マッハツェンダー干渉計（ＭＺＩ）５００は、調整可能ＭＭＩカプラ５０４を備える調整可能マルチモード干渉（ＭＭＩ）カプラを組み込んでいる。調整可能ＭＭＩカプラ５０４は、調整可能ＭＭＩ領域５１６の面上の調整電極５２４、調整可能ＭＭＩ領域内に配置された電気的絶縁領域を有する。ＭＭＩ領域５１６は、光検出器部による光電流の検出に応じて調整することができる。このような調整課のＭＺＩは、光スプリッタの分割比を可能にする点で、特に有用である。分割比とスプリッタは、特定の効率的な態様で制御される。 （もっと読む）

【課題】高出力の第二高調波発生素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、少なくとも1つのシングルモード導波路１２ａと、シングルモード導波路１２ａと光学的に結合された、少なくとも1つのマルチモード干渉導波路１２ｂと、を有する周期構造光導波路１２を備える。シングルモード導波路１２ａとマルチモード干渉導波路１２ｂとが、周期Λでｎ（ｎは自然数）周期繰り返す。周期Λは、コヒーレンス長の偶数倍と等しい。 （もっと読む）

光チップ（平面光波回路）からなる光デバイスが開示され、この光デバイスは、光学的に対称か、もしくは一致する設計および特性、ならびに光デバイス内に非対称性を作り出す光学素子を有する。このデバイスは、コヒーレント光通信システムおよび非コヒーレント光通信システムにおける検出に用途を見出す。 （もっと読む）

【課題】電極の配線によるクロストークの影響を低減することができるマッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるマッハツェンダ型の光変調器は、アーム導波路が形成された強誘電体の基板と、アーム導波路に結合したＹ分岐部およびＹ合波部の少なくとも一方が形成された常誘電体の基板とを備える。強誘電体の基板は、アーム導波路上に形成された変調用の電極を備え、常誘電体の基板は、電極の配線を備える。常誘電体の基板は、強誘電体の基板に比べて電気光学効果による影響が小さいので、電極の配線が常誘電体の基板の導波路と交差しても、クロストークの影響が小さい。また、電極の配線を常誘電体の基板に配置すれば、配線が導波路と交差しても影響が小さいので、配線の等長化のための設計がし易くなる。 （もっと読む）

【課題】透過スペクトル波形を調整可能な光波長合分波回路およびその調整方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によれば、アレイ導波路回折格子（ＡＷＧ）を備えた光波長合分波回路は、光スプリッタと、２つのアーム導波路と、光モード合成カプラと、テーパ導波路とを備える。光モード合成カプラは、一方のアーム導波路から入力される基底モード光を１次モードに結合させ、他方のアーム導波路から入力される基底モード光を基底モードに結合させる。テーパ導波路は、２次モード光を励起するように構成される。このような光波長合分波回路において、２つのアーム導波路の少なくとも一方の実効屈折率を変化させて、テーパ導波路の開口端での基底および２次モード光に対する１次モード光の位相差を変化させることにより、透過スペクトル波形を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】偏波モード結合を低減して偏波モード結合起因のＰＤＬを低減した導波路型光回路を提供する。
【解決手段】導波路型光回路１０は方向性結合器１１を備える。近接して対向する導波路コア１１ａ，１１ｂの両側にダミーパターン２１を形成し、非ギャップ部（２つの導波路コアに挟まれていない領域）にダミーパターンと導波路コアに挟まれた構造を設けている。非ギャップ部のガラス微粒子密度を導波路コア間（ギャップ部）のガラス微粒子密度に近づけることができるため、上部クラッド形成過程においてガラス微粒子密度の差によって生じる導波路コアをギャップ内側へ倒そうとする応力の発生を抑制できる。その応力により導波路コア１１ａ，１１ｂの光学主軸が傾き方向性結合器１１において偏波同士で結合が起きる偏波モード結合を抑制でき、偏波モード結合起因のＰＤＬを低減できる。 （もっと読む）

【課題】曲げ導波路における高次モードの励振そのものを防止できるようにする。
【解決手段】光半導体装置を、第１の幅を有する第１光導波路１と、第１光導波路１に接続され、曲げ部２Ａを有すると共に第１の幅よりも狭い第２の幅を有する第２光導波路２と、第２光導波路２に接続され、第２の幅よりも広い第３の幅を有する第３光導波路３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】高速で駆動電圧が低く、かつバイアス電圧が小さく、製作の歩留まりの良い光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１に形成された光導波路と、高周波電気信号用の中心導体及び接地導体からなる進行波電極と、バイアス電圧用の中心導体１５ａ及び接地導体１５ｂからなるバイアス電極とを有し、光導波路には進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、光導波路は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路上にチャイルドマッハツェンダ光導波路をそれぞれ有するネスト型光導波路でなる光変調器において、バイアス電極は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路を構成するＹ分岐アームに沿ってバイアス電圧を印加するよう形成される。 （もっと読む）

