【課題】画素マトリクス、イメージセンサ、及びそれらを駆動するための周辺回路を有する、すなわち、撮像機能と表示機能とを兼ね備え、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と、第１の基板表面上の表示部及びセンサ部と、第１の基板表面に対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、第１の基板と第２の基板の間の液晶材料と、を有し、第１の基板の裏面には、カラーフィルターと、光学系と、光学系を取り付ける支持台とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールと、反射電極のための凹凸とが同時に形成された電気光学装置を提供する。
【解決手段】同一フォトマスクを用いたことにより、コンタクトホールと、反射電極のための凹凸とは同時に形成される。凹凸を形成するためのフォトマスクが有する遮光部又は透光部を上面から見ると、複数の円、複数の楕円、複数の正方形、複数の長方形が備えられており、これらは大きさが異なり、且つ互いの距離が異なる。 （もっと読む）

【課題】活性層として用いた酸化物薄膜の安定化と高品質化を実現した薄膜トランジスタをプラスチック基板上に搭載した薄膜トランジスタ搭載基板の製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１０の上又はその上方に活性層となるアモルファス酸化物薄膜１３を形成する工程と、少なくとも活性層となる部分のアモルファス酸化物薄膜１３に向けてパルスレーザー２０を照射する工程とを少なくとも有する。パルスレーザー２０の照射工程は、プラスチック基板１０に該プラスチック基板のガラス転移温度以上の温度を一定時間加えず、且つアモルファス酸化物薄膜１３をアモルファス相のままで所定の比抵抗に制御する工程である。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、ディスクリネーションを低減する。
【解決手段】第１及び第２の走査線と第１及び第２の信号線とによって囲まれた領域に設けられた第１の画素電極と、第２及び第３の走査線と第１及び第２の信号線とによって囲まれた領域に設けられた第２の画素電極と、第１及び第２の画素電極の上方に設けられた対向電極を有し、第１の画素電極は、中央で最大の面積を占める平坦面と、第１乃至第４の端部を有し、第１の端部は第１の走査線に沿って設けられ、第２の端部は第１の信号線に沿って設けられ、第３の端部は第２の走査線に沿って設けられ、第４の端部は第２の信号線に沿って設けられ、第２及び第４の端部は前記平坦面と同じ高さに設けられ、第１及び第３の端部は平坦面より０．５μｍ以上高く設けられた液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御にチャネルドープ法を用いて行う場合、活性層に不純物を導入するため、必然的にこの不純物起因のバルク結晶欠陥や、半導体層と絶縁層の界面凖位を生じさせてしまう。この結果、ＴＦＴ特性、特に電界効果型移動度を悪化させる原因となる。
【解決手段】基板上に形成された電極上に設けられた第１の絶縁層の応力と膜厚の積と、第１の絶縁層上に設けられた引張り応力を有する結晶質半導体膜からなる活性層の応力と膜厚の積と、活性層上に設けられた第２の絶縁層の応力と膜厚の積を適当な大きさに設定することでしきい値電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有するパネルを取り扱う際に、駆動回路が壊れることを低減する表示装置を提供することを目的の一とする。または、構造を簡略化した表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】走査線及び信号線が交差する表示部を有する可撓性の表示パネルと、可撓性の表示パネルの一端部を拘持する支持部と、支持部に設けられ信号線に信号を出力する信号線駆動回路と、表示パネルの可撓面に支持部と略垂直方向に配設され走査線に信号を出力する走査線駆動回路とを有する表示装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板３０１上にゲート電極３０３を形成し、ゲート電極３０３を覆ってゲート絶縁膜３０４を形成し、ゲート絶縁膜３０４上に酸化物半導体膜３０５を形成し、酸化物半導体膜３０５上に第１の導電膜３０６及び第２の導電膜３０７を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも加熱処理ＬＲＴＡにより結晶化した領域３０８を有する。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜１０２と、絶縁膜１０４と、半導体膜１０６と、不純物半導体膜１０８と、第２の導電膜１１０とを積層し、この上に多階調マスクを用いて凹部を有するレジストマスク１１２を形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、第１の導電膜１０２がエッチングされた膜１１３に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層１１６Ａを形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。半導体膜としては結晶性半導体膜１０６を用いる。 （もっと読む）

【課題】画像表示における視野角を改善し、液晶の配向乱れによる画質劣化を抑制する半透過型の液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁面上に絶縁膜を有する第１の領域と、絶縁面上に前記絶縁膜を有さない第２の領域とを有し、第１の領域において、絶縁膜上に第１の導電膜を有し、第２の領域において、絶縁面上に第２の導電膜を有し、第１の導電膜は、光を反射する機能を有し、第２の導電膜は、光を透過する機能を有し、第１の導電膜上に、及び、第２の導電膜上に、液晶層を有し、第１の領域において、絶縁膜は、第１の凸部と第２の凸部とを有し、絶縁膜の端部から第１の導電膜の端部までの距離が、絶縁膜の端部から第２の導電膜の第１の端部までの距離よりも長い領域を有し、第１の凸部と第２の凸部との間の凹部の底の位置から第１の凸部の頂上の位置までの高さが、絶縁面から凹部の底の位置までの高さよりも低い領域を有する液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を無機絶縁膜で覆うことなく加熱処理を行って酸化物半導体層が結晶化されると、結晶化による表面凹凸などが形成され、電気特性のバラツキが発生する恐れがある。
【解決手段】酸化物半導体層成膜直後から酸化物半導体層上に接して酸化シリコンを含む無機絶縁膜を形成する直前までの間に１回も加熱処理を行わず、基板上の酸化物半導体層上に接して第２の絶縁膜を形成した後に加熱処理を行うプロセス順序とする。また、酸化シリコンを含む無機絶縁膜において、膜中に含まれる水素密度は、５×１０^２０／ｃｍ^３以上、または窒素密度は、１×１０^１９／ｃｍ^３以上とする。 （もっと読む）

