【課題】 透明絶縁性基板上に微細なラインアンドスペース・パターンを露光する際に、深い焦点深度を実現することが可能な位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】 本発明の位相シフトマスクは、光の位相を反転させる位相シフタ１１を配置したマスクパターンを用いて、遮光膜を併用せずに、等倍投影露光でラインアンドスペース・パターンを露光するための位相シフトマスクであって、前記ラインアンドスペース・パターンのライン幅Ｌが０．５μｍ以上０．８μｍ以下で、ピッチが２Ｌであるとき、前記マスクパターンは、ライン状の位相シフタ１１を互いに平行に並べたものであって、その幅Ｗが０．５Ｌ以上０．７５Ｌ以下、ピッチＰが２Ｌであることを特徴とする。 （もっと読む）

フォトマスクおよびフォトマスク上に保護層を生成する方法が開示される。その方法は、基板の少なくとも一部に形成されたパターン層を備えるフォトマスクをチャンバー中に置く。酸素がパターン層に近接するチャンバー中に導入され、そのフォトマスクが、パターン層を不動態化してパターン層の光学的特性がクリーニングプロセスによって変化しないようにするために酸素とパターン層との間の反応を開始させる放射エネルギーに露出される。
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【課題】 パターン転写時のサイドローブ重なりによる不要パターンの発生位置を的確に抽出することにより、高精度に不要パターンの発生を抑えることが可能な位相シフトマスクの形成方法を提供する。
【解決手段】 設計された所定パターンを転写するための位相シフトマスクにおける設計データを、光学補正し、パターン補正データを作成する工程と、前記のパターン補正データに対して、光学シミュレーションを行い、シミュレーションデータを作成する工程と、前記シミュレーションデータと前記設計データより遮光部データを作成する工程と、前記パターン補正データと前記遮光部データよりマスクデータを作成する工程と、前記マスクデータに基づき位相シフトマスクを形成する工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】 比較的低コストで微細なラインパターンを形成することが可能な位相シフトマスク及びそれを用いた露光方法を提供する。
【解決手段】 本発明のマスクパターン１０は、フォトリソグラフィ・プロセスの中でラインパターンを露光するために用いられる。マスクパターン１０は、その中心線上に伸びる中央領域と、この中央領域の周囲を一定の幅Ｗで取り囲む周辺領域１２との二つの領域に分割され、中央領域は更に、中心線上に互いに隣接して並ぶ正方形の複数の単位領域１１に分割される。各単位領域１１の中央には、光の位相を反転させる第一の位相シフタ部２１が、各単位領域１１の中心点に対して軸対称に、且つ各単位領域１１の面積の５０％を占めるように、それぞれ形成される。周辺領域１２にも、その全体に、光の位相を反転させる第二の位相シフタ部２２が形成される。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの表面に付着した、ドライエッチングによる反応生成物であるクロムの塩化物が除去されたフォトマスクであって、石英基板は浸食されていない、従って、透光性の良好なフォトマスクを提供する。フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１の片面上に、パターン形成された遮光膜２’及び光触媒含有膜３’が順次に積層して設けられたこと。光触媒含有膜は、二酸化チタン（ＴｉＯ₂ ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、その他の光触媒を含有する膜であること。遮光膜２は、クロム（Ｃｒ）を含有する膜であること。チタン（Ｔｉ）を含有する膜であること。透明基板の片面上の開口部の幅が４００ｎｍ以下であること。 （もっと読む）

【課題】 複数回の露光工程を必要とする多層膜からなる位相シフトマスクにおいて電子ビームのスキャン跡が欠陥として残らないフォトマスク用アライメントマークを有するフォトマスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 フォトマスク用アライメントマークを用いてハーフトーン膜にパターニングされたアライメント用溝部を電子ビームによりスキャンした後、スキャン跡を除去するように電子ビーム露光を用いて遮光膜をパターニングすることにより位相シフトマスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】 反射方式の検査を行う場合でも、検査の停止を招かずに高精度の検査を可能とするフォトマスクデータの作成方法を提供すること。
【解決手段】 フォトマスクデータの作成方法は、フォトマスクの設計データを用意する工程（Ｓ1）と、前記設計データを用いて前記フォトマスクの描画データを生成する工程（Ｓ４）と、前記描画データを用いて前記フォトマスク上の欠陥の検査を制御するための検査制御情報を生成する工程（Ｓ５）と、前記描画データに前記検査制御情報を付与し、前記描画データと前記検査制御情報を含む描画・検査用データを生成する工程（Ｓ６）とを有する。 （もっと読む）

