【課題】光と熱の作用で液晶相とアモルファス相の間を相変化する有機薄膜材料において、初期状態をポリマーの液晶相（あるいは液晶配向を有する固体相）とすることにより記録の追記、記録の書き換えを可能な光情報記録媒体、その製造方法、及びこれを用いた光情報記録方法、光情報記録読出し方法、光情報記録消去方法を提供する。
【解決手段】側鎖にシアノビフェニル基を有する側鎖型液晶ポリマー（A材）とシアノビフェニル基とアントラセン基を有する低分子化合物（B材）からなり、A材（モノマー単位）とB材の混合比がモル比で３：１〜１０：１であり、その光照射部分はアモルファス相であり、未照射部分は液晶配向を有する固体相であることを特徴とする光情報記録媒体（X材）、その製造方法、及びこれを用いた光情報記録方法、光情報記録読出し方法、光情報記録消去方法。 （もっと読む）

【課題】高線速度記録が可能で、広い線速度範囲で高品質の信号が得られ、かつ信号保存性に優れた情報記録媒体を提供する。
【解決手段】本発明の情報記録媒体は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層１５を有する情報記録媒体１である。前記記録層１５は、第１構成層〜第Ｘ構成層（Ｘは２以上の整数）を、前記記録層１５の厚み方向に順に配置することによって形成されている。前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層のうち少なくとも何れか１つの構成層である第ｍ構成層（ｍは１≦ｍ≦Ｘを満たす整数）が、Ｇｅ−ＳｂまたはＴｅを含む。 （もっと読む）

【課題】記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層、その記録層を備えた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄよりも大きい金属（以下、Ｘ金属という）の酸化物と、酸化Ｐｄとを含み、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含むものであり、かつ、記録層に含まれるＸ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が４〜８５原子％であることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。 （もっと読む）

【課題】本発明は６２０ｎｍ以下の波長の光で記録／再生できる有機色素材料を用いた記憶媒体、及びそれを用いる記録方法，記録装置を提供することである。
【解決手段】一般的な有機色素材料の吸収分光特性の影響で６２０ｎｍよりも短い波長の光では大幅に光吸収率が低下して記録感度が下がる。記録された部分（記録マーク）内で非記録部分より反射率が上がる“Ｌ→Ｈ”有機色素記録材料を採用する事で、電子結合の分離による脱色作用を用いた記録マークの形成により基板変形を不要とし、記録感度が向上する。 （もっと読む）

【課題】多層型の光記録媒体において、レーザー光の入射側から最も遠い記録再生機能層以外の記録再生機能層における反射率均一性、耐久性、信号強度等に優れた光記録媒体を提供する。
【解決手段】レーザー光の入射側から少なくとも、第１保護層、第２保護層、記録層、第３保護層、反射層、及び第４保護層をこの順に有する半透明な記録再生機能層を有する光記録媒体において、前記第２保護層と前記第４保護層とが同一の構成元素を有する材料からなり、前記第２保護層の屈折率が、前記第１保護層の屈折率よりも０．３以上大きく、前記第２保護層の膜厚をＤ２、前記第４保護層の膜厚をＤ４、前記記録層に該レーザー光をフォーカスした場合の記録前反射率をＲとしたとき、Ｒの膜厚に対する増加率ｄ（Ｒ）／ｄ（Ｄ２）とｄ（Ｒ）／ｄ（Ｄ４）との正負を逆とする。 （もっと読む）

【課題】記録再生信号特性を犠牲にすることなく、経時変化による欠陥増殖を抑えることが可能な金属層光情報記録媒体を提供する。
【解決手段】支持基板１１と、記録再生レーザ光の入射側の層となる光透過保護層１３と、支持基板１１と光透過保護層１３との間に介在する複数の情報記録層１４，１６，１８とを有する。そして、レーザ光入射側の前記情報記録層１６，１８が、レーザ光の入射側から順に、相変化材料層２２と、誘電体層と、金属層２４とを備える。誘電体層は、（Ｉｎ_２Ｏ_３）_ｘ（ＳｎＯ_２）_１−ｘ、（但し、０．４＜ｘ≦０．７）、又は、（Ｉｎ_２Ｏ_３）_ｘ（ＺｒＯ_２）_１−ｘ、（但し、０．１＜ｘ≦０．５）を主成分として構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより目標の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するに際し、成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成し、その後前記処理容器内に所定流量の気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入して所定の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】追記特性に加えて書換え可能特性も有する追記型の光記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、この目的は、少なくとも第１の記録副層（Ｒ１）および第２の記録副層（Ｒ２）を有する記録層を備え、これらの少なくとも第１の記録層および第２の記録層（Ｒ１、Ｒ２）の材料を合金化することによって情報マークを記録する光記録媒体によって実現される。これらの少なくとも第１の記録層および第２の記録副層（Ｒ１、Ｒ２）の材料は、合金化した材料が、合金化した材料の相変化としてさらなるデータを記録するように適合された相変化材料であるように選択される。 （もっと読む）

【課題】 高速記録消去が可能な書き換え型情報記録媒体に用いる相変化記録材料、及び前記相変化記録材料を用いた書き換え型情報記録媒体を提供する。
【解決手段】 結晶状態を未記録状態とし、非晶質状態を記録状態とする情報記録媒体に用いる相変化記録材料であって、所定のＳｂＳｎＧｅＴｅＭ１組成（Ｍ１はＩｎ等）を主成分とすることを特徴とする相変化記録材料。 （もっと読む）

