【課題】高スループットで、欠陥面での品質の良い遮光枠を有する反射型マスク、反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、多層反射層を高温アニール処理にて融解し、反射率を低減することによって、遮光枠を形成することから、高スループットおよび比較的容易な工程で、欠陥面においてマスク品質の良い遮光枠を有する、反射型マスク、反射型マスクの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥（凹状欠陥、凸状欠陥）を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド２１，１１が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤２０と下定盤１０との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側２０より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも１以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤２０側にセットして行う。 （もっと読む）

【目的】高精度なフォトマスクを実現するフォトマスクの製造方法を提供する。
【構成】荷電粒子ビーム描画装置に、化学増幅型レジストが塗布されたフォトマスクブランクスを搬入し、化学増幅型レジストに荷電粒子ビームを照射してフォトマスクブランクス上の複数の領域にパターンを順次描画し、フォトマスクブランクスを荷電粒子ビーム描画装置から搬出し、複数の領域毎に、描画開始からポストエクスポージャーベークの開始までの経過時間を算出し、複数の領域毎に算出される経過時間に基づき、複数の領域毎のポストエクスポージャーベークのプロセス条件を決定し、プロセス条件を複数の区画毎に変更可能なポストエクスポージャーベーク装置を用い、複数の領域毎に決定されたプロセス条件でポストエクスポージャーベークを行い、化学増幅型レジストを現像することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】支持基板を任意の深さまで掘り込んだシフターを有するフォトマスクの作製において、透過部の透過性を損なわずに、より安定したシフターの加工を実現できるフォトマスクブランクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】石英からなる支持基板１１と第１の遮光膜１２とを有するフォトマスクブランクにおいて、支持基板１１の一方の面に、支持基板１１のドライエッチング処理時に実質的にエッチングされないエッチングストップ膜１３を形成する。エッチングストップ膜１３の支持基板１１と反対の面に支持基板１１と同じ材質からなる透過層１４を形成する。第１の遮光膜１２を透過層１４のエッチングストップ膜１３と反対の面に形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高いパターン転写精度を実現することが可能な反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記中間層上に形成された吸収層とを有する反射型マスクであって、上記吸収層は、上記吸収層が部分的に除去された吸収体転写パターンが形成された吸収体転写パターン領域を有し、上記吸収体転写パターン領域の外周の少なくとも一部には、上記多層膜、中間層および吸収層が除去されて上記基板が露出している遮光枠部が形成されており、上記遮光枠部内の上記多層膜が露出した側面のみに、洗浄薬液による洗浄に対して耐性を有する保護用酸化皮膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】漏れ光を抑制し、高い寸法精度及び位置精度を実現しうるフォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板の第１の領域上に形成されたデバイスパターンと、透明基板の第２の領域上に形成された周辺パターンと、周辺パターンが形成された領域の透明基板内に形成され、デバイスパターンをウェーハに露光する際に用いる露光光に対する周辺パターンの光透過部の透過率を、露光光に対するデバイスパターンの光透過部の透過率よりも低下させる改質層とを有する。 （もっと読む）

