【解決手段】透明基板と、遷移金属、ケイ素、窒素及び酸素を含有する材料からなるハーフトーン位相シフト膜パターンとを有し、ハーフトーン位相シフト膜パターンの組成が、遷移金属とケイ素との原子比（Ｍｅｔ／Ｓｉ）が０．１８以上０．２５以下、窒素含有率が２５原子％以上５０原子％以下、かつ酸素含有率が５原子％以上２０原子％以下であり、累積１０ｋＪ／ｃｍ²以上のＡｒＦエキシマレーザー光が照射されたハーフトーン位相シフトマスクを用い、ＡｒＦエキシマレーザー光を光源として、光パターンを照射する。
【効果】従来と比べて、光パターンの大幅なパターン寸法変動劣化なしに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を長時間実施することができる。 （もっと読む）

【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥（凹状欠陥、凸状欠陥）を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド２１，１１が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤２０と下定盤１０との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側２０より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも１以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤２０側にセットして行う。 （もっと読む）

【課題】ＥＭＦバイアスが低減された遮光膜であり、転写マスク作製に係る様々な負荷が
大きく軽減される。さらに、重ね露光による漏れ光によって、ウェハ上のレジスト膜が露
光することを抑制できるだけの光学濃度を遮光膜に確保するという条件も同時に満たすこ
とができる転写用マスクを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
ＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光光が用いられる露光装置にバイナリ型の転写用マスクをセットし、半導体ウェハ上のレジスト膜に対して転写パターンの露光転写を行う工程を有する半導体デバイスの製造方法であって、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、転写パターンを備えた遮光膜を有してなり、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が２．８以上であり、
前記遮光膜は、前記露光光に対する表面反射率が５０％未満であり、
前記遮光膜を透過した前記露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した前記露光光との間での位相差が３０度以下である
ことを特徴する半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によって形成する成膜方法において、従来より均一な膜厚を形成する。
【解決手段】基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法であって、スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを１軸の圧延方向に圧延したものであり、前記薄膜が、前記基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜され、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面が、前記基板の被成膜面と対向し、かつ前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記基板の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置される、成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子照射による欠陥修正技術を好適に適用できるとともに、電磁界（EMF: ElectroMagnetics Field）効果に起因するバイアスを小さくすることのできるマスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランク１０であって、遮光膜２は、透光性基板側から下層と上層の少なくとも二層構造からなり、前記下層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、かつ窒素含有量が２１原子％以上であり、かつ屈折率ｎが１．９以下である材料からなり、前記上層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、屈折率ｎが２．１以下である材料からなり、前記上層の表層は、酸素を含有しており、窒素含有量が１４原子％以上であることを特徴とするマスクブランク１０。 （もっと読む）

