【課題】イオンの照射に起因する問題を解決した、良好な特性が得られる半導体基板を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の表面をプラズマ処理し、プラズマ処理された単結晶半導体基板の表面に、絶縁層を形成し、絶縁層を介して、単結晶半導体基板を、絶縁表面を有する基板に貼り合わせ、単結晶半導体基板を、損傷領域で分離して、絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成する。これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】画像ムラがなく、良好な画像が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体層は、第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と第１の配線とを電気的に接続するための第１のコンタクト領域と、前記第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方、並びに第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方と第２の配線とを電気的に接続するための第２のコンタクト領域と、前記第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と前記第１の配線とを電気的に接続するための第３のコンタクト領域とを有し、前記第１乃至第３のコンタクト領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅よりも、前記第１の半導体層と前記第１（第２）のＮチャネル型ＴＦＴのゲート電極とが重なる領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅の方が狭い。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、を備えるトランジスタを有し、酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】材料や形成されたパターンが異なる複数の層が積層された構造の半導体装置において、ＣＭＰ法による研磨処理やＳＯＧ膜成膜による平坦化処理を行わなくても平坦化でき、さらに基板材料を選ばず、簡便に平坦化を行う方法を提供することを課題とする
【解決手段】異なる層が複数積層されて形成された半導体装置において、絶縁膜に開口部を形成し、その開口部内に配線（電極）または半導体層を形成することにより、絶縁膜および配線（電極）または半導体層上に形成される絶縁膜に対してＣＭＰ法による研磨処理またはＳＯＧ膜の成膜による平坦化を行わなくても表面の平坦化を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】大型のガラス基板上に単結晶シリコン層を大面積に設けることによって、大型のＳＯＩ基板を得る。
【解決手段】分離層が設けられた複数の矩形の単結晶半導体基板をダミー基板の上に位置合わせして低温凝固剤で固定した後に、複数の単結晶半導体基板を支持基板に接着させ、低温凝固剤の接着効果を有しない温度に上げてダミー基板と単結晶半導体基板を分離し、加熱処理を行って分離層を境界として単結晶半導体基板の一部を分離させて、支持基板である大型ガラス基板上に単結晶シリコン層を設ける。 （もっと読む）

【課題】大型の液晶ディスプレイ部品を高温で急速に昇温させることができる液晶ディスプレイ部品の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】液晶ディスプレイを構成する液晶ディスプレイ部品の製造装置であり、液晶ディスプレイ部品を加熱する板状の炭化ケイ素を含むヒータ１を複数枚配置したヒータユニットを備え、ヒータユニットのうちの、各ヒータ１をそれぞれ個別に制御し、所定の温度まで液晶ディスプレイ部品の温度を上昇させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に下地絶縁層が形成され、この下地絶縁層の上層側に電界効果型トランジスタが形成されている場合でも、電界効果型トランジスタを温度上昇させる原因となる熱を半導体基板に効率よく逃がすことのできる半導体装置、電気光学装置、および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】反射型液晶装置１００の素子基板１０は、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１ｓと、この半導体基板１ｓの表面に形成されたシリコン酸化膜からなる下地絶縁層１ｔと、この下地絶縁層１ｔの上層に形成された電界効果型トランジスタ３０とを備えている。ゲート電極３ｃの上層側には、シリコン窒化膜からなる放熱用絶縁膜４が形成され、下地絶縁層１ｔには、放熱用絶縁膜４を半導体基板１ｓに直接、接続させるコンタクトホール１ｕが形成されている。 （もっと読む）

本発明は、オプトエレクトロニクス装置の電極としての使用等に適した光学的に透明な導電性炭素系膜に関する。更に、本発明は、透明導電性炭素膜の製造方法及びその電子装置における使用に関する。電極として透明導電性炭素膜を用いた有機太陽電池は、ＩＴＯを用いた太陽電池に匹敵する性能を示す。このような炭素膜は、高い熱的及び化学的安定性、非常に滑らかな表面、基板に対する良好な接着性を示す。
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【課題】走査線の配線抵抗等を低減して、高速動作可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】画素電極１０８と当該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ１００とを含む画素と、画像表示領域の列方向に互いに平行に延在され、薄膜トランジスタ１００のソース領域２０４を列方向に互いに接続する複数本のデータ線１０４と、画像表示領域の行方向に互いに平行に延在され、薄膜トランジスタ１００のゲート電極２０８を行方向に互いに接続する複数本の走査線１０２と、を含む電気光学装置であって、ゲート電極２０８が非金属材料で形成され、上記走査線１０２は、ゲート電極２０８上に絶縁膜を介して積層された金属材料の薄膜をパターニングして形成されており、各々のゲート電極２０８とは絶縁膜を局所的に除去して形成された第１のコンタクトホール５０１を介して電気的に接続していることを特徴とする電気光学装置。 （もっと読む）

