【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクブランクス、反射型露光用マスクもしくはレチクルを提供する。
【解決手段】基板上側の一部に犠牲膜と、基板上に多層反射膜、保護膜、吸収膜、裏面導電膜が形成された反射型マスクブランクスを準備する。次に、回路パターンとその領域外の吸収膜を選択的に除去して回路パターンと遮光枠領域を形成する。次に、前記遮光枠領域において保護膜と多層反射膜と犠牲膜をドライエッチング及びウェットエッチングの２段階により除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高いパターン転写精度を実現することが可能な反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記中間層上に形成された吸収層とを有する反射型マスクであって、上記吸収層は、上記吸収層が部分的に除去された吸収体転写パターンが形成された吸収体転写パターン領域を有し、上記吸収体転写パターン領域の外周の少なくとも一部には、上記多層膜、中間層および吸収層が除去されて上記基板が露出している遮光枠部が形成されており、上記遮光枠部内の上記多層膜が露出した側面のみに、洗浄薬液による洗浄に対して耐性を有する保護用酸化皮膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板と、透明基板上に設けられ、遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜と、光学膜を精密加工するためのハードマスク膜とを有するフォトマスクブランクであって、ハードマスク膜がクロム系材料からなる多層膜であり、多層膜が、光学膜と接して設けられ、酸素を２０〜６０原子％含有するクロム系材料からなり、厚さ０．５ｎｍ以上５．０ｎｍ未満である第１層と、第１層に接して設けられ、クロムを５０原子％以上含有し、第１層よりも酸素含有率が低いクロム系材料からなる第２層を有し、ハードマスク膜の全体の厚さが２．０ｎｍ以上１０ｎｍ未満であるフォトマスクブランク。
【効果】ハードマスク膜のフッ素系ドライエッチングに対するエッチング耐性を向上させることができ、より薄いハードマスク膜を用いた場合にも、ハードマスクパターンにより加工される遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜の高精度な加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 フォトマスクの表面に成長性欠陥が発生することを抑制するフォトマスク及びフォトマスクを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 実施形態のフォトマスクでは、露光光を透過する透明基板を持つ。前記露光光に対して前記透明基板より透過率が低く、かつ第１の原子を含む半透明膜が、前記透明基板上に周期的に設けられる。前記半透明膜の表面を覆い、前記露光光を透過する保護膜が設けられる。前記露光光が前記半透明膜に照射されたとき、前記第１の原子が前記保護膜にトラップされる。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型露光用マスクもしくはレチクルを提供する。
【解決手段】基板１１上に多層反射膜１２、保護膜１３、吸収膜、裏面導電膜が形成された反射型マスクブランクスを準備する。次に、回路パターンとその領域外の吸収膜を選択的に除去して回路パターンと遮光枠領域を形成する。次に、前記遮光枠領域において保護膜１３と多層反射膜１２を除去する。加えて、前記遮光枠領域の基板とは対向位置の裏面導電膜の一部に同形状の除去領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い紫外線透過率、高硬度、高密着性、高耐薬品性に優れた塗布特性、拭きシミ跡の残らない優れた拭き洗浄性、低温硬化、リワークを容易にするフォトマスク用保護膜材料を提供する。
【解決手段】(Ａ)成分として（ａ−１）不飽和カルボン酸、（ａ−２）エポキシ基含有ラジカル重合性化合物および（ａ−３）モノオレフィン系不飽和化合物の共重合体と、(Ｂ)成分として多価カルボン酸無水物および多価カルボン酸から選択された少なくとも１種の化合物と、(Ｃ)成分としてアルコキシシラノ基およびエポキシ基を有する化合物とを含有し、（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）成分が(Ｄ)有機溶媒に溶解されているフォトマスク用保護膜材料。 （もっと読む）

【課題】反射型マスクの裏面に形成された導電膜と、マスク固定用の静電チャックとの接合の結果、発生する異物や接合面の劣化を防止できる反射型マスクおよび露光装置を提供する。
【解決手段】ＥＵＶマスク１２は、基材上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜及び吸収膜を形成し、基材の裏面に導電膜及び保護被膜を均一に塗布したもので、ＥＵＶ露光装置のマスクステージ１３に吸着させる。ＥＵＶマスク１２と露光装置内の静電チャックが、炭素原子を基本骨格とする保護被膜を介して接触することで、ＥＵＶマスク裏面の導電膜と静電チャック双方の表面劣化、異物の発生、固着を防ぐ。同時に、静電チャック側に残留した異物は装置内で洗浄用光源１７からエネルギー線１８を照射することで除去する。 （もっと読む）