【課題】位相の変化を正確に検出する。
【解決手段】位相偏移変調された信号光を出射する、少なくとも一つの出射端としての端部１１ａと、端部１１ａから出射された光を回折させる回折格子本体としての格子面１２と、前記回折格子本体から出射された光を入射する、ｍ（ｍ：整数）次回折光が入射される場所以外の場所に設けられた、少なくとも一つの第１の入射端としての端部１１ｂとを備えた、位相偏移変調光受光用回折格子としての透過型回折格子１１。 （もっと読む）

【課題】反射戻り光の素子特性への影響を抑制する。
【解決手段】光回路素子１は、２×２ＭＭＩカプラ３０と、２×２ＭＭＩカプラ３１と、光導波路３０３と光導波路３０４とを有し、２×２ＭＭＩカプラ３０は、一の端面にポート３２とポート３３とを有し、反対側の端面にポート３４とポート３５とを有し、２×２ＭＭＩカプラ３１は、一の端面にポート３６とポート３７とを有し、反対側の端面にポート３８とポート３９とを有し、ポート３４とポート３６とが光導波路３０３を介して接続され、ポート３５とポート３７とが光導波路３０４を介して接続され、ポート３３には、光吸収領域２０が接続され、ポート３８には、光吸収領域２１が接続され、ポート３４とポート３６との間およびポート３５とポート３７との間に、反射境界２２が介在している。 （もっと読む）

導波路交差構造（３００）は、入力導波路（２０５）及び出力導波路（２１０）と、前記入力導波路（２０５）及び前記出力導波路（２１０）と交差して交差部分（１３５）を形成する交差導波路（２１５）と、ブロック（３０５、３１０）であって、前記交差部分（１３５）に光学的に結合されて、導波モード（４０５）が前記交差部分（１３５）内に生成されるブロック（３０５、３１０）とを備える。導波路交差構造（３００）内で光損失を低減する方法は、交差部分（１３５）を通過する光エネルギー（４０５）が側面方向に閉じ込められるように、前記交差部分（１３５）の断面高さを増加させることを含む。 （もっと読む）

【課題】アサーマルＡＷＧにおいて残留する透過中心波長の温度依存性を補償し、全使用温度領域において透過中心波長精度に優れた、あるいは使用可能温度領域が比較的広い、低損失かつ透過スペクトルの平坦な光波長合分波回路を提供する。
【解決手段】ＭＺＩ同期ＡＷＧの透過中心波長が、およそＭＺＩの透過波長とＡＷＧの透過中心波長の平均値であることに着目し、アサーマルＭＺＩの透過波長の温度依存性を変調しアサーマルＡＷＧに残留する透過中心波長の温度依存性と相殺するように設定する。本発明においては、特にＭＺＩにおける光カプラに着目し、光カプラ自体に、２つの出力間の位相差が温度により変化する機構を与えることにより、ＭＺＩの透過波長の温度依存性を変調する。 （もっと読む）

【課題】アサーマル化されたアレイ導波路回折格子（ＡＷＧ）において残留する透過中心波長の温度依存性を補償した光波長合分波回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるＡＷＧは、その透過中心波長の主要な温度依存性が補償されている。このＡＷＧは、入出力導波路とスラブ導波路との間に、光スプリッタと、第１および第２のアーム導波路と、光モード合成カプラと、マルチモード導波路とを備える。光モード合成カプラは、第１のアーム導波路からの基本モード光を基本モードに結合させ、第２のアーム導波路からの基本モード光を１次モードに結合させる。マルチモード導波路は、基本および１次モード光が伝播可能である。このようなＡＷＧにおいて、第１および第２のアーム導波路間の光路長差を温度によって変化させることにより、アレイ導波路回折格子の残留する温度依存性を補償するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】アサーマルＡＷＧにおいて残留する透過中心波長の微小な温度変化を補償し、全使用温度領域において透過中心波長精度に優れたあるいは使用可能温度領域が比較的広い光波長合分波回路を提供する。
【解決手段】アレイ導波路回折格子を備える光波長合分波回路であって、１次モード光励起機構と、１次モード光励起機構に接続され少なくとも基本および１次モード光が伝播可能であり、直接あるいはテーパ導波路を介して第１のスラブ導波路に接続されるマルチモード導波路とを備え、マルチモード導波路あるいはテーパ導波路の第１のスラブ導波路への接続部における基本モード光と１次モード光との合成光フィールドの温度変位により、アレイ導波路回析格子の透過波長の残留する温度依存性の一部または全部が補償されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】入力電気信号の位相調整回路等を省いた簡易な駆動系でプッシュプル動作を可能とする光変調装置及び光変調装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に、入力光を分波した一方の光線を導波する第１の導波路１２２ａと、入力光を分波した他方の光線を導波する第１の導波路１２２ａと光路長が同一な第２の導波路１２２ｂと、第１の導波路１２２ａに少なくとも１つの第１の光位相変調器１２０ａと、第２の導波路１２２ｂに第１の導波路の第１の光位相変調器１２０ａと直交する結晶方位とした少なくとも１つの第２の光位相変調器１２０ｂとを備えた。 （もっと読む）

