【課題】薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良することにより、配線抵抗を減らす。
【解決手段】酸化珪素膜上の第１及び第２のシリサイド、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する結晶性珪素膜と、チャネル形成領域上のゲイト絶縁膜と、ゲイト絶縁膜上のゲイト電極と、ゲイト電極の側面に設けられた側壁と、第１のシリサイドに接して設けられた第１の金属配線と、第２のシリサイドに接して設けられた第２の金属配線と、を有し、第１のシリサイドは、ソース領域の上面の一部及び側面に設けられ、第２のシリサイドは、ドレイン領域の上面の一部及び側面に設けられ、第１の金属配線と第２の金属配線は同一金属膜をエッチングして形成された構造であり、第１及び第２のシリサイドは、金属膜に用いられる金属を用いて形成されたシリサイドである。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置において、入力された画像信号中やこれに基づいて生成されるデータ信号中の高周波のクロックノイズの発生を低減する。
【解決手段】液晶装置（２００）は、一対の基板間に挟持された液晶層と、基板（１）にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備える。画像信号線（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）をクロック信号線（ＣＬＸ、ＣＬＸ’）から電気的にシールドする定電位のシールド線（８０、８２）が基板上に配線されている。 （もっと読む）

【課題】工程を簡素化することが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１３の上に、チャネル形成予定領域３１Ａ、ソース電極形成予定領域３２ＳＡおよびドレイン電極形成予定領域３２ＤＡを含む形状の酸化物半導体膜３０を、その全体がチャネル形成予定領域３１Ａのキャリア密度と同じキャリア密度を有するように形成する。チャネル形成予定領域３１Ａの上に、伝熱を抑えるマスク３３を形成し、酸化物半導体膜３０を大気中で１００℃以上２００℃以下の温度で加熱する。チャネル形成予定領域３１Ａは、マスク３３により伝熱が抑えられ、加熱前のキャリア密度が維持されたチャネル領域となる。一方、酸化物半導体膜３０のマスク３３で覆われていない領域は、加熱により酸素欠損などが生じて、高キャリア密度・低抵抗のソース電極領域およびドレイン電極領域となる。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を伴うことなく、結晶の異方性が異なる複数の領域を有する結晶化半導体膜を形成することができる結晶化半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザビーム６を走査している最中に、レーザビーム６の単位時間当たりの照射量を複数の領域３・４・５に応じた照射量に連続して変えることにより、結晶の異方性の異なる複数の領域３・４・５からなる結晶化半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体にチャネル形成領域を設ける薄膜トランジスタで構成された駆動回路を有する表示装置において、回路が占める面積を大きくすることなく、薄膜トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減し、且つ薄膜トランジスタをオフにした際にソースとドレインの間を流れる電流を低減する。
【解決手段】複数のインバータ回路及び複数のスイッチを有し、インバータ回路は、第１の酸化物半導体膜を有する第１の薄膜トランジスタと、第２の酸化物半導体膜を有する第２のトランジスタと、を有し、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタは、エンハンスメント型であり、第１の酸化物半導体膜及び第２の酸化物半導体膜上に接してＯＨ基を有する酸化珪素膜が設けられ、酸化珪素膜上に接して窒化珪素膜が設ける。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極とドレイン電極間に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑える構造及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ソース電極及びドレイン電極上に酸化物半導体層を有するボトムゲート型の薄膜トランジスタとし、酸化物半導体層と接するソース電極の側面の角度θ１及びドレイン電極の側面の角度θ２を２０°以上９０°未満とすることで、ソース電極及びドレイン電極の側面における電極上端から電極下端までの距離を大きくする。 （もっと読む）

【課題】半導体層をゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層上に設ける場合であっても、素子特性を向上させると共に、素子の信頼性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層を介してゲート電極層の一部と重なるように設けられたソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層上に設けられた半導体層を有する構造において、ソース電極層とドレイン電極層の間の領域に位置するゲート絶縁層の膜厚を、ゲート電極層とソース電極層の間に設けられたゲート絶縁層及びゲート電極層とドレイン電極層の間に設けられたゲート絶縁層の膜厚より小さくなるように設ける。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電気特性の信頼性を高めることが可能な薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供する。また、画質を向上させることが可能な表示装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に形成される配線と、ゲート電極に重畳し、且つゲート絶縁層及び配線上に形成される酸化物半導体層と、酸化物半導体層に接する有機絶縁層とを有する薄膜トランジスタである （もっと読む）

【課題】オフリーク電流を低減させた薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。
【解決手段】表示部が形成される基板上に薄膜トランジスタが形成されている表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を被って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上面に、平面的に観て前記ゲート電極からはみ出すことなく、前記ゲート電極に重畳して形成された島状の半導体層と、前記半導体層を被って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された一対のスルーホールのそれぞれを通して前記半導体層と電気的に接続された一対の電極とを備え、
前記半導体層は、結晶性半導体層と非晶質半導体層の順次積層体からなり、前記電極のそれぞれは、不純物がドープされた半導体層と金属層の順次積層体からなっている。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】表示領域の周辺にＣＭＯＳＴＦＴ用いて駆動回路を形成した表示装置において、ＣＭＯＳＴＦＴを構成するＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化させる。
【解決手段】ＣＭＯＳＴＦＴにおける右側のＰＭＯＳＴＦＴにおいて、Ｎ型のチャネル領域８とチャネル幅方向周辺にＰ型領域７ｂが形成されている。Ｐ型であるソース領域１４において、第１のＮ型領域１２ｂをチャネル領域のＰ型領域７ｂに接して形成し、第１のＮ型領域１２ｂに接してそれよりも不純物密度の大きい第２のＮ型領域１１ａを形成する。第１および第２のＮ型領域とＰ型であるソース領域１４に形成されるＰＮ接合によってチャネル部周辺のＰ型領域７ｂを通過する電流を抑制し、ＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化する。 （もっと読む）