本発明は、例えば、コンタクトのアレイがアレイのロウ方向とカラム方向で異なるピッチであるような場合において、他と比べより円形形状のコンタクトを形成するのに用いることができる照射パターンツールを含む。交互の位相シフトは、小さいピッチ（密度が高い）方向において良好に画定されたコンタクトを提供することができる。コンタクト開口の円形形状をより確実にするために、リムシフターが大きいピッチ方向に付加される。本発明の更なる特徴は、隣接したリムの間にサイドローブ抑制パターンが設けられることである。本発明はまた、照射パターンツールの形成方法を含む。
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【課題】孤立スペースパターンと孤立ラインパターン又は密集パターンとを同時に微細化できるようにする。
【解決手段】パターン形成に用いるフォトマスクにおいて、露光光に対して遮光性を有する半遮光部１０１と、半遮光部１０１により囲まれ且つ露光光に対して透光性を有する透光部１０２と、透光部１０２の周辺に位置する補助パターン（位相シフター）１０３とが透過性基板１００上に設けられている。半遮光部１０１と透光部１０２とは露光光を互いに同位相で透過させる。補助パターンである位相シフター１０３は、半遮光部１０１及び透光部１０２を基準として露光光を反対位相で透過させると共に、露光により転写されない。 （もっと読む）

【課題】顔料分散樹脂層を用いてＬＣＤ用カラーフィルタを製造する方法において、露光時、ＲＧＢ画素部の表面と底面では、分散樹脂層の硬化度が同一となり、次工程の現像処理時、オーバーハング等の形状不良が発生せずに、順テーパーにＲＧＢ画素部が形成されることにより、表面上に形成した透明電極層が断線する不良を防止できるフォトマスク及びそれを用いたＬＣＤ用カラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】全面に、露光光中より水銀ランプの輝線等の紫外線波長域の光を吸収し、遮蔽する薄膜遮蔽層を形成したカラーフィルタ用フォトマスクであって、該薄膜遮蔽層が、酸化インジュームからなる酸化金属より形成され、該膜厚は、３００ｎｍ〜６００ｎｍに形成したカラーフィルタ用フォトマスク及びそれを用いたＬＣＤ用カラーフィルタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半透光部の透過率分布が良好で、かつチャネル部のパターン精度が良好なグレートーンマスク及びその製造法を提供する。
【解決手段】被転写基板上のレジストにポジ型レジストを用い、厚レジストパターン形成部を遮光部、無レジスト領域形成部を透光部とした、石英等の透明基板１１上に、ソース電極及びドレイン電極に対応する領域に形成された、半透光膜パターン１２ａと、ソース電極及びドレイン電極の対向部分に対応する領域に形成され、かつチャネル部に対応する透光部１７側に、所望のマージン領域１８を空けて半透光膜パターン１２ａの上に形成された遮光膜パターン１３ａを有する。遮光膜パターン１３ａが半透光膜パターン１２ａと積層された部分が遮光部、遮光部以外の半透光膜が形成された領域が半透光部、半透光膜１２ａも遮光膜１３ａも形成されていない領域が透光部である。 （もっと読む）

【課題】従来技術の問題点である光利用効率を改善したフォトマスクを提供する。
【解決手段】本発明は、従来のフォトマスク、もしくは位相シフトマスクに特定方向の偏光成分を制御する光利用効率の良い構造性偏光素子を具備させることにより、光利用効率の優れた偏光マスクおよび偏光位相シフトマスクを作成することが出来る。具体的には、構造性複屈折素子やフォトニック結晶をフォトマスクに用いることにより、光利用効率が改善され、露光工程のスループットの向上を達成することが出来た。また現像されたレジストパターンを観察したが、問題となっていたフェーズコンフリクト（Phase Conflict）を示すレジスト残りの現象は全く観測されなかった。 （もっと読む）

【課題】薄膜化及び応力調整が容易であるとともに、機械的強度が高くかつ電子線照射耐性に優れた電子線露光用のステンシルマスクを得るために好適で、かつ製造プロセスが簡便かつパターン位置精度の高いステンシルマスク、その製造方法、およびそのパターン転写方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
基体と、この基体により支持された透過孔パターンを有し、ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜からなるマスク母体と、該マスク母体の基体側の少なくとも一部に導電体、半導体、抵抗体のいずれかよりなるマスク母体下地層を備え、前記ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜には、不純物として、硼素、硫黄、窒素、リン若しくはシリコンからなる群から選ばれた少なくとも１種がドーピングされているステンシルマスク。 （もっと読む）

