【課題】 半導体集積回路の形成に用いるフォトマスクの加工修正など、ごく微小な加工に使用される微小加工装置用プローブおよび微小加工装置を提供する
【解決手段】 カンチレバー２２と、カンチレバー姿勢維持機構３０と、カンチレバー２２および前記カンチレバー姿勢維持機構３０に設けられた接触検知機構１０と、カンチレバー２２の基端部を先端部が自由端となるように片持ち状態で固定する本体部２３と、を備え、カンチレバー２２の先端には、尖鋭化された探針部２１がカンチレバー２２上から突出して設けられている微小加工装置用プローブとした。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路の形成に用いるフォトマスクの加工修正など、ごく微小な加工に使用される微小加工装置用プローブおよび微小加工装置を提供する
【解決手段】 カンチレバー２２と、カンチレバー姿勢維持機構３０とカンチレバー２２の基端部を先端部が自由端となるように片持ち状態で固定する本体部２３とを備え、カンチレバー２２の先端には、尖鋭化された探針部２１がカンチレバー２２上から突出して設けられている微小加工装置用プローブとした。 （もっと読む）

【課題】ペリクルを剥がすことなく、ペリクル付きフォトマスクに存在する成長性異物を除去するペリクル付きフォトマスクのリペア方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガス混合機５によりチャンバー２内に収容されたペリクル付きフォトマスク１の内部空間および外部空間に活性ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給し、これによりペリクル付きフォトマスク１の異物を反応させて溶解させる。さらに、光照射装置３によりペリクル付きフォトマスク１および活性ガスに低波長の光を照射し、異物の反応性を高め、混合ガスの気流によりペリクル付きフォトマスク１の異物を除去する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ等の被エッチング体を高い精度で加速度センサおよび角速度センサをドライエッチングするためのマスクパターンの補正方法を提供する。
【解決手段】補正前のマスクパターンを用いて、該被エッチング体面内に発生するテーパーの拡がり寸法の分布を測定し、該分布を二次曲線（Ｙ＝ＡＸ²＋Ｂ）として表してＡとＢを特定し、シリコン基板の中央から距離ｒの位置でのマスクパターンの開口幅のテーパー補正量ｔを行うとともに、チルト寸法の分布を測定して、該分布を直線（Ｙ＝ｋＸ）として表してｋ（ｋ＞０）を特定し、ＳＯＩウェーハの中央から位置ベクトルｒ（座標（ｘ，ｙ））でのマスクパターンの開口幅のＸ軸方向の補正量Ｃ_x、Ｙ軸方向の補正量Ｃ_yをチルト補正を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、黒欠陥修正後、吸収層または遮光層のパターンの端部にて良好な断面形状が得られるフォトマスクの欠陥修正方法、およびそれを用いたフォトマスクの製造方法、それを実施するためのフォトマスクの欠陥修正装置を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上にパターン状に形成され、金属もしくは合金を含有する吸収層または遮光層とを有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、上記金属もしくは合金が、この金属もしくは合金の酸化物よりもエッチング速度が速いものであり、上記吸収層または遮光層の余剰に起因する黒欠陥部の表面および側面を酸化して、酸化皮膜を形成する酸化工程と、上記酸化皮膜のみをエッチングするように、上記黒欠陥部をドライエッチングするエッチング工程とを有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】パイロットマスクを１枚も作製することなく、所望の寸法精度を有するフォトマスクを作製すること。
【解決手段】作製したフォトマスクの寸法ばらつき量が許容範囲を超えている場合、当該フォトマスク上に描かれたパターンをウエハ基板上に転写した際に得られる転写パターンの寸法が、全描画領域内で許容範囲内となるように、フォトマスクのガラス部を部分的にエッチングする。ガラス部の追加エッチング量は、３次元マスク厳密電磁場シミュレーションや露光エミュレーションシステムといった仮想的な光学解析手法を用いて算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、走査型プローブ顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥修正方法であって、フォトマスクへのダメージが少ないフォトマスクの欠陥修正方法、およびそれを用いたフォトマスクの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に欠陥部を有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、上記欠陥部に、この欠陥部を分解または溶解する分解・溶解用薬液、あるいは、上記基板のゼータ電位と上記欠陥部のゼータ電位とが同符号となるようにｐＨが調整されたｐＨ調整用薬液を供給しながら、上記欠陥部を走査型プローブ顕微鏡の探針で除去することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

本発明は、部分吸収薄膜が配置されたフォトマスク基板の方向に電磁放射線を誘導する段階と、フォトマスク基板に温度上昇を発生させる段階と、薄膜の位相遅延損失の少なくとも一部分を回復させる段階とを含むフォトマスクの有効耐用年数を増加させる方法を提供する。電磁放射線は、フォトマスク基板の高吸光係数と実質的に一致する波長を有する。 （もっと読む）