【課題】高解像度化が求められているプリント配線板等の回路基板の製造に適したフォトマスク保護用フィルムを提供すること、及び、生分解性など分解性とすることが可能で、また、アルカリ処理により廃棄が可能な環境負荷が小さいフォトマスク保護用フィルムを提供すること。
【解決手段】式−（Ｏ・ＣＨ_２・ＣＯ）−で表わされるグリコール酸繰り返し単位を７０モル％以上有するポリグリコール酸を含有するフィルムを少なくとも１層備えるフォトマスク保護用フィルム、ポリグリコール酸を含有するフィルム及び他の熱可塑性樹脂を含有するフィルムとの積層フィルムを備えるフォトマスク保護用フィルム、並びに、これらフォトマスク保護用フィルムを使用する回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半透光膜がエッチングされてしまうことをより確実に防ぐ。
【解決手段】遮光部は、半透光膜、エッチングストッパ膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、半透光部は、半透光膜が透明基板上に形成されてなり、透光部は、透明基板が露出してなり、エッチングストッパ膜は、半透光膜の表面粗さの１．５倍以上の膜厚を有している。 （もっと読む）

【課題】初期のＥＵＶ光線反射率が高く、かつ、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されたＥＵＶマスクブランク、および該ＥＵＶマスクブランクの製造に使用される機能膜付基板の提供。
【解決手段】基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、該反射層を保護する保護層１３とがこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板であって、前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層１２ｂの膜厚ｔ_Si（ｎｍ）、および、前記保護層の膜厚ｔ_Ru（ｎｍ）が下記式（１）、（２）を満たすことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。−０．４９４×ｔ_Ru＋４．３０≦ｔ_Si≦−０．４９４×ｔ_Ru＋５．７０（１）２．５ｎｍ≦ｔ_Ru≦３．５ｎｍ（２） （もっと読む）

【課題】新規な保護膜が形成されたレジストパターン形成用部材を提供する。
【解決手段】保護膜付きレジストパターン形成用部材は、酸化物を含む表面を有し、レジストパターン形成のためレジスト膜に密着して用いられるレジストパターン形成用部材と、レジストパターン形成用部材上に形成され、直鎖状で主鎖がパーフルオロポリエーテルを含み末端基に水酸基を含む両親媒性分子を含む保護膜とを有する （もっと読む）

ＥＵＶリソグラフィ装置のマスクをその高い反射率について改善するために、ＥＵＶ域内の作業波長用に構成された該作業波長で屈折率の異なる実数部を有する少なくとも２つの材料の層を備える積層体を有する反射多層膜系を基板上に備え、前記反射多層膜系（Ｖ）は、固定波長のＥＵＶ放射によって２１°までの最小及び最大入射角間の角度範囲で照射されるとき、アポダイゼーションが３０％未満になるように構成されているＥＵＶリソグラフィ用の反射マスクが提案される。
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本発明は、基板（Ｓ）及び層構成体を備えるＥＵＶ波長域用のミラー（１ａ；１ａ’；１ｂ；１ｂ’；１ｃ；１ｃ’）であって、層構成体は、個別層の少なくとも２つの周期（Ｐ_３）の周期的配列からなる少なくとも１つの表面層システム（Ｐ’’’）を含み、周期（Ｐ_３）は、高屈折率層（Ｈ’’’）及び低屈折率層（Ｌ’’’）に関して異なる材料から構成される２つの個別層を含み、層構成体は、基板と個別層の少なくとも２つの周期の周期的配列との間に、２０ｎｍを超える、特に５０ｎｍの厚さを有する少なくとも１つの表面保護層（ＳＰＬ、Ｌ_ｐ）又は少なくとも１つの表面保護層システム（ＳＰＬＳ）を含む、ミラーに関する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの付着がないフォトマスクとその製造方法を提供する。
【解決手段】位相シフト層１１上に接着層１２とエッチングストッパ層１３と遮光層１４を積層し、エッチング液によって遮光層１４を部分的にエッチングする際、エッチングの進行をエッチングストッパ層１３で止め、次いで、遮光層１４に形成された開口底面のエッチングストッパ層を酸素プラズマで除去する。位相シフト領域となる開口２４はレジストで覆い、透光領域となる開口底面の位相シフト層１１をエッチング液で除去する。遮光層１４が残った部分で遮光領域が形成され、フォトマスクが得られる。各層１１〜１４を全部形成した後、エッチング液を用いたエッチングを行なっているので、パーティクルの付着が無い。 （もっと読む）

