【課題】表示パネルにおける光透過率を向上させることができる平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平板表示装置は、第１基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域を含む活性層と、活性層を含む第１基板上に形成されたゲート絶縁層と、チャネル領域上のゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を含むゲート絶縁層上に形成された第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜及びゲート絶縁層に形成されたコンタクトホールを介してソース領域及びドレイン領域の活性層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、第１層間絶縁膜とソース電極及びドレイン電極との間に介在する第２層間絶縁膜と、ソース電極及びドレイン電極を含む第１層間絶縁膜上に形成された保護層と、保護層に形成されたビアホールを介してソース電極またはドレイン電極に接続された画素電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】画像を具現することができ、ノートブックサイズ以下の大きさを持ち、開口率及び静電容量を高めることができる中小型液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１００と、前記第１基板１００の第１領域に形成される薄膜トランジスタと、前記第１基板１００の第２領域に形成されるストーリッジキャパシタとを備え、前記ストーリッジキャパシタの第１電極１６０及び第２電極１７０は、透明導電性物質で形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の結晶の不均一性を緩和し、薄膜トランジスタの動作特性を向上させることが可能な半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１０上に非晶質シリコン膜１５Ａおよび光熱変換層１６をこの順に形成する。光熱変換層１６を介して非晶質シリコン膜１５Ａに第１ビームＬ１を照射することにより非晶質シリコン膜１５Ａに高温過熱領域１１を形成する。同時に、第２ビームＬ２を照射することにより高温過熱領域１１の走査方向の前後に低温過熱領域１２（昇温領域１２Ａおよび徐冷領域１２Ｂ）を形成する。非晶質シリコン１５Ａでは、第１レーザＬ１の照射により結晶成長が始まり、第２レーザＬ２の照射により昇温、徐冷されるため、非晶質シリコン１５Ａの結晶化が緩やかに進行し、結晶粒径の不均一性が緩和される。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタをスイッチング素子として用い、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】加熱処理により脱水化または脱水素化され、表面にナノ結晶からなる微結晶群が形成された酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に非晶質で透光性のある酸化物導電層を用いてソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層上の酸化物導電層を選択的にエッチングすることで透光性のあるボトムゲート型のトランジスタを形成し、同一基板上に駆動回路部と画素部を設けた信頼性及び表示品質の高い半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１０６、及び画素電極１０５を有する複数の画素を有し、画素は、走査線として機能する第１の配線１０１に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配線１０１上にゲート絶縁膜１１３を介して設けられた酸化物半導体層１０３を有し、酸化物半導体層１０３は、第１の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、画素電極１０５と、酸化物半導体層１０３とが重畳して設けられる。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ又は該シフトレジスタを有する表示装置の消費電力を低減すること。
【解決手段】シフトレジスタは、クロック信号が１本の配線によって供給されるのではなく、複数の配線によって供給される。さらに、該複数の配線のいずれか一は、シフトレジスタの動作期間を通してクロック信号を供給するのではなく一部の期間においてのみクロック信号を供給する。そのため、クロック信号の供給に伴い駆動される容量負荷を低減することができる。その結果、シフトレジスタの消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】特性が向上された微結晶シリコン薄膜トランジスタと、それを備える表示装置、及び、それらの製造方法の提供。
【解決手段】微結晶シリコン薄膜トランジスタにおける微結晶シリコン半導体膜層における水素濃度を酸素濃度より大きくする。微結晶シリコン半導体膜層における酸素濃度に対する水素濃度の比は１．５倍以上が望ましい。 （もっと読む）