【課題】、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０ｔの製造工程では、電界効果型トランジスタ３０ｎの能動層となるシリコン膜１ｓを結晶化させた後、シリコン膜１ｓに酸素プラズマ照射ＯＰを行う酸素プラズマ照射工程と、酸素プラズマ照射工程によりシリコン膜１ｓに形成された表面酸化物１ｒを除去する表面酸化物除去工程とを行う。その後、シリコン膜１ｓをパターニングする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上で上側導電膜にドライエッチングを行って開口パターンを形成する場合でも、開口パターンと重なる領域に適正な膜厚の絶縁膜を残すことのできる電気的固体装置の製造方法、電気的固体装置、および該電気的固体装置を素子基板として備えた液晶装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板の製造工程において、スリット７ｂを備えた透光性の画素電極７ａを絶縁膜８上に形成するにあたって、上側導電膜７の上にレジストマスク９６を形成した後、ドライエッチングを行なう。絶縁膜８については必要膜厚よりも厚く形成しておき、ドライエッチングの際、絶縁膜８に有底の凹部８ａを形成する。その結果、凹部８ａの底部８ｂに、必要膜厚の絶縁膜８を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０上に走査線３ａなどの配線を形成するにあたって、ネオジウムを２ａｔｍ％未満含有するアルミニウム合金膜を用いるとともに、走査線３ａの上面および側面を酸化して表面保護膜３１ａを形成する。このため、走査線３ａは、耐ヒロック性が高いとともに、表面保護膜３１ａ、３１ｅによってアルカリ性の剥離液から保護される。 （もっと読む）

【課題】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層上にＩＧＺＯ半導体層を設け、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート絶縁層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりも酸素濃度の低いソース領域及びドレイン領域を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の大きさばらつきを低減し、均質な半導体膜を提供することを目的の一とする。又は、均質な半導体膜を提供すると共に、低コスト化を図ることを目的の一とする。
【解決手段】非晶質半導体膜を形成したガラス基板を、結晶化に必要な温度以上の処理雰囲気内に導入することにより、処理雰囲気からの熱伝導による急速加熱を行って、非晶質半導体膜を結晶化させる。より具体的には、例えば、あらかじめ処理雰囲気の温度を結晶化に必要な温度まで上昇させた後、半導体膜が形成された基板を上記処理雰囲気に投入する。 （もっと読む）

【課題】
良好な特性を有するスタガ型の多結晶Ｓｉ−ＴＦＴ構造と、ディスプレイの大型化に有利な低抵抗配線構造を両立でき、低コストで高画質の表示装置を提供する。
【解決手段】
マトリックス状に配置された複数の画素を駆動するＴＦＴをスタガ型の多結晶Ｓｉ−ＴＦＴで構成し、該ＴＦＴのチャネルを形成する多結晶Ｓｉ層４より下層に位置する電極配線２を、希土類元素を添加元素として含むＡｌ合金からなる第一の合金層２ａと、希土類元素と高融点金属とＡｌとの合金からなり、前記第一の層の上層に位置する第二の合金層２ｂとの積層構造とすることで、多結晶Ｓｉ形成時の高温に耐え得る低抵抗配線構成とした。 （もっと読む）

【課題】金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つである。
【解決手段】酸化物半導体膜とソース電極及びドレイン電極の間に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下のサイズの結晶粒を有し、チャネル形成領域となる酸化物半導体膜よりキャリア濃度が高い酸素欠乏酸化物半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能な半導体装置を低コストで提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ＴＦＴ１００Ｐと、上部電極３０３と下部電極３０２とを有する蓄積容量１０３と、ＴＦＴ−下部電極間に形成された第１の層間絶縁膜（第１層間絶縁膜２２１）と、上部電極上に形成された第２の層間絶縁膜（第３層間絶縁膜２２３）と、第２の層間絶縁膜上に形成されたソース電極４０３及びドレイン電極（第１ドレイン電極４０２）とを含み、ソース電極は、第１、第２層間絶縁膜を貫通する第１のコンタクトホール５５１を介してＴＦＴのソース領域に、ドレイン電極は、第１、第２層間絶縁膜を貫通する第２のコンタクトホール５５２を介してＴＦＴのドレイン領域に接続され、下部電極は、第２層間絶縁膜を貫通する第３のコンタクトホール５５３を介してドレイン電極に接続されている。 （もっと読む）

【課題】オン電流とオフ電流の適正化を図った薄膜トランジスタを備えた表示装置及びその製造方法を提案することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極ＧＴと、チャネル領域と、チャネル領域を挟む領域に形成される２つの不純物領域とを含んで、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴ間の電流を制御する半導体膜Ｓと、ソース電極ＳＴ等と２つの不純物領域との間に介在する２つのオーミックコンタクト層ＤＳと、半導体膜Ｓの略中心となる位置を中心とする一部の領域に積層される絶縁膜ＥＳと、を含み、半導体膜Ｓは、微結晶シリコン又は多結晶シリコンを含んで形成され、２つの不純物領域は、絶縁膜ＥＳが形成されない領域に形成され、２つのオーミックコンタクト層ＤＳは、２つの不純物領域を覆うように形成され、ソース電極ＳＴ等は、オーミックコンタクト層ＤＳを覆うように形成される、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）