【課題】エキシマレーザーのフォトマスクへの照射はフォトマスクの回路パターン面のパターン膜を改質させ、素子線幅を変動させてしまう不都合が生じる。また、一度納品したフォトマスクがフォトマスクメーカーに戻り再度洗浄される再洗浄品は、回路パターン膜が改質しているため、洗浄により素子線幅が更に変動する不都合が生じる。更に、洗浄による回路パターン膜の破壊や回路パターン膜と膜の間に異物がはまり込む等の理由から納品時の外観品質維持が極めて困難となる。
【解決手段】石英基板1aの回路パターン膜1b上に、石英もしくは金属とシリコンの金属間化合物等からなる透明な保護膜1cを回路パターン膜1bの膜厚以上の高さで成膜し、保護膜成膜時に形成される表面凹凸を研磨することにより除去してフォトマスク1を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォトレジストに転写されたパターンの寸法が、露光回数が多くなっても変化しない位相シフトマスク、その製造方法、および、その位相シフトマスクを使用した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】露光光を透過する基板２と、基板２上に設けられ、露光光に対する透過率が基板２よりも低く、露光光の位相をシフトさせる半透明膜３と、半透明膜の表面を覆い、露光光を透過する保護膜５と、を備えたことを特徴とする位相シフトマスクを提供する。さらに、保護膜５は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｙ、ＣｅおよびＮｉよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素の酸化物、または、ＡｌまたはＳｉの窒化物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト剥離処理時に硫酸過水を使用したことでマスク表面に残留する硫酸イオンを好適に除去するフォトマスク用ブランクの提供及び該フォトマスクブランクに好適なフォトマスクの製造方法の提供を目的とした。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、露光光を吸収する遮光膜と、前記遮光膜上に形成され、アンモニア過水による洗浄工程で除去される上層吸着膜と、前記遮光膜と基板との間に形成され、前記遮光膜の露光転写パターン形成の際に行われるドライエッチングに対して耐性を有し、且つ、アンモニア過水による洗浄工程で除去される下層吸着膜と、を有することを特徴とするフォトマスク用ブランクである。 （もっと読む）

【課題】凹凸の大きい遮光層を有するフォトマスクにおいても、表面が滑らかで、耐傷性、防汚性に優れ、光学特性への影響が抑制されたフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基材上に、パターン状の遮光性レリーフ層と、フッ素化合物を含有する表面保護層形成用組成物を塗布してなる表面保護層と、を有するフォトマスクである。ここで、表面保護層の膜厚は、５０ｎｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高感度であり且つ保存安定性に優れたフォトマスクブランクス、及び、該フォトマスクブランクスを用いて作製された、解像度が高く、画像エッジ部の直線性に優れたフォトマスクを提供すること。
【解決手段】基板上に（Ａ）増感色素、（Ｂ）重合開始剤、（Ｃ）エチレン性不飽和化合物、（Ｄ）バインダーポリマー、及び（Ｅ）遮光材料を含有する感光性組成物層と、ポリオキシアルキレン基を側鎖に含むポリビニルアルコール誘導体を含有する酸素遮断性層と、をこの順に有することを特徴とするフォトマスクブランクス、及び該フォトマスクブランクスを用いて作製されたフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】離型フィルムの剥離によるストップマークの発生を抑制し、プリント配線板等の製造に用いられるフォトマスクに貼り付ける際には気泡の巻き込みが少なく、フォトマスクから剥離する際には糊残りが少ない粘着剤層を形成することができる粘着剤組成物を提供する。また、該粘着剤組成物を用いて製造される表面保護用粘着シートを提供する。
【解決手段】アクリル酸−２−エチルヘキシル又はアクリル酸オクチル５０〜９５重量％と、炭素数２〜５のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステル０．１〜４０重量％と、（メタ）アクリル酸０．１〜５重量％とを含有するモノマー混合物を共重合して得られるアクリル酸エステル系樹脂を含有する粘着剤組成物。 （もっと読む）