【課題】基板が設置されたステージをＸ方向やＹ方向に移動させるレーザー照射装置は、基板が大型化した場合、比例してフットプリント（処理に必要とされる平面での面積）が格段に大きくなり、装置全体の巨大化を招く問題が生じてしまう。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】環境光を検出する光センサ及びバックライト光を遮光する遮光層を備える電気光学装置を好適に製造する。
【解決手段】基板（１０）上に遮光層（７１）、第１絶縁層（７２）、受光素子（１３１）及び第２絶縁層（７３、７４）を形成する。その後、第２絶縁層を貫通して受光素子に到達するスルーホール（１３６）を形成すると共に、第２絶縁層を貫通し且つ第１絶縁層の一部が残留するホール部分（１３７）を形成するようにエッチングを行う。その後、受光素子用電極（１３３、１３４）及び遮光層用電極（７７）並びに第３絶縁層（７５）を形成する。その後、ホール部分に残留している第１絶縁層の一部及びホール部分に形成される第３絶縁層に対してエッチングを行うと共に、パッシベーション層を貫通して遮光層用電極に到達するスルーホール（１３８）を形成するようにエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】 特性のばらつきを抑制した半導体素子を備える半導体装置を製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、半導体層（Ｓｅ）の第１領域（Ｓａ）と第２領域（Ｓｂ）との間の少なくとも一部にスリット（ＳＬ）を形成する工程と、第１開口部（Ｏａ）および第２開口部（Ｏｂ）の設けられたマスク層（Ｍ）を形成する工程と、半導体層（Ｓｅ）の第１領域（Ｓａ）および第２領域（Ｓｂ）に触媒元素（Ｃｔ）を導入し、半導体層（Ｓｅ）の第１領域（Ｓａ）および第２領域（Ｓｂ）のそれぞれの結晶化を行う工程と、半導体層（Ｓｅ）の第１領域（Ｓａ）および第２領域（Ｓｂ）をパターニングした第１島状半導体層（１２２）および第２島状半導体層（１４２）を用いて半導体素子（１２０）および半導体素子（１４０）を作製する工程と包含する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの従来構造をそのまま生かした構造で同一基板内に不揮発性メモリを形成することができ、よりコンパクトな信頼性の高いものを得る構造を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、画素部と、不揮発性メモリ１１０ＡのＴＦＴの半導体層１０が同一層に形成され、不揮発性メモリ１１０Ａは、ゲート絶縁膜２０を介して半導体層１０上に設けられたゲート電極３０を覆うように形成されたフローティングゲート絶縁膜２１と、フローティングゲート絶縁膜２１を介してゲート電極３０と一部重なるように配置されたフローティングゲート電極３１と、フローティングゲート電極３１を覆うように形成されたトンネル絶縁膜２２と、トンネル絶縁膜２２を介してゲート電極３０及びフローティングゲート電極３１と一部重なるように配置されたソース電極３２とを有するメモリセルを備えている。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が良好な薄膜トランジスタを作製することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層を覆って設けられた第１の絶縁層と、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一対の不純物半導体層と、第１の絶縁層上に、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、且つ一対の不純物半導体層の少なくとも一方と重畳せずしてチャネル形成領域の一部に設けられた微結晶半導体層と、第１の絶縁層と微結晶半導体層との間に接して設けられた第２の絶縁層と、第１の絶縁層上に第２の絶縁層及び微結晶半導体層を覆って設けられた非晶質半導体層と、を有し、第１の絶縁層は窒化シリコン層であり、第２の絶縁層は酸化窒化シリコン層である薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】製造工数の増大をもたらすことなく、さらなるコントラストの向上を図ることができる液晶表示装置の提供。
【解決手段】液晶側の基板面の各画素領域に、薄膜トランジスタのドレインを通じて信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じさせる対向電極ＣＴを備え、画素領域は反射画素部ＲＲと透過画素部ＴＲを有し、画素電極は薄膜トランジスタを被って形成される保護膜ＰＡＳ２の上面において、反射画素部に形成された凹凸面を被って形成される面状の金属電極ＰＸ１と、金属電極をも被って透過画素部に形成された面状の透明電極ＰＸ２とで構成され、対向電極は、一方の電極をも被って形成された絶縁膜ＩＮの上面に、一方の電極と重畳して並設された複数の線状の電極として構成され、透明電極は塗布により形成される透明導電膜で形成されている。 （もっと読む）

Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆを含み、Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆ原子の全体含有量対比Ｈｆ原子含有量の組成比が２〜１６ａｔ％である酸化物半導体及びこれを備える薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】動作性能及び信頼性を大幅に向上することができる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコン基板上に設けられた酸化シリコン膜と、単結晶シリコン基板の一部よりなりＴＦＴの活性層となる島状シリコン層を熱酸化して得られ、酸化シリコン膜に貼り合わせ界面にて貼り合わせて設けられた酸化シリコン膜と、活性層を熱酸化して設けられた他の面の酸化シリコン膜とにより取り囲まれた活性層と、活性層上に設けられたゲート電極と、を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてＡｌ系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ａｌ系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、およびフッ素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層と、ＡｌおよびＳｉを含むＡｌ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層を構成する窒素、炭素、およびフッ素のいずれかの元素は、前記半導体層のＳｉと結合している。 （もっと読む）

【課題】高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセ
ス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を
実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１０６ｂを用いて希ガ
ス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１０８を形成し、加熱処理
により前記不純物領域１０８に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタ
リングを行った後、前記マスクを用いてパターニングを行い、結晶構造を有する
半導体膜からなる半導体層１０９を形成する。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生を抑制することができ、有機ＥＬなどの電流駆動素子に好適な半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、その半導体装置を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、チャネル領域を有する半導体層１８とを備え、チャネル領域が、結晶成分の体積率をＶｃとし、非結晶成分の体積率をＶａとしたときＶｃ／Ｖａ＞４を満たす酸化物半導体で構成されている。 （もっと読む）

