【課題】電極数が多く、かつ、その電極の配置間隔が狭い電子デバイスを他の電子デバイスに実装する際、簡便に行うことが可能な中継部材及び接続方法を提供する。
【解決手段】中継部材は、複数の第１電極部を有する第１電子デバイスと、複数の第２電極部を有する第２電子デバイスとを電気的に接続する。中継部材は、第１電極部に接続される複数の入力電極部と、所定ピッチで周期的に配置される複数の第２電極部に接続される複数の出力電極部とを有し、複数の出力電極部は、ｎ個のグループに分類され、複数の出力電極部は、所定ピッチの略１／ｎのピッチで周期的に配置され、一のグループに属する出力電極部は、他のグループに属する出力電極部と隣接するように周期的に配置されるとともに、グループごとに異なるように設定された接続位置のうちのいずれか一つに配置された入力電極部に連結されている。 （もっと読む）

【課題】画素電極の電圧が保持され、画質が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基材１１０上で半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記チャネル領域を制御するゲート電極１４０と、前記ドレイン電極１３０と接続され液晶材料を駆動する画素電極１９０と、を複数有するアクティブマトリクス基板において、複数の前記画素電極１９０の間の空間に配された無機絶縁膜１９５と、前記画素電極１９０とは接触せずに、前記無機絶縁膜１９５と接触するようにして配された遮光膜２００と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像形成層上に、容易且つ迅速にパターン形成できる方法で導体パターンを形成するディスプレイ・デバイスを提供する。
【解決手段】ディスプレイ・デバイス１０は、基板１５と、基板上に形成した第１の透明導電性層２０と、第１の透明導電性層上のコレステリック液晶光変調層３０と、コレステリック液晶光変調層上に形成した第２の導電性層４０とを含んでなるディスプレイ・デバイスであって、前記第２の導電性層４０が銀をベースにするＵＶ硬化性の導電性層である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の側面からの酸素の脱離を防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）が十分に少なく、ソースとドレインの間のリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に対して第１の加熱処理を施した後に該酸化物半導体膜を加工して酸化物半導体層を形成し、その直後に該酸化物半導体層の側壁を絶縁性酸化物で覆い、第２の加熱処理を施すことで、酸化物半導体層の側面が真空に曝されることを防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）を少なくして半導体装置を作製する。該半導体装置はＴＧＢＣ（Ｔｏｐ Ｇａｔｅ Ｂｏｔｔｏｍ Ｃｏｎｔａｃｔ）構造とする。 （もっと読む）

【課題】２層構造の反射型カラー液晶表示素子の表示の明るさの改善。
【解決手段】第１液晶領域36および第２液晶領域37が交互に配置された第１液晶層と、第１液晶層に積層され、第３液晶領域38および第４液晶領域39が交互に配置された第２液晶層と、を備え、１画素あたりの面積が、第１液晶領域が第２液晶領域よりも大きく、且つ、第３液晶領域が第４の液晶領域よりも大きく、第１液晶領域は、第３液晶領域の一部および第４液晶領域に重なり、第１液晶領域36は、印加電圧に応じて第１波長帯域の光の反射率が変化し、第２液晶領域37は、印加電圧に応じて第２波長帯域の光の反射率が変化し、第３液晶領域38は、印加電圧に応じて第３波長帯域の光の反射率が変化し、第４液晶領域39は、印加電圧に応じて第４波長帯域の光の反射率が変化し、第１から第４波長帯域は、いずれも、その帯域が他と異なる反射型カラー液晶表示素子。 （もっと読む）