【解決手段】露光光に対して透明な基板上に、珪素と窒素と酸素とを含み、該酸素の含有量が７ａｔ％以上３０ａｔ％以下である光機能性膜を、酸素含有ガスを含む雰囲気中でスパッタ成膜し、スパッタ成膜後、得られた光機能性膜を、該光機能性膜上に他の膜が積層されていない状態で、酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理して得られたフォトマスクブランクを用いてマスクパターンを形成したフォトマスクを用いて、マスクパターンを転写する。
【効果】本発明のフォトマスクブランクから得られるフォトマスクを用いることで、ステッパーやスキャナーで長期間使用していても、フォトマスクを構成する窒素を含有する膜から放出される成分に起因して生成するアンモニアを含む物質（例えば、硫酸アンモニウム等）に由来する欠陥の発生を少なくすることができ、フォトリソグラフィー法を用いた半導体回路製造時の歩留低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクを準備する準備工程と、上記吸収層のパターンが形成された回路パターン領域の外周に、水素またはヘリウムのイオンビームを照射し、上記多層膜の周期構造の規則性を乱して低反射部を形成し、上記基板上に上記低反射部および上記吸収層が積層された遮光領域を形成する遮光領域形成工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】優れた耐薬品性およびＡｒＦ照射耐性を有するマスクブランク、転写マスク等を提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用いられるものであり、透光性基板上１に遮光膜３０を備えるマスクブランクであって、
前記遮光膜３０は、タンタルを主な金属成分として含有する材料からなり、
前記遮光膜３０の透光性基板側とは反対側の表層に層中の酸素含有量が６０ａｔ％以上である高酸化層４が形成されていることを特徴としたマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】表面に反射率調整膜を有する転写パターン用の薄膜を低欠陥で形成でき、パターン転写時の露光光源、あるいはマスクのパターン検査に用いられる１９０〜３００ｎｍ程度の短波長域における薄膜の表面反射率を低減させるとともに、欠陥が低減されるマスクブランク及びマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクの製造方法において、基板上に薄膜を成膜した後、該薄膜表面にオゾンガスを照射して酸化物膜を形成する。上記薄膜はタンタル含む材料からなると共に、該薄膜の膜構造がアモルファスである。オゾンガスの濃度は８０体積％以上である。オゾンガスを照射するときの雰囲気温度は室温〜３００℃である。 （もっと読む）

【課題】メッシュ領域のサイズやマスクパターンの設計変更をすることなしに、電子ビームを用いてＥＵＶマスクを製造する方法を提供する。
【解決手段】ハーフトーン膜とクロム膜の２層からなる膜２０１ｂとレジスト２０１ｃが積層されたガラス基板２０１ａに、電子ビーム２０２を照射する。レジスト２０１ｃを現像して形成されたレジストパターンをマスクとしてハーフトーン膜とクロム膜から成る２０１ｂをパターニングする。その後、レジストとクロム膜を除去してフォトマスク２０３を製造する。次に、ＥＵＶマスク基板２０５に対し、フォトマスク２０３を介してＡｒＦレーザ光２０４を照射する。レジスト１０６を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして吸収層１０５と緩衝膜１０４をパターニングする。レジストパターンを除去してＥＵＶマスク２０６を製造する。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスク、及び反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクの製造工程において、基板裏面よりレーザ照射を行う工程を設けることで、多層反射層２１の界面を消失させ、多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、且つ吸収層５１の光学的性質が維持された遮光性の高い遮光枠を作製する。 （もっと読む）

【課題】比較的大面積化が可能なナノインプリントプロセスによるマスクの形成と、大面積の処理が可能な化学エッチングとに着目することで，基板の表面に比較的大面積の所望の微細凹凸構造を形成可能な方法を提供する。
【解決手段】半導体材料または金属材料からなる基板の表面上に設けられたマスク形成用層に対し、陽極酸化ポーラスアルミナまたはそれを鋳型として作製した他の材料からなるネガ型またはポジ型を規則的な凹凸構造を有するモールドとして用いたナノインプリント法により、基板の表面上にモールドの凹凸構造を転写した形状を有するマスク層を形成し、基板の前記マスク層によるマスク部分または非マスク部分に化学エッチングを行うことにより、基板の表面に規則的な凹凸構造を形成することを特徴とする基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】マスクブランク用基板に表面欠陥が発生した場合でも、簡便にかつ基板の平坦度及び表面粗さに悪影響を及ぼすことなくマスクブランク用基板の表面欠陥を修正することのできる、低コストかつ高い歩留まりのマスクブランク用基板の製造方法、並びにマスクブランク及び転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】対向する２つの主表面を有する基板からなるマスクブランク用基板の製造方法であって、前記基板の２つの主表面を研磨する工程と、前記基板の主表面に存在する表面欠陥に対して、前記基板の軟化点以上の燃焼温度の火炎を接触させて前記表面欠陥を修正する工程とを有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法である。 （もっと読む）

