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Fターム[2H096KA16]の内容

感光性樹脂・フォトレジストの処理 (33,738) | 多層レジスト法 (807) | 処理方法 (257) | 現像 (41) | 下層レジストの (8)

Fターム[2H096KA16]に分類される特許

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【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と半導体装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜2の上に下層レジスト膜となる感光性のポジ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に周辺露光処理と現像処理とを施すことにより、外周領域に位置する下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のポジ型のレジスト材料を塗布し、周辺露光処理と現像処理とを施すことにより、外周領域に位置する中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、感光性要素から作られる凸版印刷組版で、段ボール板紙などの基板上にインクのパターンを印刷する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、感光性要素用のその場マスクを形成するステップと、この要素をその場マスクを介して不活性ガスと190,000ppmと100ppmとの間の酸素濃度を有する環境内で化学放射線に露出させるステップと、印刷領域のパターンを有する凸版印刷組版を形成するように、露出された要素を処理するステップとを含む。印刷は、印刷機に凸版印刷組版を固定し、印刷組版の印刷領域にインクを塗布し、かつインクのパターンを基板上に転写するために、この印刷領域からのインクを基板に接触させることによって実施される。 (もっと読む)


【課題】パターン縁部の凸凹を抑制し、所望の形状のレジストパターンが得られるレジストパターン形成方法を提供すること。また、当該レジストパターン形成方法を利用した金属パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板10上に形成したレジスト層40に、パターン露光を行う。次に、高解像度用の現像液を用いて、レジスト層40を現像し、レジスト層40に開口部(抜きパターン42)を形成する。次に、露光部及び非露光部のいずれも同じレートで溶解する溶液を用いて、レジスト層40を処理し、レジスト層40の開口部(抜きパターン42)の開口径を広げる。これにより、レジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンを利用して金属パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】複数のパターンを合成して微細パターンを形成する方法において、プロセスを簡易化し、低コストで実施できる方法を提供する。
【解決手段】第1のパターンを形成する工程と、保護膜を形成する工程と、第2のパターンを保護膜上に形成する工程と、第2のパターンをマスクとして、保護膜と、保護膜により保護されたパターンをドライエッチングする工程と、保護膜を除去する工程とを備え、保護膜の形成工程から保護膜の除去工程までの工程を、単数回または複数回実施する。 (もっと読む)


【課題】ポジ型のフォトレジスト適用下で、ランダム配置のホールパターンを、高裕度で形成することができるパターンの形成方法、電子デバイスの製造方法および電子デバイスを提供する。
【解決手段】被加工膜2上に、密集ホールパターンを有する第1のポジ型フォトレジスト3が形成される。複数のホールパターン3aの各々を埋め込むように第1のフォトレジスト3上に第2のポジ型フォトレジスト4が形成される。第2のフォトレジスト4に高透過ハーフトーン位相シフトマスク30の明暗反転像である暗点像が投影露光される。第2のフォトレジスト4の現像により、暗点像部に形成される第2のフォトレジスト4のドットパターンが複数のホールパターンのいずれかの内部に残される。第1、第2のフォトレジスト3、4をマスクとして、被加工膜2がパターニングされる。 (もっと読む)


【課題】ポジ型レジストを用いて形成工程が容易となるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】レジスト層26の上面側26aよりもレジスト層26の下面側26bの方が開口部が広くなるように、レジスト層26の下面側26bをエッチング液(現像液と同じ)33によってウェットエッチングするので、レジスト層26の逆テーパ形状を容易に形成することができる。これにより、レジスト層がポジ型レジストからなる場合であっても、微細なパターンを容易に形成することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】パターン形成方法に関し、パターン疎密に依るエッチング形状の差を解消することが可能であり、また、エッチングシフト量の変動などに対して即応性に優れ、且つ、低コストのパターン形成方法を提供しようとする。
【解決手段】パターン密度が異なる回路パターンの形成を必要とする被エッチング膜2のエッチングに於いて、パターン密度にかかわらずエッチング後に所望の寸法をもつ被エッチング膜2を形成する為、所望のエッチングシフト量が得られるレジスト膜厚をそれぞれのパターン密度に応じて決定し、前記パターン密度に対応して膜厚を変化させたレジスト膜4をマスクとしてエッチングを行う。 (もっと読む)


【課題】 上側レジスト層と下側レジスト層との界面でインターミキシングが起きず、従って良好な形状を有するレジストパターン、このレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法は、下側レジストパターンを、ポジ型レジスト材料、NQDノボラックレジスト材料、一体型NQDノボラックレジスト材料、疎水性一体型NQDノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成する。 (もっと読む)


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