのPIN接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子)を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
(解決方法)
基板上に金属層11を設け、さらに前記金属層11に接して酸化物層12を設け、さらに被剥離層13を形成し、前記金属層11をレーザー光で照射することで酸化を行い金属酸化物層16を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層12の層内または金属酸化物層16と酸化物層12との界面において、きれいに分離することができる。
(もっと読む)


【課題】 熱安定および低電気抵抗の酸化インジウムスズ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化物誘電層20を形成し、即ち、基板10の表面に酸化物薄膜を形成するステップaと、酸化物誘電層20を表面処理し、即ち、酸素をイオン源設備に送入し、酸素がイオン源を通過した後に発生するイオン束により酸化物誘電層20に表面処理を実行するステップbと、透明導電膜を形成し、即ち、イオン処理を通過した後の酸化物誘電層20の上に酸化インジウムスズ膜30を積層するステップcとを含む。基板10は、プラスチックの本体11と本体11の一側面に形成される硬質コーティング12から構成され、本体11の他側は基板10の表面10aを形成する。酸化物誘電層20にイオン処理を予め実行することで、酸化物誘電層20の安定性および精密度を高める。 (もっと読む)


【課題】本発明は、透視性及び視認性が高く、導電部の電気抵抗値が低くかつ均一な発熱が可能な高品位の面発熱特性を有する透明面状発熱体、並びに該透明面状発熱体を簡便かつ安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】透明基体上に網の目導電パターンを有する透明面状発熱体であって、該透明基体上に、物理的薄膜形成手段による銅薄膜層とメッキ手段による銅厚膜層とを順次積層して形成されてなる該網の目導電パターンを有し、該網の目導電パターンの有する電気抵抗値が5Ω/□以下であり、該透明面状発熱体の全光線透過率が50%以上であり、該網の目導電パターンに一対の電極を備えた透明面状発熱体、並びに透明面状発熱体の製造方法に関する。 (もっと読む)


【課題】 絶縁基板上にグラフォエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。)と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法を提供する。
【解決手段】 基板1に形成した段差4をシードにして、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを溶解した低融点金属層6(6A)からグラフォエピタキシャル成長により単結晶シリコン層7を形成し、これを表示部−周辺駆動回路一体型のLCDなどの電気光学装置のトップゲート型MOSTFTに用いる。 (もっと読む)


41 - 46 / 46