【課題】塗布形成により薄く、かつ深さ方向に焼結が進行した半導体膜を製造することができる半導体膜の製造方法、その方法により得られた半導体膜を有する半導体基板、及び該半導体基板を備えた電子部材を提供する。
【解決手段】基材上に、半導体微粒子分散体を含む塗布液を塗布又はパターン状に印刷して塗布液層を形成した後、この塗布液層を焼成処理して半導体膜を形成する半導体膜の製造方法であって、該半導体微粒子分散体が半導体微粒子とカルボン酸無水物類とを含み、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに該塗布液層を晒すことにより、該塗布液層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】導体パターンの形成時に生じる廃棄物の量を従来よりも大幅に低減して、歩留まりを高めることができると共に、少ない工程数で比抵抗の低い導体パターンを容易に大きな面積に形成することができる導電性ペーストを提供する。
【解決手段】導電性ペーストに関する。金属ナノワイヤと、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０〜２５０℃のバインダー樹脂とを含有する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、作製プロセスの簡略化のため使用するマスク枚数が減らされてきた。この様な従来のプロセスでは、ゲート信号線が液晶部（配向膜を含む）に直接接触するような構造をとることになり、ゲート信号電圧の影響による液晶部の劣化が問題となっていた。そこで、ゲート信号電圧の液晶部への影響を抑えることを課題とする。
【解決手段】ゲート信号線を絶縁膜で覆い、液晶部に直接触れないようにした。
その画素部の構成を図１に示す。上記絶縁膜を有する表示装置は、ゲート信号線とその上の絶縁膜を同時にパターニング形成することで、用いるマスクの枚数を増やすことなく作製することができる。
また、対向基板上にＢＭ層を作製する代わりにゲート信号線周辺をＢＭで覆い、このＢＭを上記絶縁層として用いることもできる。この際も使用マスクの枚数の増加はない。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気によ
る不良の発生を抑制する。
【解決手段】 本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接し
て、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成され
ていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の
周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パ
ターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピ
ッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマトリ
クス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられるゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられる第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上に接して設けられる第２の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層の第１の領域及び第２の酸化物半導体層の第１の領域と重なり、且つ第２の酸化物半導体層に接して設けられる酸化物絶縁層と、酸化物絶縁層上、第１の酸化物半導体層の第２の領域上、及び第２の酸化物半導体層の第２の領域と重なり、且つ第２の酸化物半導体層に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、第１の酸化物半導体層の第１の領域及び第２の酸化物半導体層の第１の領域は、ゲート電極層と重なる領域、並びに第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域である。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、該酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。また、チャネル保護層に重ならないようにソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層及びドレイン電極層上の絶縁層が酸化物半導体層と接する構成とする。 （もっと読む）

【課題】液晶パネルなどにおいて、取り出し端子とＦＰＣを接続するための異方性導電膜のコンタクトの信頼性を向上する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板上の接続配線１８３は端子部１８２において異方性導電膜１９５によって、ＦＰＣ１９１に電気的に接続される。接続配線１８３はアクティブマトリクス基板上のＴＦＴのソース／ドレイン配線と同じ工程で作製され、金属膜１４０と透明導電膜１４１の積層膜でなる。異方性導電膜１９５との接続部分において、接続配線１８３の側面は絶縁材料でなる保護膜１７３に覆われている。よって、接続配線の金属膜の側面は保護膜１７４で覆われているためこの部分において、金属膜は透明導電膜１４１、下地の絶縁膜１０９、保護膜１７４に接して囲まれ外気に触れることがない。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、走査線へ十分な振幅の信号を供給することができる半導体装置の提供を課題の一とする。また、消費電力を抑えつつ、走査線に供給する信号のなまりを抑制し、立ち上がり時間又は立ち下がり時間を短くすることができる半導体装置の提供を課題の一とする。
【解決手段】表示素子及び少なくとも１つの第１トランジスタをそれぞれ有する複数の画素と、複数の画素を選択するための信号を走査線に供給する走査線駆動回路とを有し、表示素子の画素電極層と、第１トランジスタのゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層と、走査線とは、透光性を有する導電膜を用いており、走査線駆動回路は、第２トランジスタと、第２トランジスタのゲート電極層とソース電極層の間の電圧を保持する容量素子と、を有しており、第２トランジスタのソース電極層は走査線に接続されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高い開口率を有し、安定した電気的特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。また、ゲート電極層、ソース電極層、及びドレイン電極層を透光性の導電膜を用いて作製し、開口率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】画素ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し、信頼性と生産性を向上させる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】画素領域に形成する画素ＴＦＴをチャネルエッチ型の逆スタガ型ＴＦＴで基板上に形成し、ソース領域及びドレイン領域のパターニングと画素電極のパターニングを同じフォトマスクで行う。また、ソース配線を画素電極と同じ材料である導電膜で覆い、基板全体を外部の静電気等から保護する構造とする。このような構成とすることで、製造工程において製造装置と絶縁体基板との摩擦による静電気の発生を防止することができる。特に、製造工程で行われる液晶配向処理のラビング時に発生する静電気からＴＦＴ等を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタのＬＤＤ領域を、テーパー部を有するゲート電極及びテーパー部を有するゲート絶縁膜に対応させて設ける。具体的には、第１のＬＤＤ領域はゲート電極のテーパー部の下に設けられ、第２のＬＤＤ領域はゲート絶縁膜のテーパー部の下に設けられる。 （もっと読む）

【課題】柔軟性及び屈曲性のさらなる向上を図るとともに、透明電極間の短絡や透明電極の腐食を防止し、製造コストを低減することができる表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置１０は、バックライトである光源３０側から、偏光板１１、透明電極１３、ＬＣＭＣ層１４、透明電極１５、偏光板１６が順次形成され、ＬＣＭＣ層１４は、液晶粒子をポリマーの膜で覆って形成されたＬＣＭＣ１４ａが、非水系のバインダーによって密着固定され、ＬＣＭＣ１４ａが複数の層に配列された構成を有し、透明電極１３及び１５は、導電性高分子を含む材料、ＩＴＯの分散液、カーボンナノチューブの分散液等の塗工材料で形成される構成を有する。 （もっと読む）