【課題】情報表示器に設けられるコネクターの厚みおよび配置位置による弊害を排除し、携帯性および情報表示器の着脱性を向上させた情報表示器及びこれを含む情報表示システムを提供する。
【解決手段】２枚の基板を、スペーサーを介して対向させ、当該基板間に配置した表示媒体を電気的に制御して駆動させて情報を表示する情報表示用パネルを有する情報表示器であって、外部との電気的な接続を担う平板状のコネクターが、前記情報表示用パネルから突出して設けられている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを用いて、高速動作が可能で、信頼性も高い半導体装置を歩留まりよく作製する。
【解決手段】絶縁膜上にマスクを形成し、該マスクを微細化する。微細化されたマスクを用いて凸部を有する絶縁層を形成し、これを用いて、微細なチャネル長（Ｌ）を有するトランジスタを形成する。また、トランジスタを作製する際に、微細化された凸部の上面と重なるゲート絶縁膜の表面に平坦化処理を行う。これにより、トランジスタの高速化を達成しつつ、信頼性を向上させることが可能となる。また、絶縁膜を凸部を有する形状とすることで、自己整合的にソース電極及びドレイン電極を形成することができ、製造工程の簡略化、また生産性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】光劣化を極力抑制し、電気特性が安定したトランジスタ及び該トランジスタを含む半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トランジスタを形成する為に用いられる膜によって光が反射し、多重干渉が起きていることに着目し、当該反射を起こす膜の光学的膜厚を概略λ_０／４の奇数倍もしくは偶数倍とすることで、当該膜のトランジスタに対する機能を損ねずに、酸化物半導体が吸収する波長領域の光の反射率を高めることで、酸化物半導体に吸収される光の量を低減させ、光劣化の低減効果を高める。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の低い半導体装置などを提供することを課題とする。または、正確な表示を行う半導体装置などを提供することを課題とする。または、視野角の広い表示装置などを提供することを課題とする。または、画面の焼き付きを低減した表示装置などを提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、酸化物半導体（ＯＳ：オキサイドセミコンダクター）を有するトランジスタ、特に、酸化物半導体を有する薄膜ＭＯＳトランジスタを用いて、回路を構成する。その酸化物半導体は、実質的に真性な半導体となっている。そのため、非常にオフ電流が低い。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減させ、より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、第１の電極層（画素電極層）上に第１の壁状構造体、同様に第２の電極層（共通電極層）上に第２の壁状構造体を設け、これらを誘電体膜で被覆する構成とする。誘電体膜は、第１の壁状構造体及び第２の壁状構造体及び液晶層に用いられる液晶材料の誘電率より高い誘電率を有する絶縁体であり、液晶層に突出するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構
造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を
提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加
熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理
回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジス
タを配置する。 （もっと読む）

【課題】単位面積当たりの容量を増大させる積層構造を設けた補助容量を用いて、補助容
量と保持容量の比をリーク電流の量が最小になるように設定し、液晶素子に印加される電
位の変動を抑制する。
【解決手段】ソース電極及びドレイン電極の一方がデータ線１０３と接続される第１トラ
ンジスタ４０１と、ソース電極及びドレイン電極の一方が第１トランジスタ４０１と接続
され、ソース電極及びドレイン電極の他方が第１ノードと接続される第２トランジスタ４
０２と、第１トランジスタ４０１と第２トランジスタ４０２とが接続されるノードに接続
される補助容量Ｃｓと、第１ノードに接続された液晶素子４１０と、第１ノードに接続さ
れた保持容量Ｃｈとを具備し、第１トランジスタ４０１及び第２トランジスタ４０２をオ
フ状態にしたとき、第１ノードの電位の変化量が最小となるように、補助容量Ｃｓの容量
値と保持容量Ｃｈの容量値との比を定める。 （もっと読む）

【課題】本発明における第1の光吸収層に相当する層の、３４０ｎｍ以上４３０ｎｍ以下の波長領域内の少なくとも１部の波長の光における吸光度が１未満である場合に比べて、液晶層の液晶が反射状態とされたときの反射率と、液晶層の液晶が透過状態とされたときの反射率と、の差の減少が抑制された表示媒体、書込装置、及び表示装置を提供する。
【解決手段】表示媒体１１が、基板１２、電極１６、液晶層２０Ｂ及び液晶層２０Ｇの積層体２１、遮光層２２Ｒ、光導電層２４Ｒ、電極１７、基板、電極１８、光導電層２０Ｒ、遮光層２２Ｃ、光導電層２６Ｃ、電極１９、及び基板１４を、この順に設けた構成とされ、遮光層２２Ｒが、青色及び緑色の波長領域の光のうちの予め定められた第１の波長領域の光、及び３４０ｎｍ以上４３０ｎｍ以下の全波長領域の光に対する吸光度が１以上とされている。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、操作子によって指し示された位置に応じた領域を示す画像を表示媒体に記録する前に、この画像が記録される領域を表示媒体上に表示することである。
【解決手段】記録装置は、２種類の光を照射する光照射部を有する。記録装置は、光記録型の表示媒体に対して、電圧を印加しないように電圧印加部を制御し、位置検出装置から取得した位置信号に応じて表示媒体を透過する第１の光を表示媒体に対して照射するように光照射部を制御する。その後に、記憶部に記憶されている位置信号に応じて表示媒体に画像を記録させるように電圧印加部に電圧を印加させ光照射部に第２の光を照射させるように制御する。 （もっと読む）

