【課題】 半導体光集積素子及びその製造方法に関し、光導波路の伝播損失を増大させることなく、ＰＤの暗電流を１０ｎＡ以下まで低減する。
【解決手段】 ｎ型クラッド層側から順に少なくとも光吸収層及びＺｎドープｐ型クラッド層が積層されたフォトダイオード領域の傾斜側面に対して[０１１]方向にバットジョイント結合した光導波路領域における光導波路層に（１００）面方位での飽和濃度以下の濃度のＦｅをドープし、上側クラッド層に（１００）面方位での飽和濃度以上の濃度のＦｅをドープする。 （もっと読む）

【課題】光導波路にＴＯ効果を低消費電力で発現できるとともに、光導波路の偏波保持特性の低下を抑制できること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる光導波回路は、基板上に形成されたクラッド層と、クラッド層内に形成された光導波路と、クラッド層の上部であって光導波路の上方に形成され、光導波路を加熱するヒータとを備える。クラッド層は、光導波路の両側方に、この光導波路の延伸方向に沿って形成された溝領域を有する。この溝領域には、クラッド層の上面に平行であって光導波路の延伸方向に垂直な方向に向けて、少なくとも光導波路の側面に至る深さの溝部と中実部とが交互に形成される。この中実部は、この垂直な方向に溝領域の両端をつなぐように連続する。 （もっと読む）

【課題】 入射光の強度が大きくなっても、光強度のピーク値の上昇を抑制する技術が望まれている。
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。 （もっと読む）

【課題】光吸収効率を向上させること、特に導波路部と光検出部の間に光閉じ込め作用の弱いスラブ領域が形成された場合でも、光吸収効率を向上させる。
【解決手段】導波路コア層を含む導波路７１１と、前記導波路の幅より広い幅を有し、前記導波路コアからの出射光が入射される多モード干渉導波路７３１と、少なくとも１つの層からなり、前記多モード干渉導波路からの出射光が入射される第１半導体層７０２と、前記第１半導体層の上に設けられ、前記第１半導体層に入射された出射光を吸収する吸収層７０３を含む光検出部７０１とを有し、前記導波路７１１からの出射光が入射される前記多モード干渉導波路７３１の端部から、前記多モード干渉導波路からの出射光が入射される前記光検出部７０１の端部までの長さが、前記多モード導波路において自己結像が起こる長さの７０％から１００％までの長さである。 （もっと読む）

【課題】逆メサ方向で直線状に形成された直線導波路部と、逆メサ方向に対して傾く方向に形成された傾斜導波路部とを具備する光半導体装置であって、埋め込み導波路作製時の異常成長を抑制し、装置自体を小型化して伝搬損失を低減できる光半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体レーザ１１が、活性層１０２を具備するものであり、導波路部１２が、活性層１０２と同じ高さで形成され、光を導波する導波路層１１５を具有するものであり、半導体レーザ１１がメサ構造で形成され、導波路部１２がメサ構造で形成されると共に、導波路部１２のメサ構造が半導体レーザ１１のメサ構造よりも低く形成され、半導体レーザ１２のメサ構造の側部に半導体層１２２が積層される一方、導波路部１２のメサ構造が半導体層１２２で埋め込まれるようにした。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブル光電配線モジュールの低コスト化と高信頼化を実現する。
【解決手段】 電気配線１１を有する可撓性のフレキシブル電気配線板１０と、フレキシブル電気配線板１０上の一部に搭載され、フレキシブル電気配線板１０よりも低い可撓性を備えた複数の補強板３０と、フレキシブル電気配線板１０上の一部に搭載され、光配線路２１を有する可撓性のフレキシブル光配線板２０とを具備し、フレキシブル電気配線板１０は補強板３０の搭載により可撓性を低下させた固定部Ａと、固定部Ａ以外の可動部Ｂを有し、フレキシブル光配線板２０は固定部Ａに搭載されている。 （もっと読む）