【課題】複雑な修正加工条件に対しても高精度で効率よく白欠陥を修正することができるホトマスクの白欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】白欠陥を有していない参照パターンの透過画像を取得し（ステップＳ１１）、修正加工開始（ステップＳ１２）後、欠陥修正部の透過画像を取得する（ステップＳ１３）。その後透過画像の画素毎の輝度を演算処理し（ステップＳ１４）、演算結果から１つ以上の判定値を算出する（ステップＳ１５）。この判定値を基に修正加工を終了するか否かを判断し（ステップＳ１６）、修正加工を終了すると判断するまで、加工条件の変更要否を判断し（ステップＳ１７）必要により加工条件を変更（ステップＳ１８）した後ステップＳ１３以降の工程を繰り返す。ステップＳ１６において修正加工を終了すると判断した場合には、修正加工を終了する（ステップＳ１９）。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶブランク、基板又はＥＵＶマスクの製造中に欠陥が生じることがあり、これらの欠陥が、レジスト材料の露光中に欠陥をもたらす。
【解決手段】ＥＵＶマスク１０は、基板１１と、基板上の反射性多層膜１２と、少なくとも１つの第１部分１１１の範囲内において多層膜上に配置された位相シフト材料１３と、多層膜上で基板の第２部分１１２の範囲内に配置された、ＥＵＶマスクのマスクパターンに対応するマスク材料１４とを備える。基板と、基板上の反射性多層膜と、多層膜下又は多層膜内に少なくとも１つの欠陥１５とを含むＥＵＶマスクの修正方法は、欠陥領域内の欠陥により露光放射線の位相シフト差が生じる基板の欠陥領域の位置を決定するステップと、基板の少なくとも１つの第１部分であって、欠陥領域を少なくとも部分的に含む第１部分の範囲内において多層膜上に位相シフト材料を堆積するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 比較的容易な操作で高精度な修正を可能とし、連続的に長時間の作業を可能とし、熱ドリフトによる加工精度の低下も防止する。
【解決手段】 原子間力顕微鏡の自由端に探針１が形成されたカンチレバー１１と、上記カンチレバー１１を駆動して探針１も駆動する駆動手段であるＸＹＺスキャナー１２と、上記探針１にフェムト秒レーザー３を照射するフェムト秒レーザー光源４と対物レンズ５により構成されるフェムト秒レーザー照射手段を有し、上記探針１を一主面上にパターンが形成されてなるサンプル６に相対向させ、上記サンプル６上に形成されたパターンの余剰部分に接触させて駆動することにより、上記余剰部分を除去し、余剰部分除去後の探針１に付着している加工屑２にフェムト秒レーザー照射手段からフェムト秒レーザー３を照射し、上記加工屑２をレーザーアブレーションで除去する。 （もっと読む）

【課題】切削時に生じた切削屑を、人手を介さずに自動的且つ確実に移動させて固着を解くことができ、ヒューマンエラーを防止しながら時間を極力かけずに効率の良い修正作業を行うこと。
【解決手段】基板２とマスクパターン３とを有するフォトマスクを予めＡＦＭ観察した観察データに基づいて、欠陥部分５を切削除去加工して修正する方法であって、観察データに基づいて加工エリアＥ１を設定すると共に、該加工エリアに隣接したエリアを、切削除去加工で生じ固着していそうな切削屑を除去加工する切削屑除去加工エリアＥ２として設定するエリア設定工程と、加工エリア内においてプローブにより欠陥部分を切削除去加工する加工工程と、切削屑除去加工エリア内において探針を切削除去加工時よりも弱い力で押し付けながら走査して切削屑除去加工を行い、切削屑を移動させる移動工程と、を備えているフォトマスク欠陥修正方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】欠陥部分の根元側周辺の画像をダブルチップイメージの影響を受けることなく正確に取得して、欠陥部分とマスクパターンとを明確に区別した状態で認識することができると共に、該欠陥部分を切削除去加工により高精度に除去すること。
【解決手段】プローブの変位が一定となるように探針と基板表面２ａとの距離を制御しながら複数のラインを１ライン毎に順々に走査して欠陥部分５の形状をＡＦＭ観察により認識する観察工程と、認識した欠陥部分に探針を所定の力で押し付けた状態で複数のラインを１ライン毎に順々に走査して欠陥部分を切削除去加工する加工工程と、を備え、観察工程の際、１ライン毎の走査方向をマスクパターン３のエッジ３ａに対して平行な方向（Ｃ方向）に設定すると共に、マスクパターン側から欠陥部分の先端側に向かう方向（Ｄ方向）に複数のラインを順々に走査するフォトマスク欠陥修正方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 原子間力顕微鏡による微細機械加工で発生した加工屑や移動により原子間力顕微鏡により移動または削り取った異物を、ウェット洗浄を用いないで除去する。
【解決手段】 原子間力顕微鏡探針３による機械加工で発生した加工屑５を正常パターン６やガラス基板７にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑５は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビーム１を照射してスパッタ効果で除去する。移動もしくは削り取った異物が強く付着している場合には原子間力顕微鏡探針による機械加工で異物を一度引き剥がして付着力を弱め、正常パターンやガラス基板にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビームを照射してスパッタ効果で除去する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビームフォトマスク欠陥修正装置のクロムマスクの黒欠陥修正時に発生するガラスのオーバーエッチの問題点を克服する。
【解決手段】 ガラスのオーバーエッチ部3をTEOSやシロキ酸系分子を原料とする電子ビームデポジションの透明な膜6で埋める。原子間力顕微鏡でガラスのオーバーエッチ部の深さ分布を求め、その深さ分布に従って埋める膜厚を制御し埋めた透明膜表面が平坦になるようにする。透明膜が正常なガラス面よりも高くなるように埋め、ガラス面よりも高い部分を高さを固定した原子間力顕微鏡による機械的な加工で削り取り埋めた透明膜表面が平坦になるようにする。 （もっと読む）

