【課題】透明基板上の遮光層を所望のパターンに加工し遮光層の下層の遮光層が除去された領域の少なくとも一部に凹部を形成する位相シフトマスクの製造方法において、遮光層に対する１回目のエッチング後の透明基板に対するエッチング時または半透光層に対するエッチング時に発生した余剰欠陥を簡便に高精度に修正できるようにする。
【解決手段】透明基板上の遮光層を第１のエッチング処理で所望パターンに加工し、少なくとも遮光層をマスクにして遮光層の下層に対して第２のエッチング処理で凹部を形成し、凹部の欠陥検査を行い、遮光層の下層に形成されるべき凹部に余剰欠陥が検出された場合には、余剰欠陥箇所を含む領域のパターンの欠陥箇所データを作成し、欠陥箇所データにしたがって遮光層上に修正用レジストパターンを形成する。遮光層及び修正用レジストパターンをマスクにして遮光層の下層に対して第３のエッチング処理を施し余剰欠陥箇所を修正する。 （もっと読む）

【課題】転写時の像質への影響がなく修正精度の高いフォトマスクの白欠陥修正方法及び装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態のフォトマスクの白欠陥修正方法は、フォトマスクのパターン（２）のエッジ部に存在する白欠陥を修正する白欠陥修正方法であって、前記白欠陥の位置に対応する前記フォトマスクの透光性基板（１）上の位置に、露光光の通過を抑制する傾斜した側壁（１１１）を有する溝（１１）または穴を形成する。 （もっと読む）

【課題】マスクが欠陥を含まない方法で基板にパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】複数の第１のフィーチャを含む第１のマスクが、フィーチャの欠陥に関して検査され欠陥データが記憶される２０。その後に、２番目に使用されるマスクとして個々の正規要素間の複数の相互接続および正規要素と冗長要素の間の複数の相互接続をパターン形成するために使用する第二のマスクが製造される５０。第１のマスクを使用して正規要素および冗長要素がパターン形成され６０、第２のマスクを使用して正規要素と冗長要素の間の相互接続がパターン形成される７０。その結果、これらの相互接続は、第１のマスクの検出された欠陥を相互接続変更して修正する方法でパターン形成される８０。 （もっと読む）

【課題】露光用マスクにおけるマスクパターンについて、プロセスの条件変動に強い歪補正を行うことを可能にしつつ、その場合であっても処理負荷の増大を極力抑制する。
【解決手段】露光用マスクのマスクパターンについての補正処理を行う第１の補正手段１と、その補正結果について所望パターンとの乖離をベストフォーカス条件で検証する第１の検証手段２と、その検証結果に基づき前記乖離が所定閾値を超える箇所を危険箇所として抽出する危険箇所抽出手段３と、抽出した危険箇所のみについて前記所望パターンとの乖離をデフォーカス条件で検証する第２の検証手段５と、検証された乖離を改善すべく再度の補正処理を行う第２の補正手段７とを備えて、マスクパターン補正装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】短時間で、フォトマスクの曇りの原因となる異物を選択的に捕集することが可能な、フォトマスク生産の品質管理手法に使用するに相応しい吸着管を提供するものである。
【解決手段】粒子を捕集剤としてガラス管または金属管に充填した吸着管であって、前記粒子の表面が、クロム、シリカまたはモリブデンに覆われていることを特徴とする吸着管である。
フォトマスク表面の組成と同じか、または、近い組成を持つ捕集剤を用いて、フォトマスク表面に吸着するフォトマスクの曇りの原因となる異物の捕集を行うことにより、フォトマスクの曇りの原因となる異物と無関係な物質を捕集せず、フォトマスクの曇りの原因となる異物のみを分析することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、連続してパターン形成体の製造を行った場合であっても、目的とするパターンの形状に高精細に特性変化パターンを形成可能なパターン形成体の製造方法、およびその製造方法に用いられるパターン形成体製造用装置を提供することを主目的としている。
【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、真空紫外光の作用により表面の特性が変化するパターン形成用基板に、フォトマスクを介して前記真空紫外光を照射することにより、前記パターン形成用基板の表面に、特性が変化した特性変化パターンを形成してパターン形成体を形成するパターン形成工程を複数回行って、パターン形成体を複数製造するパターン形成体の製造方法であって、前記複数回行うパターン形成工程の間に、前記フォトマスクに付着した付着物を除去する付着物除去工程を行うことを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 原子間力顕微鏡(AFM)技術を用いた機械的な加工による欠陥修正に要する時間を短縮できるようにする。
【解決手段】 除去すべき欠陥をAFM加工装置で観察して加工形状を求める。求めた形状に対してCAMで用いられているようなカッターロケーションシミュレーションを行って加工時間が最も短くなる刃先経路を求める。AFM加工装置で求めた刃先経路どおりに走査して欠陥を除去する。カッターロケーションシミュレーションどおり加工したときの形状を切削シミュレーションで予測し、予測した加工後の形状に対して転写シミュレーションを行い加工個所の透過率が必要とされる値を満たすことを確認してからカッターロケーションシミュレーションどおりに加工して欠陥を除去する。 （もっと読む）