【課題】光センサの構成が相違している場合でも、回路を共通化することのできる光検出装置、およびこの光検出装置を備えた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、光センサ部３１０は液晶パネル１００ｐに用いた素子基板１０上に形成されているが、検出回路３２０は、素子基板１０とは別体の制御用ＩＣ５００（ディスクリート部品）に構成されているため、素子基板１０の構成が変わっても、検出回路３２０および制御用ＩＣ５００については、同一のものを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】マルチゲート構造の薄膜トランジスタを更に改良することにより、簡素な電気的構成でソース−ドレイン耐圧を向上することのできる半導体装置、半導体装置の製造方法、および当該半導体装置を用いた電気光学装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１において、マルチゲート構造の薄膜トランジスタ１０では、ドレイン側の第１のトランジスタ部１０ａの第１のチャネル領域１ｂの層厚を、ソース側の第２のトランジスタ部１０ｂの第２のチャネル領域１ｆの層厚に比して薄くし、第１のトランジスタ部１０ａの閾値電圧をディプレッション側にシフトさせてあるので、ゲート電極３ａ、３ｂに同電位を印加した場合でも、トランジスタ部１０ａ、１０ｂのコンダクタンス差が小さい。チャネル領域１ｂ、１ｂは各々、チャネルドープされているが、層厚が相違する分、不純物イオンのドーズ量を相違させてある。 （もっと読む）

【課題】容量線により保持容量を形成した場合でも、品位の高い画像を表示することができ、かつ、容量線の低抵抗化を図ることのできる液晶装置を提供すること。
【解決手段】ＶＡモードの液晶装置１００において、容量線３ｂは、走査線３ａに近接する位置で走査線３ａに並列して延びた第１の容量線部３ｃと、サブ画素電極７ｂ、７ｃによって挟まれた切り欠き７ｆと重なるように形成された第２の容量線部３ｄと、第１の容量線部３ｃと第２の容量線部３ｄとを接続する第３の容量線部３ｅとを備えており、これらの容量線部３ｃ、３ｄ、３ｅを各々利用して、第１の保持容量６０ａ、第２の保持容量６０ｂ、および第３の保持容量６０ｃを備えた保持容量６０を構成している。従って、走査線３ａに近接する位置で走査線３ａに並列して延びた第１の容量線部３ｃを幅広に形成しなくても、十分な容量値をもった保持容量６０を形成する場合ことができる。 （もっと読む）