【課題】半透光部に発生した欠陥を好適に修正できるグレートーンマスクの欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】遮光部２１と、透光部２２と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部２３とを有し、被転写体上に膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターンを形成するためのグレートーンマスク２０の欠陥修正方法であって、半透光部２３が半透光膜２６により形成され、半透光部２３において欠陥領域を特定する工程と、欠陥領域を含む領域に修正膜２７を形成する工程とを有する。この修正膜２７は、その中心部より周縁側の部分に、中心部よりも露光光の透過量が大きい領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板内部に存在する欠陥を比較的簡単な作業で修正することができる欠陥修正方法及び装置を実現する。
【解決手段】本発明では、フォトマスクを構成するガラス基板（１）に向けて照明光を投射し、ガラス基板から出射した散乱光を検出することにより内部欠陥を検出する。ガラス基板表面の、内部欠陥（３０）の近傍に光学的に透明な液状の光硬化性樹脂（３１）を滴下する。ガラス基板表面に形成された液滴（３１）を硬化させると、表面張力の作用によりガラス基板上に集束性レンズ素子が形成される。ガラス基板内の気泡に向けて入射した露光光は、レンズ素子により屈折し、気泡を迂回する光路を経て出射し、ガラス基板は、気泡による悪影響を受けないフォトマスクに修正される。 （もっと読む）

【課題】 フォトマスク上の単体では組成分析不可能な微細な異物の組成分析方法を提供する。
【解決手段】 異物除去探針3に組成分析可能な量まで付着蓄積した異物1または異物の削り滓2をレーザーマイクロプローブ質量分析法で組成分析する。導電性の異物除去探針の場合にはオージェ電子分光法または二次イオン質量分析法で異物または異物の削り滓を組成分析する。異物除去探針3で異物1または異物の削り滓2を移動させ組成分析可能な量まで寄せ集めたものにレーザーマイクロプローブ質量分析法で組成分析する。異物除去探針で導電性のパターン上に集めた場合にはオージェ電子分光または二次イオン質量分析法で異物または異物の削り滓を組成分析する。 （もっと読む）

【課題】 パターンに応じて高精度に反射率を変化させたＥＵＶマスクの製造方法及びそのマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板上に多層膜反射層及び吸収体パターンを順に形成したＥＵＶマスクを用意し、吸収体パターンの実測寸法と設計寸法との寸法差の分布を示すパターン寸法マップを生成し、吸収体パターン形成領域を複数のパターン領域に区画し、各パターン領域に反射率補正係数を規定して反射率補正係数マップを生成し、各パターン領域の反射率補正係数とパターン寸法マップに示された各パターン領域に対応する吸収体パターンの実測寸法と設計寸法との寸法差とに基づき、各パターン領域の反射率補正値を求め、各パターン領域に位置する多層膜反射層の反射率を各パターン領域の反射率補正値に基づいて変化させる。 （もっと読む）

【課題】 集束イオンビーム微細加工装置を用いたフォトマスクの孤立パターンの欠陥修正時のチャージアップに起因する問題点を解決する。
【解決手段】 孤立したパターン間に集束イオンビームCVD金属デポジション膜空中配線7を形成して導通させチャージアップの影響を無くしてから欠陥3を修正する。修正後不要となった金属デポジション膜空中配線7をイオンビームエッチングで除去する。孤立したパターンにX方向及びY方向にFIB-CVDで金属デポジション膜空中配線を形成してチャージアップの影響を無くした状態で、X方向及びY方向の金属デポジション膜空中配線を加工時のドリフト補正のマーカーとして使用し、ドリフト補正を行いながら欠陥を修正する。修正後不要となった金属デポジション膜空中配線をイオンビームエッチングまたはAFMスクラッチ加工で除去する。 （もっと読む）