【課題】内部に気泡その他の異物を含むフォトマスク用ガラス基板であっても露光後にパターン欠陥が発生しないようなフォトマスクを提供することを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】本発明に係るフォトマスクは、気泡その他の異物（１１）を内包するフォトマスク用ガラス基板（１０）からなり、前記気泡が存在する位置に対応する入射面（１２）近傍に、レンズ（１４）を具備することを特徴とする。これにより、気泡がガラス基板の表面のごく近傍に存在する場合を除き、光線が気泡を通過しないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】 原子間力顕微鏡技術を用いたマスクの欠陥修正でオーバーエッチや削り残しのない加工を実現する。
【解決手段】 予めマスクの離れた3点以上でアプローチを行いマスク6の傾きを求めておき、傾きを2軸チルト試料ステージ4で補正してスキャン面とマスク面が平行になる状態で加工を行う。もしくはスキャン面とマスク面の傾きを原子間力顕微鏡スキャナー側に設けた2軸チルトステージで補正してスキャン面とマスク面が平行になる状態で加工を行う。またスキャン面とマスク面が平行になっていても加工面が斜めになる場合には、加工形状から傾きを求め傾きと反対方向に2軸チルト試料ステージ4で補正して加工形状が平らになるようにする。もしくは加工面の傾きを原子間力顕微鏡スキャナー側に設けた2軸チルトステージで反対方向に補正することで加工形状が平らになるようにする。 （もっと読む）

【課題】 原子間力顕微鏡技術を用いた機械的な微細加工装置でフォトマスクの欠陥修正に必要な刃先角度の制御を従来よりも簡便な方法で得られるようにする。
【解決手段】 探針1の圧痕を形成し、形成した圧痕を観察して現在の垂直面を求め、加工時に探針の回転機構2で探針の垂直面を必要とする向きに向けて加工を行う。垂直面を必要とする領域が曲線状の場合には探針の回転機構2で刃先の角度を曲線に合わせて変えていく。予め良く削れる組合せと削れにくい組合せを求めておき、観察のときには探針の回転機構2で削れにくい向きに向けて観察し、加工のときには探針の回転機構2で最も良く削れる向きに向けて加工し、認識や加工途中の観察に求められる非破壊性と加工に求められるスループットを両立させる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを介したフォトレジストの塗布膜への露光、現像処理によりカラーフィルタを構成するパターンを形成する際に、フォトマスクの異物や汚れに起因した、パターンの欠陥及び規格外のパターンの発生を回避するフォトマスクの交換頻度を減少させるフォトマスクの洗浄方法を提供する。
【解決手段】カラーフィルタ用フォトマスクをアルカリ洗浄液を用いてウエット洗浄をし、その後、該カラーフィルタ用フォトマスクを紫外線を用いて光洗浄をすること。紫外線の主となる波長が１６５ｎｍ〜１７５ｎｍであること。 （もっと読む）

【課題】 フォトマスクの品質を正確に評価し、フォトマスクの歩留まりの向上を可能とするフォトマスク評価システムを提供する。

【解決手段】 マスク基板上に複数のチップパターンを描画する描画装置4、複数のチップパターンのそれぞれのマスク特性を測定する線幅測定装置16、位相差測定装置36、透過率測定装置56、マスク特性に基づいて複数のチップパターンのそれぞれの露光量裕度を算出する裕度算出部309、及び露光量裕度に基づいて、複数のチップパターンのそれぞれの品質を評価する評価部310を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに均一なＣＤを提供するためのフォトマスクの製作方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクを透過または反射された０次光を測定し、ウェーハ上に非均一なＣＤを補正する方法である。該フォトマスクは、ウェーハＣＤが均一になるように、フォトマスクの０次光を均一に変える。該フォトマスクは、フォトマスクの背面に位相グレーティングを形成するか、フォトマスクに陰影成分を注入し、フォトマスクの透過率が変わりうる。 （もっと読む）