【課題】結晶の位置と大きさを制御することにより、チャネル領域或いはＴＦＴ形成領域を一つの結晶の集合（ドメイン）で形成し、ＴＦＴのばらつきを抑えることを目的とする。
【解決手段】非晶質シリコン膜に対して、チャネル形成領域或いはチャネル形成領域やソース及びドレイン領域等も含むＴＦＴ形成領域の周囲を選択的にレーザー照射を行い、各ＴＦＴ形成領域を孤立させて、結晶化を助長する金属元素（代表的にはＮｉ）を添加し、加熱処理を行うことにより、結晶の集合（ドメイン）の位置を任意に定める事を可能とするものである。結晶の集合（ドメイン）の位置を任意に制御することにより、ＴＦＴのばらつきを抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】エッチング液の浸透による反射電極の侵食を回避でき、反射電極を透明導電層の縁まで拡大することができ、かつ生産性を向上することができる電気光学装置とその製造方法および電子機器を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁層１４を形成する工程と、絶縁層１４上の一部に金属からなる反射電極２を形成する工程と、反射電極２上を含む絶縁層１４上を覆うように非晶質透明導電層を形成する工程と、反射電極２を加熱し、反射電極２上の非晶質透明導電層を選択的に結晶化して結晶化透明導電層３ｐを形成する工程と、反射電極２上の結晶化透明導電層３ｐを透明電極３として残しつつ絶縁層１４上の非晶質透明導電層をエッチングによって選択的に除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】粒界が形成される位置を制御することが可能な結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１１に支持された非晶質半導体膜２２を用意する工程と、非晶質半導体膜にＡｒイオンを注入する工程と、工程（ｂ）の後に、非晶質半導体膜に結晶化を促進する触媒元素３５を付与する工程と、工程（ｃ）の後に、非晶質半導体膜の少なくとも一部を固相結晶化することによって、結晶質半導体膜２４を得る工程（ｄ）とを包含する。
基板１１に支持された非晶質状態の半導体膜２２を用意する工程（ａ）と、半導体膜の第１領域に第１の濃度でＡｒイオンを注入する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、半導体膜の第１領域と第１領域外の第２領域とを含む領域に、結晶化を促進する触媒元素を付与する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、半導体膜を加熱することによって半導体膜の少なくとも第２領域を固相結晶化させる工程（ｄ）とを包含する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴで使用される半導体膜に含まれる、個々の結晶粒の結晶方位にバラツキがあると、トランジスタの特性バラツキが引き起こされる。トランジスタの特性にバラツキが生じると、大きな余裕を持って回路設計を行う必要が生じ回路特性を向上させることが困難となる。
【解決手段】第１シリコン膜を、結晶方位が揃えられた第１多結晶シリコン膜３００に改質した後、平面視にて電気的に分離し、多結晶シリコン島３０２を形成する。次に、多結晶シリコン島３０２の一部を露出させる微細貫通孔１２６が開口されたバッファ絶縁膜を形成し、その上に非晶質シリコン膜１３を形成する。そして、レーザアニールにより多結晶シリコン島３０２と同じ面方位に揃えられたシリコン結晶膜１５５を形成することで特性が揃えられたＴＦＴを提供する。 （もっと読む）

本発明の主題の一つは、基材の第１の側上に堆積された少なくとも１層の薄い連続的な膜の処理のための方法であって、薄膜を連続に保ちながら、そしてこの薄膜を溶融するステップ無しで該薄膜の結晶化度を高めるように、この少なくとも１つの薄膜が少なくとも３００℃に昇温され、該第１の側とは反対側上の温度が１５０℃以下ように保ちたれることを特徴とする、方法。
発明の別の主題は、この方法によって得ることができる材料である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の動作特性を向上させ、かつ、低消費電力化を図る。特に、オフ電流値が低く、バラツキの抑えられたＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】シリコンの結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化された第１のシリコン膜の金属元素をゲッタリングするために、希ガスを含み且つ非晶質構造を有する第２のシリコン膜を使用する。また、雰囲気を変えて２回レーザー照射を行う。２回目のレーザー照射は照射領域が不活性気体雰囲気となるようにして行うと第１のシリコン膜の平坦性が向上される。 （もっと読む）

【課題】静電破壊防止用保護素子が大型化するのを抑制するとともに、静電破壊防止用保護素子の静電破壊防止機能を向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置１は、ガラス基板２と、ガラス基板２上に配置された信号線２１および走査線２２と、信号線２１および走査線２２の少なくとも一方に接続された静電破壊防止用保護素子３０とを備える。そして、静電破壊防止用保護素子３０は、ガラス基板２上に互いに所定の間隔を隔てて形成され、Ｎ⁻型低濃度不純物領域３１ａを有する複数の低温ポリシリコン層３１ｂと、隣接する低温ポリシリコン層３１ｂのＮ⁻型低濃度不純物領域３１ａ同士を電気的に接続するとともに、低温ポリシリコン層３１ｂのＮ⁻型低濃度不純物領域３１ａに接触するように形成された金属配線３１ｃとを有する抵抗領域３１を含む。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率の向上を図った表示装置の提供。
【解決手段】基板上の画素領域に、透明酸化物層、絶縁膜、導電層が順次積層され、
前記導電層はゲート信号線に接続される薄膜トランジスタのゲート電極を有し、
前記透明酸化物層は少なくとも前記ゲート電極の直下のチャネル領域部を除いた他の領域が導電体化され、この導電体化された部分でソース信号線、このソース信号線に接続される前記薄膜トランジスタのソース領域部、画素電極、この画素電極に接続される前記薄膜トランジスタのドレイン領域部を構成している。 （もっと読む）