【課題】電極における線状電極部を精度良く残すとともに、開口部における残渣の発生を抑制することが可能な電気光学装置を提供すること。
【解決手段】共通電極における開口部４６（間隙部分）には、共通電極を形成する際に、絶縁層７６よりもＩＴＯ膜の結晶化を抑制させる物質からなる下地層４６が形成されている。つまり、下地層４６が形成された間隙となる部分におけるＩＴＯ膜の結晶粒子は、絶縁層７６上におけるＩＴＯ膜の結晶粒子よりも小さくなっている。よって、透明電極材料としてのＩＴＯ膜をエッチングする際に、間隙となる部分におけるエッチングレートは、絶縁層７６上におけるエッチングレートより高くなるため、下地層４６上のＩＴＯ膜を選択的に除去することができる。従って、電極における線状電極部を精度良く残すとともに、開口部における残渣の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電極とゲート配線を提供することを第１の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し、表示領域は、第１の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第２の薄膜トランジスタを有し、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】高精彩・高解像度・高画質・低消費電力の小型半導体表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体表示装置は、画素マトリクス回路、データ線駆動回路、および走査線駆動回路を有しており、これらの構成要素が多結晶ＴＦＴによって同一基板上に形成される。また、その製造方法における、触媒元素を用いた結晶性の助長化プロセス、および触媒元素のゲッタリングプロセスによって、小型にもかかわらず、高精細・高解像度・高画質の半導体表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】。画素トランジスターを構成する半導体膜と同層の半導体膜を保持容量電極として用いた場合でも、十分な容量値の保持容量を構成することのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、保持容量６０を構成するにあたって、画素トランジスター３０を構成する半導体膜１ａと同層の第１保持容量電極１ｆと、画素トランジスター３０のゲート電極と同層の第２保持容量電極３ｂとの間に、ゲート絶縁層２と同層の第１誘電体層２ａを介在させる。また、画素トランジスター３０のチャネル領域１ｇと平面的に重ならない領域において、第１保持容量電極１ｆの下面に第２誘電体層１５を介して第３保持容量電極４ａを対向させる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスによるコスト増を抑えつつ、必要なオン電流を確保しながらオフ電流を抑制した薄膜トランジスタを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に積層されるドレイン電極ＤＴ及びソース電極ＳＴと、ゲート電極ＧＴの上側でドレイン電極ＤＴ及びソース電極ＳＴの下側に積層される半導体膜Ｓと、半導体膜Ｓの上側に接してテーパ状に形成されて、半導体膜Ｓのドレイン電極ＤＴの側の第１端部ＤＲとソース電極ＳＴ側の第２端部ＳＲを露出させる絶縁膜ＥＳを含み、ドレイン電極ＤＴは、絶縁膜ＥＳの一部に跨って第１端部ＤＲを上側から覆うように配置され、ソース電極ＳＴは、絶縁膜ＥＳの一部に跨って第２端部ＳＲを上側から覆うように配置され、半導体膜Ｓとゲート電極ＧＴは、第１端部ＤＲから所定間隔を離された領域において平面的に重複する、ことを特徴とする薄膜トランジスタＴＦＴを有した表示装置。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を主とした透明導電膜、該透明導電膜の製造方法、および該透明導電膜を含むデバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電膜１６は、基材１２上に成膜された、添加金属元素を含む金属酸化物の非晶質の前駆体膜１４に対し、高周波電界中で希ガスを主として含むガスのプラズマに暴露し、かつ還元条件下での改質処理を施すことにより得られる。
本発明では、非晶質の前駆体膜１４をプラズマに暴露させた後、還元雰囲気下でアニール処理を施すことによって還元条件下での改質処理を行うことができる。本発明では、上記金属酸化物は、チタンを主とする金属元素とし、ニオブを前記添加金属元素とする酸化物とすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、情報機器等の表示部に用いられ、輝度が高く表示特性の良好な表示装置が得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】各画素は左右方向に延びるゲートバスライン２５と、上下方向に延びるドレインバスライン２６とで画定されている。各バスライン２５、２６の交差位置近傍にはＴＦＴが形成され、その上部にＴＦＴを遮光する樹脂重ね部３２が形成されている。ＴＦＴ基板８に対向して配置される共通電極基板上にはＢＭが形成されず、基板ＴＦＴ基板８に形成された各バスライン２５、２６及び樹脂重ね部３２がＢＭの機能を奏するようになっている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子形成後の基板の反りを抑制して歩留りよく電気光学装置を製造可能な電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置の製造方法としての液晶装置の製造方法は、半導体素子が形成される前の基板を熱処理する熱処理工程（ステップＳ１）と、熱処理後の基板の反りによる凸面が一定の方向に向くように基板を再配置する配置工程（ステップＳ２）と、上記凸面側に半導体素子を形成する素子形成工程（ステップＳ３）と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）