【解決手段】基板上に形成された遷移金属を含有するケイ素系材料を含む膜上にレジストパターンを形成する工程、上記膜のレジストパターンが形成されていない部分の表層を酸化して表層材料組成の酸素含有比を上げる工程、上記酸化工程後、レジストパターンを非酸化条件で剥離する工程、及び上記レジストパターン剥離工程後、上記酸化された表層をエッチングマスクとして、レジストパターンが形成されていて上記酸化工程で酸化されなかった部分を、酸素を含有する塩素系ドライエッチングによりエッチングする工程を含むレジストパターンの転写方法。
【効果】遷移金属を含有するケイ素系材料の加工において、より精細なパターンを、より薄いレジストパターンによって高精度に転写することが可能であり、特に、フォトマスクブランクに形成された光学機能膜を加工するフォトマスクの製造において、高精度加工が適用できる。 （もっと読む）

【課題】遮光パターンを形成する際に、透明基板上にレジスト膜の残滓などの塵埃が付着した場合であっても、遮光膜としての機能を十全に発揮させる。
【解決手段】透明基板１の表面にレジスト膜２を形成し（ｂ）、レジスト膜２をパターニングする（ｃ）。透明基板１上に残っているレジスト膜２をマスクとして透明基板１をエッチングすることにより、透明基板１に凸部１ａを形成する（ｄ）。凸部１ａ上に残っているレジスト膜２を除去し、透明基板１の表面を洗浄する（ｅ）。透明基板１の表面に遮光膜４を形成する（ｇ）。少なくとも遮光膜４を研磨することにより、凸部１ａが露出した状態で遮光膜４および凸部１ａを平坦にする（ｉ）。これにより、透明基板１上のレジスト膜２が完全に除去された状態で透明基板１の表面が洗浄された後、この透明基板１上に遮光膜４が形成される。 （もっと読む）

【課題】多階調フォトマスクにおいて、中間膜の薬液耐性を向上させる。
【解決手段】遮光部１１０は、半透光膜１０１、中間膜１０２、及び遮光膜１０３が透明基板１００上にこの順に積層されてなり、半透光部１１５は、半透光膜１０１が透明基板１００上に形成されてなり、透光部１２０は、透明基板１００が露出してなり、遮光部１１０を構成する中間膜１０２の側部には、中間膜１０２が酸化されてなる変質部１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 使用済みフォトマスクを用いて再生フォトマスク用基板を製造する場合において、フォトマスク用基板としての品質基準を担保しつつ、その製造コストを低減させる。
【解決手段】透明基板の第１主表面上に膜パターンが形成された使用済みフォトマスクを用いる再生フォトマスク用基板の製造方法であって、第１主表面上から膜パターンを除去する工程と、第１主表面及び第２主表面をそれぞれ研磨する研磨工程と、を有し、研磨工程において、第１主表面及び第２主表面における転写領域外に、３００μｍ以上の大きさの傷欠陥が残留せず、かつ２μｍ以上３００μｍ未満の大きさの傷欠陥が残留する研磨量であって、かつ、第２主表面における転写領域内に、１００μｍ以上の大きさの傷欠陥が残留しない研磨量の研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＥＵＶ露光におけるシャドーイングの影響を低減しつつ、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部（重なり部分）のオーバー露光を抑制し、かつ、マスク洗浄等で多層膜の一部が側面から溶出してパターンが損傷する危険性を解消できるＥＵＶ露光用の反射型マスクおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 不要なＥＵＶ光が被転写体へ照射されることを防止するための遮光枠を、表面活性化接合を用いて、反射型マスクの遮光領域に貼付することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）