【解決手段】遷移金属と、ケイ素と、酸素及び窒素とを含有し、４×Ｃ_Si／１００−６×Ｃ_M／１００＞１（式中、Ｃ_Siはケイ素の含有率（原子％）、Ｃ_Mは遷移金属の含有率（原子％）を示す）を満たす遷移金属ケイ素系材料で構成され、酸素を３原子％以上含有する遷移金属ケイ素系材料膜を有するフォトマスクブランク。
【効果】遷移金属ケイ素系材料で形成されたハーフトーン位相シフト膜や遮光膜などにおいて、ＡｒＦエキシマレーザー光等の高エネルギー光の累積照射によるＭｏＳｉ系材料膜等の遷移金属ケイ素系材料膜の変質を伴うパターン寸法変動劣化が大きく抑制され、従来と比べて高エネルギー光の照射が累積した場合であっても、露光装置のパターン露光条件を変更せずに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を実施することができる。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に、基板側組成傾斜層及び表面側組成傾斜層を有し、膜厚が３５〜６０ｎｍであり、遷移金属と窒素及び／又は酸素とを含むケイ素材料で構成された遮光膜を有し、基板側組成傾斜層が、層厚が１０〜５８．５ｎｍ、遷移金属：ケイ素が１：２〜１：９（原子比）、透明基板側の窒素と酸素の合計が２５〜４０原子％、透明基板から離間する側の窒素と酸素の合計が１０〜２３原子％であり、表面側組成傾斜層が、層厚が１．５〜８ｎｍ、遷移金属：ケイ素が１：２〜１：９、透明基板側の窒素と酸素の合計が１０〜４５原子％、透明基板から離間する側の窒素と酸素の合計が４５〜５５原子％であるバイナリーフォトマスクブランク。
【効果】本発明のバイナリーフォトマスクブランクは、露光光を十分に遮光できる、より薄膜の遮光膜を備え、基板の両面の反射率を実用上問題にならない程度に十分に低減することにより、ゴーストパターンが抑制される。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上に微細パターン、特にハーフピッチ４５ｎｍ以下の細密パターンを形成するための半導体素子のフォトリソグラフィ工程において、露光裕度を向上させることができるバイナリ型のフォトマスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、定数ｋ₁が０．５４５以下であり、瞳フィルタを用いた変形照明により液浸露光するフォトリソグラフィ技術に用いられるフォトマスクにおいて、該フォトマスクが透明基板上に露光光を遮光する遮光膜でマスクパターンを形成したバイナリ型のフォトマスクであって、前記マスクパターンのエッジの形状がテーパー状に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同種の基板の基板搬送方向と交差方向にオフセットした位置に光を照射する場合にも、移動中の基板に対する追従性を良好にする。
【解決手段】基板の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで形成され、光を通過させる複数のマスクパターン２と、基板上に設けられた複数のパターンの基板搬送方向と交差方向の配列ピッチの整数倍に等しい間隔を有して基板搬送方向に平行に形成された一対の細線４ａ，４ｂを備えた構造をなし、複数のマスクパターン２に対して基板搬送方向と反対側の位置に基板搬送方向に相互に一定距離はなれて配置されると共に、一対の細線４ａ，４ｂ間に予め設定された基準位置が基板搬送方向と交差する方向に予め定められた距離だけ相互にずれた状態に形成された複数のアライメントマーク４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】露光用マスクの成長性異物による汚染を管理するためのマスクやウェハの検査が不要であり、マスクの履歴に依存せずに汎用性があり、マスク製造や検査のための時間・コストが増大せず、常に清浄な状態でマスクを使用できるように運用する露光用マスクの管理方法に基づき、成長性異物による汚染が生じない露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光用マスクを使用する環境において、前記環境中の実測した硫酸イオン濃度と、前記露光用マスク表面に吸着する最大硫酸イオン吸着量と、前記露光用マスク表面に前記異物が発生する前記露光用マスク表面に存在する硫酸イオン量の閾値とから、一定時間経過後の前記露光用マスク表面の硫酸イオン吸着量が算出され、前記異物が発生しない使用期限が設定された露光用マスクを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリカを用いてガラス基板の鏡面研磨を行っても基板表面に微小な凸状の表面欠陥が発生するのを抑えたマスクブランクス用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリカを含むスラリーを供給しながら、研磨パッド７とガラス基板１とを相対的に移動させてガラス基板１の主表面を鏡面に研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板１の製造方法である。ここで、前記ガラス基板１に供給する前記スラリーの温度を２５℃以下に制御する。 （もっと読む）

【課題】遷移金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長２００ｎｍ以下の露光光に対する耐光性を向上させた転写用マスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に設けられたパターン形成用薄膜に転写パターンが形成されてなる転写用マスクにおいて、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、クロムを除く遷移金属およびケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜と、クロムを含有する材料からなるクロム系薄膜が順に積層したマスクブランクを用いて作製され、
前記パターン形成用薄膜は、膜中のクロム含有量が、１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダブル露光技術への対応に適したバイナリ型マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクセットを提供する。
【解決手段】ＡｒＦ露光光が適用されるバイナリ型の転写用マスクを作製するために用いられるマスクブランクであって、
透光性基板１上に、基板側から、転写パターンを形成するための遮光膜１０と、該遮光膜との積層構造で遮光帯を形成するための補助遮光膜２０とを順に備え、
前記遮光膜１０の光学濃度が２．５以上３．１以下であり、かつ、前記補助遮光膜２０の光学濃度が０．５以上である、
ことを特徴とするマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】メンブレンの微小なホールの領域が梁によって阻害されない、また露光時の蓄熱に起因したメンブレンの熱たわみや位置ずれ等の発生を抑止あるいは解消することのできる荷電粒子線露光用マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】パターニングされたメンブレン領域を有する上側ウエハと、パターニングされたメンブレン領域を有する下側ウエハと、上側ウエハと下側ウエハとが接合された２層構造であることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。 （もっと読む）