【課題】三次元的なリソグラフィシミュレーションを可能にする。
【解決手段】このパターン評価方法は、フォトマスク用基板に形成された非正常パターンを含む三次元画像を取得する工程と、前記三次元画像からパターンの等高線データを抽出する工程と、前記等高線データを、高さに対応した光学パラメータと関係付けた図形データに変換する工程と、前記図形データと前記フォトマスクが露光されるときの照明条件から、ウェハ上での光強度分布をリソグラフィシミュレーションにより求め、前記非正常パターンがウェハ転写時に形成する非正常パターン像強度を求める工程と、前非正常パターンの合否を判定する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】設計データに光近接効果補正を施してマスクデータを作成する場合にマスク工期の遅延を抑制できるマスクデータ作成方法を提供すること。
【解決手段】マスクデータ作成方法は、基板上に形成されるデバイスのパターンの設計データに対し、光近接効果補正を含む補正を施す工程（Ｓ１１）と、前記補正が施された設計データが、前記デバイスの特性には影響はないが、マスク製造上障害となる微小寸法を有する障害図形を含むか否かを判断する工程（Ｓ１３）と、前記補正が施された設計データが障害図形を含む判断した場合には、マスク製造上障害となる微小寸法を有する障害図形とならいように、前記障害図形を補正する工程（Ｓ１４）とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ＡＦＭフォトマスク欠陥修正装置で終点検出によりオーバーエッチングの少ない黒欠陥除去を行う。
【解決手段】 黒欠陥と基板ガラスで材質が異なり、弾性値も異なるので、加工の途中で超音波力顕微鏡または粘弾性顕微鏡モードで低加重で加工途中の黒欠陥6を観察し、弾性値の変わったところを加工の終点と見なして、終点に達したところは探針1の加重を低くして削れない条件で走査し、黒欠陥6がまだ残っているところのみ探針1の加重を高くしてスクラッチ加工を行い残った黒欠陥を物理的に除去する。 （もっと読む）

【課題】積層構成によるタンタル系吸収体膜のエッチング制御性や面内均一性を改善し、多層反射膜と吸収体膜との間に設けるクロム系バッファ膜を薄膜化することができる反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、露光光を反射する多層反射膜１２と、露光光を吸収する吸収体膜１６とを有し、吸収体膜１６が、ＥＵＶ光の吸収体で構成する露光光吸収体層１４を下層とし、マスクパターンの検査に使用する検査光の吸収体で構成する低反射率層１５を上層とする二層からなり、上層及び下層は何れもタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料からなる。吸収体膜１６をドライエッチングする工程において、フッ素（Ｆ）を含有するエッチングガスを使用し、吸収体膜１６を構成する各層のエッチングレート比が０．１〜１０の範囲である。多層反射膜１２と吸収体膜１６との間に設けたクロムを含有するバッファ膜１３の膜厚が２〜１０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】 ワークにダメージを与えず、かつ、ワークに加工残渣による汚染を引き起こさずに微小加工を施すことができる微小加工装置及び微小ワーク加工方法を提供する。
【解決手段】 微小加工装置を、レチクルＬ（ワーク）の微小領域を削り取る切削加工装置２と、切削加工装置２がレチクルＬから削り取った削りカス（加工残渣）を吸着する吸着装置３と、これら切削加工装置２及び吸着装置３の動作を制御する制御装置とを有する構成とする。切削加工装置２を、レチクルＬの切削加工を行う刃物部１１と、刃物部１１を保持する加工用アーム１２（保持部）と有する構成とする。吸着装置３を、加工用アーム１２の下面に設けられた正電極と、加工用アーム１２の下面に正電極と隣接して設けられた負電極と、加工用アーム１２の下面に正電極及び負電極を覆うようにして設けられる絶縁層と、正電極と負電極との間に電位差を生じさせる電圧源とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】極短紫外光に対応する露光用マスクについて、斜め入射効果による影響を考慮したマスク補正を行えるようにして、ウエハ上転写像の忠実度低下を回避する。
【解決手段】マスクパターンに応じた形状の転写像をウエハ上へ露光転写する露光用マスクについてのマスク補正方法において、マスク表面へ斜め入射する極短紫外光を当該マスク表面に射影した射影ベクトルが前記マスクパターンの構成辺に対して平行でない場合に得られるウエハ上での転写像について、当該構成辺を含むパターン部分に生じる当該パターン部分の中心に対する非対称度を認識する工程と、前記非対称度が予め設定された規定範囲に属するように前記マスクパターンまたは前記極短紫外光の光学系の少なくとも一方に対する補正処理を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 オートフォーカス用のセンサを設けることなく、レチクルの撓みを測定する方法を提供する。
【解決手段】 レチクルに入射する荷電粒子線のランディング角を、わざと垂直からθだけ傾ける。レチクル１が正規の位置にある場合、荷電粒子線は、２Ａ、２Ｂとして破線で示されるような光路をたどり、ウエハ５上にレチクル１のパターンを結像する。通常、この場合、ウエハ５上の結像点は、荷電粒子線のランディング角が直角の場合と同じである。レチクルが傾いて１’の位置となったとき、レチクル１のＡ点に対応するレチクル１’上の点をＡ’とし、レチクル１のＡ点とＡ’点の高さの差をｈとし、かつ、投影光学系の投影倍率をｋとすると、Ａ’点のウエハ５上での結像点は、荷電粒子線のランディング角が垂直の場合の結像点から
ｘ＝ｋ・ｈ・sinθ
だけずれる。従って、レチクル１’の高さは、
ｈ＝ｘ／（ｋ・sinθ）
として測定できる。 （もっと読む）