【課題】同一絶縁基板上に形成された２つのトランジスタの拡散層の抵抗値を同じにすることのできる新構造のトランジスタを搭載した半導体装置を提供する。
【解決手段】同一絶縁基板上に第１及び第２のトランジスタが形成された半導体装置において、第１のトランジスタ（図中左側のトランジスタ）は、第１のゲート電極１０４ａ下部に形成された第１の絶縁膜１０３ａと、拡散層１０２ａ２，１０２ａ３領域上に形成された第２の絶縁膜１０３ｂとを備え、第２のトランジスタ（図中右側のトランジスタ）は、第２のゲート電極１０４ｂ下部及び拡散層１０２ｂ２，１０２ｂ３領域上に形成された膜厚の厚い第２の絶縁膜１０３ｂを備え、これら第１の絶縁膜１０３ｂ及び第２の絶縁膜１０３ａより上層に第１及び第２のゲート電極１０４ａ，１０４ｂがそれぞれ配置されており、かつ、第１の絶縁膜１０３ａが第２の絶縁膜１０３ｂよりも薄く形成された構造となっている。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】 優れたコンタクト特性及び優れた素子特性を持った薄膜半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて不純物を含むソース領域ドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続する、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔内にそれぞれ埋め込まれた不純物を含む多結晶半導体層、及び前記多結晶半導体層に接続する高融点金属層を含む配線層を具備し、前記多結晶半導体層と配線層の高融点金属層との間には、高融点金属と半導体との化合物からなる薄層が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いる場合においても優れた特性のＳＯＩ基板を提供することを目的の一とする。また、このようなＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面に、エピタキシャル成長法による単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層に第１の熱酸化処理を施して第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜の表面に対してイオンを照射することにより、単結晶半導体層にイオンを導入し、第１の酸化膜を介して、単結晶半導体層とベース基板を貼り合わせ、熱処理を施すことにより、イオンが導入された領域において単結晶半導体層を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層の一部を残存させ、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を施して第２の酸化膜を形成した後、該第２の酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】単結晶シリコン薄膜を熱酸化膜からなる第１の酸化シリコン上に有し、第１の酸化シリコンを第２の酸化シリコン上に有し、第２の酸化シリコンを表面上に有する単結晶シリコン基板を用いる半導体装置の作製方法であって、単結晶シリコン薄膜から複数の島状シリコン層を形成し、複数の島状シリコン層の側面に熱酸化により第３の酸化シリコン膜を形成し、複数の島状シリコン層上にポリシリコンでなるゲート電極を形成し、ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、複数の島状シリコン層にソース領域及びドレイン領域を形成し、ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域に金属膜を形成し、加熱してゲート電極、ソース領域、ドレイン領域にシリサイドを形成し、複数の島状シリコン層を覆って、層間絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトおよび配線形成時の合わせマージンがゼロであり、集積度を大幅に向上し、パターンレイアウトの自由度の拡大を可能とする薄膜半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板１０上に形成され、第１導電型の不純物を含むソース領域及びドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極１８、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された高融点金属と半導体との化合物からなる層、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜２９、及び前記ソース領域又はドレイン領域に接続された局所配線２８を具備し、前記局所配線２８は、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された前記化合物層と高融点金属層との２層構造、及び前記ソース領域又はドレイン領域の外側に形成された前記高融点金属層の延長からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、カバレッジ性の優れた所望のパターンを簡便に得ることのできる透明導電膜、表示装置、及びこれらの製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる透明導電膜（画素電極１８、ゲート端子パッド１９、及びソース端子パッド２０）は、２層以上の積層膜からなる透明導電膜であって、非晶質構造を有する第１透明導電膜（画素電極１８ａ、ゲート端子パッド１９ａ、及びソース端子パッド２０ａ）と、前記第１透明導電膜上に形成され、結晶質構造を有する第２透明導電膜（画素電極１８ｂ、ゲート端子パッド１９ｂ、及びソース端子パッド２０ｂ）と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】微細化ＴＦＴに適用が可能な低抵抗のソース・ドレイン構造を低温プロセスで形成可能な薄膜半導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１導電型の不純物を含むソース領域及び第１導電型の不純物を含むドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成され、側壁に絶縁膜からなるサイドウオールスペーサを有するゲート電極、及び前記ソース領域並びにドレイン領域上にそれぞれ６００℃以下の温度で固相成長された、第１導電型の不純物を含む積上げソース多結晶半導体層並びに第１導電型の不純物を含む積上げドレイン多結晶半導体層を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低電圧駆動用ＴＦＴ及び高電圧駆動用ＴＦＴがいずれも良好な特性を有する薄膜トランジスタ装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】低電圧駆動用ＴＦＴ及び高電圧駆動用ＴＦＴの動作層となるポリシリコン層２０３は、いずれもシリコン酸化膜２０５に覆われている。低電圧駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜はシリコン酸化膜２０５のみにより形成されている。また、上から見たときにゲート電極２０６ａのエッジと高濃度不純物領域２０３ａのエッジとが一致しており、ＬＤＤ領域は設けられていない。一方、高電圧駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜は、シリコン酸化膜２０４，２０５を積層して形成されている。また、上から見たときにゲート電極２０６ｂのエッジと高濃度不純物領域２０３ａとの間に、ＬＤＤ領域２０３ｂが設けられている。 （もっと読む）