【課題】 エッチング率が異なる多数の反射膜を効果的にパターニングして精度を向上させることができるレーザ反射型マスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 レーザビームの反射領域に所定の深さの反射膜埋め込み溝が形成されているベース基板の上部に、反射率差を有する反射膜を順次繰返して積層し、化学機械研磨工程や、レーザビームの照射またはエッチング液によるリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた部分を除いた残りの領域に積層された反射膜を除去し、溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成することにより、マスクの製造工程を容易にすると共に、正確なパターンを形成することができるレーザ反射型マスク及びその製造方法に関する。また、ベース基板の上部に犠牲膜を形成するステップと、ベース基板におけるレーザビームの反射領域と予定された領域に対するエッチング工程を通じて、犠牲膜及びベース基板をリセスして犠牲膜パターン及び所定の深さの反射膜埋め込み溝を形成するステップと、犠牲膜パターン及び反射膜埋め込み溝が形成されたベース基板の上部に、反射率の異なる第１の反射膜と第２の反射膜を、反射膜埋め込み溝が完全に埋め込まれるまで交互に繰返して積層するステップと、ベース基板の底面方向からベース基板にレーザビームを照射し、犠牲膜パターンと犠牲膜パターンの上部に積層された第１及び第２の反射膜を除去するレーザリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成するステップと、ベース基板の上部に残留する犠牲膜パターンを除去するステップと、を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ペリクルを剥がすことなく簡便かつ確実に熱分解性の汚染物質を除去すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る洗浄装置は、ペリクル２４が取り付けられたマスク基板２１のパターン面に付着した熱分解性の汚染物質に対して、ペリクル２４を介して波長８〜１１μｍのレーザ光を照射する炭酸ガスレーザ１２を備え、照射されたレーザ光によりマスク基板２１を加熱し、汚染物質を熱分解して除去する。炭酸ガスレーザ１２は、パルスレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】遮光膜パターンの寸法制御をより正確に行う。
【解決手段】基板の主面上に遮光膜とレジスト膜とが順次積層されたマスクブランクを準備する工程と、レジスト膜に描画することにより、遮光膜上に遮光膜パターンの形成予定領域を覆うレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして遮光膜のエッチングを開始し、レジストパターンに覆われていない遮光膜が除去された後にエッチングを停止する工程と、レジストパターンの一部を除去して遮光膜を部分的に露出させる工程と、露出させた遮光膜のエッジ位置を把握し、把握されたエッジ位置を基に追加エッチング時間を決定し、決定された追加エッチング時間に基づき、遮光膜のサイドエッチングを行う工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ペリクルフレームの表面にプラズマ電解酸化法による酸化被膜を形成することによって、硫酸、窒酸、塩素、有機酸などによる無機系ガスの放出量を画期的に減少させることができるリソグラフィ用ペリクルを提供する。
【解決手段】ペリクル膜と、前記ペリクル膜を支持するためのペリクルフレームとを含み、前記ペリクルフレームは、プラズマ電解酸化法によって酸化被膜が形成されたアルミニウム合金で製造されることを特徴とするリソグラフィ用ペリクルを構成する。 （もっと読む）

【課題】パターンの描画時間を短縮することが可能な描画装置を提供することである。
【解決手段】記憶部２１は、描画すべきパターンに対応する描画データを記憶する。第１および第２のデータ処理部２２，２４は、記憶部２１に記憶される描画データに基づいて各帯状領域に対応するオンオフデータをそれぞれ作成し、作成したオンオフデータに基づいてオンオフ切替部６を制御する。動作制御部３０は、ステージ駆動部２、ヘッド部４を制御する。また、動作制御部３０は、オンオフ制御部２０の第１のデータ処理部２２にデータ作成信号ＳＡ１およびオンオフ制御信号ＳＢ１を与える。 （もっと読む）

【課題】加工精度を犠牲にすることなく、加工プロセスを軽減できる位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】位相シフト部は、位相シフト部を設けていない部分の透光性基板を透過する露光光に対し、所定の位相差を生じさせる掘込深さで前記透光性基板の表面から掘り込んだ掘込部であり、前記透光性基板を掘り込む側の表面には、塩素系ガスで実質的にドライエッチングされ、フッ素系ガスで実質的にドライエッチングされない材料で形成され、前記掘込部をドライエッチングで形成するときに少なくとも前記掘込深さに到達するまでエッチングマスクとして機能するエッチングマスク膜１０と、該エッチングマスク膜の表面にタンタルを主成分とした材料で形成され、透光性基板の掘込部を形成するドライエッチング時に同時に除去可能な膜厚の遮光膜とを有する。 （もっと読む）