【課題】パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部（光路）を簡単な方法で形成することができ、また、発光素子や受光素子との光結合効率および耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体および電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路構造体は、コア層９３とクラッド層９１、９２とを積層してなる光導波路９を有している。コア層９３は、コア部９４とクラッド部９５とを有し、コア部９４は、一方の端部に向かって幅が連続的に大きくなる拡幅部分９４１と、他方の端部に向かって幅が連続的に小さくなる減幅部分９４２とを有している。また、コア部９４は、（Ａ）環状オレフィン樹脂と、（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ環状エーテル基を有するモノマーおよびオリゴマーのうちの少なくとも一方と、（Ｃ）光酸発生剤と、を含む組成物で構成されたコア層に対し光を選択的に照射することにより形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣとＥＯ材料基板上に形成された他の導波路型光素子とが付き合わせ接続されて構成された光素子チップをパッケージに収納する光変調器において、コンパクト化を図ること。
【解決手段】光変調器３００は、ＬＮ変調器３１０にＰＬＣ３２０が突き合わせ接続されたＰＬＣ−ＬＮ変調器３３０と、ＬＮ変調器３１０が固定された凸部３４０Ａを有するパッケージ３４０と、パッケージ３４０に固定されたレンズ３５０を介してＬＮ変調器３１０の入力ポート３１１と接続された入力ファイバ３６１と、ＰＬＣ３２０に接続されたファイバブロック３７０を介してＰＬＣ３２０の出力ポート３２１と接続された出力ファイバ３６２とを備える。ＬＮ変調器３１０には、レンズを介して入力ファイバ３６１と接続される入力ポート３１１と、入力された光信号を分岐する分岐回路３１２と、分岐された光信号を変調させる電圧を印加するための信号電極３１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】導波路型光素子の一部がマウントの凸部に固定された光部品において、熱応力および機械的外力による光学特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】第２の導波路型光素子２０２には、互いに対向する第１及び第２の光素子支持台３０１、３０２がマウント２１０との間に間隙を設けて固定される。マウント２１０には、第１及び第２の押さえ支持台３１１、３１２が設けられ、これらも互いに対向している。第１及び第２の光素子支持台３０１、３０２の上に押さえ部材３１３が配置され、これは、第１及び第２の押さえ支持台３１１、３１２により、第１及び第２の光素子支持台３０１、３０２との間に間隙を設けて固定される。第２の導波路型光素子２０２並びに第１及び第２の光素子支持台３０１、３０２は、周囲の部材と固定されておらず、マウント２１０に平行な方向（図３の紙面に垂直な方向）に摺動可能である。 （もっと読む）

【課題】斜め光導波路を有する光導波路部にＡｌ及びＡｓを含む半導体層を含む素子部がバットジョイントされた光半導体集積素子を製造する場合の歩留まりを良くする。
【解決手段】半導体基板の上方に斜め光導波路５４を形成するための第１半導体積層構造を成長させる工程と、第１半導体積層構造上にバットジョイント成長用マスク１３を形成する工程と、マスク１３をエッチングマスクとして用いて第１半導体積層構造を除去する工程と、マスク１３を用いてＡｌ及びＡｓを含む第２半導体層を含む第２半導体積層構造をバットジョイント成長させる工程とを含む光半導体集積素子の製造方法において、マスク１３を、光伝播方向に対して平行な直線及び直交する直線のみによって規定される複数の矩形部分１３Ａ〜１３Ｇが斜め光導波路５４を形成する領域に沿って接合された平面形状を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】発光領域が小さい光機能素子を低コストで提供する。
【解決手段】基板２上の透明薄膜４中に所定の間隔で所定の大きさの孔を配列したフォトニック結晶３１が形成され、フォトニック結晶導波路３０はこのフォトニック結晶の一部分に孔を形成しない領域を設けることによって形成されている。この導波路の下部に開口部が形成され、当該開口部が埋まるように窒化物半導体を基板上から透明薄膜の上側まで結晶成長させることによって発光素子１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高温での動作に適し、高出力であるとともに波長に対する出力強度の偏差の増大が抑制された集積型半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、光伝送システムを提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の半導体レーザからの出力光を合流させる光合流器と光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積し、複数の半導体レーザの各活性層の少なくとも一つと半導体光増幅器の活性層とは、同一厚さと、複数の半導体レーザの発振波長が形成する波長帯域の中央近傍に利得ピーク波長を有するように設定された同一の組成とを有し、半導体光増幅器は、光合流器側に出力光を単一モードで導波する等幅部と、光出力側に等幅部の幅よりも幅広の拡幅部とを有し、動作状態における利得ピーク波長が組成設定による半導体レーザの利得ピーク波長と略一致するように、活性層の各井戸層の厚さ合計に応じて拡幅部幅を設定している。 （もっと読む）

【課題】それぞれの位相変調領域が電気的に分離され、かつ高い光透過率を有する半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法並びに半導体光集積素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１１上にコア層１３と上部クラッド層１５とが積層されている。その上には、光導波路１ａ及び１ｂ、ＭＭＩ分波器２ａ、ＭＭＩ合波器２ｂを備える。光導波路１ａ及び１ｂには位相変調領域が設けられている。ＭＭＩ分波器２ａから出射された光は、光導波路１ａ及び１ｂで位相変調され、ＭＭＩ合波器２ｂへ出射する。また、光導波路１ａ及び１ｂの両側にコア層１３を貫通して形成された２本のトレンチ５に挟まれたメサ部１９が形成されている。なお、光導波路１ａ及び１ｂは、位相変調領域とＭＭＩ分波器２ａ及び位相変調領域とＭＭＩ合波器２ｂとの間で長さＬｇａｐの分離溝Ｇａｐで分離されている。 （もっと読む）