【課題】透明基板上に、光透過パターンと、光半透過位相シフトパターンと、遮光パターンを形成したハーフトーン型位相シフトマスク、および疑似欠陥が生じなく、欠陥を検出可能なハーフトーン型位相シフトマスク及びその外観検査方法を提供すること。
【解決手段】透明基板の片面に光透過パターンを形成し、その周りに所定幅で形成の光半透過位相シフト膜の光半透過位相シフトパターンを区画形成し、前記透明基板の他方に光半透過位相シフトパターンの外周部を包囲する遮光膜の遮光パターンを区画形成したハーフトーン型位相シフトマスクで、その検査では、光半透過位相シフト膜は、光半透過位相シフト膜の面側から検査光が反射してなる反射光により、遮光パターンは、遮光膜の面側から検査光が反射してなる反射光により、光透過部は、検査光が透過してなる透過光によりライトキャリブレーションを行った後、検査する外観検査方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成した凹部を透過する透過光と、その隣接する透過光との位相差を反転する位相シフトマスクにおいて、基板表面に凹部を必要としない、複数層膜構造を必要としない、構造が単純な位相シフトマスクであり、位相シフトマスクの製造工程が増加しない位相シフトマスクおよびその製造方法およびパターン転写方法を提供することにある。
【解決手段】透明基板の内部に屈折率変化部を有し、屈折率変化部を透過する透過光と、透明基板を透過する透過光との位相差を１８０度とした位相シフトマスクであって、透明基板の内部に屈折率変化部の形成は、透明基板の内部のその位置にレーザ光を収束させ発現するレーザーアブレーションにより高密度化する又は空孔を形成する位相シフトマスクの製造方法。 （もっと読む）

埋込減衰型位相シフトマスク（ＥＡＰＳＭ）の減衰特性及び位相シフト特性を個別に選択することができる。埋込位相シフト層の領域のプラウイング後又はプラウイング中に、基板の露出した部分が所定の深さまでエッチングされる。その後、埋込位相シフト層のさらに多くの領域が露出され、所望の減衰量を与えるために所定の厚さまでトリミングされ、基板の最終的にエッチングされる深さが、位相シフト層のトリミングによって引き起こされる相対的な位相シフトの変化を補償する。その際、減衰レベル及び／又は位相シフトが異なる複数のセルを有するマトリックステストデバイスを、単一のＥＡＰＳＭブランク上に製造することができる。 （もっと読む）

偏光レチクル、偏光レチクルを用いたフォトリソグラフィ・システム及びこうしたシステムを用いる方法が開示される。少なくとも１つの第２パターン領域によって少なくとも部分的に囲まれた少なくとも１つの第１パターン領域を含むレチクルを有する偏光レチクルが形成される。偏光レチクルの第１パターン領域は偏光材料を含み、偏光レチクルの第２パターン領域も偏光材料を含む。２つの領域の偏光材料の偏光方向は一般に互いに直交する。選択された偏光方向を有する直線偏光を用いて偏光レチクルを照射すると、偏光レチクルの２つの領域の偏光材料がフィルタとして選択的に用いられ、最適照明条件の下で偏光レチクルの異なる領域を個別に露光することができる。 （もっと読む）

マスクパターンとして透過性基板１００上に設けられたパターン１２１は部分パターン１２１Ａ及び１２１Ｂを有する。部分パターン１２１Ａ及１２１Ｂはそれぞれ、透光部を基準として露光光を反対位相で透過させる位相シフター１０２と該位相シフター１０２を囲む遮光部１０１とからなるマスクエンハンサー構造を持つ。部分パターン１２１Ａは、透光部を挟んで所定の寸法以下の距離で他のパターン１２２及び１２３と近接している。部分パターン１２１Ａの位相シフター１０２Ａの幅は、部分パターン１２１Ｂの位相シフター１０２Ｂの幅よりも小さい。
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本発明は、特定の周期膜厚分布を有する多層コーティングを有するマスクに係る。このマスクは、例えば、半導体部品を製造するためのリソグラフィ装置で使用される。投影光学系の一つの問題は、像の欠陥の原因となる瞳のアポダイゼ−ションに関係している。本発明によれば、マスク平面内での周期膜厚分布が、最大の反射率を得るために最適な周期的膜厚分布よりも、大きくなるように選択される。その結果、瞳でのアポダイゼ−ションが、より対称性を増すのみではなく、強度変化が全体的に小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 照射波長３００ｎｍ以下でのリトグラフィーにおいて用いる埋め込み型の減衰移相マスクブランク、及び同マスクブランクのイオンビーム蒸着による作製方法を提供する。
【解決手段】 マスクブランクを基板及び薄膜系から構成し、該薄膜系をＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される１または２以上の金属または金属化合物を含む透過制御下位層と、Ｇｅ、Ｓｉ及び／またはＡｌの硼化物、炭化物、酸化物及び／または窒化物あるいはこれらの混合物を含む移相制御下位層から構成する。 （もっと読む）