【課題】半絶縁性クラッド層を有する光変調器において、作製工程数を増やさない。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を入射する入射端面５１１と、入射された光を伝搬するｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３に電界を印加する一対の電極と、印加された電界によって変調された光を出射する出射端面５１２と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の下面を覆うｎ−ＩｎＰバッファー層５０２と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３上に設けられるｎ−ＩｎＰ層５０７と、を備える。ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の上面とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の側面とを覆うＳＩ−ＩｎＰ層５０６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】反射率ピークの波長依存性が小さい回折格子デバイスを提供する。
【解決手段】回折格子デバイス１ａでは、回折格子構造９は、光導波路コア７と基板３との間に設けられている。第１のクラッド領域１７ａ及び領域１５は、回折格子のための接合１０ａを形成する。積層構造５は第３の層１１ａを含み、第３の層１１ａは、光導波路コア７と回折格子構造９との間に位置する。また、第３の層１１ａは第２のエリア３ｃ上において回折格子構造９上に設けられている。第３の層１１ａは、領域１５の屈折率と異なる第３の屈折率ｎ３を有する。第２の部分５ｃでは第３の層１１ａが光導波路コア７と第１のクラッド領域１７ａの間にあり、第１の部分５ｂでは光導波路コア７は回折格子構造９の領域１５に隣接している。このため、第３の層１１ａの屈折率及び光導波路コア７の屈折率からなる周期的な屈折率変化が光導波路コア７に沿って形成される。 （もっと読む）

【課題】コンタクト露光装置や投影露光装置のような安価な露光装置で製造可能な、発光又は光増幅機能を有する第１の光導波路と第２の光導波路が光学的に接続された光半導体装置を提供すること。
【解決手段】第１の半導体層により形成された第１のコア層を有する第１の半導体光導波路と、前記第１の半導体光導波路の側面を埋め込む第２の半導体層と、前記第１の半導体光導波路の上に形成された電極と、前記第１の半導体層よりもバンドギャップ波長の短い第３の半導体層によって形成された第２のコア層を有し、前記第１の半導体光導波路に光学的に接続された第２の半導体光導波路を具備し、前記第２の半導体層は、前記第１の半導体光導波路と前記第２の半導体光導波路の境界を越えて前記第２の半導体光導波路の側面の一部を埋め込み、 且つ、前記電極が前記境界と前記第２の半導体光導波路の側面を埋め込む前記第２の半導体層の端の間に延在していること。 （もっと読む）

【課題】２サブキャリアのＡｌｌ−Ｏｐｔｉｃａｌ ＯＦＤＭ変調方式を用いたＷＤＭ伝送において、サブキャリア間隔がＷＤＭチャネル間隔の整数分の一でないような場合においても、サブキャリアを高消光比で分離することができ、かつチャネルに応じた調整が不要であるような光分波器を提供する。
【解決手段】光分波器は、透過スペクトルの自由周波数間隔（ＦＳＲ）が互いに等しい第１の光分波素子（ＭＺＩ₁）、第２の光分波素子（ＭＺＩ₂）および第３の光分波素子（ＭＺＩ₃）を具備し、第２の光分波素子および第３の光分波素子はそれぞれ第１の光分波素子の異なる出力ポートに接続され、ＦＳＲは波長多重（ＷＤＭ）信号の隣接チャネル間隔周波数の整数分の１であって、ＷＤＭ信号チャネルにおいてＦＳＲ以下の間隔（Δｆ）を有する複数のサブキャリアで変調され、サブキャリアを分離して出力する。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ型導波路における基本モードの曲げ伝播損失が抑制された光集積素子および光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に突出しながら該基板表面に沿って延設され、下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成され該下部クラッド層よりも大きい屈折率を有するコア層と、前記コア層上に形成され該コア層よりも小さい屈折率を有する上部クラッド層とを有する導波路と、を備え、前記導波路は、直線導波路部と前記基板の表面と平行な面内において曲げを有する曲げ導波路部とを含み、前記曲げ導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さは、前記直線導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さよりも大きい。 （もっと読む）