集積光素子用の狭小表面波形格子、およびその製造方法である。実施例は、上部に構成が形成される導波管の幅よりも狭い幅を有する格子を含む。本発明のある実施例では、マスク化フォトリソグラフィ法を用いて、所望の格子強度を有する狭小格子が形成される。ある実施例では、レーザの光キャビティは、導波管の幅よりも狭い幅を有する反射器格子を有するように構成される。別の実施例では、集積光通信システムは、1または2以上の狭小表面波形格子を含む。
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【目的】光減衰を行うことなく，すべての波長成分の信号光の出力を均一化する。
【構成】ＡＷＧによって分波された信号光（分波光）のそれぞれが，半導体光増幅器アレイ14に入射する。半導体光増幅器アレイ14の後方端面において反射されずに出射する波長成分ごとの参照光の受光光量に応じた電流がフォトダイオードアレイ15から出力され，制御回路２に入力する。制御回路２によって，すべての波長成分ごとの分波光が所定出力に達することになるように，半導体光増幅器アレイ14における分波光（波長成分）ごとの利得が，それぞれ独立に制御される。 （もっと読む）

【課題】 平行に配置される複数の光半導体素子と光導波路の接合面が光の進行方向に対して傾いていても、バットジョイント成長によって形成可能な光半導体素子集積化装置を提供すること。
【解決手段】 半導体基板と、前記半導体基板の上に平行に配置された複数の光半導体素子と、前記光半導体素子の夫々に突合せ接合されている複数の光導波路とを具備し、前記光半導体素子と前記光導波路の接合面が前記半導体基板に交わる境界線が、光の進行方向に対して傾いており、且つ、前記境界線が傾く方向が、隣接する他の前記境界線で反対になっていること。 （もっと読む）

【課題】時間ジッタが小さいパルスレーザ光を出力できるモード同期半導体レーザを提供すること。
【解決手段】化合物半導体からなる基板上に、ささやき回廊モード共振器が外周部を有し、該外周部の内側を光が周回するように構成した化合物半導体製のささやき回廊モード共振器と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、光増幅利得を有する化合物半導体製の光増幅部と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、該ささやき回廊モード共振器に光を入出力する化合物半導体製の光導波路とを有し、前記ささやき回廊モード共振器と前記光増幅部と光導波路がモノリシックに集積され、モード同期によりパルスレーザ光を発振するモード同期の手段を有する。 （もっと読む）

【課題】半絶縁性クラッド層を有する光変調器において、作製工程数を増やさない。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を入射する入射端面５１１と、入射された光を伝搬するｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３に電界を印加する一対の電極と、印加された電界によって変調された光を出射する出射端面５１２と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の下面を覆うｎ−ＩｎＰバッファー層５０２と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３上に設けられるｎ−ＩｎＰ層５０７と、を備える。ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の上面とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の側面とを覆うＳＩ−ＩｎＰ層５０６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光−マイクロ波発振器の共振器長を短くし、半導体もしくは石英基板上に集積可能とすることを目的とする。
【解決手段】光−マイクロ波発振器１０は、半導体基板１５上に、半導体レーザ１１と、半導体レーザから出射されたレーザ光を導く光導波路１２と、光導波路で導かれたレーザ光を検出して電気信号を出力する光検出器１３と、光検出器から出力された電気信号を増幅して増幅信号を生成する増幅器１４とを含む光−電気ループ回路を有する。生成した増幅信号によって半導体レーザ１１から出射されるレーザ光を制御し、光−電気ループ回路におけるキャリアの遅延時間で定まる基本発振周波数、又は、その整数倍の高調波成分の１つで発振する。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ構造を有する光半導体素子の信頼性を向上させる。
【解決手段】光半導体素子１００は、半導体レーザ３１の活性層１３、及び、光導波路３２のコア層１６の各側面が、メサの側壁から露出するハイメサ構造を有する。薄膜保護層２０により、活性層１３及びコア層１６の露出した側面を覆う。薄膜保護層２０は、バンドギャップが活性層１３のバンドギャップよりも大きく、厚みが１．５μｍ以下のｐ型ドープ半導体層であり、活性層１３に注入された電子及び正孔の対による非発光再結合を防止し、半導体レーザ３１の発光効率及び信頼性を向上する。 （もっと読む）