本発明は、大気圧グロープラズマに基板表面を曝露することによって基板の表面から汚物を除去する方法及び配置に関する。プラズマは、プラズマ電流及び変位電流を発生する複数の電極に交流プラズマ活性電圧を印加することによって、複数の電極を具備する放電空間で生成される。プラズマは、基板表面の特性の改質が防がれるように、プラズマ生成の間に変位電流を制御することによって安定化される。変位電流を制御する段階は、プラズマ生成の間に変位電流の相対的な減少をもたらす。
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本発明は、第１の清浄化領域（２０６）内にある表面（２１８）のレーザアブレーションの方法に関し、前記アブレーションは、キャビティ（２０４）に電磁放射を供給するための励起手段（２０２）に関連付けられたキャビティ（２０４）によって放射されるレーザビーム（２１６）を使用する。本発明の方法は、キャビティ（２０４）が、電磁放射を伝送する光ファイバ（２１０）によって励起手段（２０２）と関連付けられ、励起手段（２０２）が上述の清浄化領域（２０６）の外側に維持されるようになることを特徴とする。本発明によれば、前記ファイバ内で励起放射の波長はわずかに減衰され、ファイバは１０ｍより長い。
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プラズマを用いて複数の基板（２６）を処理するプラズマ処理装置（１０）。プラズマ処理装置の処理チャンバ（１２）は、通常は垂直方向に向いた少なくとも一対の電極（２４）を有し、この一対の電極（２４）間に、プラズマ処理のために基板（２６）が配置される。各電極（２４）は、水平方向のプロセスガス及びプラズマの流れを可能にする穿孔板（４２、５０）を有し、これによりプラズマ均一性が向上する。ポリマー基板（２６）に付着しているとともにポリマー基板（２６）から突出している、バリ又は穿孔カス等の薄いポリマー領域を除去するのに有効な処理方法が規定される。

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本発明は、表面上に被覆層または塗装部（１６）を有する担体（１４）（たとえば、絶縁材のエナメルが被覆された金属の導体）を処理する方法で、該方法は、被覆層または塗装部と担体との間の接触面または接触面の隣接部において、これらの間に相互作用を生じさせるにパルス状のレーザビーム（１２）を上記担体に放射するステップと、被覆層または塗装部を担体から局部的に分離させるように導くステップとを含む。上記方法による除去は、被覆層または塗装部と担体との間の接触面で、被覆層または塗装部を局部的に分離させる衝撃波と同様の効果を生じさせる上記接触面での相互作用を生成することによって得られる。
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熱プラズマを生成するプラズマ生成装置（３１６）と、プラズマ生成装置（３１６）から熱プラズマを受け取り且つプラズマ処理チャンバ（３１８）内で熱プラズマを膨張させるためにプラズマ生成中にプラズマ生成装置（３１６）よりも低い圧力をプラズマ処理チャンバ（３１８）に維持するプラズマ生成装置（３１６）の外部のプラズマ処理チャンバ（３１８）と、熱プラズマを誘導結合する誘導子システム（３３０、３３２、３３３）とを含むプラズマ生成システム（３００）が提供される。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニックデバイス構造およびプロセス装置から望ましくない物質を除去するために、たとえば超臨界二酸化炭素などの超臨界流体を用いる組成物および方法。フラックスおよびはんだプリフォーム表面膜を除去するための有用性を有する、このようなタイプの一組成物には、たとえば超臨界ＣＯ_２などの超臨界流体、およびたとえばキシレンなどの有機共溶媒が含まれる。半導体基板から金属、金属酸化物、金属含有エッチング後残渣およびＣＭＰ粒子を除去するための有用性を有する、このようなタイプの別の組成物には、超臨界流体および少なくとも１つのβ−ジケトンが含まれる。

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【課題】 本発明は、例えば、半導体、フラットパネルディスプレイ、プリント基板などの製造装置や検査装置など、異物を嫌う基板処理装置のクリーニングシート及びクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 クリーニング層が、電石（エレクトレット）化された物質からなる、又は／及びクリーニング層の表面電位が、０．１〜１０ＫＶの範囲であるクリーニングシートである。 （もっと読む）