【課題】繰り返し記録消去回数及びスイッチング動作速度を向上することが可能な相変化固体メモリの記録材料を提供する。
【解決手段】テルル原子を含むアルカリ金属ヨウ化物相又はテルル原子を含む銀ヨウ化物相と、テルルとアンチモンとからなる合金相との均一混合相から構成されることを特徴とする相変化固体メモリの記録材料。 （もっと読む）

【課題】本発明は、戻り光の光量を増大することができる。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体１００は、記録層１０１において直径が１００［ｎｍ］以下でなるナノ微粒子２が、光としての記録光ビームＬＷに基づく近接場光ＬＷｎの照射に応じて複素誘電率を変化させる媒質３に包囲された状態で配置されている。また光情報記録媒体１００は、記録層１０１において、媒質３の複素誘電率ε_２の変化に応じてナノ微粒子２が生じる局所プラズモン共鳴の度合いを変化させるようにする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子％でＧｅ：２０．２〜２４．２％、Ｓｂ：２０．２〜２４．２％含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する相変化膜形成用スパッタリングターゲットであって、その曲げ強度が１１０ＭＰａ以上あるパーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法であって、このターゲットは合金インゴットを粉砕することにより得れられた合金粉砕粉末を不活性ガスのプラズマ中に曝して合金粉末の表面を活性化し、この表面を活性化した合金粉末を使用して加圧焼結することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】原子％でＧｅ：１５．０〜３０．０％、Ｓｂ：５．０〜３０％を含有し、さらにＦｅ：１〜２０ｐｐｍを含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】記録層と接する界面層に結晶化能を促進する材料を提供し、高線速度での書換えと高信号信頼性を両立した情報記録媒体を提供する。
【解決手段】酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 情報記録時に再結晶化リングが発生しにくく、かつ良好な高速記録消去が可能な情報記録媒体を得る。
【解決手段】 基板と、基板上に形成された相変化記録層と、相変化記録層上に形成された反射層とを有する情報記録媒体であって、相変化記録層は、テルルとアンチモン、またはテルルとビスマスを主成分として含有し、その結晶化速度が２ないし１０ナノ秒であり、２００ピコ秒ないし１ナノ秒の半値幅を有する光パルスの照射により、その結晶状態を変化させて記録マークを形成する。 （もっと読む）

【課題】プロセス安定性を確保しながら、高密度記録においても記録特性の優れた相変化記録層を有する光記録媒体の提供。
【解決手段】（１）相変化記録層が、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｍｎ及びＸ（Ｘ：Ｃａ、Ｂ）を含む光記録媒体。（２）Ｘが、相変化記録層中に２〜９原子％含まれている（１）に記載の光記録媒体。（３）基板上に、光照射側から、第一保護層、前記相変化記録層、第二保護層、及び反射層がこの順に積層されており、第二保護層が、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２の何れかを主成分とする材料からなる（１）又は（２）に記載の光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】高転送レートおよび１００ＧＢ以上の大容量な記録条件でも、記録特性、消去特性、記録マーク保存性、密着性を同時に満足する情報記録媒体を提供する。
【解決手段】光の照射または電気的エネルギーの印加によって情報を記録し得る情報記録媒体１００が、相変化を生じ得る記録層１１５を少なくとも備え、記録層１１５が、アンチモン（Ｓｂ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含み、好ましくは、Ｓｂ_{１００−ｘ}Ｓｉ_ｘ（式中、ｘは、原子％で表される組成比を示し、ｘ≦５０を満たす）材料を含み、記録層１１５と接する界面層１１４および１１６の少なくとも一つが、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含む界面層Ａである。 （もっと読む）

【課題】記録レーザパワーが約６〜７ｍＷと低くても、高い信号変調度と高いＣ／Ｎ比を有しており、耐久性にも優れた光情報記録媒体用記録層、および当該記録層を備えた光情報記録媒体を提供する。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体用記録層は、レーザ光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、前記記録層は、Ｎｉ及び／又はＣｏを１〜５０原子％含むＩｎ−Ｎｉ合金及び／又はＩｎ−Ｃｏ合金に窒素を含有するＩｎ基合金からなるものである。上記Ｉｎ−Ｎｉ合金は窒素原子を５〜１４原子％の範囲で含有することが好ましく、上記Ｉｎ−Ｃｏ合金は窒素原子を５〜２０原子％の範囲で含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】プロセス安定性を確保しながら、ブルーレイディスク高速記録においても記録特性の優れた光記録媒体の提供。
【解決手段】（１）相変化記録層の主成分として、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ及びＳを含むことを特徴とする光記録媒体。
（２）Ｓは、記録層中に２原子％以上、９原子％以下の範囲で含まれていることを特徴とする（１）に記載の光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】十分な再生可能回数を確保することができる信頼性の高い高速大容量の超解像光ディスクを提供すること。
【解決手段】記録層１１とこの記録層１１の両面に保護層１，２を備え、レーザ光照射により前記記録層１１に対する情報の記録或いは再生を行う構造の光学的情報記録媒体であって、前記記録層１１がレーザ光照射により相変化する相変化層からなり、前記保護層１，２がＧａの酸化物とＣｒの酸化物との混合物を組成として構成した。そして、この保護層を構成する酸化物の混合物の組成を、（Ｇａ_２Ｏ_３）１−ｘ（Ｃｒ_２Ｏ_３）ｘとし、前記ｘが０．５≦ｘ≦０．８の範囲に有る値としたこと。 （もっと読む）