【課題】液晶による光の反射および透過により画像を表示する表示媒体であって、既に反射状態の部分と透過状態の部分とが存在する表示媒体に対して画像を書き込む際、液晶に後述する第１電圧以上の電圧が印加されても反射状態の部分を維持しつつ、後述する第２電圧以上が印加された液晶については、状態を透過状態から反射状態に変更することを可能にする。
【解決手段】赤色の光を反射するコレステリック液晶を有する表示層について部分的にコレステリック液晶の配向状態をプレーナ相にする場合には、表示層全体にＶ１の電圧を印加しつつ、プレーナ相にする部分に光を照射し、プレーナ相にする部分に掛かる電圧をＶ２にする。電圧の印加時間は、フォーカルコニック相からプレーナ相へ遷移させるのに必要な時間以上であり、プレーナ相からフォーカルコニック相へ遷移させるのに必要な時間未満とする。 （もっと読む）

【課題】光吸収層と光導電層との層間に、光導電層側から順に非水溶性樹脂層と水溶性樹脂層とがこの順に設けられていない場合に比べて、液晶層の液晶を反射状態とするための電圧が印加されたときの反射率を、液晶層の液晶を透過状態とするための電圧が印加されたときの反射率で、割った値が大きい表示媒体、書込装置、表示装置、及び表示媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】表示媒体１２を、基板１３、電極１５、液晶層１７、接着層３２、光吸収層１９、非水溶性樹脂層１８、水溶性樹脂層２１、光導電層２０、電極２２、及び基板２４が、この順に設けられた積層体として構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、記録装置が表示媒体に対して光を照射する時間を短縮し、消費電力を削減することにある。
【解決手段】記録装置は、液晶層および感光層の積層を有し印加される電圧および照射される光に応じた画像が記録される光記録型の表示媒体に対して電圧印加部を制御して電圧を印加し、電圧を印加している間に光照射装置を制御して表示媒体に対して光を照射することで表示媒体に画像を記録する。記録装置は、電圧印加部および光照射装置を制御し、液晶層および感光層の積層が容量分圧比から抵抗分圧比へ移行する期間に応じて表示媒体を露光する。 （もっと読む）

【課題】光記録型の表示媒体に画像を記録する場合において、表示媒体に表示される画像のコントラストの低下を抑制すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る記録装置は、光記録型の表示媒体に対して、指示体の指示に応じた画像を記録するときに印加する電圧について、電圧の印加開始、印加停止のときの電圧値が変化する時間を制御して、液晶層に分圧される電圧により生じる電界の立ち上がり時のピーク、立ち下がり時のピークを小さくする。これにより、既に記録されている画像のコントラストの低下を抑制する。 （もっと読む）

【課題】電圧の印加時間が各々異なる直流電圧が液晶を有する表示層に印加されても、表示層の反射状態を変えずに、表示層におけるイオンの偏在を抑える。
【解決手段】スタイラスペンがタッチパネル２００に触れると、スタイラスペンの触れた位置の下方にあるコレステリック液晶の配向状態をフォーカルコニック相にするため、スタイラスペンが触れている間に正極性の直流電圧を導電層２０２Ａ〜２０２Ｄに印加する。スタイラスペンが離れると、正極性の直流電圧の印加が終了してから一定時間が経過した後、負極性の直流電圧を導電層２０２Ａ〜２０２Ｄに印加する。負極性の直流電圧を印加する際には、負極性の直流電圧の電圧値と印加時間の積が正極性の直流電圧の電圧値と印加時間の積と同じとなるように印加時間を制御する。 （もっと読む）